Ảnh hưởng của tốcđộ lắng đọng màng lên sự kếttinh trong giai đoạn tạo mầm của màng

Một phần của tài liệu Vật lý màng mỏng -Màng WO3 (Trang 25 - 27)

Trong phần kháo sát này, WO3 được lắng đọng trên đế thủy tinh với cùng năng lượng phún xạcủa nguồn 50Wh. Nhiệt độ ban đầu của đế là 3500C nhưng sau quá trình phún xạ, do quá trình cấp nhiệt khogn6 được duy trì nên nhiệt độ của đế khôngổn định mà tựgiảm dần.

Tốc độmàng được thay đổi bằng cách thay đổi công suất phún xạhoặáp suất làm việc của hỗn hợp khí. Áp suất riêng phần oxy đủ lớn (PO2/ C > 0,3 mtorr/ (nm/s)) đ ểmàng

thu được có hợp thức tốt và trong suốt. Màng sau khi chếtạo được khảo sát cấu trúc tinh thểbằng máy phổXRD tại phân viện mỏvà luyện kim Thủ Đức.

Các phổ XRD này được trình bày trên hình 5.4 cho thấy rằng đối với màng có tốc

độlắng đọng thấp 0,1nm/s màng hầu như không cho bất cứ đỉnh phổXRD nào.Ởtốc độ

lắng đọng 0,14nm/s màng cho đ ỉnh phổvới cường độphổrất thấpứng với mặt mạng ( 001).

Ởtốc độ lắng đọng cao 0,58nm/s màng cho đ ỉnh (001) với cường độkhá cao.

Sựkhác biệt vềtrạng thái tinh thểnày có thể được giải thích rằng trong quá trình lắng đọng màng nhiệt độcủa đếbanđầu cao hơn nhiệt độtinh thể hóa của WO3và sau đó

giảm dần

Sựkết tinh trong màng chỉxảy ra trong giai đoạn đầu của quá trình lắng đọng màng khi mà nhiệt độ đếvẫn còn cao hơn nhiệt độtinh thểhóa của WO3. Trong khoảng thời

gian đó nếu tốc độ lắngđọng màng càng cao thì độdày của lớp WO3kết tinh càng lớn và màng sẽ cho đỉnh phổ càng cao. Ngược lại nếu tốcđộlắng đọng màng quá thấp thìđộdày của lớp màng có chứa pha WO3 tinh thể sẽrất nhỏva 2thma65 chí không thểhiện được

đỉnh phổtrên giản đồXRD. Hình 5.4

Một phần của tài liệu Vật lý màng mỏng -Màng WO3 (Trang 25 - 27)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(32 trang)