a.Tạo dũng phõn cực b.Điện ỏp tham chiếu BanGap
Hỡnh 3.23 Mạch bandgap tạo ref chuẩn
Nguyờn lớ tạo ỏp tham chiếu giống như mạch band gap. Hỡnh sau là bộ phận tạo dũng phõn cực cho toàn mạch và điện ỏp tham chiếu cho ổn ỏp.
trờn tạo thành một gương dũng. XM và XM2 và cỏc linh kiện XR1, XQ1, XQ2 tạo thành nguồn dũng. Nhờ gương dũng:
IXQ1=IXQ2 => Vbexq1-Vbexq2 = Vt*ln(8) (mV)= 54.065mV. (Vt=26mV) Vỡ VGSxm1=VGSxm2 nờn Vs1=Vn0
=>IXR1=54mV/1.080meg=0.05uA.
Tức là ta phải chọn Xr1 = 1.08meg thay vỡ 1.4 meg như trong hỡnh vẽ.
Dũng qua Xm4 sẽ lấy đi để phõn cực cho cỏc mạch khỏc bằng cỏch soi gương sang cỏc nhỏnh khỏc.
Mạch tạo dũng phõn cực ở trờn là một dạng mạch tự phõn cực như đó núi trong chương ba, mạch này khụng tự khởi động được khi chỳng ta cấp nguồn, vỡ thế
chỳng ta dựng XM44 và cổng NOT X1 để khởi động.
Giả sử ban đầu mạch chưa khởi động, do đú Vsig9953 ở mức thấp vỡ vậy gate của Xm44 sẽ ở mức cao, Xm44 thụng kộo điểm pbias xuống tạo dũng cho gương dũng khởi động mạch. Khi cú dũng điện trờn, ở nhỏnh trỏi Vsig9953 sẽ cao lờn và thụng qua X1 điều khiển Xm44 đúng lại sau đú Xm44 khụng ảnh hưởng gỡ tới hoạt động của mạch nữa.
Vỡ đõy là điện ỏp Bangap nờn ta cần căn chỉnh để khoảng biến thiờn điện ỏp tham chiếu theo nhiệt độ là nhỏ nhất trong toàn dải nhiệt -40 tới 125. Thay đổi R3 (Xr4B ở trong mạch) để được kết quả mong muốn. Khi thiết kế, việc căn chỉnh
được thực hiện bằng phần mềm mụ phỏng. Đường nhiệt của điện ỏp tham chiếu thu
Hỡnh 3.24 Điện ỏp tham chiếu biến thiờn theo nhiệt độ
Hỡnh 3.25 Hệ số khuyếch đại và Pha vũng của mạch BanGap
Sự biến thiờn điện ỏp tham chiếu lớn nhất là 1.6mV trong toàn dải -40 tới 125o.
tới sự ổn định của mạch. XM12 là mosfet mắc thành tụ, tụ điện này cú giỏ trị
khoảng 6p dựng để bự pha cho vũng hồi tiếp. Trong hỡnh 3.25 là đồ thị bode hệ số
khuyếch đại và pha của vũng hồi tiếp. Phamagrin đạt 86.5 độ, mạch ổn định.