Trong chương này, chúng tôi đã nghiên cứu hiệu ứng Hall trong siêu mạng bán dẫn pha tạp dưới ảnh hưởng của một sóng điện từ mạnh trong hai trường hợp: từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và nằm trong mặt phẳng tự do của electron.
Hai loại tương tác electron - phonon được xem xét là tương tác electron - phonon âm và electron - phonon quang. Sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi đã thu được biểu thức giải tích cho tensor độ dẫn, từ trở và hệ số Hall. Các kết quả giải tích được tính số và vẽ đồ thị đối với siêu mạng GaAs:Be/GaAs:Si.
Kết quả tính số cho thấy sự phụ thuộc của từ trở, độ dẫn, hệ số Hall vào trường ngoài có dáng điệu tương tự như trong các hố lượng tử đã xét ở chương 2 và chương 3. Sự phụ thuộc của từ trở vào từ trường, biên độ và tần số sóng điện từ cho thấy sự phù hợp về mặt định tính với các quan sát thực nghiệm cũng như tính toán lý thuyết gần đây trong các hệ bán dẫn 2 chiều. Kết quả thu được phần nào cho thấy tính đúng đắn của phương pháp phương trình động lượng tử trong việc nghiên cứu hiệu ứng Hall dưới ảnh hưởng của một sóng điện từ nói riêng và các hiệu ứng có liên quan đến tương tác electron - phonon nói chung.
KẾT LUẬN
Sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử, tác giả đã nghiên cứu hiệu ứng Hall trong các hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn dưới ảnh hưởng của trường sóng điện từ xét đến tương tác electron - phonon. Các kết quả chính thu được của luận án có thể được tóm tắt như sau
1. Lần đầu tiên thiết lập được phương trình động lượng tử cho electron trong các hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn khi có mặt từ trường, điện trường không đổi và sóng điện từ cho hai trường hợp: từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và nằm trong mặt phẳng tự do của electron.
2. Thu được biểu thức giải tích của tensor độ dẫn, từ trở, hệ số Hall phụ thuộc vào các trường ngoài và thông số của vật liệu cho hai loại tương tác là tương tác electron - phonon âm và tương tác electron - phonon quang.
3. Kết quả giải tích được tính số, vẽ đồ thị và thảo luận đối với hố lượng tử parabol GaAs/AlGaAs, hố lượng tử vuông góc sâu vô hạn GaN/AlGaN và siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be.
4. Các kết quả tính số thu được phù hợp tương đối tốt cả về định tính và định lượng với một số kết quả thực nghiệm và lý thuyết của các tác giả khác, đặc biệt là đối với tương tác electron - phonon âm và tương tác electron - phonon quang khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron. Ngoài ra, sự phụ thuộc của độ dẫn, từ trở, hệ số Hall vào trường ngoài trong các hố lượng tử và siêu mạng có dạng định tính tương tự nhau. Điều này là do tất cả các hệ mà ta đang xét đều là các hệ hai chiều, trong đó các electron bị giam giữ theo một phương và tự do theo hai phương còn lại.
5. Về phương pháp, luận án góp phần khẳng định khả năng, tính hiệu quả và sự đúng đắn của phương pháp phương trình động lượng tử trong nghiên cứu các tính chất chuyển tải của hệ electron - phonon bằng lý thuyết lượng tử trong các điều kiện lượng tử
(từ trường mạnh và nhiệt độ thấp).
6. Về ứng dụng, luận án góp phần giải thích những cơ chế xảy ra do tương tác electron - phonon dưới tác dụng của trường ngoài trong các hệ bán dẫn hai chiều. Ngoài ra, kết quả của luận án cũng đóng góp một phần nhỏ bé vào sự phát triển của lý thuyết vật lý nanô, cung cấp các thông tin về các tính chất của các cấu trúc bán dẫn thấp chiều. Những thông tin này được xem là cơ sở cho công nghệ chế tạo các linh kiện điện tử bằng vật liệu nanô hiện nay.
DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN
QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
1. Nguyen Quang Bau and Bui Dinh Hoi (2012), “Influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation) on the Hall effect in quantum wells with a parabolic potential”,
Journal of the Korean Physical Society 60(1), pp. 59 - 64 (ISI).
2. Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2012), “On the Hall effect in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic field under the influence of a strong electromagnetic
wave (laser radiation)”, VNU Journal of Science, Mathematics - Physics 28(1S), pp. 24 -
29.
3. Bui Dinh Hoi, Tran Cong Phong (2012), “Nonlinear current density in quantum wells
with parabolic potential under crossed electric and magnetic fields”,International Journal
of Computational Materials Science and Engineering 1(2), pp.1250021 (11 pages).
4. Bui Dinh Hoi, Le Kim Dung, Nguyen Quang Bau (2012), “On the Hall effect in parabolic quantum wells with an in-plane magnetic field in the presence of a strong electromagnetic
wave (laser radiation)”, Proc. Natl. Conf. Theor. Phys. 37, pp. 199-205.
5. Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Nghia, Nguyen Van Hieu, and Bui Dinh Hoi (2013), “Influence of a Strong Electromagnetic Wave (Laser Radiation) on the Hall Coefficient
in Doped Semiconductor Superlattices with an In-plane Magnetic Field”, Progress In
Electromagnetics Research Symposium Proceedings, March 25-28, Taipei, pp. 416 - 421.
6. Bui Dinh Hoi, Do Tuan Long, Pham Thi Trang, Le Thi Thiem, Nguyen Quang Bau (2013), “The Hall coefficient in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic
field under the influence of laser radiation”, Journal of Science of HNUE: Mathematical
7. Bui Dinh Hoi, Pham Thi Trang, Nguyen Quang Bau (2013), “Calculation of the Hall Coefficient in Doped Semiconductor Superlattices with a Perpendicular Magnetic Field
under the Influence of a Laser Radiation”, VNU Journal of Mathematics - Physics 29(1),
pp. 33 - 43.
8. Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2014), “Investigation of the Hall effect in rectangular quantum wells with a perpendicular magnetic fields in the presence of a high-frequency
electromagnetic wave”, International Journal of Modern Physics B 28(3), p. 1450001-1
(14 pages) (ISI).
9. Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2014), “Dependence of the Hall Coefficient on Dop- ing Concentration in Doped Semiconductor Superlattices with a Perpendicular Magnetic
Field under the Influence of a Laser Radiation”,Integrated Ferroelectrics: An International
Journal 155(1), pp. 39-44 (ISI).
10. Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi, Tran Cong Phong (2014), “Hall Effect in a Doping Semiconductor Superlattice with an In-plane Magnetic Field under Influence of an Intense
Tài liệu tham khảo
Tiếng Việt:
[1] Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý
thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội.
[2] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007),Vật lý bán dẫn thấp
chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội.
Tiếng Anh:
[3] Balkan N., Celik H., Vickers A. J., and Cankurtaran M. (1995), “Warm-electron
power loss in GaAs/Ga1−xAlxAs multiple quantum wells: Well-width dependence”,
Phys. Rev. B 52, pp. 17210–17222.
[4] Barnes D. J. et. al. (1991), “Observation of optically detected magnetophonon res-
onance”, Phys. Rev. Lett. 66, pp. 794–797.
[5] N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc (2009), “The nonlinear absorption coeffcient
of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”,J.
Korean Phys. Soc.54(2), pp. 765–773.
[6] N. Q. Bau, H. D. Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong elec-
tromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”,J. Korean Phys.
[7] N. Q. Bau , L. T. Hung, and N. D. Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the
influences of confined phonons”,Journal of Electromagnetic Waves and Applications
24, pp. 1751–1761.
[8] N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined
electrons in doping superlattices”,Progress In Electromagnetics Research Letters15,
pp. 175–185.
[9] N. Q. Bau and D. M. Hung (2010), “Calculation of the nonlinear apsorption coef- ficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlat-
tices”, Progress In Electromagnetics Research B25, pp. 39–52.
[10] N. Q. Bau, N. V. Hieu, and N. V. Nhan (2012), “The quantum acoustomagneto-
electric field in a quantum well with a parabolic potential”, Superlatt. Microstruct.
52(5), pp. 921–930.
[11] Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan (2012), “Calculations of
acoustoelectric current in a quantum well by using a quantum kinetic equation”, J.
Korean Phys. Soc.61(12), pp. 2026–2031.
[12] N. Q. Bau, N. V. Hieu (2013), “The quantum acoustoelectric current in a doped
superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”,Superlatt. Microstruct. 63, pp. 121–130.
[13] N. Q. Bau, N. T. T. Nhan, and N. V. Nhan (2014) “Negative absorption coefficient of a weak electromagnetic wave caused by electrons confined in rectangular quantum
wires in the presence of laser radiation”, J. Korean Phys. Soc.64(4), pp. 574–578.
[14] Cavill S. A., Challis L. J., Kent A. J., Ouali F. F., Akimov A. V., and Henini
M. (2002), “Acoustic phonon-assisted tunneling in GaAs/AlAs superlattices”, Phys.
[15] Charbonneau M., Van Vliet K. M., and Vasilopoulos P. (1982), “Linear response theory revisited III: One-body response formulas and generalized Boltzmann equa-
tions”, J. Math. Phys. 23, pp. 318–336.
[16] Chaubey M. P. and Van Vliet C. M. (1986), “Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering”,
Phys. Rev. B 33, pp. 5617–5622.
[17] Chen X. (1997), “Local-field study of optical intersubband saturation in a parabolic
quantum well under crossed magnetic and electric fields”,J. Phys.: Condens. Matter
9, pp. 8249–8256.
[18] Cho Y. J., and Choi S. D (1993), “Theory of cyclotron-resonance line shapes based
on the isolation-projection technique”, Phys. Rev. B 47, pp. 9273–9278.
[19] Cho Y. J., and Choi S. D (1994), “Calculation of quantum-limit cyclotron-resonance
linewidths in Ge and Si by the isolation-projection technique”,Phys. Rev. B49, pp.
14301–14306.
[20] Choi S. D., Lee S. C., Lee H. J., Ahn H. S., Kim S. W. and Ryu J. Y. (2002), “Optically detected magnetophonon resonances in semiconductor based n-Ge and
n-GaAs”, Phys. Rev. B 66, pp. 155208–155219.
[21] Dhar S. and Ghosh S. (1999), “Low field electron mobility in GaN”, J. Appl. Phys.
86(5), pp. 2668–2676.
[22] Dietel J., Glazman L. I. , Hekking F. W. J., and Von Oppen F. (2005), “Microwave photoconductivity of two-dimensional electron systems with unidirectional periodic
modulation”, Phys. Rev. B 71, pp. 045329 (15 pages).
[23] Dmitriev I. A. et. al. (2005), “Theory of microwave-induced oscillations in the mag-
netoconductivity of a two-dimensional electron gas”, Phys. Rev. B 71, pp. 115316
[24] Duque C. A., Oliveira L. E., and De Dios-Leyva M. (2006), “Correlated Electron-Hole Transitions in Bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As QuantumWells: Effects of Applied
Electric and In-Plane Magnetic Fields”, Brazilian Journal of Physics 36(3B), pp.
1038–1041.
[25] Durst A. C., Sachdev S., Read N., and Girvin S. M. (2003), “Radiation-Induced Mag-
netoresistance Oscillations in a 2D Electron Gas”, Phys. Rev. Lett. 91, pp. 086803
(4 pages).
[26] Epshtein E. M. (1976), “Odd magnetophotoresistance effect in semiconductors”,Sov.
Phys. Semicond. [Fiz. Tekh. Poluprovodn.] 10, pp. 1414–1415 [in Russian].
[27] Epshtein E. M. (1976), “Odd magnetoresistance of nonlinear conductors in time-
dependent electric fields”, Sov. J. Theor. Phys. Lett. 2, 5, pp. 234–237 [in Russian].
[28] Esaki L. and Tsu R. (1970), “Superlattice and negative differential conductivity in
semiconductors”, IBM. J. Res. Develop. 14, pp. 61–65.
[29] Hai G. Q. and Peeters F. M. (1999), “Optically detected magnetophonon resonances
in GaAs”, Phys. Rev. B 60, pp. 16513-16518.
[30] Hashimzade F. M., Hasanov Kh. A., and Babayev M. M. (2006), “Negative magne-
toresistance of an electron gas in a quantum well with parabolic potential”, Phys.
Rev. B 73, pp. 235349 (8 pages).
[31] Henriksen E. A. et. al (2005), “Acoustic phonon scattering in a low density, high mo-
bility AlGaN/GaN field-effect transistor”Appl. Phys. Lett.86, pp. 252108 (3 pages).
[32] Hwang E. H. and Das Sarma S. (2006), “Hall coefficient and magnetoresistance
of two-dimensional spin-polarized electron systems”, Phys. Rev. B 73(12), pp.
121309(R) (4 pages).
[33] I˜narrea J. et. al. (2005), “Theoretical approach to microwave-radiation-induced zero-
[34] Jian-Bai X. and Wei-Jun F. (1989), “Electronic structure of superlattices under in-
plane magnetic field”, Phys. Rev. B 40, pp. 8508–8515.
[35] Kahn A. H. and Frederikse H. P. R. (1959), “Oscillatory behavior of magnetic sus-
ceptibility and electronic conductivity”, Sol. Stat. Phys.9, pp. 257–291.
[36] Kaminskii V. É. (2002), “Kinetic theory of negative magnetoresistance as an alter-
native to weak localization in semiconductors”,Semiconductors 36, pp. 1276–1282.
[37] Kang N. L, Cho Y. J., and Choi S. D. (1996), “A many-body of quantum limit cyclotron transition line-shape in electron - phonon systems based on projection
technique”, Prog. Theor. Phys.96, pp. 307–316.
[38] Klitzing K., Dorda G., Pepper (1980), “New Method for High-Accuracy Determi-
nation of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance”, Phys.
Rev. Lett. 45, pp. 494–497.
[39] Kreshchuk A. M. Novikov, S. V., Polyanskaya T. A., and SavelÒev I. G. (1997), “Spin relaxation and weak localization of two-dimensional electrons in asymmetric
quantum wells”,Semiconductors 31, pp. 391–398.
[40] Laughlin R. B. (1981), “Quantized Hall conductivity in two dimensions”, Phys. Rev.
B 23, pp. 5632–5633.
[41] Lee S. C. (2007), “Optically detected magnetophonon resonances in quantum wells”,
J. Korean Phys. Soc.51(6), pp, 1979–1986.
[42] Lee S. C., Ahn H. S., Kang D. S., Lee S. O., Kim S. W. (2003), “Optically detected
magnetophonon resonances in n-Ge in tilted magnetic fields”,Phys. Rev. B 67, pp.
115342 (5 pages).
[43] Lee S. C., Kang J. W. , Ahn H. S., Yang M., Kang N. L., Kim S. W. (2005),
“Optically detected electrophonon resonance effects in quantum wells”, Physica E
[44] Lei X. and Lin S. Y. (2005), “Microwave modulation of electron heating and
Shubnikov-de Haas oscillation in two-dimensional electron systems”, Appl. Phys.
Lett. 86, pp. 262101–262103.
[45] Linke H., Omling P., and Ramvall P. (1993), “Application of microwave detection of
the Shubnikov - de Haas effect in two-dimensional systems”, J. Appl. Phys. 73(11),
pp. 7533–7542.
[46] Look D. C., Sizelove J. R., Keller S., Wu Y. F., Mishra U. K., and Den Baars S. P.
(1997), “Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN”, Sol. Stat.
Comm.102, pp. 297–300.
[47] Lyapilin I. I. and Patrakov A. E. (2004), “Conductivity of a two-dimensional electron
gas in magnetic field in the presence of microwave radiation”,Low Temp. Phys. 30,
pp. 834–847.
[48] Malevich, V. L., and Epshtein E. M. (1976), “Photostimulated odd magnetoresis-
tance in semiconductors”, Sov. Phys. Solid State [Fiz. Tverd. Tela ] 18, pp. 1286–
1289 [in Russian].
[49] Mani R. G. (2004), “Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave excita-
tion in GaAs/AlGaAs Heterostructures”,Physica E 22, pp. 1–6.
[50] Mani R. G. et. al. (2002), “Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave
excitation in GaAs/AlGaAs heterostructures”,Nature 420, pp. 646–650.
[51] Mani R. G. et. al. (2004), “Demonstration of a 1/4-Cycle Phase Shift in the
Radiation-Induced Oscillatory Magnetoresistance in GaAs/AlGaAs Devices”, Phys.
Rev. Lett. 92, pp. 146801 (4 pages).
[52] Minkov G. M., Negashev S. A., Rut O. E., and Germanenko A. V. (2000),“Analysis
of negative magnetoresistance: Statistics of closed paths. II. Experiment”,Phys. Rev.
[53] Mitra B. and Ghatak K. P. (1991), “Effect of crossed electric and quantizing magnetic
fields on the Einstein relation in semiconductor superlattices”, Phys. Stat. Sol. (b)
164, pp. K13–K18.
[54] Morkoc H. (1999), Nitride Semiconductors and Devices, Springer, Verlag - Berlin -
Heildelberg - New York.
[55] Pankratov A. A., and Epshtein E. M. (1982), “Kinetic theory of longitudinal Hall ef-
fect in high-frequency electric field”,Sov. Phys. Semicond.[Fiz. Tekh. Poluprovodn.]
16(9), pp. 1689–1691 [in Russian].
[56] Pavlovich V. V. and Epshtein E. M. (1977), “Nonlinear optical properties of conduc-
tion electrons in semiconductors”, Sov. Phys. Semicond. [Fiz. Tekh. Poluprovodn.]
11, pp. 809–811 [in Russian].
[57] Perlin P. et. al. (1996), “Determination of the effective mass of GaN from infrared
reflectivity and Hall effect”, Appl. Phys. Lett. 68(8), pp. 1114–1116.
[58] Ploog K. and Dohler G. H. (1983), “Compositional and doping superlattices in III-V
semiconductors”, Adv. Phys.32(3), pp. 285–359.
[59] Raichev O. E. (2008), “Magnetic oscillations of resistivity and absorption of radiation
in quantum wells with two populated subbands”, Phys. Rev. B 78, pp. 125304 (14
pages).
[60] Ridley B. K. (1993), Quantum Processes in Semiconductors, Clarendon Press, Ox-
ford.
[61] Ryu J. Y., Yi S. N., and Choi S. D. (1990), “Cyclotron transition linewidths due
to electron - phonon interaction via piezoelectric scattering”, J. Phys.: Condens.
[62] Ryzhii V. and Vyurkov V. (2003), “Absolute negative conductivity in two- dimensional electron systems associated with acoustic scattering stimulated by mi-
crowave radiation”,Phys. Rev. B 68, pp. 165406 (7 pages).
[63] Sarkar C. K. and Basu P. K. (1986), “Cyclotron resonance linewidth in a two di-
mensional electron gas due to scattering by alloy clusters”,Sol. Stat. Comm. 60, pp.
525–526.
[64] Shan W., Schmidt S., Yang X. H., Song J. J., and Goldenberg B. (1996), “Opti- cal properties of wurtzite GaN grown by low-pressure metalorganic chemical-vapor
deposition”, J. Appl. Phys. 79, pp. 3691–3696 .
[65] Shmelev G. M., Tsurkan G. I., and Nguyen Hong Shon (1981), “The magnetore- sistance and the cyclotron resonance in semiconductors in the presence of strong
electromagnetic wave”, Sov. Phys. Semicond. [ Fiz. Tekh. Poluprovodn.] 15(1), pp.
156–161 [in Russian].
[66] Silin A. P. (1985), “Semiconductor superlattices”, Sov. Phys. Usp. 28, pp. 972–993.
[67] Singh J. (1993), Physics of Semiconductors and Their Heterostructures, McGraw-
Hill, Singapore.
[68] Singh M. (1987), “Cyclotron resonance linewidth due to electron - phonon interaction
in multi-quantum well structures”,Phys. Rev. B 35, pp. 1301–1304.
[69] Smrcka L. et al. (2006), “Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlat-
tices subject to in-plane magnetic fields”, Physica E 34, pp. 632–635.
[70] Song S. N., Wang X. K., Chang R. P. H., and Ketterson J. B. (1994), “Electronic
Properties of Graphite Nanotubules from Galvanomagnetic Effects”,Phys. Rev. Lett.
[71] Tanatar B. and Singh M. (1991), “Temperature dependence of the cyclotron res-
onance linewidth and effective mass in GaAs/Ga1−xAxAs square-well structures”,
Phys. Rev. B 43, pp. 6612–6619.
[72] Telenkov M. P., Mityagin Y. A., and Kartsev P. F. (2012), “Intersubband terahertz transitions in Landau level system of cascade GaAs/AlGaAs quantum well struc-
tures in strong tilted magnetic field”,Nanoscale Research Letters 7, pp. 491-495.
[73] Tiras E. et. al. (2012), “Temperature dependent energy relaxation time in Al-
GaN/AlN/GaN heterostructures”,Superlatt. Microstruct. 51, pp. 733–744.
[74] Torres M. and Kunold A. (2006), “Photoconductivity in AC-driven modulated two-
dimensional electron gas in a perpendicular magnetic field”, J. Phys.: Condens.
Matter. 18(16), pp. 4029–4045.
[75] Tsui D. C., Stormer H. L., Gossard A. C. (1982), “Two-dimensional magnetotrans-
port in the extreme quantum limit”, Phys. Rev. Lett. 48, pp. 1559–1562.
[76] Vasilopoulos P. (1986), “Magnetophonon oscillations in quasi-two-dimentional quan-
tum wells”, Phys. Rev. B 33, pp. 8587–8594.
[77] Vasilopoulos P., Charbonneau M., and Van Vliet C. M. (1987), “Linear and nonlinear
electrical conduction in quasi-two-dimensional quantum wells”,Phys. Rev. B 35(3),
pp. 1334–1344.
[78] Van Vliet C. M. (1978), “Linear response theory revisited. I. The many-body van
Hove limit”,J. Math. Phys. 25, pp. 1345–1370.
[79] Van Vliet C. M. (1979), “Linear response theory revisited. II. The master equation
approach”, J. Math. Phys. 25, pp. 2573–2595.
[80] Vasilopoulos P. and Van Vliet C. M. (1984), “Linear response theory revisited. IV.
[81] Veinger A. I., Zabrodskii A. G., and Tisnek T. V. (2000), “The Magnetoresistance of Compensated Ge:As at Microwave Frequencies in the Vicinity of the MetalỌIn-
sulator Phase Transition”, Semiconductors 34, pp. 746–754.
[82] Waldron E., Graff J., and Schubert E. (2001), “Influence of Doping Profiles on p-type
AlGaN/GaN Superlattices”, Phys. Stat. Sol. (a)188(2), pp. 889–893.
[83] Xu W. and Zhang C. (1996), “Magneto-photon-phonon resonances in two- dimensional semiconductor systems driven by terahertz electromagnetic fields”,
Phys. Rev. B 54, pp. 4907–4912.
[84] Yang C. L., Zudov M. A., Knutilla T. A., Du R. R., Pfeiffer L. N., and West K. W. (2003), “Observation of Microwave-Induced Zero-Conductance State in Corbino
Rings of a Two-Dimensional Electron System”, Phys. Rev. Lett. 91, pp. 096803 (4
pages).
[85] Zudov M. A., Du R. R., Pfeiffer L. N., and West K. W. (2003), “Evidence for a New
Dissipationless Effect in 2D Electronic Transport”, Phys. Rev. Lett. 90, pp. 046807
(4 pages).
[86] Zudov M. A., Du R. R., Simmons J. A., and Reno J. L. (2001), “Shubnikov - de Haas-like oscillations in millimeterwave photoconductivity in a high-mobility two-
dimensional electron gas”, Phys. Rev. B 64, pp. 201311(R) (4 pages).
[87] T. C. Phong, L. T. T. Phuong, and H. V. Phuc (2012), “Cyclotron resonance line-
width due to electron - LO-phonon interaction in cylindrical quantum wires”, Su-
perlatt. Mirostruct. 52, pp. 16–23.
[88] Zhang X. B., Taliercio T., Kolliakos S. and Lefebvre P.(2001), “Influence of electron-
phonon interaction on the optical properties of III nitride semiconductors”,J. Phys.:
[89] Zhdanova N. G., Kagan M. S., and Landsberg E. G. (2000), “Electron Localiza- tion in a Nondegenerate Semiconductor with a Random Potential due to Charged
