Kết luận chƣơng 3

Một phần của tài liệu HIệu ứng từ điện trở trên cảm biến dạng cầu wheatstone cấu trúc hỗn hợp nối tiếp song song (Trang 35 - 38)

4. Phƣơng pháp nghiên cứu

3.3. Kết luận chƣơng 3

Thông qua quá trình khảo sát tính chất từ của màng NiFe, chúng tôi đã chế tạo và khảo sát tín hiệu từ điện trở trên các cảm biến S2 cho tín hiệu lớn nhất ∆V = 1,18 mV; SH = 0,32 mV/Oe tại dòng cấp 0,1 mA.

28

KẾT LUẬN

Trong thời gian ngắn nghiên cứu đề tài khóa luận tốt nghiệp, đề tài đã thu đƣợc một số kết quả sau:

- Đã nghiên cứu đƣợc tổng quan về các hiệu ứng từ và điện, nguyên lý và hoạt động của các loại cảm biến từ, từ điện trở.

- Chế tạo đƣợc cảm biến hoạt động dựa trên mạch cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng từ điện trở dị hƣớng cấu trúc tổ hợp nối tiếp – song song, kích thƣớc 0,15 x 4 mm, bề dày 5 nm

- Khảo sát tín hiệu lối ra của cảm biến theo từ trƣờng ngoài, Cảm biến cho tín hiệu lớn nhất ∆V = 1,18 mV; SH = 0,32 mV/Oe tại dòng cấp 0,1 mA.

29

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. Nguyễn Phú Thùy (2003), Vật lý các hiện tượng từ, NXB DHQG Hà Nội. Tiếng Anh

[2]. Bui Dinh Tu, Le Viet Cuong, Tran Quang Hung, Do Thi Huong Giang, Tran Mau Danh, Nguyen Huu Duc, and CheolGiKim, Optimization of spin-valve structure NiFe/Cu/NiFe/IrMn for planar Hall effect based biochips.

[3]. Bui Dinh Tu, Tran Quang Hung, Nguyen Trung Thanh, Tran Mau Danh, Nguyen Huu Duc, and CheolGi Kim Planar Hall bead array counter microchip with NiFe/IrMn bilayers, Journal of applied Physics 104, 074701, 2008.

[4]. Http://en.wikipedia.org/wiki/Bridge_circuit//.

[5]. Http://tailieu.vn/xem-tai-lieu/do-luc-va-ung-suat-chuong-2.375058.html//. [6]. Http://www.play-hookey.com/dc_theory/wheatstone_bridge.html//.

[7]. Kawamura et al. United States Petent, No 598217, (1999), Geomagnetic Direction Cảm biến, Nov.9.

[8]. L. Ejsing, M. F. Hansen, A. K. Menon, H. A. Ferreira, D. L. Graham, and P. P. Freitas (2005), Appl.Phys. Lett. 293, 677.

[9]. Michael J. Haji-Sheikh (2005), Anisotropic Magnetoresistive Model for Saturated Sensor Elements, IEEE Sensor Journal, Vol. 5, No. 6, 1258- 1263.

[10]. M. J. Haji-Sheikh and Y. Yoo (2007), An accurate model of a highly ordered 81/19 Permalloy AMR Wheatstone bridge sensor against a 48 pole pair ring-magnet, IJISTA, 3, No (1/2), 95–105.

[11]. Mc Guire, T.; Potter, R. "Anisotropic magnetoresistance in ferromagnetic 3d alloys". IEEE Transactions on Magnetics 11 (4):

30 1018–1038, 1975

[12]. M. M. Miller, G. A. Prinz, S. F. Cheng, S. Bounnak (2002), Detection of a micron-sized magnetic sphere using a ring-shaped anisotropic magnetoresistance-based sensor: A model for a magnetoresistance- based biosensor, Applied Physics Letters 81(12), pp. 2211-2213.

[13]. L.K. Quynh, B.D. Tu, D.X. Dang, D.Q. Viet, L.T. Hien, D.T. Huong Giang, N.H. Duc (2016), Detection of magnetic nanoparticles using simple AMR sensors in Wheatstone bridge, Journal of Science: Advanced Materials and Devices 1 98-102 (ScienceDirect).

Một phần của tài liệu HIệu ứng từ điện trở trên cảm biến dạng cầu wheatstone cấu trúc hỗn hợp nối tiếp song song (Trang 35 - 38)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(38 trang)