Trong chương 3, chúng tôi đã trình bày chi tiết quy trình thực nghiệm chế tạo cảm biến. Thông qua quá trình khảo sát tính chất điện của cảm biến, chúng tôi thấy rằng cảm biến trong dải từ trường nhỏ (H < 5 Oe), thế ra của cảm biến là đường tuyến tính theo từ trường ngoài. Khi khảo sát đáp ứng của cảm biến với từ trường trái đất, chúng tôi thấy cảm biến có khả năng đo được cường độ từ trường trái đất, giá trị cường độ từ trường chúng tôi xác định được 0,41 Oe.
KẾT LUẬN
Trong quá trình thực hiện khóa luận, chúng tôi đã đạt được các kết quả sau: 1. Đã trình bày chi tiết tổng quan về các loại vật liệu và các hiệu ứng từ điện trở dị hướng và hiệu ứng Hall phẳng nghiên cứu các tính chất đặc trưng của hiệu ứng từ điện trở và mạch cầu Wheatstone. Từ đó chúng tôi đã chọn mạch cầu Wheatstone làm cấu hình sensor và Ni80Fe20 làm vật liệu chế tạo điện trở mạch cầu.
2. Đã chế tạo thành công các cảm biến cầu Wheatstone trên nền vật liệu Ni80Fe20 với chiều dày lớp Ni80Fe20 5 nm, kích thước 50 µm 250 µm.
3. Đã khảo sát các tín hiệu của cảm biến chế tạo được. Sự phụ thuộc của thế lối ra vào cường độ dòng cấp, vào phương giữa từ trường và dòng điện. Tín hiệu lối ra cực đại ΔV = 36 mV tại dòng cấp 5 mA.
4. Đã thử nghiệm dùng cảm biến chế tạo được để đo từ trường trái đất tại khu vực phòng thí nghiệm. Kết quả cho thấy từ trường trái đất tại khu vực này là 0,41 Oe và có độ ổn định tương đối tốt.
TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt
1. Nguyễn Hữu Đức (2008), Vật liệu từ cấu trúc nano và điện tử học spin, NXB DHQG Hà Nội.
2. Nguyễn Phú Thùy (2003), Vật lý các hiện tượng từ, NXB DHQG Hà Nội.
Tiếng Anh
3. Bui Dinh Tu, Le Viet Cuong, Tran Quang Hung, Do Thi Huong Giang, Tran Mau Danh, Nguyen Huu Duc, and CheolGiKim, Optimization of spin-valve structure NiFe/Cu/NiFe/IrMn for planar Hall effect based biochips.
4. Http://en.wikipedia.org/wiki/Bridge_circuit//.
5. Http://groups.mrl.uiuc.edu/dvh/pdf/AZ5214E.pdf//.
6. Http://tailieu.vn/xem-tai-lieu/do-luc-va-ung-suat-chuong-2.375058.html//. 7. Http://www.play-hookey.com/dc_theory/wheatstone_bridge.html//.
8. Kawamura et al. United States Petent, No 598217, (1999), Geomagnetic Direction Sensor, Nov.9.
9. K.M Chui, A.O Adeyeye, Mo- Huang Li (2009), Detection of a single magnetic dot using a Planar Hall sensor.
10. K.T.Y. Kung, L.K. Louie (1991), J. Appl. Phys. 69, 5634.
11. L. Ejsing, M. F. Hansen, A. K. Menon, H. A. Ferreira, D. L. Graham, and P. P. Freitas (2005), Appl.Phys. Lett. 293, 677.
12. Michael J. Caruso, Tamara Bratland, A New Perspective on Magnetic Field Sensing, Honeywell, SSEC, 12001 State Highway 55, Plymouth, MN 55441.
13. Michael J. Haji-Sheikh (2005), Accurate model of saturated AMR Wheatstone bridge sensor against a 48 pole pair ring – magnet,1st Interational conference on sensing technology, November 21-23 Palmerston North, New Zealand.
14. Richard J. Gambino, Muthuvel Manivel Raja, Sanjay Sampath, and Robert Greenlaw (2004), plasma-sprayed thick-film anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors, IEEE sensors journal, vol. 4, no. 6.
15. Second Editon, D. Jiles (1998), Introduction to Magnetism and Magnetic Materials, Ames Laboratory, US Department of Energy, Great Britain by St Edumundsbury Press, Suffolk UK.
16. Susan Macmillan, Earth’s magnetic field, British Geological Survey, Edinburgh, UK.
17. Ton Tich Ai (2005) Geomagnetism and Magnetic Prospecting, Vietnam National University Publishers.
18. U. Gradmann, J. Magn. Magn (1986), Mater. 54, 733.
19. W. O. Henry (1998), Noise reduction techniques in electronic systems, Second edition, John Wiley & Sons, New York, Inc.