Đối với bước sóng trung tâm ~ 860nm, một thiết bị A-FPSA độ nét thấp giống như vậy đã được giới thiệu, được gọi là gương phản xạ Bragg bão hòa (SBR). Thiết bị này rất giỗng với thiết bị SESAM có phủ lớp chống phản xạ đã được giới thiệu ở trên. Tuy nhiên, trong trường hợp này, không có lớp phủ chống phản xạ đặt trên gương Bragg AlAs/AlGaAs. Điều này có thể được giải thích như sau:
Có thê mô tả SBR này như một A-FPSA độ nét thấp, gồm một gương Bragg AlAs/AlGaAs phía đưới cộng với buông cộng hưởng Fabry-Perot có độ dày 1⁄4 bước sóng tại vị trí khử cộng hưởng. Chiều dày d của lớp không gian/hấp thụ được điều
chỉnh để khử cộng hưởng với œy = 0 và œ@, = 0, và có bề đày nhỏ nhất là 2 4m với
m = 0. Bộ hấp thụ bão hòa sau đó được đặt bên trong Fabry-Perot này. Các xung của thiết bị này cỡ 90 fs đã từng tạo ra từ laser Ti:sapphire, độ rộng xung dài hơn đáng kế so với các xung 34 fs đạt được bằng thiết bị SESAM có lớp chống phản xạ tương tự, (là do độ sâu biến điệu của thiết bị này nhỏ hơn). Chú ý rằng gương phản xạ Bragg không đóng vai trò quan trọng trong hoạt động của SESAM và không hoàn toàn bão hòa. Ví dụ, gương Bragg có thể được thay thế bởi một gương kim loại như được thảo luận ở trên để thu được độ rộng phổ lớn hơn.
Cấu trúc gương Bragg AlAs/AlGaAs bão hòa hoặc phi tuyến đã được Kim và đồng nghiệp đề xuất vào năm 1989 [11]. Trong trường hợp này, gương phản xạ Bragg phi tuyến hoạt động dựa trên sự hấp thụ bão hòa do chiếm hết phổ trong vật liệu có độ rộng vùng cắm hẹp hơn của gương phản xạ Bragg. Điều này dẫn đến sự hấp thụ được phân bố qua nhiều lớp. Tuy nhiên, thiết bị này đã có quá nhiều mất mát bên trong laser rắn. Do đó, cần có một hoặc một vài lớp hấp thụ mỏng bên trong các lớp 1⁄4 bước sóng của lớp phản xạ Bragg. Thông lượng bão hòa của thiết
28