để chuẩn bị cho lần chiếu tiếp theo. Quá trình xoá sẽ loại bỏ bất kì điện tích dư nào từ các lớp mặt và bất kì các điện tích bị giữ trong các trạng thái của a-Se, vì vậy ngăn cản sự tạo bóng của ảnh (ghost image) giữa các lần chụp.
II- Cấu tạo và nguyên lí làm việc của máy X-Quang số
b, Khối thu nhận và tạo ảnh
Phương pháp chuyển đổi gián tiếp:
Phương pháp chuyển đổi gián tiếp sử dụng CsI hoặc
như là detector tia X. Chất nhấp nháy và photpho được sử dụng trong các detector chuyển đổi gián tiếp có thể là có cấu trúc hoặc không có cấu trúc (hình 13). Các detector này biến năng lượng tia X thành ánh sáng.
Các chất nhấp nháy phi cấu trúc tán xạ lượng lớn của
ánh sáng và điều này làm giảm độ phân giải không gian.
Các chất nhấp nháy cấu trúc bao gồm chất photpho
trong cấu trúc hình kim (kim vuông góc với bề mặt màn hình). Sự tăng về số lượng photon tia X tương tác và làm giảm sự tán xạ bên cạnh của photon ánh sáng.
Hình 13: Sơ đồ chất nhấp nháy phi (trái) và chất nhấp nháy cấu trúc(phải)
II- Cấu tạo và nguyên lí làm việc của máy X-Quang số
b, Khối thu nhận và tạo ảnh
Phương pháp chuyển đổi gián tiếp:
Khi lớp chất nhấp nháy tiếp xúc với tia X chùm tia sẽ hấp thụ và chuyển đổi thành ánh sáng huỳnh quang. Trong tầng thứ 2 ánh sáng được chuyển hóa thành các điện tích điện tử bởi lớp a-Si bán dẫn dò sáng. Các detector chuyển hóa gián tiếp được xây dựng bởi sự bổ sung của 1 mạch a-Si bán dẫn dò sóng và chất nhấp nháy ở lớp đầu của TFT nhiều lớp. Các lớp thay thế lớp tia X bán dẫn được dùng trong thiết bị chuyển hóa trực tiếp. Khu vực hoạt động của detector được chia thành các lớp tích hợp của các phần tử hỉnh ảnh- điểm ảnh- và mỗi phần tử bao gồm 1 bán dẫn dò quang và công tắc có sẵn TFT cho xử lí hiển thị.
Sự phát triển gần đây cho điểm ảnh mới – cấu trúc màn hình nhấp nháy với tinh thể nano : kích thước hạt Eu cho độ phân giải không gian cao hình ảnh detector tia X được thực hiện cho bộ cảm biến hình ảnh X-Quang gián tiếp với độ nhạy cao và độ phân giải cao.