Một tham số quan trọng khỏc của bộ hấp thụ bóo hũa là thời gian hồi phục hấp thụ. Nú quyết định việc làm ngắn xung lớn nhất (độ rộng xung cú thể đạt được nhỏ nhất) và cỏc đặc tớnh xõy dựng mode-locking của laser. Trong chế độ hấp thụ bóo hũa nhanh, thời gian hồi phục của bộ hấp thụ là ngắn so với độ rộng xung. Do đú, cửa số khuyếch đại tổng được hỡnh thành bằng chớnh xung và rộng bằng độ rộng xung.
Trong chế độ mode-locking soliton, bộ hấp thụ bóo hoà chậm cũng cú thể hỗ trợ những xung cực ngắn. Nếu tồn tại dạng soliton mạnh, độ rộng xung cú thể ngắn hơn nhiều so với thời gian hồi phục của bộ hấp thụ. Độ rộng xung ngắn nhất đó đạt được với mode-locking hoàn toàn là 13 fs, sử dụng bộ hấp thụ với thời gian hồi phục chỉ cú 60 fs. Vỡ lớp hấp thụ bóo hũa làm bằng vật liệu bỏn dẫn nờn thể hiện đỏp ứng xung theo hai thời gian (bitemporal impulse response):
• Quỏ trỡnh tỏn xạ giữa cỏc hạt tải bờn trong vựng và quỏ trỡnh nhiệt húa (thermalization proceses), thụng thường cỡ 10 fs đến 100 fs.
• Quỏ trỡnh tỏi hợp (recombination processes) cỡ ps tới ns phụ thuộc vào thụng số chế tạo vật liệu.
Thời gian hồi phục hấp thụ phụ thuộc vào cả hai quỏ trỡnh trờn. Mode-locking của cỏc xung laser cực ngắn yờu cầu thời gian sống của cỏc hạt tải cũng phải cực ngắn. Cú hai kỹ thuật để làm giảm thời gian sống của cỏc hạt tải là nuụi bằng kỹ thuật chựm phõn tử nhiệt độ thấp (LT - MBE) hoặc cấy ion. Giỏ trị điển hỡnh của thời gian hồi phục đạt được nằm trong khoảng 10 ps đến 20 ps.