Đặc tính của anten vi dải

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và thiết kế anten băng kép cho công nghệ 4g và bluetooth (Trang 33 - 35)

Anten vi dải hay cịn được gọi là anten mạch vi dải vì nĩ cĩ kích thước rất nhỏ và được chế tạo trên một bản mạch in. Thực chất anten vi dải là một dạng anten cĩ kết cấu bức xạ kiểu khe.

Mỗi phần tử anten vi dải bao gồm các phần chính là một bản mặt kim loại (patch) được đặt trên một lớp điện mơi nền (dielectric substrate) và một bộ phận tiếp điện. Cấu trúc điển hình của một phần tử anten vi dải cĩ dạng hình chữ nhật được cho trong hình 2-8:

Hình 2-8: Cấu trúc c

Các thơng số cấu trúc cơ bả W, bề dày của bản kim loại t, đ h, hằng số điện mơi ε, suy hao ti Bản kim loại rất mỏng, nhỏ

(t <<λ ). Tuy nhiên, độ dày này ph mặt ngồi vì nếu độ dày của b tổn thất thuần trở sẽ làm gi loại thường trong khoảng (λ Chiều dày lớp điện mơi h và h thơng số bức xạ của anten. Đ h < 0.1 λ ), hằng số điện mơi với hằng số điện mơi nhỏ hơn 2.2 s hao do bức xạ đường biên khơng đáng k liệu cĩ hằng số điện mơi nh

những thiết kế thương mại.

Ngồi ra anten vi dải cịn cĩ các hình d giác, hình vành khăn, hình ellip …

u trúc của một phần tửanten vi dải hình chữnh

ản của một phần tử anten vi dải là chiều dài L, chi i t, độ dẫn điện của bản kim loại σ, chiều dày l ε, suy hao tiếp tuyến (loss tangent) của lớp điện mơi tan(

ỏ hơn nhiều so với bước sĩng truyền trong khơng gian t dày này phải ít nhất lớn hơn một vài lần so với đ

a bản kim loại nhỏ hơn độ sâu của lớp mặt ngồi thì nh làm giảm hiệu suất bức xạ của anten. Chiều dài L c

λ /3 < L <λ /2).

n mơi h và hằng số điện mơi ε đĩng vai trị quan tr a anten. Độdày h của lớp điện mơi thường trong kho

n mơi εthường trong khoảng (2.2 < ε< 12). Lớ hơn 2.2 sẽ tăng hiệu quả sử dụng của anten: d ng biên khơng đáng kể, nhưng kích thước anten sẽ

n mơi nhỏ hơn 2.2 và lớn hơn 12 thường khơng ph i.

i cịn cĩ các hình dạng khác như: hình vuơng, hình trịn, hình tam ình ellip …được mơ tảtrong hình 2-9:

nhật

u dài L, chiều rộng u dày lớp điện mơi n mơi tan(δ).

n trong khơng gian tự do i độ sâu của lớp t ngồi thì những u dài L của bản kim

ị quan trọng trong các ng trong khoảng (0.002 λ < ớp điện mơi dày a anten: dải tần rộng, suy lớn. Những vật ng khơng phổ biến trong

Hình

2.2.2.Hoạt động của anten vi dảiAnten vi dải được chế tạo b

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và thiết kế anten băng kép cho công nghệ 4g và bluetooth (Trang 33 - 35)