- Độ sâu tiêu điểm DOF tăng lên ở các kích thước đặc trưng lớn hơn, ngay cả so với các kích thước đặc trưng của quang khắc thô [4]
JRUYỀN THÔNG RS-
Truyền thông
dap ling va quan trong nhat la co tich hgrp day du cac khoi truyen thong, cac
kh6i analog (ADC, khu£ch dai.. .)■
b) Khối truyền thông
- Mạch điều khiển chính có khả năng kết nối vói các mạch điều khiển khác theo chuẩn RS-485 và với máy tính theo chuẩn USB.
- Sử dụng dây cáp truyền thông theo chuyên dụng: được mạ kẽm, có phủ đất để chống nhiễu.
- Quản lý dữ liệu theo nguyên tắc MASTER-SLAVE.
c) Khối vào/ra tương tự
Yêu cầu đối với các đầu vào tương tự: - Số lượng đầu vào: 02
- Tín hiệu vào: 0-^5 VDC
- Hệ số khuếch đại: 1-rlOO (có thể tích hợp thêm 1 tần khuếch đại nữa trên vi xử lỷ để tăng hệ sổ khuếch đại tăng thêm 10 lần, việc này phụ thuộc vào từng trường hợp ứng dụng cụ thể).
d) Khối hiện thị LCD, khổi bàn phím chức năng
- Màn hình LCD: Đe hiển thị các thông số hoạt động, lựa chọn là LCD 4x16, hiển thị được 04 dòng và mỗi dòng có 16 ký tự.
e) Khối nguồn nuôi
Cung cấp nguồn nuôi (nguồn một chiều) cho toàn bộ hệ thống bao gồm:
- Đầu vào 24 VDC, 3 A
- Ổn áp thành điện áp +5V (VCC), cấp cho vi xử lý và các thiết bị ngoại vi
- Điện áp âm -5 V cấp cho các IC khuếch đại đo lường.
> r 9
Hình 4.6.Sơ đô nguyên lý của khôi màn hình hiên thị và bàn phím
ĩ > 7 ĩ
4.2.2. Thiết kế mạch điều chế tần số băm (mạch số 2) 4.2.2.1 Yêu cầu thiết kế mạch sổ 2
Các đặc tính kỹ thuật của mạch điều chế tàn số băm phải thực hiện được các chức năng chính như: hiện thị trạng thái làm việc trên màn hình LCD (như
tốc độ động cơ, tần số băm xung, chế độ hoạt động), có phím chức năng để lựa chọn
thông số hoạt động (đặt lại thông số của thiết bị, on/off ...), có cổng truyền thông RS-485, có chiết áp để điều chỉnh tốc độ động cơ.
4.2.2.2. Nội dung thiết kể mạch số 2 a) Thông sổ kỹ thuật
Đặc tính kỹ thuật Thông số kỹ thuật
Nguôn cung câp 24 V DC ± 25% -3000 mA Max Chuân truyên thông RS-485
Màn hình hiên thị LCD (4x20)
Phím điêu khiên 4 phím (ENTER, UP, DOWN, EXIT) Đâu vào analog Điêu chỉnh tôc độ băng tay
Tân sô băm (chop) 4 Hz đên 2 kHz (tùy thuộc vào đĩa điêu chê) Lôi truyên thông
LEDS Báo nguồn cung cấp
b) Sơ đồ khối
\ r \ r \ r
с) Thiết kế sơ đồ nguyên lý
Các bước lựa chọn linh kiện và thiết kế sơ đồ nguyên lý tương tư như phần thiết kế mạch điều khiển trung tâm ở trên. Kết quả sơ đồ nguyên lý của mạch như sau:
л л гЛ ĩ
4.2.3 Thiết kế mạch điều khiển góc của gương quay (mạch số 3) 4.2.3.1 Yêu cầu thiết kể mạch số 3
Các đặc tính kỹ thuật của mạch điều khiển góc của gương quay phải thực hiện được các chức năng chính như: điều khiển góc 02 gương quay, đặt được tốc độ quay của động cơ, có cổng truyền thông RS-485.
4.2.3.2 Nội dung thiết kế mạch số 3
a) Thông sổ kỹ thuật của mạch điều khiển góc của gương quay
Đặc tính kỹ thuật Thông sổ kỹ thuật
Nguôn cung câp 24 V DC ± 25% -3000 mA Max Chuân trayên thông RS-485
Điêu khiên động cơ bước 02 động cơ, 5 VDC.
LEDS Lôi truyên thông Báo nguồn cung cấp
b) Sơ đồ khối
с) Thiết kể sơ đồ nguyên lý
\ r y 9
Các bước lựa chọn linh kiện và thiết kế sơ đồ nguyên lý tương tư như phần thiết kế mạch điều khiển trung tâm ở trên. Kết quả sơ đồ nguyên lý của mạch như sau:
4.3. Kết quả đo thông sổ D* cho mẫu quang dẫn InSb ở nhiệt độ thấp
Hình 4.12,Năng suất phát hiện riêng D* của đầu thu InSb ở - 19ƠC
9x10i” 'Ị 8x1»"- 7x1ữ"- Gxltt11 ’ ị N _L - E o Q Zx10" 1*1»"- 0,
Hình 4.13. Năng suất phát hiện riêng Đ* của đầu thu
InSbở - 17ƯC
BUDC sóng, Ầ (|im)
I * I • J * ị '—I—■—I—■—r
2.» 2.5 3.0 1.5 4.0 4.5 5.Ữ 5.5 G.o
Ẽ3*1ữ”-
o
^2M1D ,b H o
1x1ơ”-|
Hình 4.14.Năng suất phát hiện riêng D* của đầu thu InSbở - 150°c
Hình 4.15.Nãng suất phát hiện riêng D* của đầu thu InSbở - Ì3(fc
7x1ữ"- g^Cxlữ"- ÒT 5x10" H a -150- c <p ộ í? a M4X1Ữ,hH % Buóc sóng, Ằ (|imỉ Buóc sóng, Ằ (um)
Hình 4.12, 4.13, 4.14, 4.15 là kết quả đo năng suất phát hiện riêng D* của đầu thu InSb. Ở dải phổ ứng vói hấp thụ cơ bản cho phép xác định bề rộng vùng cấm của chất bán dẫn. Bờ sóng dài của phổ ứng với bờ hấp thụ cơ bản, sự giảm xuống của D* về phía bước sóng ngắn được giải thích bởi sự giảm xuống của tốc độ phát sinh hạt dẫn khi đi sâu vào chất bán dẫn [3].
G(x) = ĩ}CíI0e-ax(4.ỉ)
Trong đó:
/0 - cường độ ánh sáng chiếu lên một đơn vị thể tích mặt mẫu quang dẫn;
a - hệ số hấp thụ;
ĨỊ- Hiệu suất lượng tử, được định nghĩa bằng số cặp điện tử lỗ trống phát sinh khi một photon bị hấp thụ.