C. Sự hấp phụ định hướng của các phân tử phân cực lên bề mặt kim loại tiếp xúc dung
A. Mô hình lớp kép Hemhon
Các giả thuyết về cấu tạo lớp kép
B.Mô hình lớp kép Gouy – Chapman
Vào những năm 1910-1913, Gouy – Chapman đã đưa ra mô hình lớp kép khuếch tán. Theo Gouy và Chapman các ion vốn có chuyển động nhiệt tự do, mặc khác các ion cùng dấu sẽ đẩy nhau nên cấu tạo phần điện tích nằm ở dung dịch không dày đặc như ở lớp điện tích của Helmholtz, mà nó có cấu tao khuếch tán.
B.Mô hình lớp kép Gouy – Chapman
Lý thuyết của Gouy và Chapman có nhiều điểm chung với lý thuyết chất điện li mạnh của Debye –Hucken
• C = = - = sh
Điện dung của lớp kép phụ thuộc vào nồng độ chất điện giải và điện thế điện cực •
C.Mô hình lớp kép Stern.
Các ion coi như các điện tích điểm và có thể tiến gần tới điện cực đến khoảng cách bao nhiêu cũng được (x -> 0). Nhưng trong thực tế các ion đều có kích thước xác định, nên theo Stem thì chúng chỉ có thể tiến đến một mặt phắng tiếp cận cực đại nào đó. Mặt phẳng này là chung cho cả cation và anion (thực ra có hai mặt phẳng).
C.Mô hình lớp kép Stern.
• Như vậy, lớp điện tích kép có hai lớp:
+ Lớp dày đặc nằm giữa mặt phẳng điện cực và mặt phẳng tiếp cận cực đại. Ta gọi lớp này là lớp Helmholtz hay là lớp bên trong. + Lớp khuyếch tán trải rộng từ mặt phẳng tiếp cận cực đại vào sâu trong dung dịch.
C.Mô hình lớp kép Stern.
• Thường thì độ phủ bề mặt của các ion trong lớp kép không lớn. Khi ấy ta có thể biểu diễn phương trình Stern dưới dạng đơn giản như sau:
q = qđc =-(q1+q2) (1.14) Trong đó: q1 điện tích của lớp dày đặc