TEM của các m ẫu cho thấy phần lớn các hạt Au có hinh dạng tựa cầu. Bằng cách thay đôi tỵ lệ giữa các tiên chât ban đâu, HAuCU và N a3CéH5 0 7, phương pháp hóa khử có thê sử dụng để chế tạo các mẫu hạt A u có kích thước trung bình tren 12 nm
VỚI độ đông nhât khá cao vê hình dạng và kích thước. Phương pháp quang hóa có
thể sử dụng để chế tạo các mẫu hạt Au có kích thước trung b ìă i dươi 10 nm. Công suât và mức độ đơn sãc của nguôn photon kích thích ảnh hưởng mạnh đến kích thước và độ đông nhất về kích thước của các hạt Au trong mẫu chế tạo bằng phương pháp quang hóa.
Các thanh nano Au với hệ số AR trung bình khoảng 2.4 ± 0.1, 2.8 ± 0.1 và 3.7 ± 0.3 đã được chúng tôi chế tạo thành công sử dụng phương pháp seed-mediated với tỷ lệ sản phâm phụ tương đôi thấp. Kết quả phân tích phổ XRD của các mẫu khăng định sự tôn tại của các hạt vàng kim loại có kích thước nanometers với cấu trúc lập phương tâm mặt fee. Trong trường hợp cùa mẫu thanh Au, trái ngược với mâu hạt Au, đỉnh nhiễu xạ {200} trở thành đinh nhiễu xạ chính và có cuờng độ lớn hơn đỉnh {111} nhiêu lân. Kêt quả này cho phép chúng tôi đưa ra giả thiết là các tinh thê A u đã phát triên bất đối xứng dọc theo phương (100) dẫn tới sự hình thành và phát triển của hạt A u dạng thanh.
H iện tượng cộng hưởng plasm on bề mặt SPR của các hạt Au hình cầu có kích thước nanom et đã được khảo sát bước đầu thông qua phổ hấp thụ. VỊ trí và số lượng đỉnh hấp thụ SPR phụ thuộc mạnh vào hình dạng, kích thước, hàng số điện môi của bàn thân hạt kim loại và phụ thuộc cả vào hằng số điện môi cùa môi trường xung quanh. V iệc phổ hấp thụ của các mẫu hạt vàng chế tạo bàng hai phương pháp hóa khử và quang hóa chỉ xuất hiện một đỉnh hấp thụ SPR duy nhất trong khoảng từ 516 đến 550 nm cho thấy các hạt Au trong các mẫu có hình dạng cầu hoặc tựa cầu có kích thước nanom eters với duy nhất một mode dao động lưõng cực. Bằng cách thay đổi điều kiện chế tạo mẫu có thể khổng chế kích thước của các hạt Au và, do đó, vị trí của đỉnh SPR trong dải bước sóng từ 516 đến 550 nm.
Phổ hấp thụ của m ẫu thanh Au gồm hai đinh SPR phân biệt tương ứng với hai mode dao động của các điện tử tự do theo hai phương song song (dao động dọc) và vuông góc (dao động ngang) với trục của thanh. Đỉnh SPR ngang (Transverse Surface Plasm on R esonance, TSPR) có cưÒTig độ yêu, nărn trong dài bước sóng tà 516 đến 520 nm và không phụ thuộc m ạnh vào hệ số AR. Đỉnh cộng hường plasm on bề mặt ứng với mod dao động dọc (Longitudinal Surface Plasmon Resonance, LSPR ) nằm ở phía sóng dài với cường độ mạnh hơn nhiêu so với đinh TSPR. Đặc biệt là vị trí của đinh LSPR phụ thuộc mạnh vào hệ sộ AR của thanh Au. Bằng cách thay đổi hệ số AR vị trí của đinh LSPR có thể thay đổi trong một dải rộng từ vùng khả kiến đến vùng hồng ngoại gân.