III. CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH MÀNG
c.Nguyên tắc hoạt động:
điện tử nằm dưới bề mặt khoảng từ 0.4-5nm).Các điện tử này sẽ bị làm lệch và lái cong quanh súng phĩng để đến một khẩu độ nhỏ nằm ở phía sau CMA.Sau đĩ các điện tử này được thu nhận bởi một electron detector, qua bộ phận khuếch đại tín hiệu, sau đĩ tín hiệu được chuyển đến bộ phận xử lý tín hiệu điện trở, cho đồ thị là hàm của năng lượng .
AES là kỹ thuật dùng để xác định xác định thành phần vật liệu, trạng thái liên kết hĩa học bề mặt vật liệu
Vì năng lượng chùm điện tử Auger thấp nên hầu hết hệ thống AES được đo ở độ chân khơng cao.Phải cĩ những biện pháp ngăn chặn sự hình thành màng khí( do bị hấp thụ) trên bề mặt mẫu làm giảm hiệu suât chùm Auger.Cường độ các peak Auger là nhỏ trong hàm tổng phân bố năng lượng N(E).Chùm điện tử sơ cấp đến mẫu cĩ thể xảy ra tán xạ đàn hồi và khơng đàn hồi.Cĩ thể quan sát được phổ của các chùm thứ cấp bởi vì các điện tử này tán xạ đàn hồi với mẫu.Đối với những mẫu tinh thể các điện tử này mang theo các thơng tin về cấu trúc tinh thể, nĩ được khai thác trong kỹ thuật nhiễu xạ năng lượng điện tử thấp và phản xạ năng lượng điện tử nhiễu xạ thấp.Ở những năng lượng nhỏ hơn cĩ các peak nhỏ hơn thì sẽ được khai thác trong kỹ thuật đo phổ năng lượng thấp.Cuối cùng là những phổ cĩ peak rộng tương ứng với chùm điện tử thứ cấp.Các peak của chùm Auger bị chồng chập trong sự phân bố năng lượng này .Để các peak trở nên rõ ràng hơn bằng phép so lấy vi phân phổ để loại bỏ miền phổ nền rộng.