Mạch tương đương của diode gồm có một tụ nhỏ. Điện dung của tụ tùy thuộc văo biín độ vă cực tính của điện âp đặt văo diode cũng như câc đặc tính của tiếp giâp hình thănh trong suốt quâ trình chế tạo.
Trong mô hình đơn giản của tiếp giâp diode thể hiện ở hình 2.23, vùng tại tiếp giâp đê được rút hết cảđiện tử vă lỗ trống. Ở phía p của tiếp giâp có nồng độ lỗ trống cao, còn ở phía n có nồng
độ điện tử cao. Sự khuyếch tân của câc điện tử vă lỗ trống xảy ra lđn cận tiếp giâp tạo ra dòng
khuyếch tân ban đầu. Khi câc lỗ trống khuyếch tân qua tiếp giâp văo vùng n, câc lỗ trống nhanh chóng kết hợp với câc điện tửđa số có trong vùng n vă triệt tiíu. Tương tự như vậy, câc điện tử
khuyếch tân ngang qua tiếp giâp, tâi hợp vă biến mất, tức lă tạo ra vùng nghỉo (còn gọi lă vùng
điện tích không gian) lđn cận tiếp giâp, vì rất ít câc điện tử vă lỗ trống. Khi đặt điện âp phđn cực ngược ngang qua tiếp giâp, vùng nghỉo sẽ mở rộng, tức lă lăm tăng kích thước của vùng nghỉo.
Vùng nghỉo đóng vai trò như vùng câch điện, do đó diode phđn cực ngược hoạt động giống như
một tụđiện có điện dung thay đổi nghịch đảo với căn bậc hai của mức sụt âp ngang vật liệu bân dẫn.
Điện dung tương đương của câc diode tần số cao nhỏ hơn 5pF, vă có thể trở thănh điện dung lớn khoảng 500pF ở câc diode dòng lớn (tần số thấp). Câc thông số của nhă sản xuất cần phải được lưu ý để xâc định mức điện dung cho trước theo điều kiện lăm việc đê cho.
2.5 MẠCH NGUỒN CHỈNH LƯU
Ứng dụng cơ bản trước tiín của diode lă chỉnh lưu. Chỉnh lưu (hay nắn) lă quâ trình chuyển tín hiệu xoay chiều (ac) thănh một chiều (dc). Chỉnh lưu được phđn loại thănh chỉnh lưu bân kỳ
hoặc chỉnh lưu toăn kỳ.