Tớnh mạch nguồn phụ

Một phần của tài liệu Nghiên cứu thiết kế mạch nạp ắc quy tiên tiến cho tàu điện mỏ (Trang 65)

- Ắc quy kiềm dũng nạp In =0,2 C10 Nạp cưỡng bức In = 0,5 C10.

3.4.9.Tớnh mạch nguồn phụ

Nguồn phụ được lấy điện ỏp một chiều từ điện ỏp sau chỉnh lưu, qua biến ỏp xung tạo ra điện ỏp một chiều cú hai cấp là 5V và 12V. Mạch nguồn phụ sử dụng thiết bị tạo xung PWM là IC 3842. Đầu ra biến ỏp xung cấp nguồn 5V để sử dụng cho đốn LED, Max 232, X2404 và cấp nguồn cho IC tạo xung PWM, nguồn 12V cấp cho mạch vi điều khiển. Dũng điện ước lượng theo tải đầu ra biến ỏp xung được thiết kế với đầu ra 5V là 1A; đầu ra 12V là 0,5A.

Cụng suất ước lượng đầu ra biến ỏp xung nguồn phụ: Pr = P1 + P2 = (5+0,7).1 + (12+0,7).0, 5 = 12,05 W Làm trũn Pr = 12W.

Chọn sơ bộ hiệu suất biến ỏp là η=0,8 khi đú cụng suất đầu vào:

Dũng điện vào:

Chu kỳ băm xung với tần số f=20 kHz:

Thời gian dẫn tối đa của IGBT:

ton = TCK.Dmax = 50.0,5.10-6 = 25.10-6 s, với Dmax là độ rộng xung tối đa, cú trị số được chọn Dmax = 0,5.

Điện trở tương đương đầu vào:

Điện cảm sơ cấp cần cú:

Đỉnh xung dũng điện sơ cấp:

Năng lượng tớch lũy trong cuộn dõy sơ cấp:

Tớnh toỏn hệ số ke:

ke = 0,145.Pr.B2m.10-4 = 0,145.12.0,252.10-4 = 0,10875.10-4 với từ cảm Bm cú giỏ trị chọn bằng 0,25 Tesla.

Hệ số hỡnh học được tớnh:

Từ hệ số hỡnh học kh tra sổ tay chọn được lừi Ferit ETD-29 do hóng Ferroxclub chế tạo cú cỏc thụng số cho trong bảng 3.1.

Tiết diện dõy dẫn trần:

Chọn dõy điện mó AWG-39 với tiết diện dõy là 0,000621 cm2. Mật độ dũng điện lựa chọn:

với ksd là hệ số lấp đầy cửa sổ cú giỏ trị bằng 0,29. Tiết diện dõy sơ cấp:

Số vũng dõy sơ cấp:

Lấy N1 = 331 vũng.

Số vũng dõy thứ cấp: N21 = N1.(U21/U1) = 331.(5/300) = 5,52 vũng Lấy N21 = 5 vũng với cuộn dõy cấp nguồn 5 V.

Với cuộn dõy cấp nguồn 12V thỡ số vũng dõy cuộn sơ cấp là: N22 = N1.(U22/U1)=331.(12/300)= 13,24 vũng Lấy N22 = 13 vũng.

- Chọn thiết bị điều khiển trong mạch tạo nguồn phụ

Chọn IC 3842 để phỏt xung điều khiển đúng mở Mosfet T1 . Từ cỏc thụng số mỏy biến ỏp xung vừa tớnh, chọn Mosfet theo cỏc thụng số sau:

Dũng điện cực mỏng: IDmax = 1,5.I1 ba = 1,5.0,05 = 0,075A

Chọn Mosfet loại IRF 820A cú VDss =500V, ID = 2,5A, UGS = 4,5V, IGS = 1mA.

Điện trở R7 được tớnh:

Ta cú:

UR1 + UR2 + UDiode + UnIC = 300V,

trong đú UDiode = 0,7 V, UnIC là điện ỏp cấp cho nguồn nuụi IC 3842 cú giỏ trị là 12 V. Khi đú:

UR1 + UR2 = 300 – 12 – 0,7 = 287,3 V

Chọn R1 = 1,5 kΩ, R2 = 10 kΩ.

Bảng 3.1. Thụng số lừi Ferit ETD-29 do hóng Ferroxclub chế tạo

Đại lƣợng Ký hiệu Giỏ trị Đơn vị

Chu vi mạch từ lmt 7,2 cm

Trọng lượng lừi mfe 28 g

Trọng lượng đồng mCu 32,1 g

Chiều dài vũng dõy trung bỡnh Ivd 6,4 cm

Chiều cao cửa sổ hcs 0,98 cm

Tiết diện lừi AC 0,761 cm2

Diện tớch cửa sổ Scs 1,419 cm2

Tớch diện tớch SLCS 1,08 cm4

Hệ số hỡnh dỏng kh 0,0517 cm5

Diện tớch xung quanh Sbm 42,5 cm2

Hệ số AL 1000

Một phần của tài liệu Nghiên cứu thiết kế mạch nạp ắc quy tiên tiến cho tàu điện mỏ (Trang 65)