CL RA (1,1 ): Xóa thanh ghi A.
4. Khôi khuêch đái và cách ly:
Do tín hieơu phát ra từ vi xử lý khođng đụ naíng lượng đeơ kích các SCR do đó ta phại dùng mách khuêch đái, ta phại đieău chưnh tín hieơu kích trong vùng kích được. Và yeđu caău cụa mách đieău khieơn là phại cách ly với mách đoơng lực ta có theơ dùng optron hoaịc biên áp xung. Ta sử dúng biên áp xung vì mách biên áp xung đơn giạn hơn optron và khođng caăn sử dúng nguoăn rieđng.
Mách khuêch đái và cách ly:
D 7 O U T 1 B A X 1 6 2 5 K M 1 R 1 1 3 . 3 k R h d 2 . 2 G V U R D 3 9 0 D 8
Đieơn trở R11 là đieơn trở kéo leđn cụa ngõ ra vi mách ULN2004.
Diode D7, D8 dùng đeơ ngaín áp ađm đưa vào coơng kích GK. Diode D39 làm taĩt nhanh dòng từ hóa khi xung bị ngaĩt.
Đieơn trở Rhd hán dòng qua MOSFET M1.
Xác định áp, dòng kích SCR :
Do ta kích xung có chieău dài là 1ms baỉng 1/10 chu kì dòng đieơn lưới taăn sô 50Hz. Cođng suât toơn hao trung bình ở cực coơng naỉm ngoài vùng gách chéo ở hình vẽ beđn dưới.
Theo hình vẽ vùng được gách chéo là vùng đạm bạo kích; ta chĩn đieơm kích có U = 5 V và I =5 A.
Chĩn tỷ sô BAX giạm áp từ 4 : 1 đeơ giạm dòng qua transitor và nguoăn câp đieơn. Aùp ngõ vào BAX là 20V và dòng qua cuoơn sơ là 1,25 A vaơy đieơn trở cuoơn sơ là Rsơ = 20/1.25=16 Ohm.
Chĩn lõi biên áp xung là 0.8 cm2 . Sô vòng dađy cụa cuoơn sơ là 400 vòng, dađy có tiêt dieơn là 0.02 mm2 . Sô vòng dađy cụa cuoơn thứ là 100 vòng, dađy có tiêt dieơn là 0.07mm2.
Chĩn MOSFET:
Dòng MOSET là ID= 1.25A và áp tređn cực DS là VDS = 4 V. Chĩn heơ sô khuêch đái dòng KI=3. ta chĩn được MOSFET có sô hieơu BUZ 60 có các tham sô kỹ thuaơt như sau: Type Kanal VDS (V) I D (A) R DS(on) (Ohm) BSS 60 N 400 5.5 1.0