IC màng: Cú hai cụng nghệ IC màng là IC màng dày và IC màng mỏng.

Một phần của tài liệu Tài liệu CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN doc (Trang 35 - 36)

Cụng nghệ IC màng dày tạo màng cú độ dày 5 ữ 10 àm. Mạch IC màng dày được chế tạo bằng phương phỏp đồ hỡnh trờn đế bỏn dẫn . Mật độ linh kiện cỡ 5 ữ

10 phần tử trờn một mm2 .Ưu điểm của phương phỏp màng dày là với phương

phỏp đồ hỡnh cú thể đạt được cỏc giỏ trị điện trở rất lớn, mật độ linh kiện vừa phải, giỏ thành rẻ. Nhược điểm của loại IC màng dày là khú tạo tụ cú điện dung lớn (Dưới 0,02àF/cm2).

Cụng nghệ IC màng mỏng thực hiện bằng phương phỏp thăng hoa trong chõn khụng , bề dày của màng khụng quỏ 1àm . Cụng nghệ này chỉ cho phộp chế tạo trờn đế những linh kiện thụ động như điện trở, tụ điện, cuộn cảm và cỏc dõy nối ; do vậy để tạo ra cỏc IC cần cấy thờm tranzisto , điụt. IC như vậy gọi là màng lai. Những linh kiện cấy thờm khụng cần vỏ riờng vỡ kớch thước của chỳng cũng rất nhỏ, để bảo vệ người ta phủ men cho chỳng. Mật độ linh kiện loại này 10 ữ 20 phần tử trờn mm2 .Ưu điểm của loại này là tạo được cỏc linh kiện thụ động cú trị số khỏc nhau với sai số rất nhỏ.

Ngày nay người ta kết hợp cả hai cụng nghệ để chế tạo cỏc IC cú tham số ổn định, độ tin cậy cao và thực hiện được những mạch phức tạp.

Điện trở màng mỏng : Điện trở màng mỏng được chế tạo từ hợp kim 80% Niken, 20% Crụm, tantal hoặc hỗn hợp gồm SiO và Cr (gọi là Ker met). Điện trở cú bề rộng càng nhỏ, độ dài càng lớn thỡ trị số càng lớn. Bề rộng của điện trở hạn chế ở 12 ữ 26 àm. Điện trở màng Ni - Cr đạt 40 ữ 400Ω/ (đọc là ụm trờn một đơn vị diện tớch); Điện trở màng tantal đạt 50 ữ 1000Ω/ . Hỗn

hợp SiO + Cr (Kermet) đạt 300ữ 2000Ω/ (ký hiệu Ω/ được đọc là ụm trờn đơn vị diện tớch). Với bề dày thớch hợp người ta cú thể tạo ra những điện trở từ 10

Ω đến hàng MΩ sai số ±5%.

Hệ số nhiệt của loại điện trở này khoảng (1ữ3)10-4 1

grad .

Tụ điện màng: Tụ điện màng cấu trỳc rất bỡnh thường, gồm ba lớp: kim loại - điện mụi - kim loại. Điện mụi thường là SiO, SiO2 , oxyt tantal, oxyt nhụm. Điện dung cực đại đạt vài ngàn pF.

Vỏ IC :

IC được đặt trong vỏ bảo vệ bằng nhựa tổng hợp hoặc bằng kim loại. Cú ba dạng vỏ thường gặp:

Vỏ hỡnh mũ : Thường vỏ hỡnh mũ (hỡnh 3.34a) làm bằng kim loại cú 8, 10 hoặc 12 chõn , thường là IC analog.

Vỏ con rết : thường gặp nhiều nhất là vỏ con rết 8 chõn , 12 chõn, 16 chõn, 40 chõn. Vỏ con rết thường là nhựa màu đen với kớch thước khỏc nhau. (hỡnh 3.34c)

Vỏ chõn ngang : Cũng tựa như hỡnh con rết với vỏ nhựa tổng hợp nhưng cú kớch thước nhỏ hơn (hỡnh 3.34b). Vỏ chõn đứng : Chế tạo một hàng chõn đứng như hỡnh 3.34d. a b c Hình 3..34. Một số dạng vỏ IC tuyến tính d

Một phần của tài liệu Tài liệu CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN doc (Trang 35 - 36)