ĐẶC TÍNH KẸP ĐIỆN ÁP

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và mô phỏng thiết bị chống sét lan truyền trên mạng máy tính và đường dây điện thoại (Trang 39)

- Điện áp phĩng điện một chiều Vsdc

a. Quan hệ giữa điện dung và b Quan hệ giữa điện dung và

4.7.3 ĐẶC TÍNH KẸP ĐIỆN ÁP

Zener TVS lý tưởng được coi như hở mạch mặc dù cĩ 1 dịng điện rị rất

nhỏ chạy qua. Khi xảy ra quá độ trên đường dây, các diode TVS được kích hoạt và kẹp xung ở mức mà khơng làm hư hỏng thiết bị mà nĩ bảo vệ. Quá độ điện áp được khơng chế và dẫn dịng điện nguy hiểm khỏi thiết bị bảo vệ.

Hình4.20 sơ đồ mạch và quá độ điện áp bị kẹp để bảo vệ thiết bị

Các đặc tính điện như điện áp cắt VBR (là mức điện áp mà tại đĩ diode

bắt đầu dẫn), dịng điện rị ID và dung kháng phải khơng được ảnh hưởng tới tính

năng cuả mạch. Điện áp ở trạng thái chưa tác động VWM thường nhỏ hơn

khoảng 10% của điện áp cắt VBR. Điều này đảm bảo dịng rị ở mức tối thiểu và

bù cho sự thay đổi nhiệt độ. Cơng suất và dịng điện thì tỷ lệ với kích thước của mối nối PN. Hầu hết các thiết bị bảo vệ cơng suất thấp được xác định bằng một

dạng sĩng xung 8/20 s, như hình 4.21

Chương4 Diode Zener và Zener TVS

Học viên : Đỗ Bình Dương Trang 39

Các diode TVS cơng suất lớn được đo ở xung 10/1000 µs, như ở hình 4.22 :

Các TVS thường được xác định theo cơng suất xung đỉnh PPP. Từ 30 kW giảm

xuống 200W. Cơng suất định mức xuất phát từ dịng xung đỉnh IPP và điện áp

kẹp VC .

TVS didoe dạng bảo vệ 1 chiều và 2 chiều

Hình dưới đây cho thấy một xung quá độ dương và âm đưa vào ngõ vào của một thiết bị đuợc bảo vệ bằng Zener TVS một chiều :

Hình 4.23 TVS một chiều

Trong chu kỳ dương của quá độ, mối nối PN của diode TVS phân cực ngược ,

diode hoạt động ở chế độ dẫn thác (avalanche mode), dịng điện quá độ I1 chạy

xuống mass. Và bây giờ điện áp quá độ bị kẹp ở mức thấp hơn mức kẹp tối đa

Hình 4.21 dạng sĩng xung 8/20s

Chương4 Diode Zener và Zener TVS

Học viên : Đỗ Bình Dương Trang 40

của diode. Chẳng hạn diode mã hiệu PSD05 sẽ kẹp điện áp ở 13.5V và dịng điện là 42A. Trong chu kỳ âm của sĩng quá độ mối nối của diode được phân cực thuận. Quá độ điện áp được kẹp ở mức điện áp rơi trên diode là 0.6V bởi vì

diode dẫn dịng I2 chạy theo hướng thuận.

Hình dưới cho thấy một xung quá độ dương và âm đưa và ngõ vào của một thiết bị được bảo vệ bằng Zener TVS hai chiều :

Hình 4.24 TVS hai chiều

Trong suốt chu kỳ dương của quá độ, Zener TVS D1 phân cực nghịch

(diode D2 phân cực thuận) thì diode hoạt động ở chế độ dẫn thác (avalanche

mode) giống như ở bảo vệ 1 chiều khi dịng I1 chạy xuống mass. Điện áp quá độ

bị kẹp ở mức thấp hơn mức kẹp tối đa của diode.

Trong suốt chu kỳ âm của quá độ Zener TVS D2 phân cực nghịch (diode D1

phân cực thuận) thì diode hoạt động ở chế độ dẫn thác (avalanche mode) khi

dịng quá độ I2 chạy qua.

Vùng đánh thủng thác lũ (avalanche breakdoWn) VBR-IR cĩ thể thấy trên đường

cong V-I (đây là mức mà các diode bắt đầu dẫn ngược với chiều của sĩng điện áp) :

Chương4 Diode Zener và Zener TVS

Học viên : Đỗ Bình Dương Trang 41

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và mô phỏng thiết bị chống sét lan truyền trên mạng máy tính và đường dây điện thoại (Trang 39)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(101 trang)