Cơ sở cho các thuật tốn điện áp khơng đổi (CV) là quan sát từ đường cong I-V giống như hình 1 là tỷ lệ điện áp tối đa của bin mặt trời VMPP, điện áp mở mạch của nĩ, VOC, là hằng số, nĩi cách khác:
�
� ≅ < 1 (2.33)
Các thuật tốn điện áp khơng đổi cĩ thể được thực hiện bằng cách sử dụng sơ đồ thể hiện trong hình 2.17. Bộ bin mặt trời tạm thời bị cơ lập từ MPPT, và được thực hiện một phép đo VOC. Tiếp theo, MPPT tính tốn điểm hoạt động chính xác bằng cách sử dụng phương trình (2.33) và giá trị cho những thiết lập của K, và điều chỉnh điện áp của bin cho đến khi được tính VMPP đạt. Hoạt động này được lặp đi lặp lại theo định kỳ để theo dõi vị trí của MPP.
Mặc dù phương pháp này là cực kỳ đơn giản, nĩ là khĩ khăn để chọn giá trị tối ưu của K. liên tục Các tài liệu báo cáo thành cơng với giá trị K khác nhau, 73-80%, Hình 2.16 cho thấy các giá trị K thực tế cần thiết cho một mảng PV trên một phạm vi nhiệt độ 0-600C và mức độ bức xạ từ 200 đến 1000 W/m2
21
Hình 2.16. Tỷ lệ phần trăm của VMPP và VOCnhư chức năng của nhiệt độ và bức xạ
Hình 2.17 Sơ đồ thuật tốn điện áp khơng đổi
Điều khiển điện áp khơng đổi cĩ thể được thực hiện dễ dàng với phần cứng tương tự. Tuy nhiên, MPPT theo dõi hiệu quả của nĩ là thấp so với các thuật tốn khác. Lý do cho điều này bao gồm các lỗi nĩi trên trong các giá trị của K, và thực tế là đo điện áp mạch mở địi hỏi một sự cắt nguồn bin tạm thờị Nĩ cĩ thể tự động điều chỉnh giá trị của K, nhưng địi hỏi phải cĩ một thuật tốn tìm kiếm và về cơ bản kết thúc lên được giống như P&Ọ