6. Tiến độ thực hiện
6.3. Hướng phát triển của đề tài
Đề xuất có một phòng thí nghiệm đo kiểm LED
Ứng dụng trong việc xây dựng các tiêu chuẩn kiểm tra chất lượng LED, đề xuất xây dựng phòng thí nghiệm kiểm tra LED. Phát triển thêm buồng đo với các thông số có thể lập trình qua vi điều khiển, thiết kế thêm buồng đo độ rọi của LED.
Hiện tại chỉ có trung tâm ASEMLED là trung tâm đóng gói LED bán tự động và thiết kế các hình dạng đèn LED công suất cao. Do đó, chưa có một doanh nghiệp nào, xí nghiệp nào chế tạo chip LED nhằm cung cấp cho thị trường trong nước và xuất khẩu. Với khải năng thiết kế và cơ sở vật chất hiện tại tôi nhận định rằng phòng thí nghiệm Nano là nơi tôi kỳ vọng nhất về khả năng thiết kế, chế tạo được các loại LED cho thị trường chiếu sáng dùng LED trong tương lai.
Hoàn thiện các quy trình đo kiểm LED và đề xuất cơ qan chức năng cho đăng ký quy trình đo kiểm LED.
HVTH: Nguyễn Thanh Phong Trang 71 TÀI LIỆU THAM KHẢO
TIẾNG VIỆT
[01] Nguyễn Văn Dũng, Luận văn tốt nghiệp đại học, chuyên ngành VLĐT, Thiết kế đền chiếu sáng sử dụng LED tiết kiệm điện, (2010) (CBHD: Vũ Thế Đảng, Nguyễn Văn Hiếu)
[02] Nguyễn Thành Thật, Luận văn tốt nghiệp đại học, chuyên ngành VLĐT,
Nghiên cứu LED bước sóng cực tím hướng tới các ứng dụng khử trùng, (2010) (CBHD: Bùi Văn Quảng, Nguyễn Văn Hiếu),
[03] N. V. Thu, Cấu trúc, tính chất và ứng dụng chế tạo linh kiện điện huỳnh quang (LED) của nano tinh thể Si trong màng SiO2, Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 6 (SPMS-2009) (Đà Nẵng 8- 10/11/2009)
[04] Dương Minh Trí, Linh kiện quang điện tử, Nxb Khoa học kỹ thuật, 2004. [05] Nguyễn Văn Hiếu, bài giảng môn phương pháp đo linh kiện bán dẫn, lớp cao học VLĐT khóa 22, Tháng 4/2013, Trường ĐHKHTN.
[06] Luận văn thạc sỹ về ứng dụng UVLED khử trùng trong nguồn nước, Vũ Thế Đảng, 2011, Trường ĐHSPKT Tp.HCM.
[07] Luận văn tốt nghiệp về Khảo sát các tính chất điện và quang của một số LED phát sáng, Đinh Hoàng Việt Minh, 2013, Trường ĐH KHTN Tp.HCM.
[08] Nguyễn Hữu Trung, Nghiên cứu và thiết kế và chế tạo điện cực cho led cực tím, Luận văn Thạc sỹ chuyên ngành vi điện tử, Trường ĐH KHTN- ĐHQG Tp.HCM (Tháng 12/2013)( CBHD: PGS.TS. Nguyễn Văn Hiếu)
TIẾNG NƯỚC NGOÀI
[08] Yoshitaka Taniyasu, Makoto Kasu & Toshiki Makimoto, An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres, Nature Vol 441 (2006), 326.
[09] W. Shan,a) J. W. Ager III, K. M. Yu, and W. Walukiewicz, Dependence of the fundamental band gap of AlxGa12xN on alloy composition and pressure, J. Appl. Phys., Vol. 85 (1999), 8506.
[10] Hideki Hirayama, Atsuhiro Kinoshita and Yoshinobu Aoyagi,Growth and optical properties of III-nitride semiconductors for deep UV (230–50 nm) light- emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs), RIKEN Review No. 33 ( 2001):
Focused on Coherent Science, 29
[11] A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. H. Kim, P. Kung, and M. Razeghia,
Photoluminescence study of AlGaN-based 280 nm ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 83, (2003), 4084.
[12] Ryo Kajitani, Koji Kawasaki, Misaichi Takeuchi, Barrier-height and wellwidth dependence of photoluminescence from AlGaN-based quantum well structures for deep-UV emitters, Materials Science and Engineering B 139 (2007), 186.
[13] Asif Khan, Krishnan Balakrishnan & Tom Katona, Ultraviolet lightemitting diodes based on group three nitrides, Nature Photonics 2, (2008),77.
[14] Luckiesh, Matthew: Applications of Germicidal, Erythemal and Infrared Energy (1946) D. Van Nostrand Company, Inc., New York.
HVTH: Nguyễn Thanh Phong Trang 72
[15] N.Yagi, M. Mori, A. Hamamoto, M. Nakano, M. Akutagawa, S. Tachiban, A. Takahashi, T. Ikehara, Y. Kinouchi: Sterilization Using 365 nm UV-LED,
Proceedings of the 29th Annual International Conference of the IEEE EMBS City Internationale (Lyon, France August 23-26, 2007).
[16] M. Mori, A. Hamamoto, A. Takahashi, M. Nakano, N. Wakikawa, S. Tachibana, T.Ikehara, Y. Nakaya, M. Akutagawa, Y. Kinouchi, Development of a new water sterilization device with a 365 nm UV-LED, Med Bio Eng Comput 45 (2007),1237.
[17] N. Ygyi, M. Mori, A. Hamamoto, M. Nakano, M. Akutagawa, S. Tachibana, A. Takahashi, T. Ikehara, Y. Kinouchi, Sterilization Using 365 nm UV-LED, Proceedings of the 29th Annual International- Conference of the IEEE, EMBS Cité Internationale, Lyon, France (August 23-26, 2007), 5841.
[18] Alumni society honors four leaders in engineering and technology. Berkeley Engineering News (2000-09-04).
[19] Akasaki and Amano, GaN-based blue light emitting device development. Takeda Award 2002 Achievement Facts Sheet. The Takeda Foundation (2002-04- 05).
[20] Nakamura et al.: United States Patent No. 5,578,839. United States Patent and Trademark Office (filed 1993-11-17).
[21] V. Härle et al., J. 83HMaterials Science and Engineering B 61 (1999), 310. [22] H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata, Applied Physics Letters 91(2007), 071901.
[23] D. N. Chung et al., White light emission from InGaN LED Chip covered with MEH-PPV, Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 6 (SPMS-2009) (Đà Nẵng 8-10/11/2009).
[24] D.D.C. Tin, T. T. Chan and D.M.Chien: Growth of GaN Blue LED structure on sapphire substract by MOVCD technology, proceeding of the 9th AUN/SEED- Net Field-wise Seminar on materials Engineering, (2007),70.
[25] T. T. Chan, D. D. C. Tin and D.M.Chien: Characterisation of InGaN/GaN multi quantum wells in LED structure by MOVCD technology, proceeding of the 9th AUN/SEED-Net Field-wise Seminar on materials Engineering, ( Jan.,2007), 87. [26] N. T. N. Nhien et al, Fabrication and test blue light emiting diode (LED) structure InGaN/GaN on saphire wafer material, 2nd IWNA2009 (Vung Tau- Vietnam, Nov. 12-14, 2009) p. 539 (NMD-201-P).
[27] Nguyen Xu Lin, D. M. Chien et al, Fabrication og GaN-based Light Emiting Diode (LED), 2nd IWNA2009 (Vung Tau-Vietnam,Nov. 12-14, 2009) p.529 (NAP- 130-P).
[29] Chang Hee Hong and S.Chandramohan, Improve electrode performance in galinium nitride LED (Korea, 2012)
[30]. Jung-Tang CHU, Effects of Different n-Electrode Patterns on Optical Characteristics of Large-Area p-Side-Down InGaN Light-Emitting Diodes Fabricated by Laser Lift-Off, Japanese Journal of Applied Physics (Japan, 2011) [31]. Shanjin Huang, A chip-level electrothermal-coupled design model for high- power light-emitting diodes (Taiwan, 2012).
HVTH: Nguyễn Thanh Phong Trang 73 CÁC WEBSITE [28] http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes- dotorg/chap13/chap13.htm [29] http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dotorg/ chap15/chap15.htm [30] http://spectrum.ieee.org/semiconductors/optoelectronics/the-leds-darksecret/4 [31] http://www.ledinside.com/2009_Revenues_of_Global_LED_Package_Vend- ors [32] http://pcelectroniccomponents.blogspot.com/2010_01_01_archive.html [33] http://www.ledinside.com/news_2010august_monthly_revenue_en [34] http://www.ledinside.com/China_LED_Chip [35] http://www.ledinside.com/led_china_epi_rank_2010_en [36] http://www.spacewx.com/ISO_solar_standard.html [37] http://en.wikipedia.org/wiki/Escherichia_coli [38] http://www.ecoliblog.com/tags/wendys/ [39] http://en.wikipedia.org/wiki/Escherichia_coli [40] http://en.wikipedia.org/wiki/Vibrio_cholerae [41] http://thuviensinhhoc.com/ebook/skkn/481?joscclean=1&comment_id=691 [42] http://tusach.thuvienkhoahoc.com/wiki/Lecture:Sinh_h%E1%BB%8Dc_%- C4%90%E1%BA%A1i_c%C6%B0%C6%A1ng_MIT_7.013/Chapter_9
[43] Các website của một số nhà cung cấp LED http://www.nichia.co.jp/en/product/uvled.html http://www.s-bend.com/eng/product_140070.html http://www.uvled168.cn/
http://www.tianhui-led.com/en/products.asp
[44] Website của Nanoscience Development and Support Team, RIKEN: http://www.riken.jp/engn/r-world/research/lab/asi/nano-ds/index.html [45] Website của Nashi-Araki Lab:
http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/nanishilab/englishver/top02-e.html [46] http://www.mse.nus.edu.sg/rfacilities.html
HVTH: Nguyễn Thanh Phong Trang 74 PHỤ LỤC