transistor hiệu ứng trường mosfet 123doc vn

... Trang 1 Transistor hiệu ứng trường MOSFET Nguyễn Quốc Cường Bộ môn 3I-HUT Transistor hiệu ứng trường , Trang 2 Giới thiệu « MOSFET: Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor « MOSFET ... Ký hiệu NMOS ._ Một kiểu ký hiệu khác cla NMOS c Ký hiệu rút gọn trong trường hợp cực B (body) được nối với S hoặc trong trường hợp hiệu ứng của Body là nhỏ có thể bỏ qua Transistor hiệu ứng trường ... vào từ S ra ở D Transistor hiệu ứng trường , Trang 16 CMOS « _ Được sử dụng nhiều trong công nghệ chế tạo IC (cả tương tự và số) Transistor hiệu ứng trường , Trang 17 Ký hiệu NMOS =—] |

Ngày tải lên: 05/03/2013, 17:10

... Transistor hiệu ứng trường ống nano carbon có hai loại: CNTFETs cực công dưới và CNTFETs cực cổng trên 1.5.2.1 Transistor hiệu ứng trường ống nano carbon cực cỗng dưới Transistor hiệu ứng trường ... chế tạo transistor hiệu ứng trường trên cơ sở mạng lưới ống nano carbon từ đó có thể mở ra các ứng dụng trong cảm biến sinh học Chương 3: Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo transistor hiệu ứng trường ... học trên cơ sở transistor hiệu ứng trường ống nano carbon (CNTFET§) đang ngày càng được đầu tư nghiên cứu Trong những nghiên cứu về transistor hiệu ứng trường ống nano carbon ứng dụng làm cảm

Ngày tải lên: 27/07/2017, 11:06

... CHƯƠNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG NỘI DUNG 4.1 Tụ MOS 4.2 Cấu tạo MOSFET 4.3 Nguyên lý hoạt động MOSFET 4.4 Mơ hình tốn học MOSFET 4.5 Đặc tuyến MOSFET 4.6 Các hiệu ứng MOSFET 4.1 TỤ MOS ... với độ dài kênh 𝐿 Hiệu ứng thân đế • Khi 𝑣𝑆𝐵 = 0, MOSFET hoạt động linh kiện cực • Khi 𝑣𝑆𝐵 ≠ 0, điện áp ngưỡng 𝑉𝑇𝑁 bị ảnh hưởng, dẫn đến đặc tuyến thay đổi Hiệu ứng gọi hiệu ứng thân đế (body ... 𝐿 Đặc tuyến MOSFET kênh n • Đối với vùng bão hòa 𝑣𝐷𝑆 ≥ 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ≥ 0: 𝑖𝐷 = 𝐾𝑛 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 2 ⇒ dòng máng khơng đổi giá trị 𝑉𝐺𝑆 cố định 𝐼𝐷𝑆𝐴𝑇 = 𝐾𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 2 4.6 CÁC HIỆU ỨNG TRONG MOSFET Điều chế

Ngày tải lên: 29/08/2019, 10:56

... SiNW FET Cảm biến SiNW FET hoạt động dựa nguyên lý hiệu ứng trường giống hiệu ừng trường transistor phổ biến MOSFET Với tác nhân gây hiệu ứng trường SiNW FET điện tích bám lên bề mặt sợi nano ... Cellsearch:  CTC chíp (Microfluidic chip)  Transistor hiệu ừng trường Transitor hiệu ừng trường sợi Silic (SiNW FET) loại có nhiều ưu việt dòng transistor hiệu ứng trường làm cảm biến sinh học vì: tính ... 5000 lần Chíp có transistor, bên có transistor, bao gồm loại chứa sợi, sợi, sợi sợi Silic (b) Transistor có sợi, (c) Transistor có sợi Silic, (d) Transistor có sợi Silic, (e) Transistor có sợi

Ngày tải lên: 07/03/2020, 18:39

... dẫn MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Transistor hiệu ứng trường kim loại-ơxít-bán dẫn NMOS N-Metal-Oxide-Semiconductor MOSFET loại n PMOS P-Metal-Oxide-Semiconductor MOSFET ... UGD-DG TFET tương tự Ngoài ra, khu vực đồ thị phẳng hiệu ứng kênh ngắn khơng đáng kể cịn khu vực dốc hiệu ứng kênh ngắn nghiêm trọng Trong đó, hiệu ứng kênh ngắn HGDDG TFET bắt đầu nghiêm trọng độ ... máng Xdh đến hiệu ứng kênh ngắn linh kiện HGD-DG TFET 3.4.2.1 Ảnh hưởng chuyển tiếp dị cấu trúc phía máng Xdh đến hiệu ứng kênh ngắn Để tìm hiểu ảnh hưởng thông số Xdh đến hiệu ứng kênh ngắn

Ngày tải lên: 26/08/2020, 10:30

... Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Transistor hiệu ứng trường kim loại-ôxit-bán dẫn Partially Depleted SOI Cấu trúc SOI suy giảm phần QCE Quantized confinement effect Hiệu ứng giam giữ lượng tử ... Field-Effect Transistor Transistor hiệu ứng trường xuyên hầm UGD Unifrom Gate-Dielectric Điện môi cực cổng đồng chất VDD Power Supply Voltage Điện áp nguồn cấp Vgs Gate-to-Source Voltage Hiệu điện ... QUAN TÀI LIỆU 1.1 SỰ PHÁT TRIỂN VỀ CẤU TRÚC CỦA TRANSISTOR 1.2 SƠ LƯỢC VỀ MOSFET 10 1.3 TẠI SAO PHẢI LÀ TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM 15 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT

Ngày tải lên: 27/02/2021, 09:14

... Field-Effect Transistor Transistor trường xuyên hầm đối xứng Trang 6STT Surface-Tunnel-Transistor Transistor xuyên hầm bề mặt SUTFET Symmetric U-Shaped Gate Tunnel Field-Effect Transistor Transistor trường ... được nghiên cứu Nghiên cứu cũng khảo sát các hiệu ứng mới chỉ có trong cấu trúc TFET pha tạp đối xứng được đề xuất như hiệu ứng cực cổng ngắn, hiệu ứng chuyển tiếp cực máng hẹp Trên cơ sở đó, ... TFET pha tạp đối xứng Đối tượng nghiên cứu của luận văn là các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc pha tạp đối xứng Vật liệu sử dụng gồm cả silicon và germanium nhằm chứng minh tính

Ngày tải lên: 28/02/2021, 09:59

... SiNW FET Cảm biến SiNW FET hoạt động dựa nguyên lý hiệu ứng trường giống hiệu ừng trường transistor phổ biến MOSFET Với tác nhân gây hiệu ứng trường SiNW FET điện tích bám lên bề mặt sợi nano ... Cellsearch:  CTC chíp (Microfluidic chip)  Transistor hiệu ừng trường Transitor hiệu ừng trường sợi Silic (SiNW FET) loại có nhiều ưu việt dòng transistor hiệu ứng trường làm cảm biến sinh học vì: tính ... 5000 lần Chíp có transistor, bên có transistor, bao gồm loại chứa sợi, sợi, sợi sợi Silic (b) Transistor có sợi, (c) Transistor có sợi Silic, (d) Transistor có sợi Silic, (e) Transistor có sợi

Ngày tải lên: 16/03/2021, 11:20

... TRÚC TRONG CÁC TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM ĐƠN VÀ LƯỠNG CỔNG Nguyễn Đăng Chiếna*, Lưu Thế Vinhb, Huỳnh Thị Hồng Thắmc, Chun-Hsing Shihd aKhoa Vật lý Kỹ thuật hạt nhân, Trường Đại học ... p-i-n tunneling transistors and conventional MOSFETs. ) A T-shaped SOI tunneling field-effect transistor with novel operation modes ) Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors ... symmetrically doped tunnel field-effect transistors ) Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach ) Tunneling field-effect transistors (TFETs) with subthreshold

Ngày tải lên: 03/04/2021, 18:17

... 6.1 Giới thiệu Transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor – FET): JFET: Junction FET MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET (Insulated-Gate – ... V po ⎝T ⎠ ⎢ po ⎠ ⎝ ⎦ ⎣ đó: I’po = iD vGS = nhiệt độ T0 6.3 Lý thuyết hoạt động MOSFET 6.3.1 Cấu tạo (n-channel MOSFET) : Nhận xét: Chương Ban đầu chưa có kênh dẫn D S (enhancement mode) Cực cổng ... Hoạt động loại tăng (enhancement mode): vGS > 0: Hình thành kênh dẫn cảm ứng: vGS > VTN : Điện áp ngưỡng ⇒ Tạo kênh dẫn n cảm ứng S D vGS tăng → Bề rộng điện dẫn (conductivity) kênh dẫn tăng Thay...

Ngày tải lên: 20/08/2012, 11:16

... m ( R L // Z o ) vi Z i + ri Chương 16 Ví dụ: Xác đònh Av, Zi, Zo mạch KĐ dùng MOSFET sau: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Tại D: i = Chương v gs − v ds Rf = g m v gs + v ds rds // R L 17 v Với ... tuyến VA: Chương 29 p-channel MOSFET Cấu tạo: Đặc tuyến VA: Chương 30 Nhận xét: p-channel FET (iSD, vSD, vSG) tương tự n-channel FET (iDS, vDS, vGS) 6.7.2 Depletion-mode MOSFET: So sánh: Khi vGS = ... Thông thường, để Q nằm DCLL: vDS ≈ (VDD / 2) >> VGSQ ⇒ Rs1

Ngày tải lên: 20/08/2012, 11:16

... Chương 5: Transistor hiệu ứng trường Cách xác đònh đường tải tónh cho mạch dùng JFET tương tự BJT 5.3 MOSFET (Metal Oxide Semiconduction FET) MOSFET chia làm hai loại: MOSFET kênh liên tục (MOSFET ... mạch JFET 5.3.2 MOSFET kênh gián đoạn a Cấu tạo – ký hiệu: S G D Al SiO2 N + N D + G P S Sub Hình 5.12 Cấu tạo- ký hiệu MOSFET kênh gián đoạn loại N 71 Chương 5: Transistor hiệu ứng trường S G D ... tăng cao trò số bão hòa IDsat Trường hợp ID lớn dễ làm hư MOSFET nên ID(mA) dùng IDsat 70 -V Chương 5: Transistor hiệu ứng trường Hình 5.10 Đặc tuyến chuyển ID(VGS) MOSFET kênh liên tục loại N:...

Ngày tải lên: 19/09/2013, 17:03

... VTN ) f) Transistor PMOS kiu tng cng Cỏc transistor MOSFET kờnh p (transistor PMOS) kiu tng cng cú cu to nh hỡnh 3.10, mt cỏch chớnh xỏc l PMOS cú cu to bng cỏc vựng bỏn dn ngc vi transistor ... truyn t c v nh hỡnh 3.13 3.3 MOSFET KIU NGHẩO a) MOSFET kiu nghốo kờnh- n Nh ó xột phn u ca chng, ngoi MOSFET kiu tng cng cũn cú MOSFET kiu nghốo [Depletion-type MOSFET hay cú th gi tt l DE MOS] ... cỏc in dung ngun- v mỏng-, CSB v CDB tựy vo ch lm vic ca transistor NMOSFET Cỏc in dung ca transistor NMOS hot ng ch bóo hũa Khi MOSFET lm vic ch bóo hũa, hỡnh (b), mụt phn kờnh dn s bin...

Ngày tải lên: 26/10/2013, 00:20

... - Giới thiệu tổng quan cấu trúc, tính chất đặc trưng, ứng dụng thực tế ống nano carbon - Giới thiệu sơ lược transistor hiệu ứng trường (MOSFET) - Giới thiệu transistor hiệu ứng trường ứng dụng ... tiếp p-n nhớ 1.2 Transistor hiệu ứng trường (FET) 1.2.1 Nguyên lý hoạt động Hoạt động transistor trường dựa nguyên lý hiệu ứng trường, nghĩa độ dẫn diện đơn tinh thể bán dẫn điện trường bên điều ... filed transistor – IGFET) Thông thường lớp cách điện dùng lớp oxit nên gọi metal-ocide-semiconductor transistor (MOSFET) Có loại MOSFET:  MOSFET kênh sẵn  MOSFET kênh cảm ứng 1.2.3 Transistor trường...

Ngày tải lên: 12/03/2014, 12:32

... 3.2 DIODE BÁN DẪN 3.3 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (JFET) Thái độ • • Có niềm say mê với môn học Nâng cao ý thức tự học Kỹ • • Phân biệt ký hiệu JFET kênh n kênh ... CẤU TẠO – KÝ HIỆU NGUYÊN LÝ HOẠT ĐẶC TUYẾN VOLT - CỦA JFET ĐỘNG CỦA JFET AMPE CẤU TẠO – KÝ HIỆU CỦA JFET Hình Cấu tạo ký hiệu JFET kênh n CẤU TẠO – KÝ HIỆU CỦA JFET Hình Cấu tạo ký hiệu JFET kênh ... lý hoạt động Kênh dẫn bị thu hẹp Vùng nghèo mở rộng Giữ không đổi Tăng dần giá trị Electron IG Trường hợp JFET kênh n Nguyên lý hoạt động Đặc tuyến volt – ampe (kênh n) Đặc tuyến = const Đặc...

Ngày tải lên: 04/04/2014, 22:48