trình công nghệ mạ điện

... quy đợc Đặc biệt dòng điện mạ đòi hỏi lớn ắc quy đáp ứng đợc Vì mà công nghệ mạ ngời ta sử dụng ắc quy làm nguồn mạ Máy phát điện chiều : Trong công nghệ mạ dùng máy phát điện chiều khắc phục ... thoát anốt trình điện phân thờng O2 hay Cl Catốt : điện cực nối với cực âm nguồn điện chiều Trong mạ điện catốt vật mạ Trên bề mặt vật mạ diễn phản ứng khử ion kim loại mạ Ví dụ nh : Mạ niken ... án điện tử công suất Thiết kế nguồn mạ chiều TàI liệu tham khảo : Điện tử công suất Nguyễn Bính Nhà xuất khoa học kỹ thuật Giáo trình điện tử công suất Trần Trọng Minh Nhà xuất giáo dục Mạ điện...

Ngày tải lên: 31/05/2015, 09:00

... bề mặt ngo i Một công nghệ nâng cao chất lợng bề mặt đợc ứng dụng hiệu l công nghệ mạ điện Từ yêu cầu thực tế trên, đ nghiên cứu v thực đề t i: "Nghiên cứu ứng dụng công nghệ mạ điện cho chi tiết ... dầu Công nghệ mạ chọn l mạ crôm Ngo i điều kiện Khoa Cơ - Điện có thiết bị mạ kẽm nên tiến h nh mạ kẽm mẫu trục vít (mặc dù điều kiện l m việc trục vít không cho phép mạ kẽm) Kết l m sở cho mạ ... d gia công nhỏ so với h n Độ cứng lớp mạ phụ thuộc v o chế độ mạ v kim loại mạ v đạt tới 1200MPa Trong mạ đợc ứng dụng phổ biến để phục hồi chi tiết sau đến mạ đồng, mạ niken, mạ kẽm Từ trình...

Ngày tải lên: 20/11/2013, 16:48

Ngày tải lên: 26/03/2014, 12:28

... Tổng quan công nghệ mạ điện 1.1 Tổng quan công nghệ mạ điện Hình 1.1: Mô hình mạ điện phân với nguồn chiều Đề tài thiết kế nguồn mạ chiều đề tài có giá trị thực tế lớn, công nghệ mạ nguồn điện chiều ... tổng quát trình mạ điện phân.Trong công nghệ mạ có số yêu cầu công nghệ mạ điện 1.2 Yêu cầu công nghệ mạ điện - Trước mạ, vật cần mạ tiến hành gia công khí để có bề mặt phẳng, đồng thời tẩy xóa ... anốt trình điện phân thường O2 hay Cl2 1.1.3 Catốt : điện cực nối với cực âm nguồn điện chiều Trong mạ điện catốt vật mạ Trên bề mặt vật mạ diễn phản ứng khử ion kim loại mạ Ví dụ : Mạ niken : Mạ...

Ngày tải lên: 08/05/2014, 20:19

Ngày tải lên: 07/07/2014, 10:01

... chung  Quy trình mạ điện  Vấn đề ô nhiễm xử lí chất thải  Ứng dụng  Bước phát triển MẠ ĐIỆN    Mạ điện gì? Mạ điện công nghệ điện phân,tạo lớp phủ lên bề mặt vật cần mạ Tại phải mạ điện?  ... Bảo vệ,Độ bền  Có cách mạ điện? Mạ tinh mạ thô Phân loại lớp mạ điện: Lớp mạ trang trí Lớp mạ bảo vệ Lớp mạ trang trí bảo vệ Lớp mạ kĩ thuật LỊCH SỬ     Ngành mạ điện nhà hóa học Ý Luigi ... robot điện tử siêu nhỏ (MEMS) Quy trình mạ điện  Quá trình xử lí bề mặt  Gia công học  Tẩy dầu mỡ  Tẩy gỉ  Tẩy bóng điện hóa hóa học  Tẩy nhẹ Mạ điện  Những yêu cầu  Tiến hành mạ điện  Mạ...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 03:21

... chung  Quy trình mạ điện  Vấn đề ô nhiễm xử lí chất thải  Ứng dụng  Bước phát triển MẠ ĐIỆN    Mạ điện gì? Mạ điện công nghệ điện phân,tạo lớp phủ lên bề mặt vật cần mạ Tại phải mạ điện?  ... Bảo vệ,Độ bền  Có cách mạ điện? Mạ tinh mạ thô Phân loại lớp mạ điện: Lớp mạ trang trí Lớp mạ bảo vệ Lớp mạ trang trí bảo vệ Lớp mạ kĩ thuật LỊCH SỬ     Ngành mạ điện nhà hóa học Ý Luigi ... robot điện tử siêu nhỏ (MEMS) Quy trình mạ điện  Quá trình xử lí bề mặt  Gia công học  Tẩy dầu mỡ  Tẩy gỉ  Tẩy bóng điện hóa hóa học  Tẩy nhẹ Mạ điện  Những yêu cầu  Tiến hành mạ điện  Mạ...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 07:20

... tạo theo công nghệ CMOS tốt Các công nghệ lập trình chip: Công nghệ lập trình Tính bay Có thể lập trình Diện tích chip R (ohm) C (pF) Static RAM cell Có Trong mạch Lớn 1-2 K 10-20 PLICE Không ... phần tử lập trình chip Tùy thuộc vào ứng dụng FPGA, phần tử lập trình có đặc tính khác Ví dụ phần tử lập trình không bay hay lập trình lại Về mặt chế tạo, phần tử lập trình tạo theo công nghệ CMOS ... phần tử lập trình, công nghệ lập trình sử dụng RAM tĩnh, cầu chì nghịch (anti-fuse) EPROM transistor EEPROM transistor Mặc dù công nghệ lập trình khác nhau, tất phần tử lập trình có chung tính...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... phân lưu trữ điện tích tụ cần phải có dụng cụ truy cập, hay chuyển mạch kích hoạt dành cho thao tác ”đọc” ”viết” Do tế bào nhớ đơn giản, không cần tiêu tốn công suất tĩnh để lưu trữ điện tích tụ ... động, số liệu nhị phân lưu trữ đơn giản nạp vào tụ, có mặt hay mặt điện tích lưu trữ điện tích tụ nhớ vô hạn dòng rò lấy hay thay đổi điện tích lưu trữ Do đó, tất tế bào nhớ động cần nạp lại thường ... Chương 6: Bộ nhớ thể thực cách sử dụng cổng NAND có N lối vào cho lối hàng 6.3 Các mạch nhớ đọc – viết tĩnh (SRAM) Mạch nhớ gọi tĩnh, số liệu lưu trữ giữ lại vô hạn (kéo dài nguồn nuôi cung cấp),...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 5.2 Các bước chế tạo IC 23 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 5.3 Quy tắc layout vi mạch 24 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 25 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp ... Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 26 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 27 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 28 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 5.4 Công nghệ IC: 5.4.1 Old Technologies: Bipolar Diode ... – with Implantation Technique Silicon Gate CMOS – with Implantation Technique 29 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 3.1 N-Well 3.2 Active Area 3.3 Field Doping 3.4 Capacitor Implant 3.5 Gate Oxide...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế Layout A B 0 1 pMOS1 pMOS2 nMOS1 nMOS2 OUT pMOS1 pMOS2 nMOS1 nMOS2 OUT 4.1.3 Cổng NAND: A B 0 1 1 Bài tập 4.1: Thiết kế cổng OR AND đầu vào 16 Chương 4: Mạch CMOS ... OUT =A.B + C e Thiết kế FF-D 17 OUT Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế Layout 4.2 Layout cổng logic 4.2.1 Cổng NOT: Metal Gate: Silicon Gate: 18 Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế Layout 4.2.2 Cổng NOR: Metal ... Gate: 4.2.3 Cổng NAND: Metal Gate: 19 Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế Layout Silicon Gate: Bài tập 4.3: Vẽ schematic layout sau: a 20 Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế Layout b Bài tập 4.4: Vẽ layout...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS Hình 3.2 Thỏi Silic kéo Từ thỏi Silic hình trục, cưa ngang ta miếng wafer Hình 3.3 Các tạo wafer 11 Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS Có nhiều độ ... nâng cao nguồn chất pha vào Lắng đọng phải bao hàm trình bốc vật liệu kích thích vào vật liệu Silic theo sau 12 Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS chu trình nhiệt, dùng để dồn tạp chất từ bề mặt silic ... súng electron, bắn trực tiếp electron vào wafer để tạo vùng bán dẫn khác 13 Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS 3.3 Quy trình tạo linh kiện đấu dây 14 ...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... xuất iện điện trường có chiều hướng từ móng đến cổng, lỗ trống di chuyển phía bề mặt lớp oxide, bề mặt tích lũy lỗ trống + Kiểu hiếm: VGS=VT, có điện trường hướng từ cổng tới móng, điện trường ... bề mặt vào móng chưa đủ lớn để kéo điện tử thiểu số phía bề mặt nên tạo vùng không gian hạt tải gọi vùng hay vùng điện tích không gian + Kiểu đảo: VGS>VT, điện trường tạo có chiều hướng từ cổng ... tán loại (n+) gọi nguồn (Source) máng (Drain) Giữa nguồn máng vùng hẹp p gọi kênh, phủ lớp cách điện (SiO2) gọi cổng oxide Khảo sát kiểu làm việc tụ MOS: VGS VDS > VGS - VT G D S n+ - VGS - VT...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... thụ động điện trở, tụ điện, cuộn cảm mà  Dây nối phận: Dùng màng kim loại có điện trở súât nhỏ Au, Al,Cu Chương 1: Tổng quan mạch tích hợp  Điện trở: Dùng màng kim loại hợp kim có điện trở ... diode, điện trở, tụ điện Rồi dùng chất cách điện SiO2 để phủ lên che chở cho phận lớp SiO2, dùng màng kim loại để nối phận với  Transistor, diode phận bán dẫn  Điện trở: chế tạo cách lợi dụng điện ... Ni-Cr-Al; Cr-Si; Cr tạo nên điện trở có trị số lớn  Tụ điện: Dùng màng kim loại để đóng vai trò cực dùng màng điện môi SiO; SiO2, Al2O3 ; Ta2O5 Tuy nhiên khó tạo tụ có điện dung lớn F/cm2.0,02...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

Ngày tải lên: 24/08/2014, 16:13

... số đặc trng mạ crôm, mạ kẽm - Nghiên cứu ảnh hởng số thông số đến chất lợng lớp mạ l m sở xây dựng quy trình mạ trục vít v xy lanh - Mạ v chạy thử để đánh giá chất lợng lớp mạ Tr ng i h c Nụng ... quy trình mạ crôm xy lanh máy ép dầu Để đạt đợc mục đích trên, nội dung cụ thể đề t i gồm: - Tìm hiểu điều kiện l m việc xy lanh máy ép dầu; - Nghiên cứu sở lý thuyết mạ điện v số đặc trng mạ...

Ngày tải lên: 11/10/2014, 03:52

Ngày tải lên: 26/03/2015, 09:57

Ngày tải lên: 11/09/2015, 17:28

Ngày tải lên: 11/09/2015, 17:32