... V t li u ñi n môi 2. 1.1 Khái ni m 2. 1 .2 Các ñ c tính b n c a v t li u ñi n môi 2. 2 V t li u t 2. 2.1 Khái ni m 2. 2 .2 Các ñ c tính b n c a v t li u t CHƯƠNG LINH KI N TH ð NG (2LT) 3.1 ði n tr 3.1.1 ... (2LT) 1.1 Nh ng khái ni m b n 1.1.1 C u trúc vùng lư ng c a bán d n thu n 1.1 .2 C u trúc vùng lư ng c a lo i ch t bán d n t p 1 .2 N ng ñ h t d n 1 .2. 1 M c lư ng Fecmi 1 .2. 2 N ng ñ h t d n 1 .2. 3 ... 3.1.1 C u t o phân lo i 3.1 .2 Các tham s cách ghi ñ c s 3 .2 T ñi n 3 .2. 1 C u t o phân lo i 2/ 7 3 .2. 2 Các tham s cách ghi ñ c s 3.3 Cu n c m 3.3.1 C u t o phân lo i 3.3 .2 Các tham s cách ghi ñ c...
Ngày tải lên: 16/12/2013, 10:48
... hệ thống tham số hỗn hợp: Y11 = Z 22/ ΔZ; Y 12 = -Z 12/ ΔZ; Y21 = -Z21/ΔZ; Y 22 = Z11/ΔZ H11 = ΔZ/Z 22; H 12 = Z 12/ Z 22; H21 = -Z21/Z 22; H 22 = 1/Z 22; ΔZ = Z11Z 22 - Z21Z 22 Áp dụng công thức mô tả quan hệ ... mạch điện hình vẽ, cho đặc tuyến transistor Hãy xác định điểm công tác họ đặc tuyến RC=3,2kΩ RB1=88kΩ EC =20 v RB2=17 ,2 kΩ RE=780Ω IC ma 125 µa 100µa 75µa 50µa IB 10 15 25 µa 20 Uce(V) Gợi ý trả lời: ... chiều để tuyến tính hóa đặc tuyến Diode ta có: D1 có tham số :Rth1= 10Ω, Eth1=0,2v D2 có tham số : Rth2=15Ω, Eth2=0,3v D3 có tham số : Rth3 =20 Ω , Eth3= 0,5v E0=70v, RHC= 5kΩ RHC E0 D1 D2 D3 Gợi...
Ngày tải lên: 01/03/2014, 18:23
Cấu kiện điện tử - Chương 2 ppt
... 0 ,27 6,5 0,5 12 220 1 ,2 22, 0 0,33 8 ,2 1,5 15 18 27 0 330 1,5 1,8 27 ,0 33,0 0,39 0,47 10,0 12, 0 22 27 390 470 2, 2 2, 7 39,0 47,0 0,56 0,68 15,0 18,0 3,3 33 560 3,3 56,0 0, 82 22, 0 3,9 39 47 680 820 ... 3,3 56,0 0, 82 22, 0 3,9 39 47 680 820 3,9 4,7 68,0 82, 0 1,0 1 ,2 4,7 56 68 5,6 6,8 100 120 1,8 2, 2 5,6 82 8 ,2 150 2, 7 6,5 100 120 10,0 12, 0 180 22 0 3,3 4,7 150 15,0 5,6 Các kiểu mắc điện trở a Mắc ... 1 /2 W với giá trị điển hình: 100, 22 0, 470, 1K, 2. 2K, 4.7K, 10K, 22 K, 47K, 100K, 22 0K, 470K, 1M, 2. 2M 4.7M Loại dây quấn có công suất danh định cao từ 1W đến 3W với giá trị điển hình: 10, 20 ,...
Ngày tải lên: 24/07/2014, 20:20
Cấu kiện điện tử - Chương 2 pptx
... +105°C = + 125 °C = +150°C (SPECIAL) Thay đổi cho phép tối đa từ +25 °C ( VDC ) F = ±7.5% P = ±10% R = ±15% S = 22 % T = +22 % / -33% U = +22 % / -56% V = +22 % / - 82% X7R = ±15% ∆C -55°C ~ + 125 °C Điện ... 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 1.0 1 .2 1.5 1.8 2. 2 2. 7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8 .2 Các công thức C Các công thức C - VC + I Các công thức C Vdc - VC(t) + I Tụ điện tương đương i + C1 v1 C2 v2 ... ± 2% ; J = 5% ; K = 10% ; M = 20 % Có giá trò không ghi đơn vò kèm theo Ghi chữ số Dielectric Y5F Cap Value 1 02 = 1000pF Cap Tolerance C = +/- .25 pF K = +/-10% M = +/ -20 % D = +/-.5pF Z = +80%/ -20 %...
Ngày tải lên: 05/08/2014, 23:22
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 2 docx
... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... D B V xd (VD ) = xd0 D B BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT (2. 23) (2. 24) CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25) ú: x n0 ; x p0 ; xd0 ;& E0 l cỏc i lng tng ng trng ... ca th tip xỳc vo phng trỡnh (2. 14), B = VT ln BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 20 1 /2 2( 1,04 ì 10 12 )(0,748V) xp = = , 029 7 ì 10 cm (1,6 ì 10 19 )(1016...
Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 2 pptx
... hình 2. 47 Biểu thức trị số điện dung xác định phương trình (2. 83) (2. 85): I T V T2 (1 − δ ) C= r = O (2. 86) 8Vr Vr 8L Bảng 2. 2 tóm tắt công thức cần thiết để thiết kế biến đổi giảm áp BẢNG 2. 2: ... t1 = + t2 = + 2 2Vmax R C∆V T (2 − ∆V/Vmax ) = và: t1 = L Vmax thay T = 1/fP, fP số lượng xung giây (gấp hai lần tần số ban đầu), ta có: ∆V ⎛ ∆V ⎞ ⎛ ∆V ⎞ 2 − (2. 58) RLC = ⎜ V ⎟ = f ⎜1 − 2V ⎟ ⎟ ... gần thể hình 2. 29 Tính C theo đường thẳng gần Độ dốc thứ hàm mũ phương trình (2. 57) là: -V m1 = max RLC độ dốc đường thẳng A hình vẽ Độ dốc đường thẳng B hình 2. 29, là: V m2 = max T /2 - ∆V RLC∆V...
Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21
Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 2 pdf
... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... D B V xd (VD ) = xd0 D B BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT (2. 23) (2. 24) CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25) ú: x n0 ; x p0 ; xd0 ;& E0 l cỏc i lng tng ng trng ... th hin hỡnh 2. 29 Tớnh C theo ng thng gn ỳng dc th nht ca hm m phng trỡnh (2. 57) l: -V m1 = max RLC ú l dc ca ng thng A hỡnh v dc ca ng thng B hỡnh 2. 29, l: V m2 = max T /2 - V RLCV t1...
Ngày tải lên: 12/08/2014, 13:20
bài giải đề thi môn cấu kiện điện tử
... Sai b Đúng Câu hỏi loại 2: 22 / LED thị xạ ánh sáng màu đỏ có điện áp phân cực thuận là: a U D = (1,6 ÷ 1,8) V b U D = 3,0 V c U D = (2, 4 ÷ 2, 7) V d U D = (2, 0 ÷ 2, 2) V 23 / LED hồng ngoại chế tạo ... 2 22/ Tranzito 2N59 02 có dòng điện máng bão hòa 500µA điện áp máng-nguồn bão hòa UDSbh 2V, Hỏi điện trở máng RDS vùng trở bao nhiêu? a RD S = 10 KΩ b RDS Ω= K c RD S = 100 Ω d RD S = 40 Ω 23 / ... cực thuận a U D = (2, 0 ÷ 2, 2) V b U D = (2, 4 ÷ 2, 7) V c U D = 3,0 V d U D = (1,6 ÷ 1,8) V 24 / Nguồn sáng LED đẳng hướng có độ rộng phổ a Khoảng từ (40 ÷ 100) nm b Khoảng từ (2 ÷ 40) nm c Khoảng...
Ngày tải lên: 22/01/2015, 01:07
Cấu kiện điện tử
... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... ) = 1 ,2 x10 20 ( V.s.cm ) ND (cm-3) 1x1016 1x1018 1x1017 5x1017 4x1017 2x1017 àn (cm2/ V.s) 1100 350 710 440 470 580 àn ND (V.s.cm)-1 1,1x1019 3,5x1 020 7,1x1019 2, 2x1 020 1,9x1 020 1,2x1 020 CHNG ... D B V xd (VD ) = xd0 D B BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT (2. 23) (2. 24) CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25) ú: x n0 ; x p0 ; xd0 ;& E0 l cỏc i lng tng ng trng...
Ngày tải lên: 10/10/2012, 09:41
Giáo trình cấu kiện điện tử
... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... ) = 1 ,2 x10 20 ( V.s.cm ) ND (cm-3) 1x1016 1x1018 1x1017 5x1017 4x1017 2x1017 àn (cm2/ V.s) 1100 350 710 440 470 580 àn ND (V.s.cm)-1 1,1x1019 3,5x1 020 7,1x1019 2, 2x1 020 1,9x1 020 1,2x1 020 CHNG ... D B V xd (VD ) = xd0 D B BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT (2. 23) (2. 24) CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25) ú: x n0 ; x p0 ; xd0 ;& E0 l cỏc i lng tng ng trng...
Ngày tải lên: 12/10/2012, 14:16
Xây dựng bộ bài thí nghiệm mô phỏng cho môn học Cấu kiện điện tử
... PHẦN MỀM 10 2. 1 Giao diện phần mềm 10 2. 2 Sử dụng chuột .15 2. 2.1 Sử dụng chuột phải 15 2. 2 .2 Sử dụng chuột trái .16 2. 3 Các đơn vị đo 16 2. 4 Cách nối ... 3.1 .2 Máy đo đa số (Digital Multimeter - DMM) .20 3.1.3 Máy ghi dạng sóng XY (XY Recorder) 21 3.1.4 Máy sóng ảo ( Oscilloscope) .23 3.1.5 Máy phân tích tín hiệu (Signal Analyzer) 25 ... .33 3 .2. 1 Nguồn tương tự 33 3 .2. 2 Nguồn số .40 47 CHƯƠNG CÁC BÀI THÍ NGHIỆM MÔ PHỎNG 47 BÀI SỐ 1: ĐIỐT 47 BÀI SỐ 2: ĐIỐT BJT 52 BÀI SỐ...
Ngày tải lên: 24/04/2013, 20:48
Cau kien dien tu
... ± 20 0 ± 20 0 ± 20 0; ± 510 ±1500 0,1Ω ÷ 180K 1,0Ω ÷ 3,8K 0,1Ω ÷ 40K 20 Ω ÷ 2M ÷ 21 25 0C ÷ 30 25 0C ÷ 10 25 0C ÷1000 25 0C -55÷ +27 5 -55÷ +27 5 -55÷ +27 5 -55÷ +22 5 ± 20 0 ± 50 ± 20 ±500 -55÷+ 125 25 đến ± 20 0 ... ppm/0C 0,1Ω ÷ 1,2M 10Ω ÷ 5M 1/8 ÷3/4 ở 125 0C 1 /20 ÷ 1 /2 ở 125 0C -55÷+145 -55÷+ 125 ± 10 ± 25 10Ω ÷ 1,5M 10Ω ÷ 1,5M 10Ω ÷ 5M 1/4 ÷ 700C 1 /20 ÷1 /2 ở 125 0C 1/8 ÷ 700C -55÷+150 -55÷+175 -55÷+165 2, 7Ω ÷ 100M ... cáchđiện Giấy ÷ 12 30 3÷4 3÷4 Lụa Sáp ÷ 60 20 ÷ 35 3,8 ÷ 4,5 2, 8 ÷ 2, 9 0,04 ÷ 0,08 Paraphin 20 ÷ 30 2, 2 ÷ 2, 3 1016 Nhựa thông 10 ÷15 3,5 0,0003÷ 0,0007 0,01 Polime 15 20 2, 3 ÷ 2, 4 1.10-4÷5 10-4...
Ngày tải lên: 07/09/2013, 11:35
Bài giảng cấu kiện điện tử
... 0 ,27 6,5 0,5 12 220 1 ,2 22, 0 0,33 8 ,2 1,5 15 18 27 0 330 1,5 1,8 27 ,0 33,0 0,39 0,47 10,0 12, 0 22 27 390 470 2, 2 2, 7 39,0 47,0 0,56 0,68 15,0 18,0 3,3 33 560 3,3 56,0 0, 82 22, 0 3,9 39 47 680 820 ... (khoảng 1 023 nguyên tử) Si: 1s2 2s2 p6 3s2 3p2 (14 điện tử ) Ge: 1s2 2s2 p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2 ( 32 điện tử) Nh vậy, khoảng cách nguyên tử lớn (đủ để coi chúng không gây ảnh hởng tới nhau), có 2N điện ... 3,3 56,0 0, 82 22, 0 3,9 39 47 680 820 3,9 4,7 68,0 82, 0 1,0 1 ,2 4,7 56 68 5,6 6,8 100 120 1,8 2, 2 5,6 82 8 ,2 150 2, 7 6,5 100 120 10,0 12, 0 180 22 0 3,3 4,7 150 15,0 5,6 Các kiểu mắc điện trở a Mắc...
Ngày tải lên: 04/10/2013, 18:44
Tài liệu Giáo trình: "Cấu kiện điện tử" ppt
... 0,1 1,0 0,1 20 180K 3,8K 40K 2M 21 25 0C 30 25 0C 10 25 0C 1000 25 0C -55 -55 -55 -55 20 0 50 20 500 700C 22 M -55 + 125 i n tr dây qu n xác i n tr oxit im lo i +27 5 +27 5 +27 5 +22 5 25 n 20 0 i n tr màng ... ppm/0C 0,1 10 1,2M 5M 1/8 3/4 125 0C 1 /20 1 /2 125 0C -55 +145 -55 + 125 10 25 10 10 10 1,5M 1,5M 5M 1/4 700C 1 /20 1 /2 125 0C 1/8 700C -55 +150 -55 +175 -55 +165 2, 7 100M 1/8 -55 +130 20 0 20 0 20 0; 510 1500 ... 40 30 12 L a Sáp 60 20 35 3,8 2, 8 4,5 2, 9 0,04 Paraphin 20 30 2, 2 2, 3 1016 Nh a thông 10 15 3,5 0,0003 0,0007 0,01 Polime 15 20 2, 3 2, 4 1.10-4 10-4 Cao su D ut i n 20 30 20 2, 2 1015 1017 1015 1,6.103...
Ngày tải lên: 09/12/2013, 22:15
Tài liệu Tổng hợp trắc nghiệm môn cấu kiện điện tử pdf
... c a i t zener bi t i n áp ngu n cung c p US = 24 V, i n áp i t 10V dòng i n qua i t 20 mA a 20 0 W b c d 20 0 mW 28 0 mW 480 mW / Cho s m ch nh hình v d m ch iot phân c c thu n a b c d i ây v i i t ... 0,05 mA / Dòng i n c c góp mA, dòng i n g c 0, 02 mA H i h s khu ch dòng i n bao nhi u? a 25 0 b 100 c 50 d 25 i / M t tranzito có h s khu ch i dòng i n 125 dòng i n g c 30 A H i dòng i n c c góp bao ... < UDS > UDS > / M t JFET có IDbh = 10mA UDSbh = 2V, i n tr m t chi u RDS s b ng 2K a b 400 c 20 0 5K d / M t JFET có dòng i n máng bão hòa IDbh = 20 mA i n áp máng bão hòa UDSbh = 5V H i i n tr...
Ngày tải lên: 13/12/2013, 00:15
Tài liệu Cấu kiện điện tử 1 pdf
... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... ) = 1 ,2 x10 20 ( V.s.cm ) ND (cm-3) 1x1016 1x1018 1x1017 5x1017 4x1017 2x1017 àn (cm2/ V.s) 1100 350 710 440 470 580 àn ND (V.s.cm)-1 1,1x1019 3,5x1 020 7,1x1019 2, 2x1 020 1,9x1 020 1,2x1 020 CHNG ... B (2. 23) (2. 24) BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 2: TIP Please purchase PDF Split-Merge on www.verypdf.com to remove this watermark GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25)...
Ngày tải lên: 19/01/2014, 02:20
Tài liệu Chương 2: Linh kiện điện tử công suất I docx
... tính mở: ( turn on ) Thời gian trễ ton Giới hạn tốc độ tăng dòng diA/dt Hình II .2. 4.a Đặc tính động : mở khóa SCR (1) (2) Hình II .2. 4.b Cấu tạo SCR cực cổng có dạng cổ điển (1) phức tạp (2) phân ... SCR hay Thyristor nói chung PHỤ LỤC CHƯƠNG A HÌNH DẠNG BÊN NGOÀI MỘT SỐ SCR: TO 220 AB TO48 (TO208AA) TO118 (TO209AE) TO200AB ADD A-PAK B ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CHI TIẾT CỦA SCR: Các datasheet sau cho ... chòu dòng lớn áp cao, dẫn đến tổn hao BJT đóng ngắt Ví dụ áp BJT 20 0 volt dòng 20 ampe, công suất tức thời mối nối CE lúc 20 0 *20 = 4000 watt so với vài chục watt dẫn bảo hòa Hiện tượng đặc biệt...
Ngày tải lên: 21/01/2014, 01:20
Tài liệu Cấu kiện điện tử P2 docx
... Ri = I Zmax = I Lmin (VZ − VSmin ) + I Lmax (VSmax − VZ ) 20 mA(10V − 10,2V) + 20 0mA(14V − 10V) = = - 4 020 mA VSmin - 0,9VZ - 0,1VSmax 10,2V − 0,9 × 10V − 0,1 × 14 V Trị số IZmax âm cho biết biên ... tưởng hình 2. 35, 10V, nên ta viết: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 42 Vomin = 10V + (0,053A × 2kΩ ) = 10,1V Vomax = 10V + (0,53A × 2kΩ ) = 11,1V ... t1 – t0 t2 – t1) Nếu tu n theo nguyên tắc thiết kế, mạch RC phải có 20 % số thời gian để nạp xả suốt bán kỳ, nghĩa thay cho trị số cuối khoảng 18% giá trị ban đầu (tức là, exp(-0 ,2) = 0, 82) Nếu...
Ngày tải lên: 25/01/2014, 15:20