1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

thiết kế mạch đo điện tự sử dụng cảm biến tương tự THIẾT kế MẠCH KHUẾCH đại CÔNG SUÂT PA ở tần số 2 6GHz CHO 5g SUBBAND

24 53 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 24
Dung lượng 1,56 MB

Nội dung

THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUÂT PA Ở TẦN SỐ 2.6GHz CHO 5G SUBBAND GVHD: TS.Nguyễn Anh Quang Nhóm thực hiện: Nguyễn Tất Đạt Nguyễn Khắc Trung Lê Văn Tuấn 20172455 20175665 20175666 01 Phương án thiết kế 02 Thiết kế mạch 01 Phương án thiết kế 1.1 Yêu cầu khuếch đại ● Bộ khuếch đại phải hoạt động tần số 2.6GHz ● Đảm bảo khuếch đại đủ công suất để truyền anten 1.2 Thiết bị sử dụng ●   Thiết bị sử dụng CG2H40010F, HEMT (high electron mobility transistor) cung cấp hãng Wolfspeed: ● Hoạt động tốt tần số 2.6GHz yêu cầu ● Hiệu suất tốt (60%-70% ) 1.3 Bias Network ● Mô chiều cho transistor để tìm đường làm việc chiều, từ định chế độ làm việc cho transistor 1.4Xác định S-parameters ● Ma trận tán xạ S cần thiết thiết PA, xác định hệ số phản xạ độ lợi thiết bị sử dụng từ tính tốn tính ổn định (K factor) có phương án phối hợp trở kháng phù hợp 1.5 Thiết kế ● Lựa chọn class sử dụng ● Quyết định điểm làm việc transistor ● Thiết kế mạch phối hợp trở kháng phù hợp 02 Thiết kế mạch   • Lựa chọn class AB • Trở kháng nguồn trở kháng tải 50 • Mơ hình mạch SOURCE INPUT MATCHING AMPLIFIER OUT MATCHING LOAD 2.1 Mô chiều Từ mơ ta có đường đặc tuyến thiết bị sau: Điểm hoạt động m2 tính gần điểm có dịng điện IDS cực đại từ có đường tải chiều nối từ m2 đến m1 (điểm làm việc Q) Nhóm định chọn m1 điểm làm việc transistor class AB lựa chọn 2.2 Ma trận tán xạ cổng S-parameters Điện trở R1 có tác dụng ổn định thiết bị S parameters transistor ● Kết  tham số S tần số 2.6GHz ghi lại sau: 667 𝐿 166 [ 𝑆 ]= , 47   [ 0 023 , 494 𝐿 − 1660 ]   𝑆 |

Ngày đăng: 11/01/2022, 20:05

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w