Luận văn thạc sĩ nghiên cứu chế tạo màng ITO pha tạp ag

Mục lục Mở đầu Chãơng 1: Tỉng quan vỊ vËt liƯu TCO 1.1 Tình hình nghiên cứu chế tạo màng điện cực nãớc 1.2 Các phãơng pháp chế tạo TCO 1.2.1 Phơng pháp vật lý 1.2.1.1 Phãơng pháp bay ngãng kết chân không 1.2.1.2 Phơng pháp phún xạ ca tốt 1.2.1 Phơng pháp hóa học 1.2.2.1 Phơng pháp điện hóa .8 1.2.2.2 Phãơng pháp sol-gen 1.2.2.3 Phơng pháp CVD 11 1.2.2.4 Phơng pháp phun dung dịch đế nóng .12 1.3 Màng điện cực suốt dẫn điện ITO 13 1.4 Màng điện cực suốt dÉn ®iƯn SnO2 13 Chãơng 2: Tổng quan pin mặt trêi nano TiO2 16 2.1 VËt liÖu nano TiO2 16 2.2 Mét sè øng dơng tiªu biĨu cđa vËt liƯu nano TiO2 18 2.2.1 øng dơng lÜnh vùc m«i trêng 18 2.2.2 TiO2 øng dơng ®iƯn tư… 19 2.3 Pin mỈt trêi thÕ hƯ míi nano TiO2 20 2.3.1 Mét vài nét lịch sử phát triển pin mặt trêi… 20 2.3.2 Pin mỈt trêi nano TiO2 21 Chãơng 3: Phãơng pháp thiết bị thực nghiệm 26 3.1 Hoá chất 26 3.2 Thiết bị chế tạo màng vật liệu nano phãơng pháp "Phun dung dịch ®Õ nãng" 27 3.3 Mô hình chi tiết thực nghiệm chế t¹o mÉu 31 3.4 HƯ ®o nhanh hƯ sè trun qua… 32 Chãơng 4: Chế tạo khảo sát tính chất màng ITO 33 4.1 Chế tạo khảo sát tính chất màng In2O3 : Sn 33 4.2 ChÕ t¹o vËt liƯu nano b¹c(Ag) 37 4.3 Chế tạo khảo sát tính chất màng ITO pha tạp Ag 38 4.3.1 Khảo sát phụ thuộc điện trở suất vào nồng độ (%) Ag 38 4.3.2 Khảo sát XRD 39 4.3.3 Kh¶o s¸t b»ng SEM 42 4.3.4 Khảo sát độ truyền qua 42 4.3.5 Kh¶o s¸t líp tiÕp xóc TiO2/ITO : Ag 43 4.4 Chế tạo khảo sát tÝnh chÊt mµng SnO2 44 4.4.1 Chế tạo khảo sát tÝnh chÊt mµng SnO2 : F 44 4.4.2 Chế tạo khảo sát tính chất màng SnO2 pha tạp Ag 47 4.4.2.1 Khảo sát mµng Ag b»ng XRD 48 4.4.2.2 Khảo sát màng Ag SEM .50 4.4.2.3 Khảo sát màng SnO2 : F/Ag b»ng XRD 50 4.4.2.4 Kh¶o sát phụ thuộc điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp Ag vào màng mỏng 52 4.4.2.5 Khảo sát tính chÊt líp tiÕp xóc víi TiO2 53 4.5 BiƯn ln kÕt qu¶ 54 KÕt luËn 55 Tài liệu tham khảo 56 Mở đầu Khoa học công nghệ nano đà thập kỷ 60 kỷ XX Đến năm 90 kỷ này, ứng dụng quan trọng ngành công nghệ mới, công nghệ nano đời đà làm chấn động giới khoa học kü tht[1] Tõ sù kiƯn nµy, sù chó ý cđa giới ông nghệ Nano tăng Trên toàn cầu, cạnh tranh hợp tác nãớc công nghệ Nano trở nên sôi động, thực đà trở thành hãớng nghiên cứu mũi nhọn khoa học công nghệ giới Sự phát triển khoa học công nghệ đà tạo nên bãớc tiến mang tính đột phá toàn cầu Với tiềm to lớn tính chất đặc biệt quý giá, ứng dụng nhiều ngành khoa học kỹ thuật mũi nhọn, màng điện cực suốt TCO (Transparent Conducting Oxide) đà mối quan tâm, đầu tã nghiên cứu nhiều trung tâm, viện nghiên cứu lớn giới tính chất đặc thù khả ứng dụng rộng rÃi nhiều lĩnh vực khác nhã: Năng lãợng, điện tử, sinh học, môi trãờng, xây dung, Trên giới tình hình nghiên cứu mng TCO sôi động, từ nãớc phát triển tới nãớc công nghiệp đại nhã Mỹ, Nhật Bản, Hn Quốc Trong nhiều hội nghị quốc gia nhã quốc tế không vắng mặt công trình TCO v ứng dụng, nhã Workshop on Quantum solar Energy conversion[17], International Energy Conversion Engineering Conference[12], Màng TCO ®· trë thành mét mỈt hàng mà chóng ta cã thĨ mua cách dễ dng, từ công ty nhã công ty trách nhiệm hữu hạn Zhengzhou chida Tungsteng & Molybdenum Products[37] cđa Trung Qc, c«ng ty Solaronix cđa Thơy Sĩ, công ty trách nhiệm hữu hạn Photox Optical system[28] Anh, Có thể thấy mng TCO đà không l đối tãợng nghiên cứu khoa học mà nã thùc sù ®i vào øng dơng thùc tÕ rÊt hiƯu qu¶ øng dơng quan träng nhÊt cđa màng ®iƯn cùc st dÉn ®iƯn ®ã lµ øng dơng thiết bị quang điện, đặc biệt l pin mặt trời nano TiO2 [36],[19],[7],[34],[14],[21],[27], lúc mà an toàn lãợng mối quan tâm lớn loài ngãời Để phát triển bền vững, cần phải thoát khỏi lệ thuộc vào nguồn lãợng hoá thạch chúng gây ô nhiễm, làm trái đất nóng lên thân cạn kiệt sau khoảng 50 năm Giới khoa học trông cậy vào nguồn lãợng tái tạo Trong đó, quan trọng lãợng mặt trời Các nhà khoa học đà tính toán cần thu lấy lãợng mặt trời chiếu xuống 0,1% diện tích bề mặt trái đất cần hiệu suất chuyển đổi khiêm tốn 10% thành điện đà thoả mÃn hoàn toàn nhu cầu lãợng toàn nhân loại Nguồn lãợng vô tận, giá rẻ, chỗ sạch, không làm cân sinh thái quy mô toàn cầu Do đánh giá đời pin mặt trời hệ dựa sở vật liệu nano TiO2 cấp thiết Đây cứu cánh cho mục tiêu phát triển bền vững trãờng tồn nhân loại trái đất Sự đời pin mặt trời sở vật liệu nano TiO2 đãợc giới khoa học kỹ thuật kinh tế giới coi lời giải cho toán chuyển đổi lãợng mặt trời quy mô toàn cầu Theo xu hãớng chung giới, nh khoa học Việt Nam có nhiều công trình nghiên cứu công nghệ chế tạo v tính chất mng TCO Có thể kể trung tâm, phòng thÝ nghiƯm tiªu biĨu nghiªn cøu vỊ TCO: ViƯn khoa học vật liệu (ITMS); Trung tâm Khoa học tự nhiên & Công nghệ Quốc gia; Trãờng Đại học Bách khoa H Nội; Đại học Khoa học tự nhiên Thnh phố Hå ChÝ Minh; Phßng thÝ nghiƯm VËt lý øng dơng, Bộ môn Vật lý chất rắn, Bộ môn Vật lý Đại cãơng, Khoa Vật lý, Đại học Khoa học tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội Các nghiên cøu chđ u tËp trung vào c¸c tÝnh chÊt quang, điện mng TCO, có nghiên cøu vỊ tÝnh chÊt hnh quang, hay tÝnh chÊt nh¹y khí Trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời nano TiO2, vật liệu đãợc quan tâm hàng đầu l màng ITO (IndiumTin Oxide), FTO (Fluorine-doped Tin Oxide, màng kÏm ôxít, đặc biệt l AZO (Al-doped Zinc Oxide) Xuất phát từ luận đó, luận văn đà tập trung vào nghiên cứu chế tạo màng TCO theo yêu cầu ứng dụng làm điện cực cho pin mặt trời nano TiO2 mà mục tiêu chủ yếu màng điện cực ITO pha tạp bạc Bản luận văn đãợc chia làm chãơng Chãơng : Tổng quan vật liệu TCO, ITO Chãơng : Tổng quan pin mặt trời nano TiO2 Chãơng : Phãơng pháp thiết bị thực nghiệm Chãơng : Chế tạo khảo sát tính chất màng ITO Chãơng Tổng quan vật liệu TCO, ITO 1.1 Tình hình nghiên cứu chế tạo màng điện cực nãớc ITO In2O3: Sn thuộc chủng loại mng bán dẫn suốt dẫn điện TCO Các màng TCO đà đãợc nghiên cứu từ lâu, tìm thấy ti liệu từ năm 70, ngày ph¸t triĨn øng dơng quan träng nhÊt cđa màng ®iƯn cùc st dÉn ®iƯn ®ã l thiết bị quang điện, đặc biệt l điện cực cho pin mặt trời[36],[19],[7],[34],[14],[21],[27] Trong ứng dụng phẩm chất mng TCO đãợc đánh giá qua điện trở, độ truyền qua, độ phản xạ, độ bám dính, độ bền hoá học, Để lm điện cực cho pin mặt trời mng điện cực phải thỏa mÃn ®iỊu kiƯn sau [19]: - §iƯn trë st ρ < 10-4 Ωcm - §é trun qua T > 85% - Hệ số phản xạ R < 10% - Hệ số hÊp thô α < 5% - Vïng cÊm ∆E > 3.6 eV 1.2 Các phãơng pháp chế tạo TCO Để chế tạo vật liệu có kích thãớc nanomet có nhiều phãơng pháp Có thể nói lịch sử phãơng pháp chế tạo vật liệu gắn liền với lịch sử phát triển ngãời Riêng việc tìm hiểu tãờng tận phãơng pháp đà vấn đề phức tạp tính đa dạng phong phú Do đó, luận văn nêu cách tổng quát vài phãơng pháp thông dụng đà đãợc sử dụng để chế tạo vật liệu nano nói chung vật liệu TCO nói riêng Nhã biết, đà có nhiều phãơng pháp truyền thống biến thể khác đãợc sử dụng để chế tạo vật liệu Tuy nhiên nguyên tắc phãơng pháp chế tạo màng vật liệu thãờng đãợc chia thành hai loại: Phãơng pháp vật lý Phãơng pháp hoá học 1.2.1 Phãơng pháp vật lý Các phãơng pháp vật lý dùng để chế tạo vật liệu màng, vật liệu nano thãờng dựa nguyên tắc giảm kích thãớc Theo vật liệu dạng khối ban đầu bị phân tán nhỏ trình vật lý sau đãợc xếp, lắng đọng lên chất phù hợp Đây phãơng pháp chế tạo cho ta màng vật liệu có chất lãợng cao, nhãng ứng dụng thực tế gặp khó khăn giá thành cao, thiết bị quý khó thực 1.2.1.1 Phãơng pháp bay ngãng kết chân không [26] Đây phãơng pháp đãợc sử dụng tãơng đối rộng rÃi sử dụng để tạo màng ITO Nguyên tắc chung đốt nóng vật liệu làm cho bốc bay ngãng kết đế Ta sử dụng mặt nạ để chế tạo vật liệu có dạng theo ý muốn Chân không cao buồng bốc bay nhằm tránh tác dụng tán xạ vật liệu khí dã trình tạo màng, không gây tạp chất ý muốn vật liệu Có thể phân loại phãơng pháp bay theo chế cung cấp nhiệt: - Phãơng pháp bay dùng thuyền điện trở: Nhiệt độ bay đãợc khống chế cách điều khiển dòng điện qua thuyền vật liệu Tốc độ bay đãợc biểu diễn biểu thức: trò định Ngoài tính chất màng phụ thuộc vào nhiệt độ chế độ phun Trong trình thực nghiệm để hoàn thành luận văn này, đà tiến hành khảo sát độ dẫn màng nhã độ truyền qua màng vào nhiệt độ chế tạo Để xác định nhiệt độ tối ãu cho trình chế tạo điện cực có độ dẫn ®é st cao chóng t«i ®· khèng chÕ nång độ nhã thành phần chất ban đầu sau thay đổi nhiệt độ chế tạo Kết xác định nhiệt độ tối ãu khảo sát độ dẫn màng điện cực thông qua nhiệt độ chế tạo đãợc đãa hình 4.11 ì 10-5 0.9 0.8 0.7 §i Ưn 0.6 trë 0.5 su et( 0.4 Ω 0.3 m) 0.2 0.1 H×nh 4.11: Sù phơ thc ®iƯn trë st vµo 350 370 ®é 390 410 nhiƯt củaNhiệt màngđộ( SnO o C) 330 430 Nhã nhiệt độ 360 390 0C khoảng nhiệt độ tối ãu cho việc chế tạo màng SnO2 : F suốt dẫn điện Với bề dày màng cỡ d ≈ 10-6 , R = 10 ÷ 20 Ω/ ®ã ρ ≈ 10-6 Ωm KÕt qu¶ ta thu đãợc mng điện cực có điện trở bề mặt từ 10 / , độ truyền qua 80% Kết đà đãợc so sánh với kết đo phổ truyền qua hệ đo đại Đây l kết mức với công trình khác giới: Mng SnO2 công ty Solaronix cđa Thơy SÜ (4-8 Ω/ ), Chida Trung Quốc(6.1cm) Để xác định đãợc loại hạt tải màng SnO sử dụng phãơng pháp mũi dò nhiệt Chúng đà xác định đãợc loại hạt dẫn màng SnO chế tạo phãơng pháp phun dung dịch đế nóng loại n Chúng đà tiến hành nghiên cứu tính chất cđa chun tiÕp nano tinh thĨ TiO2/SnO2 b»ng c¸ch tiÕn hành đo đặc trãng V-A tiếp xúc Kết đo đặc trãng V-A tiếp xúc TiO 2/SnO2 chế tạo phãơng pháp phun dung dịch đế cho thấy tiếp xúc Ômíc 4.4.2 Chế tạo khảo sát tính chất màng SnO2 pha tạp Ag Để tiếp tục tăng tính dẫn điện màng ®iƯn cùc SnO2 ng•êi ta dïng vËt liƯu nano Ag - Là vật liệu có tính dẫn điện tốt đãa vào màng TCO Hiện đà có nhiều phãơng pháp chế tạo màng SnO2/Ag suốt dẫn điện nhã phãơng pháp bốc bay nhiệt chân không, phãơng pháp phún xạ catốt, phãơng pháp phun phủ hoá học, đây, lựa chọn phãơng pháp phun phủ dung dịch Vật liệu nano Ag đãợc pha tạp vào vào màng TCO hai phãơng pháp Phãơng pháp thứ nhất: Tạo màng mỏng nano Ag sau phun phủ màng SnO2 Phãơng pháp thứ hai trộn dung dịch có chứa vật liệu nano Ag vào dung dịch tạo màng ban đầu Với màng SnO2 , lựa chọn phãơng pháp thứ Kích thãớc hạt Ag phụ thuộc vào cách tạo dung dịch phun, nồng độ dung dịch phun, tốc độ phun 4.4.2.1 Khảo sát màng Ag XRD Chất lãợng màng Ag đà đãợc xác định phãơng pháp nhiễu xạ tia X Kết đãợc mô tả h×nh 4.12 Peaks of Ag 35 30 Li n( C P 25 20 15 10 10 20 30 40 2-Theta-Scale Hình 4.12 : Giản đồ XRD màng Bạc (Mẫu AT95A) 50 50 60 4.4.2.2 Khảo sát màng Ag SEM Chất lãợng màng Ag đà đãợc khảo sát phãơng pháp SEM Kết đãợc mô tả hình 4.12 Hình 4.13: ảnh chụp SEM màng Ag (Mẫu AT94A) 4.4.2.3 Khảo sát màng SnO2 :F/Ag XRD Đem phun dung dịch tạo màng mỏng SnO2 theo phãơng pháp chế tạo đà nêu lên màng Ag vừa thu đãợc Ta đãợc màng SnO :F/Ag Các hạt nano Ag đóng vai trò cầu nối hạt Sn, kết làm giảm điện trở màng Tuy nhiên kết làm giảm độ suốt màng Chất lãợng màng SnO2 : F/Ag đà đãợc khảo sát nhiễu xạ tia X nhã mô tả hình 4.14: 51 70 Peaks of SnO2 Peaks of Ag 60 50 Li 40 n( C 30 P 20 10 10 20 30 40 50 2-Theta- Scale Hình 4.14: Giản đồ XRD mẫu màng Ag/SnO2 :F (Mẫu AT98AS) 52 60 Từ ảnh XRD ta tính đãợc kích thãớc hạt trung bình màng điện cực thí nghiệm 12 (nm) 4.4.2.4 Khảo sát phụ thuộc điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp Ag vào màng mỏng Màng mỏng Ag có vai trò làm tăng độ dẫn điện màng điện cực nhãng đồng thời làm giảm độ truyền qua màng Chúng đà tiến hành khảo sát phụ thuộc điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp Ag màng SnO2 :F/Ag, Kết hình 4.15 0.099 0.098 Đi ệ n trở su Êt( Ω 0.097 0.096 0.095 0.094 0.093 0.092 0.091 10 20 30 40 50 60 70 n (10-3mol) Ag Hình 4.15: Sự phụ thuộc điện trở suất màng SnO2 vào nAg 4.4.2.5 Khảo sát tính chất lớp tiếp xúc với TiO2 Chúng đà khảo sát lớp tiếp xúc TiO2/SnO2/Ag , kết thu đãợc chứng tỏ SnO2 : F/Ag bán dẫn loại n, có tiếp xúc omic với TiO2 Công nghệ phun màng SnO2 lớp Ag đà tạo màng điện cực có R = 1,4 - 2,2 / tãơng đãơng với giải pháp tạo lãới Ni [21] 65 4.5 Biện luận kết 1- Điện cực TCO đãợc chế tạo phãơng pháp thuỷ phân nhiệt luận văn này, sử dụng thiết bị đơn giản hóa chất công nghiệp nhãng đạt đãợc thông số tãơng đãơng với quốc tế Đấy kết việc lựa chọn chế độ công nghệ tối ãu, chủ yếu lựa chọn thành phần dung dịch ban đầu nhiệt độ đế 2- Các màng TCO màng bán dẫn vùng cấm rộng, chúng trở nên dẫn điện nhiệt độ phòng nhờ có mặt tạp chất nồng độ thích hợp: Với SnO2 tạp chất F, với In2O3 tạp chất Sn Khi có mặt thêm Ag, điện trở màng TCO tiếp tục giảm xuống Để xác định vai trò Ag trãờng hợp vào yếu tố sau: - ảnh nhiễu xạ tia X cho thấy Ag không tồn dạng hợp chất với vật liệu TCO nồng độ Điều có nghĩa Ag tạp chất TCO - Bạc không tồn dạng ôxít nhiệt độ chế tạo TCO ôxít bạc bị phân hủy thành bạc kim loại Nhã Ag tồn TCO dạng pha kim loại tự Ag vật liệu dẫn điện cao nên hạt Ag phân tán màng TCO tạo hiệu ứng Vi ngắn mạch làm cho tổng trở màng TCO giảm xuống Ag phân tán màng TCO nên không làm thay đổi tính chất chuyển tiếp TCO/TiO2 Căn vào thông số màng điện cực gía thành vật liệu, lựa chọn phù hợp để chế tạo điện cực cho pin mặt trời nano TiO2 : Điện cực phát ITO:Ag điện cực thu SnO2:F/Ag kết luận 1- Đà nghiên cứu chế độ nhiệt thành phần vật liệu công nghệ chế tạo ITO phãơng pháp phun nhiệt phân để đạt đãợc phẩm chất điện cực tối ãu 2- Đà điều chế vật liệu Nano Ag từ AgNO3 nghiên cứu công nghệ pha tạp bạc cho màng ITO 3- Vật liệu chế tạo đà đãợc khảo sát tính chất, phẩm chất thông qua phép đo XRD, SEM, Phổ truyền qua, Điện trở vuông, Loại dẫn, Đặc tr•ng V/A cđa tiÕp xóc víi nano TiO2 4- Đà xác định chế tác động làm giảm điện trở nano bạc, nhờ định hãớng cho việc chế tạo màng điện cực ITO theo yêu cầu ứng dụng 5- Trong trình làm luận văn, màng điện cực SnO2:F SnO2:F pha tạp bạc đà đãợc nghiên cứu chế tạo Điều vừa góp phần nâng cao kỹ chế tạo màng ITO vừa làm tăng thêm lựa chọn việc chế tạo điện cực cho hệ pin mặt trời nano TiO2 6- Đà chế tạo thành công điện cực phát pha tạp bạc cã R = - Ω/ , ®é trun qua ánh sáng vùng nhìn thấy 90% ; điện cực thu có R = 1,4 - 2,2 / cho Pin mặt trời Nano TiO2 Nhã vậy, công nghệ đơn giản, với hoá chất công nghiệp đà nghiên cứu chế tạo thành công màng TCO màng TCO pha tạp Ag có phẩm chất đáp ứng đãợc yêu cầu đặt cho toán nghiên cứu nội địa hoá Pin mặt trời Nano TiO2 Các kết đà đãợc tác giả báo cáo số hội nghị nãớc quốc tế nhã: [1] Pham Van Nho, Pham Anh Tuan, Nguyen Thuong Hai, …“Enhanced performance of the TCO transparent conductive electrode for photoelectronic devices”, The 9th Biennial Vietnam National Conference on Radio and Electronics (REV’04), 27-28/10/2004, Ha Noi, Viet Nam [2] Pham Anh Tuan, Nguyen Thi Van Anh, Pham Van Nho, "The use of Ag nanosized particles for increasing electrical conductivity of SnO2:F electrode", The second International Workshop on Nanophysics and Nanotechnology (IWONN’04) Tµi liƯu tham kh¶o [1] Vũ Đình Cự, Nguyễn Xn Chánh Cơng nghệ Nano điều khiển đến phân tử nguyên tử Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật Hà nội 2004 [2] Dang thi Thanh Le, Dang Duc Vuong, Nguyen Van Duy, Nguyen Van Hieu, an Nguyen Duc Chien, Preparation and characterization of nanostructured TiO2 and SnO2 materials for gas sensor applications, Proceedings of the eighth German – Vietnamese seminar on physics and engineering, Apr, 2005 [3] Phạm Văn Nho Giáo trình vật lý linh kiện sensor bán dẫn Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Năm 2003 [4] Phạm Văn Nho, Phan Văn An, Vũ Văn Thanh, Nguyễn Quang Tiến Pin mặt trời sở điện cực nano TiO2 xốp Báo cáo hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ IV, Núi cốc 5-7/11/2003 [5] Phạm Văn Nho, Vũ Văn Thanh, Nguyễn Quang Tiến, Nguyễn Thị Vân Anh Nghiên cứu tính chất chuyển tiếp nano tinh thể TiO 2/SnO2 Báo cáo hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ IV, Núi cốc 57/11/2003 [6] Nguyễn Trọng Tĩnh Một số vấn đề động học tiếp xúc bán dẫn(cấu trúc nano)với môi trường điện giải Luận án tiến sĩ Vật lý Hà nội 2002 [7] Alexander ulyashin, Application of TCO layers for solar cells, University of Oslo, Center for materials science and nanotechnology, Norway [8] Alexandre B.Pakhomov1, Brodley Roberts1, Kama M Krisnan1 and Scott Chambers2, Dilute Magnetic Sem conducting oxide thin films and nanostructures, 1) Department of Materials science nad engineering, Univ., of Washington, 2) PNNL environment Molecular sciences laboratory (EMSL) [9] A Wang, J.R.Babcock, N.L Edleman, A.W.Metz, M.A.Cane, R.Asahi, V.P.Pravid, C.R.Kannewurf, A.J.Freeman, and I.J Marks, Indium – Cadmium – Oxide films having exceptional electrical conductivity and optical transparency: Clues for optimizing transparent conductors, Proc Natl Acad Sci U S A 2001 June 19; 98(13): 7113– 7116 doi: 10.1073/pnas.121188298 [10] B.Thangaraju, Structural and electrical studies on highly conducting spray deposited fluorie and antimony doped SnO2 thin film from SnCl2 precursor, Thin solid film 402 (2002) 71 – 78 [11] B O’Regan, M Gratzel, Nature 353 (1991)737 [12] Dean M.Giolanga, Ahmad Tahaand AI – Oaisi, Ximming Deng and Abin Compaan, Applicatiion of spray pyrolysis metal oxide thin films for photovoltaic applications, 2nd International Energy Conversion Engineering Conference16 - 19 August 2004, Providence, Rhode Island [13] Detlef Bahnemann Photocatalytic reactors for solar water treatment developing a useful simplified mode 14th International Conference on Photochemical Conversion and Storage of solar energy Sapporo, Japan August 4-9 2002 [14] E Elangovan, K Ramamurthi, Optoelectronic Properties Of Spray Deposited Sno2:F Thin Films For Window Materials In Solar Cells, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol 5, No 1, March 2003, p 45 – 54 [15] E Olsen1, A.M Sversson1, f Leformal1, N Hildenbrandt1, A Ulyashin2, Protective oxide layers for photoelectrochemical hydrogen production, 1)SINTEF Materials and Chemisty, 2) University of Oslo, Norway [16] G Kiriakidis, H Ouacha and N Katsarakis, InOx nanostructured thin films: electrical and sensing characterization, Rev.Adv.Mater.Sci (2003) 32-40 [17] H.Cahcet, G folcher, T Bruneaux, Fluorine incorportion into sprayed SnO2 films from highly conductive towards nanocrystalline doped tin dioxide, Proceeding of 10th Workshop on Quantum solar Energy conversion, 3- 1998 [18] The Japan – Vietnam seminar Bring forth new technology innovation – possibilities of TiO2 Photocatalysts for the Protection of Ecosystems Hanoi 7/1/2003 and Ho Chi Minh city 10/1/2003 [19] Jatin Rath, Light management in a thin film solar cell, Utrecht University, SID – Physics of Devices [20] K Omura, P.Veluchamy, M.Tsyji, T.Nishio and M Murozono, A pyrosol technique to deposit highly transparent, low resistance SnO2:F thin films from dimethyltin dichloride, Journal of the Electrochemical society 146(6) 2113 – 2116 (1999) [21] Konichi Okada, HiroShi Matsui, Tkuya Kawashima, Tetsusuya Ezure, Nobuo Tanabe, 100 mm x 100 mm large- sized dye sensitized solar cells, Journal of photochemistry and photobiology and Chemistry 164(2004) 193 – 198 [22] L.S Rman, R.Valaski, C.D canotraro, E.C.S Magallaes, C.Pesson, R.A huja, E.F da Silva Jr, I Pepe and A.Ferreira da Silva Optical band – Edge Absorbtion of Oxide compound SnO2, Submitted to Elsevier Science [23] Mathew L Mottern, Henk Werneij, Frode Tyholdt*, Alexander Ulyashi**, Preferentially oriented ITO thin films by chemical solution deposition, *SINTEF, Materials Technology, P.O Box 124 Blindern Blindern, NO 0349 Oslo, Norway 0349 Oslo, Norway, **University of Oslo, Department of Physics, Centre for Materials and Science and Nanotechnology, 24, P.O Box 1048 Blindern Blindern, NO 0316 Oslo, Norway [24] Michael Gratzel Phootooelectrochemical cell Nature Vol 414 November 2001 www.nature.com [25] Moataz soliman, Mohamed M.Hussein, samir El – atawy, Mohamed el – Gamal, Effect of fluorine doping and spraying technique on the properties of Tin Oxide films, Renewable Energy 23 (2001) 461 – 470 [26] Milton Ohring The materials science of thin film Copyringht 1992 by Academic Press [27] N romeo, a Bosio, V Canevari, M Terheggen, L Vaillangt Roca., comparison of different conducting oxides as substrates for CdS/CdTe thin film solar cells, Thin solid films 431 – 432 (2003) 365 – 368 [28] Photox Optical system Ltd., http://www.photox.co.uk, ITO: mixture of Idium Oxide In2O3 and Tin Oxide SnO2 [29] R.A.Li đin, V.A M olosco, L.L.A Anđreeva Tính chất lý hố học chất vơ 106 ngu ên tố hoá học Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật Hà nội [30] S.H Jeong, T.W Lee, S.B.Lee, J H Boo, Deposition of aluminum – doped zinc oxide films by RF magnetron sputtering and study of their structural, electrical and optical properties, Thin solid films 435 (2005) 78 – 82 [31] S K Deb, R Ellingson, S Ferrere, A J Frank, B A Gregg, A J Nozik, N Park, and G Schlichthörl.Photochemical solar cells based on dye – sensitization of nanocrytalline TiO National Renewable Energy Laboratory (NREL), 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401-3393 USA [32] Scott H Brewer, stefan Franzen, Optical properties of Idium Tin Oxide and Fluorine – doped Tin Oxide surfaces: correlations of reflectivity, skin depth and plasmon frequency with conductivity, Journal of alloys and compounds 338 (2002) 73 – 79 [33] Seyed Mohammad, rozati and tohid Ganj, Characterization of Transparent conductive Thin films of In2O3 :Sn by Spray pyrolysis technique, American Journal of Applied science 2(6):1106 – 1108, 2005 [34] Steven S Hegedus and Micheal Gibson a, Gautam Ganguly and Rajeewa Aryab, A new method to characterize TCO/p contact resistance in a – Si solar cells, a) Institute of Energy Conversion, University of Delaware, Newark, DE 19716 USA, b) Solarex,Toano, VA 23168 USA [35] Z.M Jarzebski Preparation and Phyics Properties of Transparent Conducting Oxide film Phys- stat.sol.(a) 71,13(1982) [36] Z.Zhao, M.Vinson, J.Neumuller, J.E MacEntype, F.Fortunato and A.T Hurt, Transparent conducting ZnO:Al film via CCVD for amorphous silicon solar cells, Preprint of poster 4P2.11 to be present at 29th IEEE PVSC New Orlean 20 – 24 th May 2002 [37] Zhengzhou chida Tungsteng & Molybdenum Products Co., ltd., SnO2 electrodes, http://www.chida.info/ ... đãợc sử dụng để pha tạp bạc cho màng TCO 4.3- Chế tạo khảo sát tính chất màng ITO pha tạp Ag Để nâng cao độ dẫn màng ITO đà pha tạp Ag vào màng Vật liệu nano Ag đãợc pha tạp vào vào màng TCO hai... TiO2 /ITO chế tạo phãơng pháp phun dung dịch đế cho thấy tiếp xúc Ômíc 4.2 Chế tạo vật liệu nano bạc (Ag) Để pha tạp bạc cho ITO, trãớc tiên, phãơng pháp chế tạo vật liệu Ag đà đãợc nghiên cứu. .. kiện chế tạo màng TCO tối ãu, đà tiến hành pha tạp vật liệu nano Ag vào màng SnO2 , In2O3 Đồng thời khảo sát phụ thuộc điện trở vào tỷ lệ pha tạp; nghiên cứu ảnh hãởng pha tạp lên độ suốt màng