(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu và xây dựng mô hình các máy phát xung tiêu chuẩn

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ PHÙNG VĂN BIỂN NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH CÁC MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN NGÀNH: KỸ THUẬT ÐIỆN – 60520202 S KC 0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2016 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ PHÙNG VĂN BIỂN NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH CÁC MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2016 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ PHÙNG VĂN BIỂN NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH CÁC MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 Hướng dẫn khoa học: PGS TS QUYỀN HUY ÁNH Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2016 LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: Phùng Văn Biển Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 15 – 01 - 1990 Nơi sinh: Hải Dương Quê quán: An Phụ, Kinh Môn, Hải Dương Dân tộc: Kinh Chỗ ở: 25/7 KP 5, Linh Chiểu, Thủ Đức, Tp HCM Điện thoại quan: 08 3725 2002 ĐTNR: 0988 209 652 Fax: E-mail: phungvanbien150190@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Đại học: Hệ đào tạo: Chính qui Thời gian đào tạo từ 09/2009 đến 09/ 2013 Nơi học: ĐH Sư phạm kỹ thuật thành phố Hồ Chí Minh Ngành học: Điện công nghiệp Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp: Nghiên cứu biên soạn tài liệu giảng dạy thiết bị môn thực tập Truyền động điện Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: tháng 07/2013 Người hướng dẫn: ThS Nguyễn Phan Thanh Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính qui Thời gian đào tạo từ 05/2014 đến 05/ 2016 Nơi học : ĐH Sư phạm kỹ thuật thành phố Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện Tên luận văn: Nghiên cứu xây dựng mơ hình máy phát xung tiêu chuẩn Ngày & nơi bảo vệ luận văn: Người hướng dẫn: PGS TS Quyền Huy Ánh III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm 05/2014 đến Trường ĐH công nghệ thông Chuyên viên Điện tin_ĐHQG HCM i LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác TP.Hồ Chí Minh, tháng 03 năm 2016 Người thực Phùng Văn Biển ii LỜI CẢM ƠN Điều trước tiên, xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS Quyền Huy Ánh, người Thầy tận tình trực tiếp hướng dẫn, cung cấp tài liệu vơ q giá dìu dắt tơi thực hồn thành luận văn tốt nghiệp Xin chân thành cám ơn đến tất Quí Thầy, Cô giảng dạy, trang bị cho kiến thức bổ ích quí báu suốt trình học tập nghiên cứu sau Xin cảm ơn Gia đình tạo điều kiện để yên tâm học tập tốt suốt thời gian vừa qua Xin cảm ơn bạn đồng nghiệp Trƣờng đại học công nghệ thông tin – ĐHQG HCM động viên, tạo điều kiện thuận lợi hỗ trợ cho tơi nhiều q trình học tập, công tác suốt thời gian thực luận văn Xin cảm ơn Anh Chị em học viên cao học 2014A, người ln giành tình cảm sâu sắc nhất, bên cạnh, động viên, khuyến khích tơi vượt qua khó khăn suốt thực luận văn TP.Hồ Chí Minh, tháng 03 năm 2016 Người thực Phùng Văn Biển iii MỤC LỤC Trang tựa Trang Quyết định giao đề tài Lý lịch khoa học i Lời cam đoan ii Lời cảm ơn iii Tóm tắt iv Abstract .v Mục lục vi Danh sách chữ viết tắt x Danh sách hình xi Danh sách bảng xiv Chƣơng 1: TỔNG QUAN 1.1 Đặt vấn đề 1.2 Mục tiêu nhiệm vụ luận văn 1.3 Phạm vi nghiên cứu 1.4 Phương pháp nghiên cứu 1.5 Các bước tiến hành 1.6 Điểm luận văn .3 1.7 Giá trị thực tiễn luận văn 1.8 Nội dung luận văn Chƣơng 2: CÁC DẠNG XUNG TIÊU CHUẨN VÀ CÁC TIÊU CHUẨN LIÊN QUAN 2.1 Xung dòng điện 2.1.1 Định nghĩa thử nghiệm xung dòng điện .5 2.1.1.1 Thời gian đầu sóng T1 2.1.1.2 Điểm gốc giả định O1 2.1.1.3 Thời gian tồn sóng T2 .5 2.1.1.4 Dung sai vi 2.1.2 2.1.2.1 Dạng xung 8/20µs .6 2.1.2.2 Dạng xung 10/350µs 2.1.2.3 Dạng xung dịng 5/320µs: 10 2.1.3 2.2 Các dạng xung dòng tiêu chuẩn Các tiêu chuẩn liên quan 11 2.1.3.1 Tiêu chuẩn IEC 61643-1 12 2.1.3.2 Tiêu chuẩn ANSI/IEEE C62.41 19 Xung điện áp 21 2.2.1 Định nghĩa thử nghiệm xung điện áp 21 2.2.1.1 Thời gian đầu sóng T1 .21 2.2.1.2 Điểm gốc giả định O1 21 2.2.1.3 Thời gian toàn sóng T2 21 2.2.1.4 Dung sai .21 2.2.2 Các dạng xung điện áp chuẩn 22 2.2.2.1 Dạng xung 1,2/50µs 22 2.2.2.2 Dạng xung 10/700µs: 24 2.2.2.3 Các dạng xung 10/160µs, 10/560µs 9/720µs 25 2.2.2.4 Dạng xung 2/10µs .26 2.2.2.5 Dạng xung 0.5/700µs 26 2.2.3 Các tiêu chuẩn liên quan 26 2.2.3.1 Tiêu chuẩn ITU-T K.20 VÀ K.21 .27 2.2.3.2 Tiêu chuẩn TIA-968-A, TIA-968-B 28 2.3 Xung hỗn hợp dòng - áp (8/20µs 1,2/50µs) .30 2.4 Xung sét tiêu chuẩn số nước giới 30 Chƣơng 3: XÂY DỰNG MƠ HÌNH TỐN CỦA CÁC DẠNG XUNG TIÊU CHUẨN 32 3.1 Phương trình tốn dạng xung tiêu chuẩn 32 3.1.1 Tìm quan hệ (t2/t1) (b/a) .34 3.1.2 Tìm quan hệ (b/a) at1 35 3.1.3 Tìm mối quan hệ ( b/a) ( I1/I) 36 vii 3.1.4 3.2 Các bước thực hiện: 37 Xây dựng mơ hình tốn dạng xung tiêu chuẩn 38 3.2.1 Xây dựng mô hình tốn 38 3.2.2 Tạo Function Block Parameters .39 3.2.3 Tạo Subsystem 40 3.3 Mô dạng xung 42 3.3.1 Mô dạng xung dòng 43 3.3.1.1 Xung dịng 1/5µs .43 3.3.1.2 Xung dòng 4/10µs .44 3.3.1.3 Xung dịng 8/20µs .45 3.3.1.4 Xung dịng 10/350µs 46 3.3.2 Mô dạng xung áp 47 3.3.2.1 Xung áp 1.2/50µs 47 3.3.2.2 Xung áp 10/700µs .48 3.3.2.3 Xung áp 2/10µs 49 3.3.2.4 Xung áp 9/720µs .49 3.3.2.5 Xung áp 10/160µs .50 3.3.2.6 Xung áp 10/560µs .51 Chƣơng 4: XÂY DỰNG MƠ HÌNH VẬT LÝ CỦA CÁC DẠNG XUNG TIÊU CHUẨN 53 4.1 Mơ hình máy phát xung dịng 53 4.2 Mơ hình máy phát xung áp .57 4.3 Mô dạng xung 60 4.3.1 Xung dòng 60 4.3.1.1 Xung dịng 1/5µs .61 4.3.1.2 Xung dịng điện 4/10µs .62 4.3.1.3 4.3.1.4 Xung dịng điện 8/20µs .63 Xung dịng điện 10/350µs 64 4.3.2 Xung áp 65 4.3.2.1 Xung áp 1.2/50µs 66 viii 4.3.2.2 Xung áp 10/700µs .67 4.3.2.3 Xung áp 2/10µs 68 4.3.2.4 Xung áp 9/720µs .69 4.3.2.5 Xung áp 10/160µs .70 4.3.2.6 Xung áp 10/560µs .71 Chƣơng 5: XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG HỖN HỢP (XUNG ÁP kV, 1.2/50µs – XUNG DỊNG 3kA, 8/20µs) 72 5.1 Giả thiết mạch điện cho máy phát xung hỗn hợp 72 5.2 Phân tích mạch 73 5.3 Mô máy phát xung hỗn hợp Matlab .76 Chƣơng 6: SO SÁNH DẠNG XUNG MÔ PHỎNG VÀ DẠNG XUNG TỪ MÁY PHÁT XUNG THỰC T .84 6.1 Máy phát xung AXOS8 84 6.1.1 Thông số kỹ thuật máy phát xung AXOS8 .84 6.1.2 Vận hành chung 87 6.2 So sánh độ xác xung mô xung máy phát thực tế 95 6.2.1 Xung phát từ thiết bị AXOS8 .95 6.2.2 So sánh độ xác xung mơ xung máy phát thực tế .99 CHƢƠNG 7: K T LUẬN VÀ HƢ NG PHÁT TRIỂN 101 7.1 Kết luận 101 7.2 Hướng phát triển 101 TÀI LIỆU THAM KHẢO 103 ix TEST MODE:  Pre-Comp: Chế độ cho phép thiết lập trực tiếp tham số phát xung trực quan, thay đổi đầu phát xung Các thay đổi thực AXOS8 thực phát xung thử nghiệm  Standard: Thiết lập thơng số xung sét trước, q trình phát xung thi thay đổi thông số xung TRIGGER:  Auto: Tự động phát xung theo thiết lập sau bấm nút START  Manual: Dùng nút ‘START để phát xung  External trigger: Phát xung theo tín hiệu ngồi đến từ chân 11 cổng AUX phía sau thiết bị AXOS8 LINE : Dùng để lựa chọn cổng phát xung TRANSITION: Thay đổi biên độ phát xung góc lệch pha xung Hình 6.6: Menu Transition PROPERTIES: Dùng để thiết lập vận hành thiết bị cần thử nghiệm khơng đạt kết thúc phát xung 92 Hình 6.7: Menu Properties (Surge) Bảng 6.11: Chức Properties (Surge) Vị trí Miêu tả Điều kiện bên ngồi (ví dụ thiết bị tín hiệu External PLC) Line current Giới hạn dòng điện qua thiết bị thử nghiệm Giới hạn điện áp (Min Max) Nếu giá trị điện áp đỉnh máy phát xung không nằm giới hạn gây Peak voltage cảnh báo, là: bỏ qua, cảnh báo, ngừng thử nghiệm ngừng thử nghiệm ngắt nguồn Giới hạn dòng điện (Min Max) Nếu giá trị dòng điện đỉnh máy phát xung không nằm giới hạn Peak current gây cảnh báo, là: bỏ qua, cảnh báo, ngừng thử nghiệm ngừng thử nghiệm ngắt nguồn Nếu thiết bị thử nghiệm bị lỗi, AXOS8 gây cảnh Action: Ignore, Alarm, Test báo là: bỏ qua, cảnh báo, ngừng thử nghiệm Stop, Test Stop & Line Off ngừng thử nghiệm ngắt nguồn Turn Line Off Ngắt điện áp L, N, PE thử nghiệm hồn tất Sound Tín hiệu âm kết thúc thử nghiệm  Chức Telecom Wave Xung mơ tả tương tự xung 10/700µs Thời gian đầu sóng 10 µs, thời gian tồn sóng 700µs Các xung áp dụng đường truyền thông Để áp dụng xung thiết bị thử nghiệm cần phải có telecom wave (TW) 93 Hình 6.8: Bộ Telecom Wave (TW) Hình 6.9: Menu Telecom Wave Các thông số điều chỉnh tương tự chức Surge Hình 6.10: Menu Properties (Telecom Wave) 94 Bảng 6.12: Chức Properties (Telecom Wave) Miêu tả Điều kiện bên ngồi (ví dụ thiết bị tín hiệu External (Pin11 on Aux) PLC) Line Current Giới hạn dòng điện qua thiết bị thử nghiệm Nếu thiết bị thử nghiệm bị lỗi, AXOS8 gây cảnh Action: Ignore, Alarm, Test báo là: Bỏ qua, cảnh báo, ngừng thử nghiệm Stop, Test Stop & Line Off ngừng thử nghiệm ngắt nguồn Turn Line Off Ngắt nguồn L, N, PE thử nghiệm hồn tất Sound Tín hiệu âm kết thúc thử nghiệm Vi trí 6.2 So sánh độ xác xung mô xung máy phát thực tế 6.2.1 Xung phát từ thiết bị AXOS8  Xung dịng điện 8/20µs_1kA Hình 6.11: Dạng xung dịng ngắn mạch 8/20µs_1kA Ipeak = 968 A 90%Ipeak = 871A, t90% = 7,7µs 10%Ipeak = 97 A, , t10% = 0,8 µs 95 Thời gian đầu sóng: T1 = 1,25(t90% - t10%) = 8,625 µs Thời gian tồn sóng: T2 = 22µs Bảng 6.13: Sai số xung dịng ngắn mạch 8/20 µs_1kA Thơng số chuẩn Thơng số dạng xung sau phát T1 (µs) T2 (µs) t10% (µs) t90% (µs) T1 (µs) Sai số T1 (%) T2 (µs) Sai số T2 (%) 20 0,8 7,7 8,625 7,812 22 10  Xung điện áp 1,2/50µs_1kV Hình 6.12: Dạng xung áp hở mạch 1,2/50µs_1kV (phóng to đầu sóng) 96 Hình 6.13: Dạng xung áp hở mạch 1,2/50µs_1kV (tồn sóng) Upeak = 1,02kV 90%Upeak = 918V, t90% = 0,9 µs 30%Upeak = 306V , t30% = 0,2 µs Thời gian đầu sóng: T1 = 1,67(t90% - t30%) = 1.169 µs Thời gian tồn sóng: T2 = 53,6 µs Bảng 6.14: Sai số xung áp hở mạch 1,2/50 µs_1kV Thơng số chuẩn Thông số dạng xung sau phát T1 (µs) T2 (µs) t30% (µs) t90% (µs) T1 (µs) Sai số T1 (%) T2 (µs) Sai số T2 (%) 1,2 50 0,2 0,9 1,169 2,583 53,6 7,2  Xung điện áp 10/700µs_1kV 97 Hình 6.14: Dạng xung áp 10/700µs_1kV (phóng to đầu sóng) Hình 6.15: Dạng xung áp 10/700µs_1kV (tồn sóng) 98 Upeak = 1,02kV 90%Upeak = 918V, t90% = µs 30%Upeak = 306V , t30% = 2,6 µs Thời gian đầu sóng: T1 = 1,67(t90% - t30%) = 9,018 µs Thời gian tồn sóng: T2 = 716 µs Bảng 6.15: Sai số xung áp 10/700µs (Telecom wave) Thông số chuẩn Thông số dạng xung sau phát T1 (µs) T2 (µs) t30% (µs) t90% (µs) T1 (µs) Sai số T1 (%) T2 (µs) Sai số T2 (%) 10 700 2,6 9,018 9,82 716 2,285 6.2.2 So sánh độ xác xung mơ xung máy phát thực tế Bảng 6.16: So sánh độ xác xung mơ xung máy phát thực tế Xung 8/20µs 1.2/50µs 10/700µs Sai số máy phát xung AXOS8 (%) T1 T2 7.8 10 2.6 7.2 9.8 2.3 Sai số mơ hình tốn (%) T1 T2 30,89 8,31 0,17 3,06 60,2 1,55 Sai số mơ hình vật lý (%) T1 T2 4,31 1,69 1,67 5,28 8,22 3,14 Từ kết sai số trên, nhận thấy sai số T1 T2 xung dịng 8/20µs phát từ máy phát xung AXOS8 nhỏ sai số T1 T2 xung dịng 8/20µs mơ hình máy phát xung toán Sai số T1 T2 xung áp 1.2/50 µs phát từ máy phát xung AXOS8 lớn so với mơ hình máy phát xung Tuy nhiên, dạng xung phát từ máy phát xung AXOS8 có sai số nằm phạm vi cho phép Đối với mơ hình máy phát xung xung dịng 8/20 µs mơ hình tốn có sai số T2 đạt u cầu, cịn mơ hình vật lý T1 T2 đạt Cịn dạng xung áp 1,2/50µs có T1 T2 đạt; cịn xung 10/700µs mơ hình vật lý có sai số đạt u cầu Bảng 6.17: So sánh độ xác xung tiêu chuẩn mơ hình vật lý Xung 1/5 µs 4/10µs 8/20µs Sai số mơ hình vật l ( ) T1 T2 12 1,29 38,69 2,81 4,31 1,69 Sai số tiêu chuẩn (%) T1 T2 10 10 10 10 10 10 99 Kết Khơng Khơng Đạt 10/350µs 1.2/50µs 2/10µs 9/720µs 10/700µs 10/160µs 38,69 1,67 100 2,46 8,22 20.06 2,81 5,28 7,7 0,25 3,14 10.46 20 30 30 30 30 40 45 20 20 20 20 63 Không Đạt Không Đạt Đạt Đạt 10/560µs 26,87 1,87 40 54 Đạt Bảng 6.18: So sánh độ xác xung tiêu chuẩn mơ hình tốn Xung 1/5µs 4/10µs 8/20µs 10/350µs 1.2/50µs 2/10µs 9/720µs 10/700µs 10/160µs 10/560µs Sai số mơ hình tốn (%) T1 T2 36 3,06 33,87 3,68 30,89 8,31 20 2,7 0,17 3,06 22,3 13,05 78,1 10,15 60,2 1,55 41,3 17,74 28,07 1,16 Sai số tiêu chuẩn (%) T1 T2 10 10 10 10 10 10 20 45 30 20 30 20 30 20 30 20 40 63 40 54 100 Kết Không Không Không Đạt Đạt Đạt Không Không Đạt Đạt CHƢƠNG K T LUẬN VÀ HƢ NG PHÁT TRIỂN 7.1 Kết luận Với phát triển kỹ thuật mơ hình hóa mơ nay, luận văn sâu nghiên cứu áp dụng phần mềm Matlab để xây dựng mơ hình máy phát xung tiêu chuẩn, đáp ứng yêu cầu tiêu chuẩn IEC, IEEE, ITU-K, TIA Nội dung nghiên cứu cụ thể kết đạt sau:  Nghiên cứu dạng xung sét chuẩn tiêu chuẩn liên quan  Xây dựng mơ hình tốn, mơ hình hình vật lý máy phát xung dòng, xung áp với dạng xung dòng xung áp sét khác  Nghiên cứu xây dựng xung hỗn hợp dòng – áp  Nghiên cứu hệ thống máy phát xung AXOS8  Đánh giá sai số mơ hình xung dịng xung áp sét với sai số cho phép qui định tiêu chuẩn IEC, IEEE, ITU-K TIA Các xung đạt tiêu chuẩn gồm có: + Mơ hình vật lý: xung 8/20µs, 1.2/50µs, 9/720µs, 10/700µs, 10/160µs, 10/560µs + Mơ hình tốn: xung 10/350µs, 1.2/50µs, 2/10µs, 10/160µs, 10/560µs + Xung hỗn hợp dịng 8/20µs- áp 1.2/50µs  Xung sét phát từ máy phát AXOS8 so với tiêu chuẩn hành đạt u cầu Gồm có xung: 8/20 µs, 1.2/50 µs, 10/7008/20 µs, 1.2/50 µs Kết nghiên cứu cung cấp mơ hình máy phát xung dịng xung áp sét hữu ích cho nhà nghiên cứu, giảng viên, sinh viên trường đại học việc nghiên cứu đáp ứng thiết bị chống áp tác động xung sét lan truyền điều kiện thiếu phịng thí nghiệm 7.2 Hƣớng phát triển 101  Tiếp tục nghiên cứu xây dựng hiệu chỉnh mơ hình dạng xung chưa đạt tiêu chuẩn như: xung 1/5µs, 4/10µs, 2/10µs, 10/350µs (mơ hình vật lý); 1/5µs, 4/10µs, 8/20µs, 9/720µs, 10/700µs (mơ hình toán) 102 TÀI LIỆU THAM KHẢO TI NG VIỆT [1] Đỗ Bình Dương,Nghiên cứu mơ thiết bị chống sét lan truyền mạng máy tính đường dây điện thoại,Luận văn Thạc sĩ , Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, 2005 [2] Trần Tùng Giang, Xây dựng mơ hình máy phát xung hỗn hợp điện trở phi tuyến, Luận văn Thạc sĩ, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, 2007 [3] Tạ Văn Minh, Nghiên cứu lập mơ hình máy phát xung sét, Luận văn Thạc sĩ, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, 2010 [4] Phạm Thị Hằng, Mơ hình hóa mô thiết bị chống sét lan truyền mạng truyền thông, Luận văn Thạc sĩ, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, 2014 [5] Dương Anh Hào, Bảo vệ chống xung độ mạng hạ áp, Luận văn Thạc sĩ, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, 2014 TI NG NƢ C NGOÀI [6] C Politano, SGS-THOMSON Microelectronics, Protection standards applicable to terminalsItalia, 1995 [7] Ronald B Standler, Equation for the 10/350 µs Surge Test Waveform [8] Ronald B Standler, Protection of Electronic Circuits from Overvoltages, New York: Wiley-Interscience, May 1989 Republished by Dover, December 2002 [9] C62.41.2TM – 2002, IEEE Recommended Practice on Characterization of Surges in Low-Voltage (1000 V and Less) AC Power Circuits [10] IEC 61643-1:2005, Low-voltage surge protective devices –Part 1: Surge protective devices connected to low-voltage power distribution systems – Requirements and tests [11] Haefely Hipotronics, User manual: AXOS8Compact Immunity Test System [12] Vernon Cooray, Ligtning Protection, The Institution of Engineering and Technology , London, United Kingdom, IET 2010 103 [13] Andrzej Sowa, jaroslaw Wiater,Overvoltage in low-voltage power distribution systems caused by direct lightning strokes to medium voltage lines, BialystokTechnicalUniversity [14] Daniel W Durbak, Surge Arrester Modeling, Power Technologies, Schenectady, New York [15] F Heidler, J.M.Cvetic, B.V.Stanic, Calculation of Lightning Current Parameters, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.14,No.2, April 1999, pp 399 - 404 [16] IEC 61312-1:1999, Protection against lightning electromagnetic impulse – Part 1: General principles [17] Siemens power system, Surge Arreter presentation, catalogues (selection), Operating manuals and Surge Arrster handbook, CD-ROM [18] Kenneth J Brown, Metal oxide varistor degradation, IAEI NEWS, March.April 2004 [19] Andrzej Sowa, jaroslaw Wiater, Overvoltage in low-voltage power distribution systems caused by direct lightning strokes to medium voltage lines , BialystokTechnicalUniversity [20] Application Guide - TRANQUELL Station Surge Arrester, GET-6460 [21] Birgitte Bak-Jensen, Modelling of ZnO-varistors with frequency independent circuit element model , 25th International Conference on Lightning Protection, ICLP 2000, pp 742-747 [22] Daniel W Durbak, Surge Arrester Modeling , Power Technologies, Schenectady, New York [23] Elpro International Ltd, ELPRO Surge Arrester [24] F Heidler, J.M.Cvetic, B.V.Stanic, Calculation of Lightning Current Parameters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.14,No.2, April 1999, pp 399 - 404 [25] F Fernandez, R Diaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulations”, National University of Tucuman, Argentina [26] Hubbell Power System, Lightning: the most common source of overvoltage [27] IEC 61312-1:1999, Protection against lightning electromagnetic impulse – Part 1: General principles [28] K P Mardira, T K Saha, A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester , The University of Queensland, Australia 104 [29] Siemens power system, Surge Arreter presentation, catalogues (selection), Operating manuals and Surge Arrster handbook , CD-ROM [30] A Bayadi, N Harid, K Zehar, S Belkhiat, Simulation of metal oxide surge arrester dynamic behavior under fast transients , IPST 2003 in New Orleans, USA [31] K Borgeest, J L ter Haseborg, Anders Larsson, Viktor Scuka: Numerial Simulation of gas Discharge Protectors-A review , IEEE Transaction on Power Delivery, vol 14, No 2, April 1999 105 S K L 0 ... mơ hình xung áp xung dịng xây dựng thông qua mô  So sánh số dạng xung mô dạng xung phát máy phát xung thực tế AXOS8 1.3 Phạm vi nghiên cứu  Nghiên cứu tiêu chuẩn liên quan đến loại xung  Nghiên. .. dạng xung tiêu chuẩn xây dựng với dạng xung cụ thể hệ thống AXOS8 Đặc biệt luận văn trước nghiên cứu lý thuyết mô phỏng, chưa làm máy phát xung thực tế Vì việc nghiên cứu xây dựng mơ hình máy phát. .. Matlab  Nghiên cứu xây dựng mơ hình phát xung hỗn hợp áp 1.2/50µs- dịng 8/20µs  Đánh giá độ xác mơ hình xung dịng xung áp tiêu chuẩn xây dựng thông qua mô so sánh với xung phát máy phát xung AXOS8