Slide thuyết trình vật liệu nano và màng mỏng dram

cu u du o ng th an co ng DRAM c om HỌC PHẦN VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN LƢU TRỮ DỮ LIỆU CuuDuongThanCong.com Thành viên Trần Huỳnh Anh - 1419002 Nguyễn Văn Lin-1419157 Lê Yến Minh-1419176 Nguyễn Thị Hồng-1419108 Nguyễn Đức Duy - 1419052 https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY u du o ng th an co ng c om GIỚI THIỆU cu • DRAM phát minh Tiến sĩ Robert Dennard Trung tâm Nghiên cứu IBM Thomas J Watson năm 1966 • DRAM sử dụng cho nhớ CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt u du o ng th an co ng c om DRAM MEMOMRY cu • DRAM cell cấu trúc transistor, tụ điện (1T1C).Nói cách đơn giản, điện áp áp vào transistor DRAM cell, điện áp sau đưa giá trị liệu Dữ liệu sau lưu trữ tụ điện CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om CẤU TRÚC VÀ VẬT LIỆU 3-TRANSISTOR DRAM cu u du o ng th an co ng 1-TRANSISTOR DRAM CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY Cross-section c om DRAM TRENCH CAPACITY cu u du o ng th an co ng Layout CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY cu u du o ng th an co ng c om DRAM STACKED CAPACITY CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG 1T1C-DRAM cu u du o ng th an co ng • WRITE: Điện áp đặt vào bit line, sau tín hiệu điện truyền đến address line để đóng transistor Điện áp chuyển đến tụ điện lưu trữ Theo thời gian, điện tụ điện bị rị rỉ transistor tắt Vì vậy, liệu lưu trữ tụ điện phải làm • Write 0: Điện áp thấp • Write 1: Điện áp cao CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om DRAM MEMOMRY cu u du o ng th an co ng • READ: Khi address line chọn, transistor mở điện áp chạy bit line Bộ khuếch đại so sánh điện áp tụ điện với giá trị tham chiếu giá trị hay • 1: khơng có thay đổi điện bitline • 0: điện bitline thay đổi CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om XÓA cu u du o ng th an co ng Drain Source nối với điện áp âm, Gate áp điện áp dương, để loại bỏ lỗ trống khỏi transistor CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om LESS CAPACITY DRAM an th ng cu u du o Một số loại DRAM phát triển sử dụng đặc tính Silicon on Insulator (SOI) Thay sử dụng tụ điện để lưu trữ liệu co ng FLOATING GATE CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om DRAM MEMOMRY cu u du o ng th an co ng CƠ CHẾ: Áp điện áp dƣơng cho gate dƣơng cao cho drain Nếu điện áp đủ lớn, điện tủ mối tiếp xúc bị đẩy nhanh điện trƣờng Một nhận đủ lƣợng động học chúng tạo electron lỗ trống thông qua va chạm với nguyên tử khác Các eletron di chuyển theo hƣớng cực drain lỗ trống có xu hƣớng cực source, làm thay đổi điện áp ngƣỡng CuuDuongThanCong.com Do điện trường cao, điện tử có lượng cao dễ gây khuyết tật bề mặt oxide https://fb.com/tailieudientucntt .c om DRAM MEMOMRY WRITE: 0: Dùng chế loại bỏ lỗ trống cu u du o ng th an co ng 1: Dùng chế ion hóa tác động: READ: Đọc liệu lưu trữ thơng qua cảm biến dịng CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om ng co an th ng du o u cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om ng co cu u du o ng th an THANK YOU!!! CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ... https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om CẤU TRÚC VÀ VẬT LIỆU 3-TRANSISTOR DRAM cu u du o ng th an co ng 1-TRANSISTOR DRAM CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY Cross-section c om DRAM. .. ng th an co ng c om DRAM MEMOMRY cu • DRAM cell cấu trúc transistor, tụ điện (1T1C).Nói cách đơn giản, điện áp áp vào transistor DRAM cell, điện áp sau đưa giá trị liệu Dữ liệu sau lưu trữ tụ... https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY cu u du o ng th an co ng c om DRAM STACKED CAPACITY CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt DRAM MEMOMRY c om NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG 1T1C -DRAM cu u du o