Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic

Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic Nghiên cứu các mô hình memsistor và ứng dụng thiết kế các cổng logic

TĨM TẮT Những tiến máy tính năm mươi năm qua liên kết chặt chẽ để thu nhỏ kích thước cơng nghệ CMOS, cấu trúc hệ thống máy tính kỹ thuật số dựa kiến trúc von Neumann, nơi đơn vị nhớ thực cách logic tách với thiết bị vật lý, sử dụng nhiều dạng kết nối khác cho việc giao tiếp chúng Gần đây, quy mô mở rộng thiết bị bị chậm lại, giới hạn quan trọng cho phát triển công nghệ Các công nghệ nhớ thông thường chẳng hạn Flash, DRAM, SRAM, đáp ứng kịp yêu cầu thị trường mật độ cao công suất thấp Bộ nhớ Flash đạt đến giới hạn vật lý nó, khơng thể mở rộng chủ yếu độ bền có giới hạn Những vấn đề giải cách tạo thiết bị bán dẫn mới, chẳng hạn memristors hữu ích tế bào nhớ mạch chuyển đổi sử dụng để tăng thêm cổng CMOS truyền thống Memristors thiết bị đơn giản với hai điện trở, điện trở kháng thay đổi dòng điện Trở kháng thực biến lưu trữ liệu Memristor kết nối với để thực chức đại số Boolean Vì memristor chế tạo mật độ cao giao điểm đường dây kim loại kích thước nano, phổ biến đến tất mạch silicon nằm phía lớp silicon Trọng tâm nghiên cứu tìm hiểu cấu trúc đặc tính mơ hình memristor đề xuất mơ hình tuyến tính, phi tuyến, Simmons, TEAM, VTEAM Từ đó, ứng dụng memristor để thiết kế cổng logic mạch logic mạch logic tích hợp theo phương pháp MRL (Memristor Ratioed Logic) Từ khóa – memristor, TEAM, VTEAM, MRL v MỤC LỤC Trang tựa Trang LÝ LỊCH KHOA HỌC i I LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: i II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: i III QUÁ TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: i LỜI CAM ĐOAN ii LỜI CẢM ƠN iii ABSTRACT iv TÓM TẮT v MỤC LỤC vi DANH SÁCH HÌNH VẼ ix DANH SÁCH BẢNG BIỂU xi CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan chung 1.2 Các nghiên cứu công bố 1.3 Mục đích đề tài 1.4 Nhiệm vụ giới hạn đề tài 1.4.1 Nhiệm vụ đề tài 1.4.2 Giới hạn đề tài 1.5 Phương pháp nghiên cứu 1.6 Tóm tắt đề tài CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Nguồn gốc memristor 2.2 Định nghĩa memristor 10 vi 2.3 Trở kháng nhớ (memristance) 12 2.4 Tính chất memristor 12 2.5 Các thuộc tính memristor 14 2.5.1 Mối quan hệ từ thông – điện tích 14 2.5.2 Mối quan hệ dòng-áp 15 2.5.3 Kỹ thuật chuyển mạch 16 2.5.3.1 Chuyển mạch nhiệt 19 2.5.3.2 Chuyển mạch điện tử 19 2.5.3.3 Chuyển mạch ion 20 2.6 Nguyên lý hoạt động memristor 20 2.6.1 Cấu trúc memristor 20 2.6.2 Quá trình hoạt động 21 2.7 So sánh transistor memristor 23 2.8 Các ứng dụng 24 2.8.1 Bộ nhớ không bay 25 2.8.2 Các mạch logic/ tính tốn 25 2.8.3 Mạng thần kinh sinh học (neuromorphic) 25 2.8.4 Các ứng dụng khác 26 2.9 Chất liệu làm memristor 26 2.9.1 Tế bào phủ kim loại 26 2.9.2 Perovskite: 26 2.9.3 Phân tử/ polime: 26 2.10 Các thuận lợi memristor: 27 2.11 Các thách thức 28 CHƯƠNG 29 CÁC MƠ HÌNH MEMRISTOR 29 3.1 Mơ hình tuyến tính 29 3.2 Cửa sổ chức 33 3.2.1 Strukov 33 vii 3.2.2 Benderli 34 3.2.3 Joglekar 34 3.2.4 Biolek 35 3.2.5 Prodromakis 36 3.3 Mơ hình phi tuyến 37 3.4 Mơ hình Simmons Tunnel Barrier 38 3.5 ThrEshold Adaptive Memristor model (TEAM) 41 3.6 VTEAM 43 3.7 So sánh mơ hình 45 CHƯƠNG 49 ỨNG DỤNG MEMRISTOR TRONG THIẾT KẾ CÁC CỔNG LOGIC 49 4.1 Xây dựng cổng logic tỷ lệ MRL 49 4.2 Cổng OR/AND 51 4.3 Cổng NOR/ NAND 58 4.4 Cổng EXOR/ EXNOR 62 4.5 Mạch cộng bit 64 4.5.1 Bộ Cộng Half-adder 64 4.5.2 Bộ cộng Full-adder 66 CHƯƠNG 70 KẾT LUẬN, ĐÁNH GIÁ VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 70 5.1 Đánh giá 70 5.2 Hướng phát triển 71 TÀI LIỆU THAM KHẢO 72 viii DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình Trang Hình 1.1: Số tích lũy báo cáo memristor từ năm 1971 Hình 1.2: Số lượng báo đăng liên quan từ năm 1971 Hình 2.1: Quan hệ biến mạch gồm điện trở, tụ điện cuộn cảm Hình 2.2: Mối quan hệ bốn biến mạch biết đến trước chưa có báo Chua Lưu ý thiếu liên kết φ q Hình 2.3: Lý thuyết vật chất Aristotle Hình 2.4: Mối quan hệ bốn biến mạch, xác định bốn thành phần mạch bao gồm memristor 10 Hình 2.5: kí hiệu memristor 11 Hình 2.6: Sơ đồ minh họa memristor qua dòng điện độ lớn ống 13 Hình 2.7: Ba đặc tính q-φ memristor 15 Hình 2.8: Đặc tính dịng-áp memristor Vòng đường cong co lại tần số tăng 16 Hình 2.9: Đường cong chuyển mạch 18 Hình 2.10: Sự hình thành dây tóc chuyển mạch 19 Hình 2.11: Kiến trúc crossbar chuyển mạch điện trở nhớ phóng to 21 Hình 2.12: khuếch tán phân tử oxy 22 Hinh 3.1: Sơ đồ memristor HP 29 Hình 3.2: Các vịng đường cong memristor tuyến tính 32 Hình 3.3: Giá trị trở kháng nhớ theo thời gian 33 Hình 3.4: Cửa sổ chức phi tuyến Joglekar 35 Hình 3.5: Cửa sổ chức phi tuyến Biolek 36 Hình 3.6: Cửa sổ chức giới thiệu Prodromakis 36 Hình 3.7: Đặc tính dịng - áp memristor phi tuyến 38 Hình 3.8: Cấu trúc memristor vật lý mơ hình hàng rào điện tử xuyên hầm Simmons 40 Hình 3.9: Đặc tính dịng - áp mơ hình memristor simmons 40 Hình 3.10: Đặc tính dịng - áp mơ hình TEAM 43 ix Hình 3.11: Đặc tính dịng - áp mơ hình VTEAM 45 Hình 4.1: Biểu tượng thiết bị Memristive 49 Hình 4.2: Sơ đồ đặc tính MRL cổng OR/AND 51 Hình 4.3: Sơ đồ mạch giá trị ngõ MRL OR 54 Hình 4.4: Sơ đồ mạch giá trị ngõ MRL AND 55 Hình 4.5: Sơ đồ cổng logic MRL OR (a) AND (b) với n ngõ vào 56 Hình 4.6: Đặc tĩnh động cổng logic MRL OR (a), AND (b) 57 Hình 4.7: Sơ đồ MRL cổng NOR/NAND 59 Hình 4.8 : Cấu hình cổng logic NOR (a) kết mô cadence (b) 60 Hình 4.9: Cấu hình cổng logic NAND (a) kết mô cadence (b) 61 Hình 4.10: Cấu trúc logic MRL XOR 62 Hình 4.11: Kết mô MRL EXOR cadence 63 Hình 4.12: Cấu trúc logic MRL XNOR 63 Hình 4.13: Kết mô MRL EXNOR cadence 64 Hình 4.14: Mạch cộng half-adder bit 65 Hình 4.15: kết mơ ngõ Cout S 66 Hình 4.16: Mạch cộng full-adder bit 67 Hình 4.17: kết mô mạch cộng full-adder 68 x DANH SÁCH BẢNG BIỂU Bảng Trang Bảng 2.1: So sánh transistor memristor ba cực transistor 23 Bảng 3.1: So sánh mơ hình memristor 47 Bảng 3.2: So sánh cửa sổ chức có sẵn 48 Bảng 4.1: Bảng thật cổng OR/ AND 51 Bảng 4.2: Bảng thật cổng NOR/NAND 59 Bảng 4.3: Bảng giá trị thật mạch cộng half-adder bit 65 Bảng 4.4: Bảng thật mạch cộng Full adder bit 67 xi Chương 1: Tổng quan CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan chung Memristor - biết đến thiết bị, yếu tố thứ tư, liên kết thiếu phát Giáo sư Leon Chua từ Đại học California Berkeley vào năm 1971 Trước đó, để mơ tả mối quan hệ bốn yếu tố bao gồm: thông lượng φ, điện tích q, dịng điện i điện áp v có yếu tố mạch bản: điện trở R, cuộn cảm L tụ điện C sử dụng Nhưng sau dựa tính đối xứng thực tế mối quan hệ bốn yếu tố mô tả ba yếu tố, ông đề xuất có tồn yếu tố mạch điện gọi "Memristor: liên kết cịn thiếu" Trong năm 2008, nhóm nghiên cứu HP Labs dẫn đầu Stanley Williams thành công sản xuất thiết bị có kích thước nanomet Kể từ đó, nghiên cứu tiến hành memristors đạt số thành công định số lượng ấn phẩm tăng nhanh Chương 1: Tổng quan Hình 1.1: Số tích lũy báo cáo memristor từ năm 1971 Hình 1.1 hình 1.2 cho thấy số lượng tích lũy báo cáo khoa học memristors từ năm 1971 Dễ nhận thấy sau memristor HP Labs công bố năm 2008, số lượng ấn phẩm tăng lên trông giống gậy khúc cầu Các thuộc tính cho thấy memristor thú vị, thời điểm nào, trở kháng thiết bị đại lượng thể dịng điện chạy qua Một thuộc tính khác bật memristor "nhớ" giá trị bên trước Nội dung giải thích chi tiết chương Hình 1.2: Số lượng báo đăng liên quan từ năm 1971 Theo nhận định Moore, số transistor chip nhân đôi sau năm Tuy nhiên, tốc độ dần chậm lại thành tố bị thu hẹp kích cỡ xuống cịn vài phân tử khó để thu hẹp nhỏ vấn đề độ xác ổn định Vì mà nhiều phương pháp, lý thuyết đời Với đề cập “memristor” (điện trở nhớ) nhà nghiên cứu Leon Chua, tương lai mở với công nghệ khác, công nghệ chí cịn tốt cơng nghệ CMOS vốn phát triển mạnh Chương 1: Tổng quan Thiết bị có khả điện trở, điện trở có khả đặc biệt thay đổi trạng thái trở kháng có dịng điện, điện áp đặt vào hai đầu nó, dừng việc cấp điện áp thiết bị lưu trữ trạng thái lúc mà khơng bị theo thời gian dài Với kích thức nhỏ khả thay đổi nhiều trạng thái trở kháng rõ ràng, nên memristor nghiên cứu nhiều với vai trị nhớ thực phép logic, hay hoạt động nhớ có nhiều mức trạng thái khác nhau, nhằm cải thiện công nghệ sản xuất chip với tốc độ nhanh, tiết kiệm điện, chi phí thấp, cấu trúc đơn giản độ tích hợp dày đặc Và đặc biệt tiềm mô tả sử dụng điện trở nhớ khớp thần kinh nhằm bắt chước chức não thật với kích thức nhỏ nhiều lần so với công nghệ trước Về lý thuyết, Memristor có giá rẻ tốc độ cao so với nhớ flash, cho phép mật độ nhớ lớn nhiều Nhờ tiết kiệm chi phí giảm thiểu lượng linh kiện sử dụng nên công nghệ tạo hệ thống máy tính giá rẻ để vừa túi áo chạy nhanh gấp nhiều lần so với hệ thống Memristor mang lại nhiều ưu điểm tốn lượng, hoạt động nhanh khu vực lưu trữ tương đương nhớ bán dẫn thơng thường memristor lưu trữ lượng liệu nhiều lần Ngồi ra, thực tế memristor "miễn dịch" với xạ vốn nguyên nhân gây gián đoạn công nghệ bán dẫn thời Với yếu tố này, memristor giúp thiết bị trở nên nhỏ hết mạnh mẽ hết Một ưu điểm memristor chúng khơng "qn", điều cho phép thay cho RAM, cho phép hệ thống máy tính khơng cần phải khởi động qua trình rờm rà mà người dùng việc bật tắt máy công tắc đèn Và với đặc tính vốn có Memristor thực tạo hệ máy tính nhờ khả ghi nhớ chuỗi trạng thái điện có trạng thái “tắt” “bật” xử lý số đại Chính tính ưu việt memristor nên đề tài định chọn hướng nghiên cứu là: “Nghiên cứu mơ hình memristor ứng dụng thiết kế cổng Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Hình 4.7: Sơ đồ MRL cổng NOR/NAND Các giá trị ngõ đạt bảng giá trị thật cổng logic NOR/NAND truyền thống Hình 5.7 hình 5.8 biểu thị cổng logic NOR/NAND kết ngõ thực tế mơ cadence Bảng 4.2: Bảng thật cổng NOR/NAND Vin1 Vin2 Vout –NOR 0 0 1 0 1 1 59 Vout-NAND Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic (a) Cấu hình MRL NOR (b) Kết mơ cadence Hình 4.8 : Cấu hình cổng logic NOR (a) kết mô cadence (b) 60 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic (a) Cấu hình MRL NAND (b) Kết mơ cadence Hình 4.9: Cấu hình cổng logic NAND (a) kết mô cadence (b) 61 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic 4.4 Cổng EXOR/ EXNOR Bằng cách kết hợp cổng logic AND OR với invector ta tạo cổng EXOR theo nhiều cách khác Tương tự vậy, từ cổng logic thiết kế từ memristor, ta tạo cổng MRL EXOR Hình 4.6 bên mạch thiết kế cổng EXOR tạo từ MRL AND, MRL OR invector Hình 4.10: Cấu trúc logic MRL XOR Kết giá trị ngõ mô với thông số tương tự thu bảng giá trị thật nó, thể hình 4.11 với tín hiệu ngõ vào A1, A2 ngõ Vout2 Dễ dàng nhận thấy điện áp ngõ tức mức hai ngõ vào có giá trị điện áp khác Tuy q trình chuyển mạch diễn chưa hồn tồn kết thu xác 62 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Hình 4.11: Kết mơ MRL EXOR cadence Như biết, giá trị ngõ cổng EXNOR ngược lại giá trị logic EXOR nên dễ dàng thiết kế cổng EXNOR cách thêm invector sau EXOR Cấu trúc MRL EXNOR thể hình 4.12 giá trị ngõ thu 4.13 Giá trị điện áp ngõ mức hai ngõ vào có giá trị giống A XNOR B Hình 4.12: Cấu trúc logic MRL XNOR 63 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Hình 4.13: Kết mơ MRL EXNOR cadence 4.5 Mạch cộng bit 4.5.1 Bộ Cộng Half-adder Mạch cộng half-adder mạch tổ hợp thực chức cộng giá trị hai ngõ vào khơng tính đến cờ nhớ Ngõ mạch cộng giá trị tổng cờ nhớ sinh từ kết cộng Mạch cộng half-adder bit có bảng thật sau: 64 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Bảng 4.3: Bảng giá trị thật mạch cộng half-adder bit A B S (A XOR B) Cout (A AND B) 0 0 1 1 1 Từ việc memristor ứng dụng cổng logic, ta thiết kế mạch cộng half-adder bit sử dụng memristor thông qua cổng EXOR cổng AND hình 4.14 S Cout A B Hình 4.14: Mạch cộng half-adder bit Giá trị logic ngõ thu tương tự kết cổng logic AND (Cout) and XOR (S) thể hình 4.15 65 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Hình 4.15: kết mơ ngõ Cout S 4.5.2 Bộ cộng Full-adder Mạch cộng full-adder mạch tổ hợp thực chức cộng giá trị hai ngõ vào có tính đến cờ nhớ Mạch cộng full-adder bit có bảng thật sau: 66 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Bảng 4.4: Bảng thật mạch cộng Full adder bit Cin A B S Cout 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 Mạch cộng full-addr bit thiết kế dụa memristor thể hình 4.16 gồm cổng logic kết hợp với S Cout A B Cin Hình 4.16: Mạch cộng full-adder bit Giá trị logic ngõ thu tương tự kết cổng logic AND (Cout) and XOR (S) thể hình 4.17 với thứ tự dạng sóng A, B, C, S, Cout 67 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Hình 4.17: kết mơ mạch cộng full-adder 68 Chương 4: Ứng dụng memristor thiết kế cổng logic Từ kết thu ta áp dụng để thiết kế cộng n-bit hay mạch logic khác mạch nhân, mạch chia, 69 Chương 5: Kết luận hướng phát triển CHƯƠNG KẾT LUẬN, ĐÁNH GIÁ VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 5.1 Đánh giá Đề tài nghiên cứu tập trung cấu trúc, đặc điểm công nghệ vi mạch – điện trở nhớ (Memristor); Phân tích đặc tuyến cấu trúc mơ hình memristor xây dựng theo cách thức khác nhằm đưa mơ hình tới ưu Qua đó, ứng dụng memristor để thiết kế cổng logic số mạch cộng bit đạt kết mong muốn Bên cạnh cịn nhiều hạn chế chưa thực như: - Đặc tuyến mơ hình Memristor chưa ổn định theo tham số mô đưa - Quá trình chuyển mạch thiết kế cổng logic sai số định - Khơng thể thi cơng thực tế chi phí cao Với việc sử dụng memristor, kích thước mạch nhỏ hơn, số lượng phần tử mạch kéo theo tốc độ xử lý nhanh lượng tiêu hao thấp phần tử memristor có khả tích hợp cao, trì trạng thái ngưng cấp nguồn Cấu trúc “Memristor” giống với tế bào thần kinh, tạo điều kiện nghiên cứu, xây dựng hệ thần kinh nhân tạo Công nghệ “Memristor” mở khả xây dựng mạch tích hợp mật độ cao, tốc độ xử lý nhanh tổn hao lượng thấp Tuy nhiên, lĩnh vực mới, bắt đầu nghiên cứu Nhưng chứa nhiều tiềm để phát triển công nghệ vi mạch nước nhà, thách thức lớn cơng nghệ thời gian thử nghiệm 70 Chương 5: Kết luận hướng phát triển 5.2 Hướng phát triển Sau hoàn thành luận văn này, hướng phát triển tập trung nghiên cứu ứng dụng mới: - Nghiên cứu thêm đặc tính, ứng dụng memristor như: Tốc độ chuyển mạch memristor, khả lưu trữ liệu ngưng cấp nguồn, khả tích hợp, tiết kiệm lượng - Ứng dụng memristor cho ứng dụng khác, phức tạp cộng n bit, mạch trừ, mạch chia,… Với mục đích xây dựng nhớ, mạch tổ hợp có độ tích hợp cao, tốc độ xử lý nhanh tiết kiệm lượng 71 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] L Chua, “Memristor-The missing circuit element,” IEEE Transactions on Circuit Theory, vol 18, no 5, pp.507– 519, 1971 [2] S Kvatinsky, E G Friedman, A Kolodny, and U C Weiser, “TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol 60, p 211-220, 2012 [3] Shahar Kvatinsky, Member, IEEE, Misbah Ramadan, Eby G Friedman, “VTEAM – A General Model for Voltage Controlled Memristors”, IEEE transaction on circuit and system – II: Express briefs, vol -, p -, 2014 [4] Shahar Kvatinsky, Student Member, IEEE, Nimrod Wald, Guy Satat, Eby G Friedman, “MRL - Memristor Ratioed Logic for Hybrid CMOS-Memristor Circuits”, IEEE transaction on nanotechnology, vol -, p -, 2013 [5] S Kvatinsky, K Talisveyberg, D Fliter, E G Friedman, A Kolodny, and U C Weiser, “Models of memristor for spice simulations,” 2012 IEEE 27th [6] D B Strukov, G.S.Snider, D R Stewart, and R S Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol.453, no 7191, pp 80–83, 2008 [7] T A Wey and S Benderli, “Amplitude modulator circuit featuring TiO2 memristor with linear dopant drift.,” Electronics Letters, vol 45, no 22, pp 1103–1104, 2009 [8] Y N Joglekar and S J Wolf, “The elusive memristor: properties of basic electrical circuits,” European Journal of Physics, vol 30, pp 661–683, 2009 [9] Z Biolek, D Biolek, and V Biolkova, “Spice model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radioengineering, vol 18, no 2, pp 210–214, 2009 72 [10] T Prodromakis, B P Peh, C Papavassiliou, and C Toumazou, “A Versatile Memristor Model With Non- linear Dopant Kinetics,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol 58, no 9, pp 3099–3105, 2011 [11] E Lehtonen and M and Laiho, “CNN Using Memristors for Neighborhood Connections,” 12th International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and Their Applications (CNNA), pp 1–4, 2010 [12] J J Yang et al., “Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices,” Nature Nanotechnology, vol 3, no 7, pp 429–433, 2008 [13] M D Pickett, D B Strukov, J L Borghetti, J J Yang, G S.Snider, D R Stewart, and R S Williams, "Switching Dynamics in Titanium Dioxide Memristive Devices," Journal of Applied Physics, Vol 106, No 7, pp 1-6, October 2009 [14] J G Simmons, “Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film,” Journal of Applied Physics, vol 34, no 6, pp 1793–1803, 2004 [15] S Benderli and T A Wey, “On SPICE macromodelling of TiO2 memristors,” Electronics Letters, vol 45, no.7, pp 377–379, 2009 [16] H Abdalla and M D Pickett, “SPICE modeling of memristors,” IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), pp 1832–1835, 2011 [17] C Yakopcic, T M Taha, G Subramanyam, R E Pino, and S Rogers, “A Memristor Device Model,” IEEE Electron Device Letters, vol 32, no 10, pp 1436–1438, 2011 [18] S Kvatinsky, K Talisveyberg, D Fliter, E G Friedman, A Kolodny, and U C Weiser, “Verilog-A for Memristors Models,” CCIT Technical Report, no 801, December 2011 73 ... sát cách thức hoạt động memristor mạch tổ hợp số; qua đó, ứng dụng memristor vào thiết kế cổng logic số 1.5 Phương pháp nghiên cứu Do mục đích nghiên cứu đề tài chủ yếu tập trung vào nghiên cứu. .. định chọn hướng nghiên cứu là: ? ?Nghiên cứu mơ hình memristor ứng dụng thiết kế cổng Chương 1: Tổng quan logic? ??, nhằm nghiên cứu đặc tính memristor tạo tiền đề để nghiên cứu sâu công nghệ tương... logic NOR (a) kết mô cadence (b) 60 Hình 4.9: Cấu hình cổng logic NAND (a) kết mơ cadence (b) 61 Hình 4.10: Cấu trúc logic MRL XOR 62 Hình 4.11: Kết mơ MRL EXOR cadence 63 Hình 4.12: