1. Trang chủ
  2. » Giáo án - Bài giảng

Bán dẫn nguyên tố silic

56 613 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 56
Dung lượng 6,3 MB

Nội dung

Silde trình bày bán dẫn nguyên tố silic trong môn công nghệ vật liệu điện tử,vật liệ bán dẫn

SEMINAR BÁN DẪN NGUYÊN TỐ Si BÁN DẪN NGUYÊN TỐ Si Giảng viên hướng dẫn : TS. Trương Thị Ngọc Liên Nhóm thực hiện : Đinh Xuân Hiệp Đỗ Phú Mạnh Đỗ Mạnh Kiên Giới thiệu về Bán dẫn nguyên tố Si Cấu tạo và tính chất bán dẫn Si. Si ở dạng khối. Si ở cấu trúc nano. Chế tạo bán dẫn Si (dạng khối và cấu trúc nano) Ứng dụng của bán dẫn Si ( dạng khối và cấu trúc nano) • Số hiệu nguyên tử : 14 • Khối lượng nguyên tử : 28 • Nguyên tố phổ biến thứ 2 sau Oxi. • Chiếm ¼ khối lượng Trái Đất. • Si tự do không có trong tự nhiên. • Hợp chất phổ biến nhất của Si là SiO2 (nguyên chất thường gặp trong thạch anh (cát)). GIỚI THIỆU VỀ SILICON Ô cơ sở và Mặt tinh thể  Hằng số mạng  Cấu trúc cơ bản mạng kim cương bao gồm hai nguyên tử với tọa độ Hình . Cấu trúc tinh thể của Si Handbook of Electronic and Photonic Materials, Safa Kasap Hình . Xây dựng ô cơ sở của Si Miller indices of some important planes in a cubic crystal • Silicon wafers are usually cut along a {100} plane with a flat or notch to orient the wafer during IC fabrication. Hình . Chỉ số Miller của các mặt trong mạng lập phương (Physic of Semiconductor Device, S.M.Sze) VÙNG NĂNG LƯỢNG VÀ KHE NĂNG LƯỢNG  Phương trình Shrodinger :  Hàm Bloch mô tả trạng thái của các điện tử trong chất rắn :  Phổ năng lượng tương ứng hàm sóng  BZ của mạng lập phương tâm mặt (f.c.c) là mạng lập phương tâm khối (b.c.c) Hình . Vùng Brillouin của mạng fcc Handbook of Electronic and Photonic Materials, Safa Kasap . semiconductor. (a) Intrinsic Si with no impurity. (b) n-type Si with donor (phosphorus). (c) p-type Si with acceptor (boron). (Physic of Semiconductor Device,. a flat or notch to orient the wafer during IC fabrication. Hình . Chỉ số Miller của các mặt trong mạng lập phương (Physic of Semiconductor Device, S.M.Sze)

Ngày đăng: 13/12/2013, 16:28

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Ô cơ sở và Mặt tinh thể - Bán dẫn nguyên tố silic
c ơ sở và Mặt tinh thể (Trang 5)
Hình . Cấu trúc tinh thể của Si - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Cấu trúc tinh thể của Si (Trang 5)
Hình . Xây dựng ô cơ sở của Si - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Xây dựng ô cơ sở của Si (Trang 6)
Hình . Chỉ số Miller của các mặt trong mạng lập phương - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Chỉ số Miller của các mặt trong mạng lập phương (Trang 7)
 BZ của mạng lập - Bán dẫn nguyên tố silic
c ủa mạng lập (Trang 10)
phương tâm mặt (f.c.c)  là  mạng  lập  - Bán dẫn nguyên tố silic
ph ương tâm mặt (f.c.c) là mạng lập (Trang 10)
Hình . Vùng Brillouin của mạng fcc - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Vùng Brillouin của mạng fcc (Trang 10)
Hình . Cấu trúc vùng năng lượng của Si - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Cấu trúc vùng năng lượng của Si (Trang 11)
 Khi điện tử di chuyển - Bán dẫn nguyên tố silic
hi điện tử di chuyển (Trang 11)
Hình . Energy bandgaps of Si and GaAs asa function of temperature. - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Energy bandgaps of Si and GaAs asa function of temperature (Trang 12)
Hình . Three basic bond pictures o fa semiconductor. (a) Intrinsic Si with no impurity - Bán dẫn nguyên tố silic
nh Three basic bond pictures o fa semiconductor. (a) Intrinsic Si with no impurity (Trang 14)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w