Nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ THÁI NGUYÊN – 2018 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Ngƣời hƣớng dẫn khoa học: TS Trần Quốc Tiến THÁI NGUYÊN - 2018 Lời cam đoan Tôi xin cam đoan dƣới khóa luận tốt nghiệp riêng tôi, dƣới hƣớng dẫn TS Trần Quốc Tiến - Phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Tất kết số liệu khóa luận trung thực có đƣợc từ nghiên cứu mà thực q trình làm luận văn phịng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Ngƣời làm luận văn Nguyễn Minh Tuấn Lời cảm ơn Cuốn luận văn đƣợc hồn thành q trình tơi làm việc phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Lời tơi xin tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới TS.Trần Quốc Tiến, ngƣời hƣớng dẫn thực luận văn Trong suốt trình thực luận văn, thầy ln hƣớng dẫn bảo tận tình, giúp tơi hồn thành luận văn cách tốt Tôi xin chân trọng cảm ơn anh chị phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam động viên, giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi cho thực luận văn Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn chân thành tới Ban Giám hiệu, thầy khoa Vật lí - Cơng nghệ, cán phòng Đào tạo trƣờng Đại học Khoa học Đại học Thái Nguyên, cho kiến thức, kinh nghiệm vô quý giá cững nhƣ giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho tơi q trình học tập nghiên cứu Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Ban Giám hiệu Trƣờng THPT Triệu Quang Phục, anh chị em đồng nghiệp nơi công tác, giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho tơi q trình học tập nghiên cứu Cuối tơi xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, bạn bè, ngƣời bên tôi, động viên khích lệ tơi q trình thực đề tài nghiên cứu Thái Nguyên, ngày 12 tháng năm 2018 Nguyễn Minh Tuấn MỤC LỤC DANH MỤC VIẾT TẮT i DANH MỤC HÌNH ii DANH MỤC BẢNG iii MỞ ĐẦU CHƢƠNG I TỔNG QUAN VỀ CÁC LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO PHÁT XẠ VÙNG SÁNG ĐỎ 1.1 Các vấn đề laser bán dẫn .3 1.1.1 Sự phát xạ hấp thụ bán dẫn 1.1.2 Cấu trúc dị thể thành phần laser bán dẫn 1.1.3 Khuếch đại quang ngƣỡng phát laser 1.1.4 Laser bán dẫn dị thể laser giếng lƣợng tử 11 1.2 Laser bán dẫn công suất cao 13 1.2.1 Laser bán dẫn buồng cộng hƣởng rộng (LOC) 13 1.2.2 Đặc điểm laser bán dẫn hoạt động chế độ công suất cao 13 1.3 Các đặc trƣng laser bán dẫn công suất cao 14 1.3.1 Đặc trƣng quang điện 14 1.3.2 Đặc trƣng phổ phát xạ 15 1.3.3 Đặc trƣng tính chất chùm tia 17 CHƢƠNG KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 19 2.1 Laser bán dẫn taper cơng suất cao phát xạ vùng sóng 670 nm .19 2.1.1 Phƣơng pháp kỹ thuật chế tạo cấu trúc, hình dạng chip laser bán dẫn vùng 670nm 19 2.1.2 Phƣơng pháp kỹ thuật đóng gói, chế tạo mẫu laser cơng suất cao 670 nm 19 2.1.3 Các thơng số kỹ thuật laser taper đƣợc nghiên cứu 21 2.2 Hệ ổn định điều khiển nhiệt độ làm việc cho laser bán dẫn công suất cao 22 2.2.1 Nguồn nuôi điều khiển pin Peltier 22 2.2.2 Hệ pin nhiệt điện đế tỏa nhiệt cho laser công suất cao 23 2.3 Phƣơng pháp đo đặc trƣng quang điện laser bán dẫn công suất cao 25 2.3.1 Đặc trƣng I-V 25 2.3.2 Đặc trƣng P-I 26 2.4 Kỹ thuật đo phổ phát xạ laser bán dẫn công suất cao 26 2.5 Phƣơng pháp khảo sát tính chất chùm tia laser taper 27 CHƢƠNG KẾT QUẢ KHẢO SÁT CÁC ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN VÀ THẢO LUẬN 30 3.1 Tính chất quang điện laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng bƣớc sóng 670 nm 30 3.1.1 Đặc trƣng dòng (I-V) 30 3.1.2 Đặc trƣng cơng suất phát xạ phụ thuộc dịng bơm (P-I) 31 3.1.3 Hiệu suất độ dốc hiệu suất biến đổi điện quang 33 3.1.4 Khảo sát ảnh hƣởng nhiệt độ lên đặc trƣng quang điện 34 3.2 Tính chất phổ phát xạ laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670nm 36 3.2.1 Phổ phát xạ laser 36 3.2.2 Sự phụ thuộc vào dòng bơm phổ phát xạ 37 3.2.3 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ phổ phát xạ 38 3.3 Tính chất chùm tia laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670 nm 39 3.3.1 Phân bố trƣờng xa chùm tia 39 3.3.2 Độ rộng cổ chùm tính toán số truyền M 41 3.4 Phân tích kết khảo sát đặc trƣng laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670 nm đánh giá khả ứng dụng làm nguồn bơm 3+ hệ laser rắn Cr 43 KẾT LUẬN 46 TÀI LIỆU THAM KHẢO: 47 i DANH MỤC VIẾT TẮT VIẾT TẮT BA CSC DFB MQW LOC LED SCH TEC ii DANH MỤC HÌNH Hình 1.1: Các q trình quang vật chất Hình 1.2: Chuyển tiếp cấu trúc dị thể kép phân cực thuận Hình 1.3: Sơ đồ cấu tạo(a), giản đồ lượng(b), phân bố chiết suất(c), ánh sáng(d) laser diode dị thể kép Hình 1.4: Sự giam giữ hạt tải điện (điện tử, lỗ trống) điện trường (photon) sử dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x laser bán dẫn phát cạnh Sơ đồ vùng lượng E(x) với vùng dẫn vùng hóa trị (trên), phân bố chiết suất n(x) dẫn sóng điện mơi (giữa), phân bố điện trường ξ ( x) mode quang chạy dọc theo hướng z Hình 1.5: Một sóng đứng có m = buồng cộng hưởng Fabry-Perot với chiều dài buồng cộng hưởng L .8 Hình 1.6: Độ khuếch đại quang phụ thuộc vào lượng photon tính .9 cho mật độ hạt tải khác tiêm vào lớp tích cực InGaAsP Hình 1.7: Đặc trưng I-V laser bán dẫn 15 Hình 1.8: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser bán dẫn công suất cao 15 Hình 2.1: Cấu trúc epitaxy chip laser bán dẫn 670 nm 19 Hình 2.2: Mơ hình chíp laser hàn đế đồng 20 Hình 2.3 : Cấu trúc Taper, với L1 độ dài phần tạo dao động, L2 chiều dải Taper, w1 độ rộng vùng tạo dao động 21 Hình 2.4 : Một số cấu hình đóng gói laser taper 21 Hình 2.5: Nguồn ni laser ITC4005 23 Hình 2.6: Pin nhiệt điện 23 Hình 2.7: Hệ thống làm lạnh thiết bị nhiệt điên Peltier .24 Hình 2.8: Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V Laser 26 Hình 2.9: Sơ đồ đo phổ laser 27 Hình 2.10: Máy phân tích phổ quang Advantest Q8384 OSA 27 Hình 2.11: Phương pháp đo độ rộng cổ chùm tia, sử dụng kỹ thuật quét khe hẹp 28 Hình 2.12: Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất 28 Hình 2.13: Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa 29 Hình 2.14: Minh họa thơng số chùm tia 29 Hình 3.1: Đặc trưng I-V laser taper φ = .30 Hình 3.2: Đặc trưng I-V laser taper φ = .31 o 32 .33 Hình 3.3: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper Hình 3.4: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper Hình 3.5: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dòng bơm nhiệt độ khác o laser taper 34 Hình 3.6: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm nhiệt độ khác o laser taper 35 Hình 3.7:Phổ quang laser bán dẫn giá trị khác 36 Hình 3.8: Phổ quang laser taper giá trị dòng hoạt động khác o nhau, nhiệt độ hoạt động 25 C 37 Hình 3.9: Phổ quang laser taper dòng hoạt động 600 mA với giá trị nhiệt độ hoạt động khác 38 o 39 o Hình 3.10: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper Hình 3.11: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper theo hướng song song với chuyển tiếp dòng bơm khác 40 o Hình 3.12: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper nhiệt độ khác 40 o Hình 3.13: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper 41 Hình 3.14: Phân bố cường độ cơng suất theo vị trí cổ chùm .42 iii DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: Giá trị giới hạn laser taper 21 Bảng 2.2: Thông số hoạt động tối ưu laser taper 21 Bảng 2.3: thông số kỹ thuật laser teper 25 C 22 34 o Hiệu suất độ dốc phụ thuộc theo nhiệt độ LD taper 36 Các giá trị đỉnh phổ theo dòng hoạt động laser taper 37 o Sự phụ thuộc đỉnh phổ theo nhiệt độ laser cấu trúc taper 39 o o Các thông số chùm laser taper cấu trúc 42 Bảng 3.1: Dòng ngưỡng phụ thuộc theo nhiệt độ LD taper Bảng 3.2: Bảng 3.3: Bảng 3.4: Bảng 3.5: (2003) [13] ISO 11146-1:2004 Lasers and laser-related equipment –Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 1: Stigmatic and simple astigmatic beams International Organization for Standardization, (2004) [14] ISO/FDIS 11146-2:2004 Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 2:General astigmatic beams International Organization for Standardization, (2004) [15] ISO/TR 11146-3:2004 Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part Intrinsic and geometrical laser beam classification, propagation and details of test methods.International Organization for Standardization, 3: (2004) [16] R Knappe, K J Boller, and R Wallenstein, Opt Lett 20, (1995), pp, (1988) [17] D Kopf, K J Weingarten, G Zhang, M Moser, M A Emanuel, R J Beach, J A Skidmore, and U Keller, “High-average-power diode-pumped femtosecond Cr:LiSAF lasers,” Appl Phys B 65(2), 235–243, (1997) [18] [19] R L McCreery, in Raman Spectroscopy for Chemical Analysis, Chemical Analysis, Wiley, Vol 157, p 128, (2000) G Nemes Intrinsic and geometrical beam classification, and the beam identification after measurement Proceedings of the SPIE 4932, 624, (2002) [20] A E Siegman New Developments in laser resonators Proceedings of the SPIE 1224, 2, (1990) [21] J.E Whiteaway, B Garrett, G H B Thompson, A J Collar, C J Armistead, and M J Fice, The static and dynamic characteristics of single and multiple phase-shifted DFB Laser Structures, IEEE Journ Quant.Electr 28 (5), pp 1277, (1992) 48 BIÊN BẢN HỌP HỘI ĐỒNG ĐÁNH GIÁ LUẬN VĂN THẠC SĨ 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 BÁO CÁO CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ 59 60 61 62 ... TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Ngƣời... Đặc trưng I-V laser taper φ = .31 o 32 .33 Hình 3.3: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper Hình 3.4: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper Hình 3.5: Đặc trưng. .. Ω Vf Hình 3.2: Đặc trưng I-V laser taper φ = 3.1.2 Đặc trưng cơng suất phát xạ phụ thuộc dịng bơm (P-I) Đặc trƣng công suất phát xạ phụ thuộc dòng bơm laser taper đƣợc nghiên cứu khảo sát Trong