Bài viết trình bày một phương pháp mô phỏng đặc tính đầu ra của dàn Pin năng lượng mặt trời (PV) sử dụng thiết bị mô phỏng 62150H-600. Thiết bị dễ sử dụng, rút ngắn được thời gian xây dựng đặc tính dàn Pin PV dưới các điều kiện cường độ ánh sáng, nhiệt độ trên bề mặt dàn Pin PV thay đổi.
ISSN 2354-0575 MƠ PHỎNG ĐẶC TÍNH ĐẦU RA DÀN PIN ĐIỆN NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI DƯỚI ĐIỀU KIỆN BÓNG CHE DỰA TRÊN MÔ ĐUN 62150H-600S Lê Thị Minh Tâm1, Nguyễn Viết Ngư1, Nguyễn Văn Đường2, Nguyễn Thanh Tiên3, Đỗ Thành Hiếu4 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Hưng yên Bộ Giáo dục Đào tạo Học viện Kỹ thuật Quân Trường Đại học An huy Trung Quốc Ngày nhận: 30/06/2016 Ngày sửa chữa: 16/08/2016 Ngày xét duyệt: 09/09/2016 Tóm tắt: Phân tích mơ hình hóa dàn Pin PV mơ đặc tính dàn Pin PV khâu quan trọng hỗ trợ trình thiết kế điều khiển, nâng cao hiệu suất phát hệ thống điện lượng mặt trời Bài báo trình bày phương pháp mơ đặc tính đầu dàn Pin lượng mặt trời (PV) sử dụng thiết bị mô 62150H-600 Thiết bị dễ sử dụng, rút ngắn thời gian xây dựng đặc tính dàn Pin PV điều kiện cường độ ánh sáng, nhiệt độ bề mặt dàn Pin PV thay đổi Từ khóa: Pin điện lượng mặt trời (PV), bóng che, đặc tính ra, Mơ đun 62150H-600 MỞ ĐẦU Trên thực tế dàn Pin PV chịu ảnh hưởng phần bóng che cối, cơng trình kiến trúc cao lớn, đám mây khơng trung v.v tạo Khi chịu ảnh hưởng phần bóng che dẫn đến đặc tính Pin PV dàn Pin khác kéo theo công suất đầu dàn Pin giảm tổng công suất đầu Pin PV giảm Phần dàn Pin PV bị che chắn có hiệu ứng lớn, chí ảnh hưởng đến cơng suất dàn Pin PV giảm lượng đáng kể[4][5] Sử dụng mơ hình toán học Pin PV kết hợp với nguyên lý mắc nối tiếp song song Pin PV để xây dựng mơ hình mơ dàn Pin PV chịu ảnh hưởng phần bóng che Dàn pin PV mảng có m phần tử mắc song song n phần tử mặc nối tiếp, số phần tử bị bóng che, dịng điện, điện áp dàn Pin PV thay đổi khác theo vị trí bóng che bề mặt dàn Pin PV Hiệu suất dàn Pin PV chịu ảnh hưởng bóng che yếu tố nghiêm trọng lắp đặt hệ thống Pin PV quy mô lớn[2][7] Trong nhiều cơng trình cơng bố nghiên cứu hệ thống điện lượng mặt trời, phương pháp nâng cao hiệu suất hệ thống PV ( Bám điểm công suất cực đại ) công đoạn xây dựng đặc tính dàn Pin PV điều kiện ánh sáng không đồng trọng cơng đoạn cho quy trình thiết kế hệ thống điện lượng mặt trời[8] Các cơng trình cơng bố thực mơ đặc tính dàn Pin PV thường dựa phần mềm Matlab Simulink Trong tài liệu [9] Zhang Junhong Wei Xueye 46 and Zhu Tianlong thực mơ đặc tính dàn Pin PV tế bào quang điện mắc song song mắc nối tiếp hoạt động với điều kiện ánh sáng không đồng MatlabSimulink Trong tài liệu [1] Guifang Guo, Xiaolan Wu, Shiqiong Zhou and Binggang Cao thực mơ đặc tính U-I P-U, P-I dàn Pin PV cho cường độ ánh sáng nhiệt độ bề mặt dàn Pin thay đổi Hay tài liệu [3] Kamal Keshavani, Jigar Joshi, Vishrut Trivedi, Mitesh Bhavsar xây dựng mơ hình tốn học mơ đặc tính dàn Pin PV dựa Matlab- Simulink Các cơng trình cơng bố có điểm chung sử dụng phần mềm Matlab- Simulink, bước thực giống nhau, phải mạch điện tương đương dàn Pin PV xây dựng mơ hình tốn học, mơ Simulink lập chương trình Matlab để thu kết đặc tính U-I, P-I P-U dàn Pin PV Ngày hãng Chroma sản xuất thiết bị mơ dàn Pin PV 62150H-600S Thiết bị 62150H-600S dễ dàng lập trình thơng số Voc, Isc, Vmp, Imp để mơ đặc tính đầu dàn Pin PV với thời gian đáp ứng nhanh[10] Trong báo tác giả thực so sánh phương pháp mơ đặc tính dàn Pin PV điều kiện ảnh hưởng phần bóng che phần mềm Matlab mô thiết bị 62150H-600S Chroma NỘI DUNG 2.1 Mơ hình tốn học Pin PV chịu ảnh hưởng phần bóng che Xây dựng mơ hình tốn học dàn Pin Khoa học & Công nghệ - Số 11/Tháng - 2016 Journal of Science and Technology ISSN 2354-0575 PV bao gồm nhiều Pin ghép nối tiếp với nhau, mạch điện tương đương Pin PV Hình 1[4] I= _1 - a i S 1000 I ph0 - I0 >exp f q _U - U1 i p - 1H nk _Tair + 035 (1 - a ) S i (9) Thay công thức (6) vào công thức (9) ta mơ hình tốn học Pin PV mắc nối tiếp: _1 - a i S I= Hình1 Mạch điện Pin PV mắc nối tiếp Căn vào mạch điện mắc nối tiếp hình ta có cơng thức sau: qU I ph1 - I0