Nghiên cứu và chế tạo các loại vật liệu lai cơ kim halogen perovskite cấu trúc nano ứng dụng trong quang điện tử

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PHAN VŨ THỊ VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Luận văn thạc sĩ: Vật liệu Linh kiện nano Hà Nội-2018 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PHAN VŨ THỊ VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Ngành: Vật liệu Linh kiện nano Mã số: 8440126.01 QTD Luận văn thạc sĩ: Vật liệu Linh kiện nano Người hướng dẫn khoa học: TS Nguyễn Trần Thuật TS Đặng Đình Long Hà Nội - 2018 LỜI CẢM ƠN! Lời đầu tiên, với lịng biết ơn sâu sắc, tơi xin chân thành gửi lời cảm ơn đến thầy giáo TS Nguyễn Trần Thuật – trung tâm Nano lượng, trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Hà Nội thầy giáo TS.Trương Thanh Tú- khoa Hóa- trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Hà Nội, người thầy dành thời gian, tâm huyết tận tình bảo, hướng dẫn tơi suốt trình học tập làm luận văn tốt nghiệp Tôi xin gửi lời cám ơn đến thầy giáo TS Đặng Đình Long thầy giáo TS Nguyễn Đức Cường - môn Vật liệu linh kiện bán dẫn nano thầy cô giáo khoa Vật lý kỹ thuật công nghệ nano- trường Đại học Cơng nghệĐHQG Hà Nội nhiệt tình giúp tơi q trình học tập trường hồn thành luận văn tốt nghiệp Tôi xin lời cảm ơn đến cô giáo TS Mai Hồng Hạnh- khoa Lý- trường Đại học Khoa học Tự nhiên –ĐHQG Hà Nội, người bảo, giúp đỡ tơi q trình thực phép đo để hoành thành tốt luận văn tốt nghiệp Tôi xin gửi lời cảm ơn đến anh/ chị, bạn bè trung tâm Nano lượng, trường Đại học Khoa học Tự nhiên- ĐHQG Hà Nội, người ln bên tơi lúc khó khăn, động viên tôi, giúp đỡ tôi, chia sẻ kiến thức q báu q trình tơi học tập làm việc trung tâm Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, người khích lệ, động viên để tơi có đủ dũng khí tự tin theo đường nghiên cứu khoa học hoàn thành tốt luận văn tốt nghiệp Hà Nội, ngày thánh 10 năm 2018 Lời cam đoan Tôi xin cam đoan nội dung luận văn khoa học kết cơng trình nghiên cứu hướng dẫn TS Nguyễn Trần Thuật, TS Trương Thanh Tú, TS Đặng Đình Long Những nội dung tham khảo trích dẫn từ tài liệu liệt kê danh mục tài liệu tham khảo cơng trình nghiên cứu Học viên thực Phan Vũ Thị Vân MỤC LỤC MỞ ĐẦU Chương TỔNG QUAN 1.1.Giới thiệu chung vật liệu Perovskite 1.1.1 Phân loại vật liệu Perovskite 1.1.2 Vật liệu hữu vô perovskite 10 1.2.Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc ba chiều 12 1.3.Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc hai chiều 13 1.4.Vật liệu hữu vô halogen perovsksite cấu trúc chiều 14 1.5.Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc không chiều 15 1.6 Pin mặt trời hữu vô halogen perovskite 16 1.6.1 Sự phát triển pin mặt trời perovskite 16 1.6.2 Cấu trúc pin mặt trời perovskite 17 1.7 Đi-ốt phát quang perovskite 19 Chương THỰC NGHIỆM 22 2.1.Hóa chất dụng cụ 22 2.1.1 Hóa chất 22 2.1.2 Dụng cụ 23 2.2.Phương pháp chế tạo 23 2.2.1 Phương pháp hóa học 23 2.2.2 Phương pháp vật lý 24 2.2.3 Chế tạo loại vật liệu perovskite cấu trúc ba chiều, hai chiều, chiều 26 2.2.4 Chế tạo pin mặt trời perovskite 27 2.2.5 Chế tạo đi-ốt phát quang 29 2.3.Các phương pháp đánh giá đặc trưng tính chất 29 2.3.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X 29 2.3.2 Phương pháp kính hiển vi điện tử quét 31 2.3.3 Phương pháp đo phổ huỳnh quang 33 2.3.4 Phương pháp đo phổ hấp thụ 35 2.3.5 Phương pháp đo đường đặc trưng I-V 36 Chương KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 39 3.1.Kết tổng hợp đánh giá tính chất quang học MAPbBr3 cấu trúc ba chiều 39 3.2.Kết tổng hợp đánh giá tính chất quang học FAPbBr3 cấu trúc ba chiều 41 3.3.Kết tổng hợp đánh giá tính chất quang học PEPI cấu trúc hai chiều 44 3.4.Kết tổng hợp đánh giá tính chất quang học (FA)4PbBr6 cấu trúc không chiều 50 3.5 Kết chế tạo pin mặt trời perovskite 53 3.6.Kết chế tạo đi-ốt phát quang perovskite 53 KẾT LUẬN 57 DANH MỤC CƠNG TRÌNH NGHIÊN CỨU LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO 60 Tài liệu tham khảo tiếng Việt 60 Tài liệu tham khảo tiếng Anh 60 Danh mục bảng Bảng 1: Các thông số mạng cấu trúc vật liệu MAPbI3 MAPbBr3 [11] 12 Bảng 1: Bảng thống kê số hóa chất sử dụng thí nghiệm 22 Bảng 2: Bảng tên số dụng cụ, thiết bị sử dụng thí nghiệm 23 Bảng 3: Bảng thông số kỹ thuật phương pháp phún xạ phương pháp bốc bay nhiệt 29 Bảng 4: Các dạng bình phương 30 Danh mục hình vẽ, biểu đồ Hình 1: Sơ đồ phân loại vật liệu Perovskite 10 Hình 2: Cấu trúc tinh thể vật liệu Perovskite có cơng thức chung MAX3 Cation M nằm vị trí trung tâm (màu xanh cây), cation kim loại A (màu xám), anion X (màu tím) [5].: 11 Hình 3: Cấu trúc tinh thể vật liệu Perovskite có cơng thức chung (RNH3)2MX4, R C6H5C2H4, M Pb, X I [9] 14 Hình 4: Cấu trúc tinh thể vật liệu chiều CH3NH3PbI3 H2O perovskite 15 Hình 5: Cấu trúc tinh thể vật liệu không chiều (CH3NH3)4PbI6 2H2O 16 Hình 8: Hiệu suất số loại pin mặt trời nghiên cứu 1985-2015 [24] 16 Hình 9: Cấu trúc pin mặt trời perovskite Hình 1.9 a: Cấu trúc pin mặt trời perovskite dạng p-i-n, hình 1.9 b: Cấu trúc pin mặt trời dạng n-i-p 17 Hình 10: Sơ đồ cấu trúc vùng lượng loại vật liệu perovskite [25] 19 Hình 11: Mơ hình cấu trúc đi-ốt phát quang đơn lớp perovskite (PeLED) 20 Hình 12: Mơ hình cấu trúc đi-ốt phát quang đa lớp perovskite 20 Hình 1: Sơ đồ phương pháp quay phủ 24 Hình 2: Nguyên lý hoạt động máy CVD điều kiện nhiệt độ chế tạo mẫu perovskite 25 Hình 3: Sơ đồ trình chuẩn bị dung dịch A để tạo MAPbBr3 26 Hình 4: Sơ đồ nhiễu xạ tia X giản đồ nhiễu xạ X [4] 31 Hình 5: Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử quét [4] 32 Hình 6: Sơ đồ hệ đo phổ huỳnh quang kích thích xung laser 34 Hình 7: Sơ đồ khối hệ đo phổ phát xạ điện tử mẫu PeLED 35 Hình 8: Sơ đồ khối máy quang phổ UV-Vis 36 Hình 9: Đường đặc trưng I-V pin mặt trời 37 Hình 10: Sơ đồ kết nối hệ đo pin mặt trời 38 Hình 1: Phổ huỳnh quang mẫu MAPbBr3 kích thích xung laser với bước sóng λ = 532 nm 39 Hình 2: Biểu đồ thể phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang, diện tích đỉnh phát quang, độ bán rộng đỉnh phát quang, chiều cao đỉnh phát quang mẫu MAPbBr3 phát quang vào mật độ lượng xung laser 40 Hình 3: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu FAPbBr3 màng mỏng mẫu bột 41 Hình 4: Phổ hấp thụ mẫu màng mỏng FAPbBr3 (a) phụ thuộc lượng photon vào hàm (αE)2 42 Hình 5: Phổ huỳnh qunag mẫu FAPbBr3 kích thích xung laser với bước sóng λ = 532 nm 43 Hình 6: Biểu đồ thể phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang, diện tích đỉnh phát quang, độ bán rộng đỉnh phát quang, chiều cao đỉnh phát quang mẫu FAPbBr3 phụ thuộc vào mật độ lượng xung laser 44 Hình 7: Ảnh SEM mẫu màng mỏng PEPI với độ phân giản khác 45 Hình 8: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu màng mỏng PEPI 46 Hình 9: Phổ hấp thụ mẫu màng mỏng PEPI 47 Hình 10: Phổ huỳnh quang màng mỏng PEPI 48 Hình 11: Phổ huỳnh quang kích thích bước sóng λ= 405 nm 49 Hình 12: Kết ảnh SEM mẫu (FA)4PbBr6 đo độ phân giản khác 50 Hình 13: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu (FA)4PbBr6 51 Hình 14: Phổ PL kích laser bước sóng λ = 325 nm 52 Hình 15: Đường đặc trưng J-V pin mặt trời perovskite cấu trúc p-i-n 53 Hình 16: Hình ảnh đi-ốt phát quang FAPbBr3 54 Hình 17: Phổ phát xạ điện tử mẫu đi-ốt phát quang FAPbBr3 perovskite 55 Hình 18: Đường đặc trưng I-V đi-ốt phát quang perovskite 56 MỞ ĐẦU Nhu cầu sống người ngày cải thiện với phát triển xã hội Chất lượng sống dần nâng lên nhờ đóng góp lớp khoa học kỹ thuật Các ngành khoa học kỹ thuật ứng dụng có bước tiến đột phá với đời người máy thay người làm việc hay rơ bốt kích thước nano sâu vào thể người để đưa thuốc điều trị đến nơi cần thiết… Việc ứng dụng vật liệu đem lại hiệu kinh tế ý nghĩa thiết thực với sống người Theo diễn đàn kinh tế giới (WEF) tổng kết vào năm 2016, có 10 cơng nghệ bật Ngồi đóng góp cảm biến nano, cơng nghệ Blockchain, nội tạng nhân tạo vật liệu hệ đóng góp vào loại vật liệu ảnh hưởng tương lai vật liệu graphene vật liệu perovskite Ở Việt Nam, theo Bộ Khoa học Công nghệ, công nghệ vật liệu bốn lĩnh vực trọng tâm nhà nước ưu tiên phát triển Việt Nam tập trung phát triển loại vật liệu như: vật liệu cảm biến, vật liệu chế tạo nhớ hệ mới, vật liệu tản nhiệt, vật liệu cho thiết bị giải trí, vật liệu nano, vật liệu composit… Vật liệu perovskite tên gọi chung nhóm vật liệu có cơng thức dạng chung AMX3 nhà khống vật học người Nga L A Perovski tìm thấy dãy núi Uran năm 1839 Nhưng đến kỉ XXI vật liệu nghiên cứu rộng rãi số nhóm nghiên cứu tìm khả hấp thụ phát xạ nhóm vật liệu Từ đó, hàng loạt nghiên cứu khả ứng dụng vật liệu perovskite thiết bị quang điện tử Vật liệu perovskite ứng dụng chế tạo pin mặt trời đóng góp vào danh sách pin mặt trời hệ hiệu suất cao tương lai thương mại hóa Hay ứng dụng đi-ốt phát quang với dải màu thay đổi xanh, vàng, đỏ, trắng thay đổi cấu trúc vật liệu perovskite … thu hút quan tâm nhà nghiên cứu khoa học ứng dụng Từ ứng dụng vật liệu perovskite giúp lựa chọn đề tài “Nghiên cứu chế tạo loại vật liệu lai kim halogen perovskite cấu trúc nano ứng dụng quang điện tử” với mục đích tính chất quang vật liệu khả hấp thụ, phát xạ phi tuyến sau lựa chọn phương pháp kỹ thuật, phương pháp chế tạo phù hợp để phân tích tính chất đặc trưng vật liệu chế tạo pin Hình 10: Phổ huỳnh quang màng mỏng PEPI Hình 3.10 biểu diễn phụ thuộc cường độ huỳnh quang vào dải bước sóng quét Quan sát thấy vật liệu PEPI phát xạ tốt dải bước sóng 500600 nm (dải bước sóng màu xanh) với đỉnh phát xạ bước sóng λ =525 nm 48 Hình 11: Phổ huỳnh quang kích thích bước sóng λ= 405 nm Ngồi chúng tơi tiến hành đánh giá tính quang vật liệu việc sử dụng đi-ôt laser với bước sóng λ= 405 nm đo vị trí góc chiếu laser khác (vị tris1, vị trí 2, vị trí 3) Ta thấy ngồi đỉnh phát xạ tự phát ứng với bước sóng λ = 525 nm xuất đỉnh khác ứng với bước sóng λ= 554.3 nm, chúng tơi đề xuất đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Cũng giống hai vật liệu MAPbBr3, FAPbBr3 nghiên cứu tính chất quang trên, vật liệu PEPI có ứng dụng tốt chế tạo thiết bị quang điện tử đi-ốt phát quang phát xạ màu xanh 49 3.4 Kết tổng hợp đánh giá tính chất quang học (FA)4PbBr6 cấu trúc khơng chiều Hình 12: Kết ảnh SEM mẫu (FA)4PbBr6 đo độ phân giản khác Kết ảnh SEM cho thấy (FA)4PbBr6 kết tinh thành thanh, khối vật liệu Kết hợp với kết phân tích giản đồ nhiễu xạ tia X, khẳng định (FA)4PbBr6 mang cấu trúc 0D Giản đồ nhiễu xạ tia X biểu diễn hình 3.12 50 Hình 13: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu (FA)4PbBr6 Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu (FA)4PbBr6 so sánh lý thuyết với thực nghiệm, lý thuyết xây dựng phần mềm Powder cell Sự chênh lệch cường độ nhiễu xạ tia X lý thuyết với thực nghiệm giản đồ thực nghiệm biểu diễn theo hàm logarit số 10 nhằm khuếch đại đỉnh có cường độ thấp nhằm so sánh với giản đồ lý thuyết cách dễ dàng Vị trí góc 2θ đỉnh nhiễu xạ là: 6.880, 10.380, 13.830, 20.90, 28.150, 31.530, 35.10, 42.650, 54.080, 57.680 tương ứng với mặt phản xạ là: (100), (011), (200), (300), (400), (033) (500), (600), (066), (800), (FA)4PbBr6 thuộc nhóm khơng gian P12_1 có thơng số mạng tương ứng a= 12.7937 Å, b= 12.7035 Å, c= 14.49 Å, β= 92.2980 51 Hình 14: Phổ PL kích laser bước sóng λ = 325 nm Quan sát phổ huỳnh quang vật liệu (FA)4PbBr6 ta thấy vật liệu phát quang dải sóng rộng tương ứng với ánh sáng trắng mà quan sát thấy chiếu laser với bước sóng λ = 325 nm hình 3.14b Đỉnh phát xạ cao bước sóng λ= 533.65 nm tương ứng với vùng phát xạ màu xanh vật liệu 52 3.5 Kết chế tạo pin mặt trời perovskite Hình 15: Đường đặc trưng J-V pin mặt trời perovskite cấu trúc p-i-n Hình 3.15 minh họa đường đặc trưng J-V pin mặt trời perovskite chế tạo Dựa theo tính tốn thơng số pin măt trời sau: • Voc = 0.14 V • Jsc = 2.666 mA/cm2 • FF = 0.254 • PCE = 0.095% Nguyên nhân dẫn đến pin mặt trời hiệu suất thấp do: lớp màng perovskite có độ gồ ghề cao, có nhiều lỗ thủng trình chế tạo Dẫn đến khả truyền điện tử, lỗ trống thấp 3.6 Kết chế tạo đi-ốt phát quang perovskite 53 Hình 16: Hình ảnh đi-ốt phát quang FAPbBr3 Hình 3.16a hình ảnh mẫu LED chuẩn bị đo hình ảnh 3.16b hình ảnh phát sáng cấp dịng cho mẫu Hình ảnh 3.16 c-d biểu diễn hình ảnh bề mặt mẫu cấp điện áp khoảng 4-5 V với độ phân giải 10X chụp kính hiển vi quang học Trung tâm Nano Năng lượng, đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Quan sát thấy bề mặt mẫu LED đơn giản với cấu trúc FTO/FAPbBr3/FTO thấy phát quang gây nội vật liệu FAPbBr3 từ đơn tinh thể FAPbBr3 nên sinh nhiều điểm sáng bề mặt vật liệu 54 Hình 17: Phổ phát xạ điện tử mẫu đi-ốt phát quang FAPbBr3 perovskite Khi tăng cường độ dịng điện lên 40 mA - 50 mA cường độ phát quang tăng Khi tăng cường độ lớn 50 mA cường độ phát quang giảm dần Điều cho thấy LED chế tạo chưa ổn định Và cấp dòng cho đi-ốt phần dòng điện chuyển thành nhiệt nên khả phát quang 55 Hình 18: Đường đặc trưng I-V đi-ốt phát quang perovskite Hình 3.18 biểu diễn đường đặc trưng I-V mẫu đi-ốt perovskite đo lặp lại lần Ta thấy tăng từ V lên V có tăng điện tử vào tinh thể perovskite Khi tăng cao 10 V dòng cao dẫn đến phát hủy vật liệu bên cấu trúc 56 KẾT LUẬN Bằng phương pháp chế tạo đơn giản phủ quay phương pháp nhỏ giọt (phương pháp dropping) chế tạo thành công vật liệu MAPbBr3, FAPbBr3 cấu trúc 3D, PEPI cấu trúc trúc 2D, (FA)4PbBr6, cấu trúc 0D, pin mặt trời perovskite với cấu trúc FTO/PEDOT:PSS/FAPbBr3/AZO/Ag, đi-ốt phát quang perovskite với cấu trúc FTO/FAPbBr3/FTO đơn giản Vật liệu MAPbBr3, FAPbBr3 có cấu trúc lập phương thuộc nhóm khơng gian Pm-3m, có tính chất quang tuyệt vời, phát xạ ánh sáng màu xanh khoảng bước sóng từ 540 nm đến 570 nm, hấp thụ tốt dải sáng tử ngoại đến dải sáng màu xanh Hai loại vật liệu MAPbBr3 FAPbBr3 kích thích xung laser với bước sóng λ= 532 nm, mật độ lượng laser thấp khoảng 3.5 μJ/cm2 1.42 μJ/cm2 chúng xuất đỉnh phát quang, đỉnh phát xạ tự phát đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Điều cho thấy vật liệu có tính chất phi tuyến phát quang cao, có tiềm ứng dụng tốt chế tạo linh kiện quang điện tử như: đi-ốt phát quang, laser Vật liệu PEPI có cấu trúc triclinic, nhóm khơng gian P-1 Trong ô vật liệu PEPI 2D tính tốn với thơng số mạng sau: a= 8.7389A0, b=8.7043 Å, c= 32.9952 Å, α= 84.6460, β= 84.6570, ɣ= 89.6430 Vật liệu PEPI phát quang tốt dải bước sóng xanh 500 nm- 600 nm, lượng hấp thụ exciton tồn nhiệt độ phịng bước sóng 520 nm Khi kích thích vật liệu đi-ốt laser với bước sóng 405 nm, vật liệu xuất đỉnh phát quang: đỉnh phát xạ tự phát đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Điều cho thấy vật liệu ứng dụng tốt chế tạo linh kiện điện tử Vật liệu (FA)4PbBr6 tổng hợp thành công phương pháp nhỏ giọt phương pháp phủ quay Vật liệu (FA)4PbBr6 có cấu trúc monoclinic a= 12.7937 Å, b= 12.7035 Å, c= 14.49 Å, β= 92.2980 Dựa vào phân tích phổ nhiễu xạ tia X Chúng sử dụng phương pháp đo phổ huỳnh quang để đánh giá tính chất quang vật liệu (FA)4PbBr6 phát quang trắng, có dải bước sóng từ 400 nm tới 800 nm với đỉnh phát xạ cao bước sóng λ= 533.5 nm, kích thích bước sóng laser λ= 325 nm Pin mặt trời perovskite có cấu trúc FTO/PEDOT:PSS/FAPbBr3/AZO/Ag chế tạo với thông số kỹ thuật Voc = 0.14V, Jsc = 2.666 mA, FF = 0.254, PCE = 0.095% Hiện nay, chúng tơi tiếp tục cải thiện quy trình chế tạo để nâng cao hiệu suất pin 57 Đi-ốt phát quang perovskite có cấu trúc FTO/FAPbBr3/FTO đơn giản chế tạo thành công Sự phát quang vật liệu gây đơn tinh thể xếp lớp màng mỏng perovskite FAPbBr3 Trong tương lai, tiếp tục tối ưu hóa quy trình chế tạo đi-ốt phát quang với cấu trúc ITO/PEDOT:PSS/Perovskite/PEI/FTO nhằm tăng tính ổn định đi-ốt Ngồi ra, chúng tơi tiếp tục nghiên cứu cấu trúc tính chất vật liệu perovskite cấu trúc 2D, 1D, với ứng dụng chế tạo đi-ốt phát quang laser bán dẫn 58 DANH MỤC CƠNG TRÌNH NGHIÊN CỨU LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN Thi Van Phan Vu, Minh Tu Nguyen, Dam Thuy Trang Nguyen, Tien Dung Vu, Duc Long Nguyen Ngoc Mai An, Minh Hieu Nguyen, Cong Doanh Sai, Van Diep Bui, Chi Hieu Hoang, Thanh Tu Truong, Ngoc Diep Lai, Thuat NguyenTran, “Three-Photon Absorption Induced Photoluminescence in Organo-Lead Mixed Halide Perovskites”, Journal of electronic material, June 2017, Volume 46, Issue 6, pp 3622–3626 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tham khảo tiếng Việt [1] Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, “Giáo trình vật liệu bán dẫn”, NXB ĐHBK Hà Nội [2] “Bài giảng quang bán dẫn” khoa Vật lý, trường đại học Khoa học Tự nhiên ĐHQG Hà Nội [3] Phạm Luận, “Phương pháp phân tích phổ nguyên tử”, NXB ĐHQG Hà Nội [4] “Thực tập vật lý đại”, khoa Vật lý, trường đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội, 2012 Tài liệu tham khảo tiếng Anh [5] Chen, Yani He, Minhong Peng, Jiajun Sun, Yong Liang, Ziqi, (2015) “Structure and growth control of organic–inorganic halide perovskites for optoelectronics: From polycrystalline films to single crystals”, Advanced Science, Volume 3, Issue [6] Wei, Y.Audebert, P.Galmiche, L.Lauret, J S.Deleporte, (2013), “Synthesis, optical properties and photostability of novel fluorinated organic-inorganic hybrid (R-NH3)2PbX4 semiconductors”, Journal of Physics D: Applied Physics Volume 46, Issue 13 [7] Grzegorz Lupina, Jarek Dabrowski, Piotr Dudek, Grzegorz Kozlowski, Mindaugas Lukosius, Christian Wenger, Hans Joachim Mussig, (2009) “Perovskite BaHfO3 Dielectric Layers for Dynamic Random Access Memory Storage Capacitor Applications”, Advanced Engineering Materials, Volume 11, Issue 4, pp 259-264 [8] H Mashiyama, Y Kurihara, T Azetsu, (2016) “Disordered cubic perovskite structure of CH3NH3X3 (X= Cl, Br, I)”, Journal of the Korean Physiscal Society, Volume 32, pp 156-158 [9] Giovanni, David Chong, Wee Kiang Dewi, Herlina Arianita Thirumal, Krishnamoorthy Neogi, IshitaRamesh, RamamoorthyMhaisalkar, SubodhMathews, Nripan Sum, Tze Chien, (2016) “Tunable room-temperature spin-selective optical Stark effect in solution-processed layered halide perovskites”,Science advances, Volume 2, Issue [10] Zhang, Pan Pan Zhou, Zheng Ji Kou, Dong Xing Wu, Si Xin, (2017)“Perovskite Thin Film Solar Cells Based on Inorganic Hole Conducting Materials” International Journal of Photoenergy, Volume 2017, Article ID 6109092, 10 pages 60 [11] Safdari, Majid, (2017)“Chemical Structure and Physical Properties of Organic-Inorganic Metal Halide Materials for Solid State Solar Cells” KTH Royal Institute of Technology School of Chemical Science and Engineering Department of Chemistry, ORCID iD:0000-0002-0387-2993 [12] Baki, Katia Abdel, (2014)“Ultrafast spectroscopy of 2D hybrid perovskites”, Http://Www.Theses.Fr [13] Protesescu, Loredana Yakunin, Sergii Bodnarchuk, Maryna I Bertolotti, Federica Masciocchi, Norberto Guagliardi, Antonietta Kovalenko, Maksym V, (2016)“Monodisperse Formamidinium Lead Bromide Nanocrystals with Bright and Stable Green Photoluminescence”, Journal of the American Chemical Society, Volume 138, Issue 43, pp 14202-14205 [14] Han, Dengbao Imran, Muhammad Zhang, Mengjiao Chang, Shuai Wu, Xiangang Zhang, Xin Tang, Jialun Wang, Mingshan Ali, Shmshad Li, Xinguo Yu, Gang Han, Junbo Wang, Lingxue Zou, Bingsuo Zhong, Hai-Zheng, (2018) “Efficient Light-Emitting Diodes Based on In Situ Fabricated FAPbBr3 Nanocrystals: The Enhancing Role of Ligand-Assisted Reprecipitation Process”, ACS Nano, Volume 12, Issue 8, pp 8808–8816 [15] Chanana, Ashish Zhai, Yaxin Baniya, Sangita Zhang, Chuang Vardeny, Z Valy Nahata, Ajay, (2017) “Colour selective control of terahertz radiation using two-dimensional hybrid organic inorganic lead-trihalide perovskites”, Nature Communications, Volume 8, Issue 1, Article number: 1328 [16] Ultrafast Lui, Chun Hung Mak, Kin Fai Shan, Jie Heinz, Tony F, (2009) “Supplemental Material for A theoretical study of hybrid lead iodide perovskite homologous semiconductors with 0D, 1D, 2D and 3D structure” Journal of Chemistry Materials, Volume [17] Perumal, AjayShendre, SushantLi, MingjieTay, Yong Kang EugeneSharma, Vijay KumarChen, ShiWei, ZhanhuaLiu, QingGao, YuanBuenconsejo, Pio John S.Tan, Swee (2016), “High brightness formamidinium lead bromide perovskite nanocrystal light emitting devices”, Scientific Reports , Volume 6, Article number: 36733 [18] Reza, Khan Mamun Mabrouk, Sally Qiao, Qiquan, (2018) “A Review on Tailoring PEDOT: PSS Layer for Improved Performance of Perovskite Solar Cells”, Proceedings of the Nature Research Society, Volume 2, Issue 2004 61 [19] Zhao, Pengjun Kim, Byeong Jo Jung, Hyun Suk, (2018) “Passivation in perovskite solar cells: A review”, Materials Today Energy, Volume 7, pp 267286 [21] Blancon, J Stier, A V Tsai, H Nie, W Stoumpos, C C Traoré, BPedesseau, L Kepenekian, M Katsutani, F Noe, G TKono,(2018) “Scaling law for excitons in 2D perovskite quantum wells”, Nature Communications, Volume 2252, Issue [22] Bastiani, Michele De Dursun, Ibrahim Zhang, Yuhai Alshankiti, Buthainah A Miao, Xiao-he Yin, Jun Yengel, Emre Alarousu, Erkki Turedi, Bekir Almutlaq, Jawaher M, (2017 )“Inside Perovskites: Quantum Luminescence from Bulk Cs PbBr Single Crystals”Chemistry of material, Volume 29, Issue 17, pp 71087113 [23] Gao, Peng, (2016.) “Perovskites: crystal structure, important compounds and properties” [24] Xiao, Zhengguo Yuan, Yongbo Wang, Qi Shao, Yuchuan Bai, Yang Deng, Yehao Dong, Qingfeng Hu, Miao Bi, Cheng Huang, Jinsong, (2016)“Thin-film semiconductor perspective of organometal trihalide perovskite materials for highefficiency solar cells”, Materials Science and Engineering R: Reports, Volume 101 [25] Elumalai, Naveen Kumar Mahmud, Md Arafat Wang, Dian Uddin, Ashraf, (2016) “Perovskite solar cells: Progress and advancements”, Energies, Volume 9, Issue 11, pp 861-881 62 ... VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Ngành: Vật liệu Linh kiện nano Mã số: 8440126.01 QTD Luận văn thạc sĩ: Vật liệu. .. vật liệu perovskite … thu hút quan tâm nhà nghiên cứu khoa học ứng dụng Từ ứng dụng vật liệu perovskite giúp lựa chọn đề tài ? ?Nghiên cứu chế tạo loại vật liệu lai kim halogen perovskite cấu trúc. .. phát quang? ?? 1.3 Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc hai chiều Bên cạnh cấu trúc 3D, vật liệu perovskite cấu trúc hai chiều (2D) hữu vô halogen nghiên cứu ứng dụng Vật liệu 2D perovskite tạo