Hiệu ứng radio điện trong siêu mạng hợp phần

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI  TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN   Bùi Mạnh Linh                    HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN   LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC                                    Hà Nội – 2014          ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI  TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Bùi Mạnh Linh                    HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán  Mã số: 60440103  LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC  TS. NGUYỄN QUỐC THỊNH          Hà Nội – 2014      MỤC LỤC Trang  MỞ ĐẦU CHƯƠNG 1: SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1. Siêu mạng hợp phần.   3  1.1.1. Tổng quan về siêu mạng hợp phần.   3  1.1.2. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử trong siêu mạng hợp phần.   4  1.2. Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối  . 5  CHƯƠNG 2: HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN 2.1. Hamiltonian của hệ điện tử – phonon và phương trình động lượng tử của điện  tử trong siêu mạng hợp phần.   7  2.1.1. Hamiltonian của hệ điện tử –  phonon trong siêu mạng hợp phần   7  2.1.2. Phương trình động lượng tử của điện tử trong siêu mạng hợp phần   8  2.2. Biểu thức mật độ dịng tồn phần   24  2.3. Biểu thức giải tích cho cường độ dịng điện   38  CHƯƠNG 3: TÍNH TỐN SỐ VÀ VẼ ĐỒ THỊ CHO SIÊU MẠNG HỢP PHẦN GaAs - Al0,7Ga0,3As 45 3.1. Sự phụ thuộc của thành phần E0x của điện trường vào tần số của bức xạ laser. 46  3.2. Sự phụ thuộc của thành phần E0x của điện trường vào tần số của sóng điện từ  phân cực phẳng.   47  KẾT LUẬN 48 TÀI LIỆU THAM KHẢO 49 PHỤ LỤC 51   DANH MỤC BẢNG BIỂU                             Trang    Bảng 3.1: Tham số vật liệu sử dụng trình tính tốn……………  45        DANH MỤC HÌNH VẼ Trang   Hình 3.1: Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số Ω xạ laser nhiệt độ T=350 K……… ……………………………………………. 46    Hình 3.2: Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số  sóng điện từ phân cực phẳng nhiệt độ T=350 K……………… …………………… 47        MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Trong sự phát triển kinh tế - xã hội, nghiên cứu khoa học ln đóng vai trị quan  trọng. Nghiên cứu khoa học nói chung, trong đó, có khoa học cơ bản nói riêng đã  tạo  ra  tồn  bộ  cơng  nghệ  hiện  có,  làm  thay  đổi  bộ  mặt  xã  hội  loài  người Trong  những  năm  gần  đây,  những  nghiên  cứu  về  các  hệ  vật  lý  bán  dẫn  thấp  chiều  đã  khơng ngừng phát triển và thu được nhiều thành tựu đáng kể. Hệ bán dẫn thấp chiều  là một trạng thái độc đáo của vật liệu, cho phép chế tạo rất nhiều loại sản phẩm với  những tích chất hồn tồn mới rất cần thiết cho những ngành cơng nghệ cao. Lớp  vật  liệu  này  hiện  đang  là  đối  tượng  nghiên  cứu  của  rất  nhiều  các  cơng  trình  khoa  học.  Việc  nghiên  cứu  kĩ  hơn  các  hệ  hai  chiều  ví  dụ  như:  siêu  mạng  pha  tạp,  siêu  mạng  hợp  phần,  hố  lượng  tử… ngày  càng  nhận  được  sự quan tâm.  Trong  các  vật  liệu kể trên, hầu hết các tính chất của điện tử thay đổi, xuất hiện các tính chất khác  biệt  so  với  vật  liệu  khối.  Ta  biết  rằng  ở  bán  dẫn  khối,  các  điện  tử  có  thể  chuyển  động trong tồn mạng tinh thể (cấu trúc 3 chiều) thì ở các hệ thấp chiều bao gồm  cấu trúc hai chiều, chuyển động của điện tử sẽ bị giới hạn nghiêm ngặt dọc theo một  (hoặc hai, ba) hướng tọa độ nào đó.  Phổ năng lượng của các hạt tải trở nên bị gián  đoạn theo phương này. Sự lượng tử hóa phổ năng lượng của hạt tải dẫn đến sự thay  đổi cơ bản các đại lượng của vật liệu như: hàm phân bố, mật độ trạng thái, mật độ  dịng, tương tác điện tử - phonon…Như vậy, sự chuyển đổi từ hệ cấu trúc 3 chiều   sang 2 chiều, 1 chiều hay 0 chiều đã làm thay đổi đáng kể những tính chất của hệ.  Như đã nói, việc tìm hiểu và nghiên cứu các tính chất của hệ thấp chiều đang  nhận được rất nhiều sự quan tâm của rất nhiều người. Sự bất đẳng hướng của trường  điện từ gây nên một số hiệu ứng đáng chú ý, trong đó có hiệu ứng radio điện. Trong  luận  văn  này,  tơi  xin  trình  bày  các  kết  quả  nghiên  cứu  của  mình  đối  với  đề  tài:  “Hiệu ứng radio điện siêu mạng hợp phần”.  Phương pháp nghiên cứu Trong đề tài nghiên cứu của mình, tơi đã sử dụng các phương pháp và trình  tự tiến hành như sau:  - Đối với bài tốn về hiệu ứng radio điện trong siêu mạng hợp phần, tơi sử dụng  phương pháp phương trình động lượng tử. Đây là phương pháp được sử dụng rộng  rãi khi nghiên cứu các hệ bán dẫn thấp chiều, đạt hiệu quả cao và cho các kết quả có  ý nghĩa khoa học nhất định.  - Sử dụng chương trình Matlab để đưa ra tính tốn số và đồ thị sự phụ thuộc của  điện  trường  vào  tần  số  bức  xạ  laser,  tần  số  sóng  điện  từ  phân  cực  phẳng  và  các  thơng số với siêu mạng hợp phần GaAs/Al0,3Ga0,7As.  Bố cục trình bày luận văn   Luận văn ngồi phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo và phụ lục, được trình  bày gồm 3 chương chính:  Chương 1: Siêu mạng hợp phần và hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối.  Chương 2: Hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng hợp phần .  Chương 3: Tính tốn số và vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs - Al0,7Ga0,3As.  Các kết quả chính của luận văn chứa đựng trong chương 2 và chương 3, trong  đó đáng lưu ý chúng ta đã thu được biểu thức giải tích của trường điện từ trong siêu  mạng hợp phần. Các kết quả thu được đã chứng tỏ cường độ điện trường phụ thuộc  phức tạp và khơng tuyến tính vào tần số bức xạ laser, tần số sóng điện từ phân cực  phẳng và  các  tham  số  của siêu mạng  hợp  phần.  Đồng  thời  luận  văn cũng  đã  thực  hiện việc tính số và vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs/Al0,3Ga0,7As để làm rõ  hơn hiệu ứng radio –  điện trong siêu mạng  hợp phần. Các kết quả thu được trong  luận văn là mới và có giá trị khoa học, góp phần vào phát triển lý thuyết về hiệu ứng  radio – điện trong bán dẫn thấp chiều nói chung và trong siêu mạng hợp phần nói  riêng CHƯƠNG 1  SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1 Siêu mạng hợp phần 1.1.1 Tổng quan siêu mạng hợp phần Siêu mạng hợp phần được tạo thành từ một cấu trúc tuần hồn các hố lượng  tử,  trong  đó,  khoảng cách giữa  các  hố  lượng tử  đủ  nhỏ  để  có thể  xảy ra  hiệu  ứng  đường hầm. Do đó, đối với các điện tử, có thể xem các lớp mỏng như là thế phụ bổ  sung vào thế mạng tinh thể của siêu mạng. Thế phụ này cũng tuần hồn nhưng với  chu kỳ lớn hơn nhiều so với hằng số mạng. Thế phụ tuần hồn này được hình thành  do sự chênh lệch năng lượng giữa các cận điểm đáy vùng dẫn của hai bán dẫn tạo  nên siêu mạng. Sự có mặt của thế siêu mạng đã làm thay đổi cơ bản phổ năng lượng  của  điện  tử  và  do  đó  siêu  mạng  có  một  số  tính  chất  đáng  chú ý  mà  bán  dẫn khối  thơng thường khơng có.   Hệ điện tử trong siêu mạng hợp phần là hệ điện tử chuẩn hai chiều. Các tính  chất vật lý của siêu mạng được xác định bởi phổ điện tử của chúng thơng qua việc  giải phương trình Schrưdinger với thế năng bao gồm thế tuần hồn của mạng tinh  thể và thế phụ tuần hồn trong siêu mạng. Việc giải phương trình Schrưdinger tổng  qt là rất khó, vì chu kỳ của siêu mạng lớn hơn nhiều so với hằng số mạng tinh thể  nhưng biên độ của thế siêu mạng lại nhỏ hơn nhiều so với biên độ của thế mạng tinh thể  nên ảnh hưởng của thế tuần hồn của siêu mạng chỉ thể hiện ở mép vùng năng lượng. Tại  đó, quy luật tán sắc của điện tử có thể coi là dạng bậc hai, phổ năng lượng của điện tử  trong siêu mạng bán dẫn có thể xác định bằng phương pháp gần đúng khối lượng hiệu  dụng đối với các vùng năng lượng đẳng hướng khơng suy biến.        1.1.2 Hàm sóng phổ lượng điện tử siêu mạng hợp phần.  Phương trình Schrưdinger có dạng:      2    (r )  U (r ) (r )  E (r )   2m * với m* là khối lượng hiệu dụng của điện tử.  Hàm  sóng  của  điện tử  trong  mini  vùng n  là  tổ hợp của  hàm  sóng  theo mặt  phẳng (Oxy) có dạng sóng phẳng và theo phương của trục siêu mạng.   ψ (r) =  n, p Lx Ly Nd Nd exp{i(p x x + p y y)} exp(ip Z jz) n (z - jd)   j=1 với :      p  p  p z  : Vectơ sóng của điện tử.  n = 1, 2, 3  : Chỉ số lượng tử của phổ năng lượng theo phương z L x : Độ dài chuẩn theo phương x   L y : Độ dài chuẩn theo phương y  d :  chu kì siêu mạng.  Nd : số chu kì siêu mạng.   n ( z ) : Hàm sóng của điện tử trong hố thế biệt lập   Dựa vào tính chất tuần hồn của  U ( r )  mà các siêu mạng có thể có một, hai  hoặc ba chiều. Đối với hệ điện tử chuẩn hai chiều, cấu trúc vùng năng lượng có thể  tìm được bằng cách giải phương trình Schrưdinger. Trong đó, ta đưa vào thế tuần  hồn một chiều có dạng hình chữ nhật.  Thế tuần hồn của siêu mạng ảnh hưởng rất ít tới sự chuyển động của điện tử  theo phương vng góc với trục siêu mạng (trục z). Chuyển động của điện tử theo  phương z sẽ tương ứng với chuyển động trong một trường thế tuần hồn với chu kỳ  bằng chu kỳ d của siêu mạng.  Phổ năng lượng của điện tử:   n ,p    p2  2 n    cos  pzn d    n   2m 2m d Trong đó      p   : Hình chiếu của  p  trên mặt phẳng (x, y)   m*  : Khối lượng hiệu dụng của điện tử       n = 1, 2, 3  : Chỉ số lượng tử của phổ năng lượng theo phương z      d :  Chu kì siêu mạng.        n : Độ rộng của mini vùng n  1.2 Lý thuyết lượng tử hiệu ứng radio – điện bán dẫn khối Ta khảo sát hệ hạt tải của bán dẫn khối đặt trong :  + Một trường sóng điện từ phân cực phẳng với các vecto sóng:       E ( t )  E  e  i t  e i t  ; H ( t )   n , E  t     Trong đó:    Với:     1    là năng lượng trung bình của hạt tải.   n  là vectơ sóng của photon.   + Một điện trường khơng đổi  E0  ( có tác dụng định hướng chuyển động của hạt tải   theo E0 )    + Một trường bức xạ laser :  F  t   F sin  t   được xem như 1 trường sóng điện từ  cao tần phân cực tuyến tính.  Trong đó      Với: τ là thời gian hồi phục.  Dưới tác dụng của 2 trường bức xạ có tần số   và    sẽ làm cho chuyển động   định  hướng  của  hạt  tải  theo E0   bị  bất  đẳng  hướng.  Kết  quả  là  xuất  hiện  các  điện  trường  E0 x , E0 y , E0 z  trong điều kiện mạch hở. Đó chính là hiệu ứng radio – điện.   Phương trình động lượng tử cho điện tử trong bán dẫn khối:   f  p, t  t    f  p, t     eE  t   eE0  H  p, h  t        p           2  M  q   J l2  a , q   f  p  q , t   f  p, t      p  q   p  l    (1)      q l     H t   eF p2 eH  trong đó   H   ,  h  t    ,  a   ,   p     m 2m H mc Xét trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang, ta tìm biểu thức mật độ dịng  tồn phần và xét trong điều kiện mạch hở, thu được biểu thức trường radio – điện.      1   2      F      F  1   2   F      E0 x  EW  zx  Azx     2 2                   F F     E0 y  EW     zy     F  Azy                                                                               E0 z   Ew 1      zz     F   zz    F  *      1   2      F      F  1   2   F      * xx  Axx    2 2             F     (2)                                    1/2    2   il  ,         F       trong  đó:   il   il  3a0i a0l   ,  il    3     F      a   e F / m  ,  a0    Ew      /  enec   ;     là hệ số hấp thụ.  a 2 Biểu thức (2) cho thấy trường radio điện trong bán dẫn khối phụ thuộc vào tần  số và cường độ của bức xạ laser, tần số của sóng điện từ phân cực thẳng.   Từ điều kiện về  j0  , theo (104) ta suy ra:     m*k BT e F0 a  b   F   E0   4 2     2    H m*k BT e F0    F  1   H   F        a   F   b  4 2 2  E , h  (105)            (  )   H F H   Ei   Ta có thể viết (105) dưới dạng:       W enc  Tik  k (106)  Từ điều kiện  j0  và công thức (104) ta suy ra được công thức các thành phần   E x , E y , Ez  của  E  như sau:    m*k T e2 E   B a  Ex ex  E y ey  Ez ez   b   F   Ex ex  E y e y   4 2      ex   H   F     a  Ex 2    H   F   h  x   ey  ez    Ez   hz    Ey hy   ex m*k BT e F0  H   F  1      F     b  Ex 2   1   H2    F   h  x H  ey Ey hy  ez   Ez  hz  (107) Suy ra các thành phần E0x, E0y, E0z được xác định như sau : 1    H   F  m*k BT e F0 E0 x    a  b   *    F 4 2 2       H ( )   1   H   F    m*k BT e F0    *  a  E y hz  Ez hy   b   F  E y hz  (108) 4 2   1   H   F        1    H   F  m*k BT e2 F0 E0 y    a  b   F   * 4 2       (  ) H   43   1   H   F    m*k BT e F0    *   a  Ez hx  Ex hz   b   E h  F x z  (109)  4 2 2   1   H   F        1   H   F    H   F   m*k BT e2 F0 b E0 z     F  E h  E y hx  1   x y  H2    F   2   a 1   H   F        (110)  Ex ; E y ; Ez  là hình chiếu của thành phần điện trường của dịng điện từ lên các trục  hx ; hy ; hz  là các vecto đơn vị trên các trục của thành phần từ trường của sóng điện từ  Biểu thức (110) thể hiện đúng hệ thức xác định hiệu ứng radio – điện dọc;  biểu thức (108), (109) xác định hiệu ứng radio – điện ngang.  44 CHƯƠNG 3  TÍNH TỐN SỐ VÀ VẼ ĐỒ THỊ CHO SIÊU MẠNG HỢP PHẦN GaAs - Al0,7Ga0,3As Trong  chương  này,  ta  sẽ  khảo  sát  sự  phụ  thuộc  của  của  thành  phần  E0x  của  điện trường dưới ảnh hưởng của tần số Ω của bức xạ laser, tần số  của sóng điện  từ phân cực phẳng và tham số của siêu mạng hợp phần GaAs - Al0,7Ga0,3As với  các thơng số cho trong bảng sau:  Đại lượng Hệ số điện môi tĩnh Hệ số điện môi cao tần Ký hiệu Giá trị            0 12.9             10.9 Điện tích hiệu dụng của điện tử (C )            E 2.07e0 Khối lượng hiệu dụng của điện  tử (kg)            M 0.067m0 Năng lượng của phonon quang (meV)            36.25 3 n            Nồng độ hạt tải điện ( m ) Chu kỳ siêu mạng (m)  dB           10 21 134.10-10  Bảng 3.1: Tham số vật liệu sử dụng q trình tính tốn 45 3.1 Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số Ω xạ laser nhiệt độ T=350 K   Sự phụ thuộc của thành phần E0x của điện trường vào tần số của trường bức xạ  laser  trong  điều  kiện:  nhiệt  độ  T  =  350K,  tần  số  sóng  điện  từ  phân  cực  phẳng    3.1013 (Hz).   4500   T=350K 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 3.2 3.4 3.6 3.8 4.2 4.4 4.6 -1 The frequency of the laser radiation (s ) 4.8 15 x 10 Hình 1: Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số Ω xạ laser nhiệt độ T=350 K Từ đồ thị, ta nhận thấy:  Trong vùng tần số từ 3.1015  Hz  đến khoảng 3,7.1015Hz của trường bức xạ laser  thành phần giảm khi tần số tăng  +  Trong vùng tần số từ khoảng 3,7.1015Hz đến khoảng 4.1015Hz của trường bức  xạ laser thành phần E0x của điện trường tăng nhanh khi tần số tăng.  +  Trong vùng tần số từ khoảng 4.1015Hz đến khoảng 5.1015Hz của trường bức xạ  laser thành phần E0x của điện trường  giảm khi tần số tăng.  46 3.2 Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số  sóng điện từ phân cực phẳng   Sự phụ thuộc của thành phần E0x của điện trường vào tần số sóng điện từ phân  cực  phẳng  trong  điều  kiện  nhiệt  độ  T  =  350K,  tần  số  trường  bức  xạ  laser    4.1015  Hz     528.0310 T=350K  528.0285 528.0260 528.0235 528.0210 528.0185 528.0160 1  1.5 3  2.5 3.5 4   ) -1 The frequency  of electmagnetic field (s 5  4.5 12 x 10 Hình 3.2: Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số  sóng điện từ phân cực phẳng nhiệt độ T=350 K  Từ đồ thị, ta nhận thấy:   Trong vùng tần số khoảng từ 1012Hz đến khoảng 1,7.1012Hz của sóng điện từ  phân cực phẳng thành phần E0x của điện trường giảm mạnh khi tần số giảm và có  đạt giá trị cực tiểu.   Trong vùng tần số tiếp theo của vùng khảo sát thành phần E0x của điện trường  tăng dần khi tần số tăng.  47 KẾT LUẬN  Sự bất đẳng hướng của điện trường  E0  khi có sự xuất hiện của 2 trường bức  xạ có tần số   và    trong siêu mạng hợp phần gây nên hiệu ứng radio điện trong  siêu  mạng  hợp  phần.  Khi  nghiên  cứu  hiệu  ứng  này,  ta  tìm  sự  phụ  thuộc  của  các  thành phần E0x, E0y,  E0z của điện trường vào   ,  Bài toán vật lý nghiên  cứu Hiệu ứng radio – điện siêu mạng hợp phần đã được giải quyết thành công  và thu được những kết quả như sau:  1.  Xuất phát từ Hamiltonian của hệ điện tử - phonon quang trong siêu mạng hợp  phần,  đã  thu  được  phương  trình  động  lượng  tử  cho  điện  tử  trong  siêu  mạng  hợp  phần. Từ đó, xây dựng  biểu thức mật độ dịng tồn phần qua siêu mạng hợp phần  và  thu  được  biểu  thức  giải  tích  của  các  thành  phần  E0x,  E0y,  E0z  là  hình  chiếu  của   điện trường lên các trục để thấy sự phụ thuộc của cường độ điện trường vào tần số  Ω của bức xạ laser, tần số  của sóng điện từ phân cực phẳng và tham số của siêu  mạng hợp phần.  2.  Thực hiện tính tốn số và vẽ đồ thị của thành phần E0x của điện trường dưới ảnh  hưởng của tần số Ω của bức xạ laser, tần số  của sóng điện từ phân cực phẳng và  tham số của siêu mạng hợp phần GaAs - Al0,7Ga0,3As. Kết quả tính tốn số cho  siêu  mạng  hợp  phần  GaAs  - Al0,7Ga0,3As  được  chỉ  ra  qua  đồ thị  cho  thấy  thành  phần E0x của điện trường phụ thuộc vào:  + Tần số Ω của bức xạ laser.  + Tần số  của sóng điện từ phân cực phẳng.   48 TÀI LIỆU THAM KHẢO  Tài liệu tiếng Việt 1. Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền, Vật lý bán dẫn  thấp chiều, NXB. DHQG Hà Nội, 2007.  2.  Nguyễn  Quang  Báu,  Nguyễn  Văn  Hiếu,  Nguyễn  Bích  Ngọc,  Đỗ  Mạnh  Hùng,  Nguyễn  Hồi  Anh. Báo  cáo  tại  hội  nghị  vật  lý  lý  thuyết  lần thứ 32,  Nha  Trang  –  Khánh Hịa (2007).  3. Nguyễn Quang Báu (chủ biên) (2005), Lí thuyết bán dẫn, NXB Đại học quốc gia  Hà Nội, Hà Nội.   4. Nguyễn Quang Báu (chủ biên) (2007), Vật lí bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học  quốc gia Hà Nội, Hà Nội.   5. Nguyễn Văn Hùng (1999), Lí thuyết chất rắn, NXB Đại học quốc gia Hà Nội, Hà  Nội.   6.  Nguyễn  Vũ  Nhân  (2002),  Các hiệu ứng động gây ảnh hưởng trường sóng điện từ bán dẫn plasma, Luận án tiến sĩ Vật lí, ĐHKHTN, ĐHQGHN.   7. Trần Cơng Phong (1998), Cấu trúc tính chất quang hố lượng tử siêu mạng, Luận án tiến sĩ vật lí, ĐHKHTN, ĐHQGHN.     Tài liệu tiếng Anh  8. Do Manh Hung, Le Thi Thu Phuong, Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quang Bau,  “On  the  Nonlinear  Absorption  Coefficient  of  a  Strong  Electromagnetic  Wave  Caused  by  Confined  Electrons  in  Quantum  Wells”,  Proceedings  APCTP-ASEAN  Workshop  on  Advanced Materials Science and Nanotechnology Natural Sciences,  September 15-20/2008, NhaTrang. Vietnam pp. 921-926 (2008)  49 9.  Blencowe  M.  “In  Electronic  Properties  of  Multi  layers  and  Low-dimensional  Semiconductor  Structures”,  edited by J M.Cha- amberlain, L Eaves, and J C Portal (Plenum Press, New York 51) (1990)  10.  Do  Manh  Hung,  Nguyen  Quang  Bau,  “Parametric  transformation  and  parametric resonance of confined acoustic phonons and confined optical phonons in  quantum  wells”,  Proceedings  of  the  35th National.  Coference  on  Theoretycal.  Physich., 35 (2010) –TPHCM 2-6/8/2010, pp. 124-134 (2010)    50 PHỤ LỤC Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số Ω xạ laser nhiệt độ T=350 K   clc;close all;clear all;  mm=9.1e-31;  m=0.067*mm;  m2=0.15*mm;  ne=1e21;  H=1e6;  Xinf=10.9;X0=12.9;  eps0=8.86e-12;  e=1.60219e-19;  e0=2.07*e;  kb=1.3807e-23;  h=1.05459e-34;  c=3e8;  hnu=3.625e-2*1.60219e-19;  ome0=hnu/h;omez=0.51*ome0;  Lz=118e-10;  Tau=1e-12;  T=350;   bt=1./(kb.*T);   Eo=1e6;   F=3.5e4;   omegah=e0.*H./(m.*c);  ome=2e12;  Omegal=linspace(3e15,5e15,100);  A=(2.*e0.^2.*(1./Xinf-1./X0)./(eps0.*m.^2))  d=134e-10;  L=118e-10;  51 dA=118e-10;dB=16e-10;  delta1=0.85.*300.*1.60219e-22./1.85;  delta2=1.5e-22./2;  h1=1.05459e-34;hsa=0;hsb=0;    for N=1:3  kA0=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*N^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB0=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*N^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X1=cos(kB0.*dB).*cosh(kA0.*dA)-(kB0.^2kA0.^2).*sin(kB0.*dB).*sinh(kA0.*dA)./(2.*kA0.*kB0)  aN=(ne.*e0.^2./(pi.*bt.*h.^2)).*exp((-bt*(h.^2.*pi.^2.*N.^2)./(2.*m.*d.^2))-X1)  hsa=hsa+aN    end  for N1=0:3      for N2=0:3  for m1=0  for n=1:3  for n1=1:3  kA=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*n^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*n^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  kA1=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.^2.*n1^2./(2*m*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB1=(2.*m2.*h1.^2.*pi.^2.*n1^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X=cos(kB.*dB).*cosh(kA.*dA)-(kB.^2kA.^2).*sin(kB.*dB).*sinh(kA.*dA)./(2.*kA.*kB)  Y=cos(kB1.*dB).*cosh(kA1.*dA)-(kB.^2kA.^2).*sin(kB1.*dB).*sinh(kA1.*dA)./(2.*kA1.*kB1)  delta=(-X+Y).*10e-20  end  end         B1=-(N1-N2).*h.*omez+h.*ome0+delta;         B2=B1-h.*Omegal;       52        B3=B1+h.*Omegal;             B4=(N1-N2).*h.*omez+h.*ome0-delta;             B5=B4-h.*Omegal;                 B6=B4+h.*Omegal;                     C1=0.5.*bt.*B1;          C2=0.5.*bt.*B2;          C3=0.5.*bt.*B3;          C4=-0.5.*bt.*B4;          C5=-0.5.*bt.*B5;           C6=-0.5.*bt.*B6;  kA10=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*N1^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB10=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*N1^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X1=10e-20*cos(kB10.*dB).*cosh(kA10.*dA)-(kB10.^2kA10.^2).*sin(kB10.*dB).*sinh(kA10.*dA)./(2.*kA10.*kB0)  bN1=TinhI(m1,N1,N2,L).*B1.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C1).* mfun('besselk',1,(C1));  bN2=TinhI(m1,N1,N2,L).*B2.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C2).* mfun('besselk',1,(C2));  bN3=TinhI(m1,N1,N2,L).*B3.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C3).* mfun('besselk',1,(C3));  bN4=TinhI(m1,N1,N2,L).*B4.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C4).* mfun('besselk',1,(C4));  bN5=TinhI(m1,N1,N2,L).*B5.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C5).* mfun('besselk',1,(C5));  bN6=TinhI(m1,N1,N2,L).*B6.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C6).* mfun('besselk',1,(C6));  bN= A.*ne*e0^2.*(bN1+bN2+bN3+bN4+bN5+bN6)./( pi.*bt.*h^2.*ome0);  hsb=hsb+bN;      end   end  53 end  H1=hsa;   H2=real(hsb);  OmegaO=Omegal.^4;  H3=H1+sqrt(m./(2.*pi.*bt)).*e0.^2.*F.^2.*H2.*Tau./(8.*h^4.*OmegaO);  H4=H1+sqrt(m./(2.*pi.*bt)).*e0.^2.*F.^2.*H2.*Tau.*(1-ome.^2.*Tau.^2)./       ((8.*h^4.*OmegaO).*(1+ome.^2.*Tau^2));  jz=(Tau.*H3.*Eo+omegah.*H4.*Tau^2./(1+ome.^2.*Tau^2));  jo=ne.*e0*L./h;  ts=jz/jo;  plot(Omegal,ts,'-k','linewidth',2);hold on;grid on;  legend('T=350K');  xlabel('The frequency \Omega of the laser radiation (s^{-1})')  ylabel('E_{0x} (V/m)') ;  Sự phụ thuộc thành phần E0x điện trường vào tần số  sóng điện từ phân cực phẳng   clc;close all;clear all;  mm=9.1e-31;  m=0.067*mm;  m2=0.15*mm;  ne=1e21;  H=1e6;  Xinf=10.9;X0=12.9;  eps0=8.86e-12;  e=1.60219e-19;  e0=2.07*e;  kb=1.3807e-23;  h=1.05459e-34;  c=3e8;  hnu=3.625e-2*1.60219e-19;  54 ome0=hnu/h;omez=0.51*ome0;  Lz=118e-10;  Tau=1e-12;  T=350;  bt=1./(kb.*T);   Eo=1e6;   F=3.5e4;   omegah=e0.*H./(m.*c);  Omegal=4e15;  ome=linspace(1e12,5e12,100)  A=(2.*e0.^2.*(1./Xinf-1./X0)./(eps0.*m.^2))  d=134e-10;  L=118e-10;  dA=118e-10;dB=16e-10;   delta1=0.85.*300.*1.60219e-22./1.85;   delta2=1.5e-22./2;   h1=1.05459e-34;hsa=0;hsb=0;    for N=1:3  kA0=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*N^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB0=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*N^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X1=cos(kB0.*dB).*cosh(kA0.*dA)-(kB0.^2kA0.^2).*sin(kB0.*dB).*sinh(kA0.*dA)./(2.*kA0.*kB0)  aN=(ne.*e0.^2./(pi.*bt.*h.^2)).*exp((-bt*(h.^2.*pi.^2.*N.^2)./(2.*m.*d.^2))-X1)  hsa=hsa+aN    end  for N1=0:3      for N2=0:3  for m1=0  for n=1:3  for n1=1  55 kA=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*n^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*n^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  kA1=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.^2.*n1^2./(2*m*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB1=(2.*m2.*h1.^2.*pi.^2.*n1^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X=cos(kB.*dB).*cosh(kA.*dA)-(kB.^2kA.^2).*sin(kB.*dB).*sinh(kA.*dA)./(2.*kA.*kB)  Y=cos(kB1.*dB).*cosh(kA1.*dA)-(kB.^2kA.^2).*sin(kB1.*dB).*sinh(kA1.*dA)./(2.*kA1.*kB1)  delta=(-X+Y).*10e-20  end  end         B1=-(N1-N2).*h.*omez+h.*ome0+delta;         B2=B1-h.*Omegal;              B3=B1+h.*Omegal;             B4=(N1-N2).*h.*omez+h.*ome0-delta;             B5=B4-h.*Omegal;                 B6=B4+h.*Omegal;                     C1=0.5.*bt.*B1;          C2=0.5.*bt.*B2;          C3=0.5.*bt.*B3;          C4=-0.5.*bt.*B4;          C5=-0.5.*bt.*B5;           C6=-0.5.*bt.*B6;  kA10=(2.*m.*(delta1-h1.^2.*pi.*N1^2/(2.*m.*dA.^2))).^(1/2)./h1  kB10=(2.*m2.*h1.^2.*pi.*N1^2./(2.*m.*dA.^2)).^(1/2)./h1  X1=10e-20*cos(kB10.*dB).*cosh(kA10.*dA)-(kB10.^2kA10.^2).*sin(kB10.*dB).*sinh(kA10.*dA)./(2.*kA10.*kB0)  bN1= TinhI(m1,N1,N2,L).*B1.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C1).* mfun('besselk',1,(C1));  56 bN2= TinhI(m1,N1,N2,L).*B2.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C2).* mfun('besselk',1,(C2));  bN3= TinhI(m1,N1,N2,L).*B3.*exp(-bt*(h*omez*pi^2.*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C3).* mfun('besselk',1,(C3));  bN4= TinhI(m1,N1,N2,L).*B4.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C4).* mfun('besselk',1,(C4));  bN5= TinhI(m1,N1,N2,L).*B5.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C5).* mfun('besselk',1,(C5));  bN6= TinhI(m1,N1,N2,L).*B6.*exp(-bt*(h*omez.*pi^2*N1^2./(2*m*d^2))X1).*exp(C6).* mfun('besselk',1,(C6));  bN= A.*ne*e0^2.*(bN1+bN2+bN3+bN4+bN5+bN6)./( pi.*bt.*h^2.*ome0);  hsb=hsb+bN;      end   end  end  H1=hsa;   H2=real(hsb);  OmegaO=Omegal.^4;  H3=H1+sqrt(m./(2.*pi.*bt)).*e0.^2.*F.^2.*H2.*Tau./(8.*h^4.*OmegaO);  H4=H1+sqrt(m./(2.*pi.*bt)).*e0.^2.*F.^2.*H2.*Tau.*(1-ome.^2.*Tau.^2)./       ((8.*h^4.*OmegaO).*(1+ome.^2.*Tau^2));  jz=(Tau.*H3.*Eo+omegah.*H4.*Tau^2./(1+ome.^2.*Tau^2));  jo=ne.*e0*L./h;  ts=jz/jo;  plot(ome,ts,'-k','linewidth',2);hold on;grid on;  legend('T=350K');  xlabel('The frequency \omega of electmagnetic field (s^{-1})')  ylabel('E_{0x} (V/m)') ;     57 ... radio? ?–? ?điện? ?trong? ?bán dẫn thấp chiều nói chung và? ?trong? ?siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần? ?nói  riêng CHƯƠNG 1  SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1 Siêu mạng hợp phần 1.1.1 Tổng quan siêu mạng hợp phần Siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần? ?được tạo thành từ một cấu trúc tuần hồn các hố lượng ... 1.1.2. Hàm sóng và phổ năng lượng của? ?điện? ?tử? ?trong? ?siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần.    4  1.2. Lý thuyết lượng tử về? ?hiệu? ?ứng? ?radio? ?–? ?điện? ?trong? ?bán dẫn khối  . 5  CHƯƠNG 2: HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN ... CHƯƠNG 1: SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ HIỆU ỨNG RADIO – ĐIỆN TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1.? ?Siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần.    3  1.1.1. Tổng quan về? ?siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần.    3  1.1.2. Hàm sóng và phổ năng lượng của? ?điện? ?tử? ?trong? ?siêu? ?mạng? ?hợp? ?phần.