Đang tải... (xem toàn văn)
[r]
(1)Ta có: Đi n áp t i c c B transistor:ệ ự
1
20
4,7 2,5 33 4,7
cc B
V
V R V
R R
= = =
+ +
Vi transistor Germani co:̀ ́ VBE =0, 2V
Nên cường đô dong điên tai c c E transistor la:̣ ̀ ̣ ̣ ự ̀
2,5 0, 5,89 0,39
B BE E
E
V V
I mA
R
− −
= = =
Tim c̀ ường đô dong điên tai c c C transistor: ̣ ̀ ̣ ̣ ự
5,89 50 5,77
1 1 50
C
C E E
I
I I mA
I
β β
β β
= � = = =
+ + +
Tim điên ap ̀ ̣ ́ UCE:
(2)Bài gi i:ả Ta có:
(1 )
E B C B B B
I =I +I =I +βI =I +β
Và:
( )
( )
(1 )( )
CC C B C E E CE CC C E E E CE CC E C E CE
CC B C E CE
V R I I R I V
V R I R I V
V I R R V
V I β R R V
= + + +
= + +
= + +
= + + +
(1 )( )
CC CE B
C E
V V
I
R R
β − =
�
+ + 30
0,03 (1 50)(15 0,33)
B
I = − = mA
�
+ +
Tìm tr s ị ố RB:
VCE =VBE+R IB B B CE BE
B
V V
R
I
− =
�
6 0,6
180 0,03.10
B
R = − − = KΩ
(3)( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
CC B C C B B BE E E
cc B C C B B BE B C E
B C E B CC BE C E C
CC BE C E C B
B C E
V I I R I R V I R
V I I R I R V I I R
R R R I V V R R I
V V R R I
I
R R R
= + + + +
= + + + + +
+ + = − − +
�
− − +
= �
+ +
( C E) B
C B C E
R R
dI
dI R R R
− +
=
+ +
1
1 ( )
1 50
10.35 15 0, 33
1 50
180 15 0, 33
B C E
C B C E
S
dI R R
dI R R R
S
β β
β β
+ +
= = +
− +
+ +
+
= + =
+
+ +
Theo đ nh lu t ki cS p ta có:ị ậ ế ố
Vì Vcc VBE không ph thu c vào Iụ ộ C và IB nên tính đ o hàm Iạ B theo IC ta có:
(4)
Bài gi i:ả Tìm IC2:
2
2 2 E2
E2
0,96.100 96 C
C
I
I I mA
I =α � =α = =
Tìm IB2:
2 2
2 2 2 (1 ) 96(1 0,96) 0,96
C C C
B
B
I I I
I I mA α α β α α − = = = − − = =
Tìm IC1:
1
1 1 E1
E1
0,98.4 3,92 C
C
I
I I mA
I =α � =α = =
Tìm IB1:
1 1
1
1 1
1 (1 ) 3,92(1 0,98) 0,08 0,98 C C B B B I I I I I mA α α β α α − = = � = − − = =
Tìm UCE:
1
3
( )
24 (3,92 96).10 120 12 CE CC C C CC C C C CE
U V I R V I I R
U − V
= − = − +
(5)Tìm C B:
1
1
3,92 96
1249 0,08
C C C
B B
I I I
I I
+ +
= = =
Tìm IC/IE:
1
E2
3,92 96
0,9992 100
C C C E
I I I
I I
+ +
= = =
4 Trình bày v s đ c phát m c chung CE c a transistor lề ự ắ ủ ưỡng c c cácự m ch khu ch đ i đ c m c a cách m c ạ ế ạ ặ ể ủ ắ
Bài làm:
Hình 1: S đ m c c c phát chung:ơ ắ ự Trong s đ ồm ch g mạ có ph n t sau:ầ
EE , EC - Ngu n n cung c p ệ ấ m t chi u cho tranzito lo i P-N-P.ộ ề RB - Đi n tr đệ ịnh thiên
RC - n tr ệ ởt iả
T n ụ ệ C1 C2 t liên ụ l c.ạ
Các c u ấ ki n ệ có nhi m ệ v ụ m ch n ệ tương t ự nh s đồ m c ắ c c ự g c chungố
(6)H vào đ c n tĩnhọ ặ ế
Hình 2-
Đ c n vào tĩnh c a transistor Ge lo i PNP s đ c c phát chungặ ế ủ ự
Đ c n vào tặ ế ĩnh mô t ảm i quan h gi a n áp vào ố ệ ữ ệ UBE v i dòng ệ vàoIB
UBE = f1(IB) UCE = const Ta có cơng th c tính dịng n vào Iứ ệ B b ng:ằ
IB = (1- α)IE - ICBo
Và h đ c n vào đọ ặ ế ược mơ t hình 2ả
Do dòng nệ IE tăng theo qui lu tậ hàm số mũ v iớ nệ áp UBE nên dòng nệ c cự g cố IB tăng theo qui lu tậ hàm số mũ v iớ nệ áp UBE Trên họ đ cặ nế vào ta th yấ nệ áp UCE nh ưởng lên dòng n Iệ B
(7)v i ngu n EC−10V RC =500Ω
Đ cặ nế bi uể thị m iố quan hệ gi aữ dòng nệ m chạ IC nệ áp m chạ UCE Ta có hàm bi u thể ị quan h này:ệ
IC = f (UCE)
khi dịng nvàoIệ B=const Và cơng th c tính dịng n c c góp là:ứ ệ ự IC = αIE + ICBo
Thay giá trị IE = IC + IB , bi n đ i bi u th c trên, ta có: ế ổ ể ứ
Thay
α β
α =
− ,
1
1−α = +β ta có cơng th c tính dịng n c c góp là:ứ ệ ự IC = βIB + (β + 1)ICBo
Trong β g i h s khu ch đ i dòng n c c g c (thọ ệ ố ế ệ ự ố ường có ký hi u làệ hFE)
Đây bi uể th bi uể thị m iố quan hệ gi aữ dòng nệ uề nể dòng nệ bị u n s đ ề ể ồm c c c phát chung.ắ ự
Ta th yấ dòng nệ IC có giá trị c cự ti uể hai ti pế xúc phát TE ti pế xúc góp TC đ uề phân c c ngự ược, dịng n Iệ B = - ICBo nên IC = ICbo tranzito ho tạ đ ng vùng ng t.ộ ắ
Khi IB > 0, dòng n đệ ược tính theo cơng th c:ứ IC = βIB + (β + 1)ICBo
N uế tăng nệ áp m chạ UCE lên đ cặ nế không n mằ ngang mà h iơ d c nghiêng.ố Khi gi mả giá trị nệ áp m chạ UCE <UBE ti pế xúc góp TC phân c c thu n Lúc tranzito làmự ậ vi c ch đ bão hòa.ệ ế ộ
………
1
C B CBo
I α I I
α α
� � � �
=� � +� �
− −