Thiết bị phát hiện thăng giáng từ trường nhỏ

Thiết bị phát hiện thăng giáng từ trường nhỏ Thiết bị phát hiện thăng giáng từ trường nhỏ Thiết bị phát hiện thăng giáng từ trường nhỏ luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN TRỌNG LUÂN THIẾT BỊ PHÁT HIỆN THĂNG GIÁNG TỪ TRƢỜNG NHỎ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN TRỌNG LUÂN THIẾT BỊ PHÁT HIỆN THĂNG GIÁNG TỪ TRƢỜNG NHỎ Chun ngành: Vật lí vơ tuyến điện tử Mã số 60.44.03 : LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS PHẠM QUỐC TRIỆU HÀ NỘI – 2012 MỞ ĐẦU Từ trường nhỏ thông số quan trọng nghiên cứu Vật lí Vì việc đo đạc phát thăng giáng từ trường nhỏ có ý nghĩa vơ to lớn đời sống Việc phát thăng giáng cho phép đánh giá ảnh hưởng từ trường vũ trụ, Trái đất tới thời tiết sức khỏe người giúp phát dịng điện, vật liệu từ tính mỏ khống sản lịng đất… Bản luận văn khái quát nguyên lí hoạt động, sơ đồ khối thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ, đưa số giải pháp để nâng cao tỉ số S/N tập trung vào tìm hiểu, mô “phương pháp nâng cao tỉ số S/N phương pháp Boxcar” dùng phần mềm Matlab Nội dung luận văn nằm chương trình nghiên cứu đề tài trọng điểm cấp ĐH Quốc Gia Hà Nội mã số QGTĐ.10.27 nghiên cứu, thiết kế chế tạo thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ Nội dung luận văn trình bày 04 chương: Chương 1: Nguyên lí sensor phát từ trường Chương 2: Thiết kế thiết bị Chương 3: Cải thiện tỉ số S/N Chương 4: Một số kết thực nghiệm CHƢƠNG - NGUYÊN LÍ SENSOR PHÁT HIỆN TỪ TRƢỜNG 1.1 Một số nguyên lí vật lí chuyển đổi tín hiệu từ - điện 1.1.1 Hiệu ứng Hall Phát vào năm 1880 Edwin Hall, đặt từ trường vng góc với hướng dịng điện kim loại hay chất bán dẫn xuất điện trường vng góc với hướng dịng điện hướng từ trường Đây hiệu ứng sử dụng rộng rãi công nghệ sensor Hình 1.1: Hiệu ứng Hall Hình 1.1 mơ tả từ trường vng góc với vật liệu mỏng mang dòng điện Từ trường tác dụng lực theo phương ngang FB vào hạt tải chuyển động đẩy chúng phía Trong hạt tải tích lũy bên hạt tải trái dấu lại tích tụ phía đối diện Sự phân tách hạt tải tạo điện trường, điện trường gây lực điện FE Khi lực điện cân với lực từ khơng diễn phân tách hạt tải Kết có điện đo hai cực vật liệu, gọi Hall, VHall tính theo phương trình: VHall  IB ned (1.1) Với I dòng điện chạy vật liệu B: cảm ứng từ, n: mật độ hạt tải vật liệu e: điện tích electron ( 1.602 1019 C) d: độ dày vật liệu Sensor hiệu ứng Hall sử dụng thường xuyên phép đo từ trường Sensor Hall hai chiều sử dụng để kiểm sốt trường từ dải nanotesla Do có khả phát từ trường nhỏ, hiệu ứng Hall phương tiện việc phát triển hệ cảm biến sử dụng chuỗi từ nano (chuỗi phát từ trường nhỏ) Một ví dụ chuỗi từ nano cung cấp Ejsing, người cải tiến sensor chuỗi từ nano này với độ nhạy khoảng 3µV/Oe mA Những sensor họ hoạt động với từ trường hạt từ kích cỡ 250 nm thường sử dụng ứng dụng sinh học 1.1.2 Hiệu ứng Spin Hall Hiệu ứng Spin Hall (SHE-Spin Hall Effect) liên quan đến phát sinh dòng spin ngang với điện trường đặt vào vật liệu, dẫn đến gia tăng spin không cân hệ Hiệu ứng xuất vật liệu thuận từ hệ tương tác spin-quỹ đạo Đó lý thuyết dự đoán vào năm 1971 Yakonov Perel Sự phát sinh, lôi kéo phát điện tử spin- phân cực cấu trúc nano thách thức thuyết spin điện tử Hiệu ứng có tiềm to lớn việc sử dụng cảm biến ứng dụng chuỗi từ nano film mỏng với chiều dày nano Ví dụ Gerber chứng minh SHE sử dụng để cảm biến tinh thể từ không đẳng hướng từ trường 10 tồn thời gian ngắn hạt nano Co tách xa xếp dãy đơn lớp với bề dày nhỏ 0.01 nm Dòng điện Dịng spin Hình 1.2: Hiệu ứng spin Hall 1.1.3 Hiệu ứng Faraday – Henry Định luật Faraday-Henry định luật điện từ phát biểu điện trường tạo thay đổi từ trường (hình 1.3) Michael Faraday Joseph Henry độc lập tìm tượng điện từ Các sensor thiết bị âm thời kỳ đầu (như micro-phones), đồng hồ đo dòng điện điện tương tự, rơle lưỡi gà sử dụng hiệu ứng Hình 1.3: Hiệu ứng Faraday-Henry 11 Mối quan hệ điện trường E mật độ từ thông B xác định bởi:  E  ds   Hay d S B  dA dt   E   B t (1.2) (1.3) Định luật chi phối anten, môtơ điện số lượng lớn thiết bị điện gồm rơle phần cảm điện mạch thông tin viễn thông 1.1.4 Hiệu ứng Barkhausen Năm 1919 Barkhausen thấy đặt từ trường liên tục tăng chậm vào vật liệu sắt từ bị từ hóa khơng liên tục mà theo bậc nhỏ Những thay đổi đột ngột không liên tục từ hóa kết thay đổi rời rạc kích cỡ hướng vùng sắt từ (hay cụm vi mô nam châm nguyên tử hàng) xuất q trình từ hóa hay khử từ liên tục Hiệu ứng thông thường làm giảm hoạt động sensor từ xuất nhiễu bậc phép đo Hiệu ứng quan sát vật liệu sắt từ kích thước nano 1.1.5 Hiệu ứng Nernist/Ettinghausen [10] Nernst Ettingshausen phát lực điện động sinh dọc chất dẫn điện hay bán dẫn chịu tác dụng đồng thời gradient nhiệt độ trường từ Hướng lực vng góc với trường từ gradient nhiệt độ Hiệu ứng định lượng hế số Nernst |N| : N EY / BZ dT / dx (1.4) Thành phần từ trường trục z BZ , tạo thành phần điện trường theo trục y EY , vật chịu gradient nhiệt độ dT/dx Hiệu ứng có khả đo độ lớn nhiệt độ độ lớn từ trường hạt nano đơn 12 1.1.6 Hiệu ứng từ trở Hiệu ứng từ trở tượng phụ thuộc điện trở vật chất vào từ trường Từ trường gây lực Lorentz tác động vào hạt tải chuyển động vật liệu tùy thuộc hướng trường mà gây cản trở dịch chuyển hạt tải Hiệu ứng Lord Kelvin phát vào năm 1856 Hiệu ứng trở nên bật tìm từ trở không đẳng hướng (AMR-Anisotropic Magnetoresistance) từ trở khổng lồ (GMR-Giant Magnetoresistance ) AMR tượng quan sát chất sắt từ, vật mà điện trở tăng nên hướng dòng điện song song với trường từ tác động Thay đổi điện trở vật liệu phụ thuộc vào góc hướng dịng điện hướng từ hóa vật liệu sắt từ Có thể phát triển sensor giám sát góc quay trường từ dựa vào hiệu ứng AMR Tuy nhiên thay đổi điện trở liên quan đến hiệu ứng AMR nhỏ thường 1% 2% GMR có vai trị quan trọng cơng nghệ nano ứng dụng cho cảm biến Hiệu ứng từ trở khổng lồ độc lập tìm nhóm nghiên cứu Peter dẫn đầu đại học Paris-Sud vào năm 1988 Hiện nghiên cứu tập trung vào hướng sử dụng dây dẫn nano đa lớp (mang đến độ nhạy cao so với film mỏng sử dụng ổ cứng đọc/ghi) thể hiệu ứng GMR 1.1.7 Hiệu ứng Dopper Khi nguồn tín hiệu bên thu chuyển động tương nhau, tần số tín hiệu thu khơng giống bên phía phát Khi chúng di chuyển chiều tần số nhận lớn tần số tín hiệu phát, ngược lại chúng di chuyển xa tần số tín hiệu thu giảm xuống Đây hiệu ứng Doppler Sự dịch tần số Doppler phía thu tn theo phương trình sau: f observed  ( v ) f source v  vsource 13 (1.5) Với v tốc độ sóng môi trường, vsource tốc độ nguồn môi trường, f source tần số nguồn sóng Nếu nguồn sóng tiến gần đầu thu vsource dương ngược lại lùi xa nguồn thu vsource âm Một ví dụ quen thuộc hiệu ứng Doppler thay đổi độ cao thấp còi báo động xe cứu thương lại gần hay xa Thí dụ phổ biến hiệu ứng Doppler cảm biến thiết bị giám sát siêu âm Hiệu ứng Doppler giữ vai trò quan trọng rada hệ thống định vị vật nước Hiệu ứng Doppler có vai trị quan trọng cảm biến mô tả vật liệu nano Mở rộng Doppler (mở rộng vạch phổ phổ UV-vis) gây chuyển động nhiệt hạt nhỏ Mở rộng Doppler thông thường đặt thiết bị đo phổ có độ xác cao 1.2 Một số sensor đo từ trƣờng 1.2.1 Sensor hiệu ứng Hall [11] Thiết bị sử dụng hiệu ứng Hall phổ biến sử dụng rộng rãi đo đạc từ trường mạnh, dựa hiệu ứng Hall Edwin H.Hall phát vào năm 1897 Hiệu ứng Hall hệ định luật lực Lorentz, điện tích   chuyển động q, qua từ trường có cảm ứng từ B , chịu tác dụng lực F ,  vector vận tốc v điện tích tuân theo phương trình:     F  q E  v  B   (1.6) Thiết bị sử dụng hiệu ứng Hall bao gồm vật dẫn bán dẫn phẳng mỏng hình chữ nhật với hai cặp điện cực minh họa hình 1.4 Đặt điện trường Ex theo trục x gọi trục điều khiển Khi có từ trường Bz tác động theo phương vng góc với bề mặt sensor điện tích tự 14 chạy theo trục x điện trường Ex bị lệch phía trục y (trục điện Hall) Việc không tạo thành dòng điện theo trục y để hở mạch nguyên nhân làm tích tụ điện tích theo trục y hình thành điện trường, điện trường tác dụng nên điện tích lực ngược chiều với chuyển động nó: Ey  vx Bz (1.7) Hình 1.4: Sensor hiệu ứng Hall Từ trường H tác dụng vào bề mặt sensor, dòng điện chạy theo trục x tạo điện theo trục y, Ex điện trường đặt vào trục x, E y điện Hall xuất theo trục y Với vx vận tốc trung bình electron (hay hạt tải bản) Ở vật dẫn có n hạt mang điện tự đơn vị thể tích vận tốc trung bình hạt vx mật độ dịng là: J x  qnvx Và Ey  (1.8) J x Bz  RH J x Bz qn (1.9) Với RH hệ số Hall Đối với chất bán dẫn với hạt tải (electron lỗ trống) có độ linh động μ dẫn suất σ ta có: 15 Hình 4.4: Mơ tín hiệu mạch phát sóng sin Để mơ tín hiệu mạch phát sóng sin ta cần sử dụng hàm plot để vẽ hàm điều hịa u=A.*(2*pi*F*t) Trong đó: A biên độ sóng sin F tần số sóng Kết mơ hình 4.4 4.2.4 Mơ tín hiệu nhận đƣợc từ sensor Để mơ tín hiệu thu sau sensor ta sử dụng nguyên lí: Chia nhỏ tín hiệu ta thu (một cách gần đúng) tín hiệu dạng sin có tần số biên độ khác Hay nói cách khác tín hiệu thu dù có phức tạp đến phân tích thành tín hiệu sin Bằng cách ta sử dụng hàm điều hòa với tần số khác xếp xen kẽ Trong hàm có biên độ lớn đóng vai trị tín hiệu cần đo Cịn hàm khác hàm nhiễu 77 Hình 4.5 mơ tả tín hiệu thu sau sensor Hình 4.5: Mơ tín hiệu thu sau sensor (có nhiễu) Mặt khác tín hiệu thu tín hiệu tuần hồn nên ta cần mơ chi tiết chu kì cịn chu kì dùng cấu trúc vịng lặp for…end để biểu diễn Hình 4.6 mơ tả tín hiệu thu sau sensor chu kì Hình 4.6: Mơ tín hiệu thu sau sensor (có nhiễu) chu kì 78 4.2.5 Mô giải pháp Boxcar để nâng cao tỉ số S/N Tín hiệu sau tách sóng (tín hiệu mà ta cần đo) phần diện tích có đỉnh cao (phần màu đen) Cịn phần diện tích màu trắng thành phần nhiễu Nếu cho tất thành phần diện tích hình 4.7 vào mạch tích phân mà khơng xử lí Boxcar ta thấy tỉ số S/N (tín hiệu tạp nhiễu) nhỏ Tỉ số tỉ số diện tích phần đồ thị màu nâu diện tích phần đồ thị màu trắng: S S  den N Strang Để mơ q trình phân tích tín hiệu nhiễu, chúng tơi dùng hàm quad để tích tích phân hàm đoạn tín hiệu đoạn có nhiễu, qua ta tính tỉ số S/N Nhưng lưu ý dùng hàm quad hàm phải đưa dạng @ Hình 4.7: Mơ tín hiệu sau qua mạch tách sóng đồng 79 Khi tín hiệu qua xử lí Boxcar ta thấy xung đồng mở tín hiệu giữ lại, cịn xung đồng đóng phần tín hiệu bị cắt Như việc chọn thời điểm để đo tín hiệu gần sát với tín hiệu chuẩn ta nâng cao tỉ số S/N qua nâng cao độ xác phép đo Vậy so sánh với trường hợp tín hiệu khơng qua xử lí Boxcar trường hợp có qua xử lí Boxcar cho ta tỉ lệ S/N tăng lên đáng kể Hình 4.8: Mơ tín hiệu sau xử lí Boxcar 80 4.3 Một số kết thực nghiệm Chúng tiến hành khảo sát thăng giáng từ trường mơi trường phịng thí nghiệm Kết ghi trình bày hình 4.9 4.10 Một số nhảy bậc phổ ghi tác động yếu tố người (đi qua lại phịng thí nghiệm) Phơng từ trường đo ngày 11/12/2012 phịng thí nghiệm trung tâm khoa học vật liệu Hình 4.9: Phơng từ trường Trái Đất đo ngày 11/12/2012 Phơng từ trường đo ngày 18/12/2012 phịng thí nghiệm trung tâm khoa học vật liệu Hình 4.10: Phơng từ trường Trái Đất đo ngày 18/12/2012 81 Tiến hành thí nghiệm: hệ thiết bị lắp đặt ảnh 4.11 Hình 4.11: Bố trí thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ 82 4.4 Đề xuất mạch Boxcar kép dùng cho hệ xử lí tín hiệu nhỏ Phương pháp gọi phương pháp Boxcar hai cổng (Boxcar hai kênh) Phịng thí nghiệm chúng tơi đề xuất mạch Boxcar kênh dùng để đo mẫu ví dụ mục 4.1 có sơ đồ sau: Hình 4.12: Sơ đồ mạch Boxcar kênh Trong khối IC 555 có vai trị phát xung đồng cho tồn mạch IC 74121 tạo xung kích mẫu Hai nhánh bên hoàn toàn giống khác chỗ nhánh tạo xung kim thời điểm khác Các điện trở 470k có tác dụng 83 điều chỉnh thời điểm Trong nhánh cặp IC 74123 có tác dụng tạo xung kim dùng để điều khiển JFET 2N4416 đóng/ mở có xung kim kích thích Khi mẫu tín hiệu giữ thời điểm xung kim loại bỏ phần cịn lại Tín hiệu chiều hai lối A B đưa vào mạch trừ Tín hiệu cuối đưa vào mili Vơn kế đưa vào mạch ADC để tự ghi lại kết máy tính từ tìm thơng số cần đo u cầu tốn đề Hình 4.13: Sơ đồ mạch trừ Khả ứng dụng: Mạch áp dụngcho hệ xử lí tín hiệu nhỏ, biến đổi tuần hồn, có quy luật nhằm giảm nhiễu, nâng cao tỉ số S/N 84 KẾT LUẬN Trong luận văn này, tập trung nghiên cứu số vấn đề sau: Nghiên cứu tổng quan số nguyên lí chuyển đổi tín hiệu điện – từ số loại sensor đo từ trường Nghiên cứu hoạt động, khảo sát khối chức thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ, thiết kế, chế tạo trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐH QGHN Đồng thời dùng thiết bị khảo sát, đánh giá thăng giáng từ trường Trái Đất phịng thí nghiệm Nghiên cứu số giải pháp làm giảm tạp nhiễu, nâng cao tỷ số S/N Trong phương pháp xử lý tín hiệu kỹ thuật Sampling and Hold (phương pháp Boxcar) đặc biệt quan tâm Mô hoạt động số khối chức thiết bị phần mềm Matlab, mô phương pháp xử lí tín hiệu dùng cổng Boxcar Đề xuất mạch Boxcar hai cổng (mạch Boxcar kép) áp dụng cho hệ đo tín hiệu nhỏ Nội dung nghiên cứu luận văn nằm phạm vi nội dung đề tài nghiên cứu khoa học trọng điểm ĐH Quốc Gia Hà Nội, mã số QGTĐ.10.27 nghiên cứu, thiết kế chế tạo thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ 85 TÀI LIỆU THAM KHẢO A Tiếng Việt Ngạc Văn An (chủ biên), Đặng Hùng, Nguyễn Đăng Lâm, Lê Xuân Thê, Đỗ Trung Kiên (2006), Vô tuyến điện tử, NXBGD, Hà Nội Phạm Thượng Hàn (1996), Kỹ thuật đo lường đại lượng Vật lý, NXBGD, Hà Nội Phùng Hồ, Phan Quốc Phơ (2001), Giáo trình Vật lý bán dẫn, NXBKHKT, Hà Nội Vũ Thanh Khiết, Nguyễn Thế Khơi, Vũ Ngọc Hồng (1977), Giáo trình điện đại cương tập 3- NXBGD, Hà Nội Lưu Tuấn Tài (2008), Giáo trình Từ học, NXBĐHQG, Hà Nội Lê Xuân Thê (2006), Dụng cụ bán dẫn vi mạch, NXBGD, Hà Nội Đỗ Xuân Thụ (1999), Kỹ thuật điện tử, NXBGD, Hà Nội Phạm Quốc Triệu, Phương pháp thực nghiệm Vật lý, Giáo trình khoa Vật lý, trường ĐH Khoa học Tự Nhiên, Hà Nội Phạm Quốc Triệu, Đỗ Gia Tùng (2011), Nghiên cứu cải thiện tỷ số S/N thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ, Báo cáo Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ (SPMS-2011) B Tiếng Anh 10 M.J Usher and D.A Keating (1991), Sensor and transducers:characteristics, application, instrumentation, interfacing, VCH, Weinheim, Germany 11 Steven A Macintyre (2000), Magnetic Field Measurement, CRC Press LLC 86 PHỤ LỤC Phụ lục 1: Chƣơng trình mơ phƣơng pháp Boxcar kép %C(t)=B.exp(-En.t) Với En=A.T^2.exp(Et/(k.T)) clc,close all;clear; t=linspace(0,10,100000); x1=linspace(-1,0,1000); y1=linspace(0,1,1000); T=0.1; % Thời gian lấy mẫu tb1=2; tb2=4.5; % -t0=1:1000; t1=tb1+0*t0; t2=tb2+0*t0; A=10e-4; B=1; Et=8.9600e-020; k=1.3e-2; % -En=A.*T^2.*exp(Et./(k.*T)); Ct=B.*exp(-En.*t); Ct1=B.*exp(-En.*tb1); Ct2=B.*exp(-En.*tb2); denta=abs(Ct2-Ct1); subplot(1,2,1); plot(tb1,Ct1,'*b',tb2,Ct2,'*b',t1,y1,'b',t2,y1,'b',x1,0*y1,'r' ,0*x1,y1,'r',t,Ct,'r','LineWidth',2.5); xlabel('Time'); ylabel('Amplitude'); grid on; axis([-1 10 -0.1 1.1]); subplot(1,2,2); plot(T,denta,'.r','markersize',15); 87 xlabel('Time'); ylabel('Amplitude'); axis([-10 80 -0.1 0.35]); grid on; for j=0:55 En=A.*T^2.*exp(Et./(k.*T)); Ct=B.*exp(-En.*t); Ct1=B.*exp(-En.*tb1); Ct2=B.*exp(-En.*tb2); denta=abs(Ct2-Ct1); disp([denta,T]); subplot(1,2,1); plot(tb1,Ct1,'*b',tb2,Ct2,'*b',t1,y1,'b',t2,y1,'b',x1,0*y1,'r',0*x1,y1,'r', t,Ct,'r','LineWidth',2.5); xlabel('Time'); ylabel('Amplitude'); grid on; axis([-1 10 -0.1 1.1]); subplot(1,2,2); plot(T,denta,'.r','markersize',15); xlabel('Time'); ylabel('Amplitude'); axis([-10 80 -0.1 0.35]); hold on;grid on; T=T+1; pause(0.1); end; Phụ lục 2: Chƣơng trình mơ khối phát xung, chia tần clear all;clc;close all; a=1;% Độ cao xung x=[0 2 2 2.2 2.2 4 4.2 4.2 6 6.2 6.2 8 8.2 8.2 9]; ct=[0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10]; % Xung chia tần y=[a a 0 a a 0 a a 0 a a 0 a a 0]; figure(1); 88 plot(x,y,'b','LineWidth',2); axis([0 -1.5 2.5]); grid on; figure(2); % Xung chia tần plot(ct,y,'r','LineWidth',2); axis([0 -1.5 2.5]); grid on; Phụ lục 3: Chƣơng trình mơ dao động hình sin clear all;clc;close all; F=20; A=0.5;% Biên độ t=0:0.001:1; x=A.*sin(2*pi*F*t); plot(t,x,'LineWidth',2); grid on; axis([0 0.5 -1 1]); Phụ lục 4: Chƣơng trình mơ tín hiệu sau sensor clear all;clc;close all; F2=50; F1=5; A=0.8;%Biên độ sc=0; t1=linspace(0,0.01,10000); t2=linspace(0.01,0.02,10000); t3=linspace(0.02,0.03,10000); t4=linspace(0.03,0.04,10000); t5=linspace(0.04,0.05,10000); t6=linspace(0.05,0.06,10000); t7=linspace(0.06,0.07,10000); t8=linspace(0.07,0.08,10000); % -t=linspace(0,1,10000);% t thời gian phục vụ hàm nhiễu s 89 % u10=0.05.*sin(8*pi*F2*t1); u20=-0.33.*sin(4*pi*F2*t1); u30=A.*sin(2*pi*F2*t1); u40=0.1.*sin(8*pi*F2*t1); x=0.*sin(2*pi*F2*t);% Hàm vẽ trục hoành %Tạo hàm nhiễu s=-0.015.*sin(5*pi*F1*t); %Hàm tín hiệu thật u1=u10+s;u2=u20+s; u3=u30+s;u4=u40+s; %Hàm tạo xung vuông -ts1=[0 04 04 06 06 12 12 14 14 18]; u=[0 A A 0 A A 0 ]; for k=0:3 sc=(0.08*k); t01=t1+sc;t02=t2+sc;t03=t3+sc;t04=t4+sc; t05=t5+sc;t06=t6+sc;t07=t7+sc;t08=t8+sc; plot(t01,0.7*u1,'b',t02,1.5*u1,'b',t03,u1,'b',t04,0.5*u2, 'r',t05,u2,'r',t06,u3,'g',t07,0.5*u1,'b',t08,0.5*u2,'r','LineWidth',2); hold on;grid on; axis([0 0.18 -0.5 0.9]); end; Phụ lục 5: Chƣơng trình mơ tín hiệu qua mạch Boxcar clear all;clc;close all; F2=50; F1=5; A=0.8;%Biên độ sc=0; t1=linspace(0,0.01,10000); t2=linspace(0.01,0.02,10000); t3=linspace(0.02,0.03,10000); t4=linspace(0.03,0.04,10000); t5=linspace(0.04,0.05,10000); 90 t6=linspace(0.05,0.06,10000); t7=linspace(0.06,0.07,10000); t8=linspace(0.07,0.08,10000); % -t=linspace(0,1,10000);% t thời gian phục vụ hàm nhiễu s % u10=0.05.*sin(8*pi*F2*t1); u20=-0.33.*sin(4*pi*F2*t1); u30=A.*sin(2*pi*F2*t1); u40=0.1.*sin(8*pi*F2*t1); x=0.*sin(2*pi*F2*t);% Hàm vẽ trục hoành %Tạo hàm nhiễu s=-0.015.*sin(5*pi*F1*t); %Hàm tín hiệu thật u1=u10+s;u2=u20+s; u3=u30+s;u4=u40+s; %Hàm tạo xung vuông -ts1=[0 04 04 06 06 12 12 14 14 18]; u=[0 A A 0 A A 0 ]; for k=0:9 sc=(0.08*k); t01=t1+sc;t02=t2+sc;t03=t3+sc;t04=t4+sc; t05=t5+sc;t06=t6+sc;t07=t7+sc;t08=t8+sc; subplot(2,1,2); plot(ts1,u,'b','LineWidth',2); axis([0 0.18 -0.1 0.9]); grid on; subplot(2,1,1); plot(t01,0.7*u1,'b',t02,1.5*u1,'b',t03,u1,'b',t04,0.5*u2,'b',t05,u2,'b', t06,u3,'b',t07,0.5*u1,'b',t08,0.5*u2,'b','LineWidth',2); hold on;grid on; axis([0 0.18 -0.5 0.9]); end; 91 ... thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ Nội dung chủ yếu chương nhằm sâu khảo sát khối mạch điện tử thiết bị phát từ trường nhỏ 2.1 Nguyên lí hoạt động thiết bị Thiết bị phát thăng giáng từ trường. .. cứu, thiết kế chế tạo thiết bị phát thăng giáng từ trường nhỏ Nội dung luận văn trình bày 04 chương: Chương 1: Nguyên lí sensor phát từ trường Chương 2: Thiết kế thiết bị Chương 3: Cải thiện... MỞ ĐẦU Từ trường nhỏ thông số quan trọng nghiên cứu Vật lí Vì việc đo đạc phát thăng giáng từ trường nhỏ có ý nghĩa vô to lớn đời sống Việc phát thăng giáng cho phép đánh giá ảnh hưởng từ trường