Nghiên cứu thiết kế đại tín hiệu lớp vật lý cho truyền thông vô tuyến Nghiên cứu thiết kế đại tín hiệu lớp vật lý cho truyền thông vô tuyến Nghiên cứu thiết kế đại tín hiệu lớp vật lý cho truyền thông vô tuyến luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp luận văn tốt nghiệp,luận văn thạc sĩ, luận văn cao học, luận văn đại học, luận án tiến sĩ, đồ án tốt nghiệp
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG ~~~~~ ~~~~~ LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Đề tài: NGHIÊN CỨU KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU LỚP VẬT LÝ CHO TRUYỀN THÔNG VÔ TUYẾN Học viên thực hiện: NGUYỄN TRUNG THÀNH Lớp Cao học 2016B MSHV CB160167 Giảng viên hướng dẫn: PGS.TS NGUYỄN XUÂN QUYỀN Cán phản biện: Hà Nội, 10-2018 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan tồn nội dung trình bày luận văn kết tìm kiếm nghiên cứu riêng tơi hỗ trợ bảo người hướng dẫn Các kết liệu nêu luận văn hoàn toàn trung thực rõ ràng Mọi thơng tin trích dẫn tn theo luật sở hữu trí tuệ, liệt kê rõ ràng tài liệu tham khảo Tơi xin chịu hồn tồn trách nhiệm với nội dung viết luận văn Hà Nội, ngày 26 tháng năm 2018 Tác giả luận văn Nguyễn Trung Thành HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 LỜI NÓI ĐẦU Lý chọn đề tài Trong hệ thống thu phát sóng vơ tuyến điện, khuếch đại cơng suất khâu quan trọng ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng, tính kỹ thuật sản phẩm Nhu cầu truyền thông tin tốc độ cao, mạch khuếch đại cơng suất phải có băng thơng rộng “đa năng“- tức có khả hoạt động dải tần rộng Ngày nay, khuếch đại cơng suất có bước phát triển vượt bậc, từ việc phát triển công nghê chế tạo linh kiện khuếch đại hệ đến kỹ thuật xây dựng cấu trúc mạch khuếch đại công suất với băng thông lớn, hiệu suất cao Đi kèm với nó, khuếch đại ngày có độ tuyến tính cao hơn, lẽ đó, dễ dẫn đến suy hao bão hòa từ khuếch đại Do đó, đề tài “Nghiên cứu khuếch đại tín hiệu lớp vật lí cho truyền thơng vơ tuyến” đưa nhằm mục đích nghiên cứu phương pháp làm cho mạch khuếch đại cơng suất khuếch đại tín hiệu với băng thơng lớn, hiệu suất cao Lịch sử nghiên cứu William H.Doherty, thuộc phòng thí nghiệm Bell, người đưa cấu trúc khuếch đại Doherty vào năm 1936 Cấu trúc Doherty cấu trúc khuếch đại công suất nhằm đạt hiệu suất cao vùng hoạt động tuyến tính, thường sử dụng ứng dụng trạm gốc BTS Thông thường hệ thống khuếch đại công suất khác để đạt hiệu suất hoạt động cao cơng suất đầu nằm gần với điểm nén dB Hiện nay, với phát triển cơng nghệ số, mơ hình hóa hệ thống, mạng phối hợp đưa lên máy tính để thực mô thiết kế, giúp người thiết kế tiết kiệm khoản chi phí tiết kiệm nhiều thời gian Các phần mềm mô mạnh ADS, AWR hay ANSYS ngày hoàn thiện hiệu hơn, giúp thiết kế dễ dàng thuận tiện Mục đích nghiên cứu luận văn, đối tượng, phạm vi nghiên cứu Đề tài nghiên cứu, khảo sát thực với mục đích áp dụng kiến thức học để xây dựng, thiết kế, kế thừa phát triển, tạo sản phẩm hỗ HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 trợ nâng cao độ khuếch đại hiệu suất hoạt động mạch khuếch đại công suất cao tần Đối tượng nghiên cứu bao gồm: transistor khuếch đại công suất, mạch phối hợp trở kháng phần mềm hỗ trợ mô mạch điện Phạm vi nghiên cứu bao gồm: thông số mạch khuếch đại công suất băng rộng, cấu trúc hệ thông khuếch đại công suất băng rộng kỹ thuật phối hợp trở kháng băng rộng Tóm tắt đọng luận điểm đóng góp tác giả Trong phạm vi luận văn đưa lý thuyết mạch khuếch đại công suất, phương pháp khuếch đại công suất băng rộng, phương pháp phối hợp trở kháng băng rộng ứng dụng mô mạch cụ thể Phương pháp nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu thơng qua nguồn tư liệu xuất bản, báo đăng tạp chí khoa học, datasheet linh kiện, diễn đàn thảo luận liên quan đến nội dung cần nghiên cứu Phương pháp tham khảo tài liệu: cách thu thập thơng tin từ sách, tạp chí điện tử, viễn thông, truy cập từ mạng internet Phương pháp quan sát: khảo sát số sản phẩm có sẵn gần tương đương qua mạng internet, khảo sát cử động người để chọn lựa phương án thiết kế sau Nghiên cứu kết hợp phân tích tính tốn lý thuyết mơ mạch cụ thể để kiểm chứng Lời cảm ơn Cùng với việc thực đề tài này, tác giả xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô Viện điện tử viễn thông, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, đặc biệt thầy PGS.TS Nguyễn Xuân Quyền, nhiệt tình dẫn bước, hướng nghiên cứu, thực yêu cầu cần có đề tài Cuối cùng, xin bày tỏ lòng cảm ơn chân thành đến bạn thành viên lab RF hết lịng hỗ trợ đóng góp ý kiến suốt khoảng thời gian làm thực đề tài HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Trong trình thực đề tài, dựa theo kết đạt bước đầu, dù cố gắng nhiên không tránh khỏi thiếu sót hạn chế định Vì vậy, tác giả mong nhận góp ý, bổ sung thầy cô để đề tài tối ưu hoàn thiện HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 TÓM TẮT ĐỒ ÁN Trong đề tài trình bày tổng quan khuếch đại công suất cao tần, cấu trúc nguyên lý hoạt động tầng khuếch đại công suất, cách thức phối hợp trở kháng, tham số quan trọng phải tính tốn để thiết kế khuếch đại công suất công suất ra, độ khuếch đại, hiệu suất hoạt động, hệ số phản xạ, độ ổn định, độ tuyến tính,… Đi sâu vào nghiên cứu nguyên lí khuếch đại cơng suất Doherty nhằm cải thiện hiệu suất cho khuếch đại cuối q trình thiết kế mơ mạch khuếch đại công suất Doherty band sử dụng LDMOS MRF8S18120H với vật liệu Roger5870 mô thực tế EM đánh giá kết đạt THESIS SUMARY This thesis show overview of the high frequency power amplifier, structure and operational principle of a state’s power amplifier, the method of impedance matching, the important parameters that to design such as Power output, Gain, Total efficiency, Resonant reflection, VSWR, Introducing operational principle of a Doherty amplifier to enhance the performance Finally, implement to build of Doherty amplifier for band It uses LDMOS MRF8S18120H with Roger5870 material to simulate real EM and evaluate accomplished results HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI NÓI ĐẦU TÓM TẮT ĐỒ ÁN MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH ẢNH, BẢNG BIỂU DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT, TIẾNG ANH 12 PHẦN MỞ ĐẦU 13 PHẦN NỘI DUNG 15 CHƯƠNG I TỔNG QUAN VỀ KHUẾCH ĐẠI 15 1.1 Khuếch đại công suất tần số vô tuyến 15 1.1.1 Giới thiệu khuếch đại 15 1.1.2 Phân loại khuếch đại công suất 17 1.1.2.1 Khuếch đại công suất chế A, AB, B, C 18 1.1.2.2 Khuếch đại công suất chế D, DE, E, F, F-1 19 1.1.3 Các tham số quan trọng mạch khuếch đại công suất 21 1.1.3.1 Hiệu suất hoạt động 21 1.1.3.2 Độ lợi công suất 21 1.1.3.3 Độ đồng khuếch đại 21 1.1.3.4 Độ tuyến tính 21 1.1.3.5 Tính ổn định 22 1.1.3.6 Nhiễu 22 1.2 Kết luận chương 23 CHƯƠNG II HỆ THỐNG LTE VÀ BỘ KHUẾCH ĐẠI CƠNG SUẤT THÍCH NGHI 24 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 2.1 Tổng quan LTE 24 2.1.1 Công nghệ LTE 24 2.1.1.1 Cấu trúc mạng LTE 24 2.1.1.2 Các quy tắc hệ thống vô tuyến LTE 26 2.1.2 Tổng quan LTE band 33 2.2 Bộ khuếch đại Doherty 34 2.2.1 Khuếch đại Doherty 35 2.2.1.1 Tổng quan Doherty 35 2.2.1.2 Cấu trúc khuếch đại Doherty 36 2.2.1.2 Chế độ hoạt động mức công suất thấp 40 2.2.1.3 Chế độ hoạt động mức công suất trung 41 2.2.1.4 Chế độ hoạt động mức công suất đỉnh 42 2.2.2 Ưu nhược điểm khuếch đại Doherty 43 2.3 Kết luận chương 44 CHƯƠNG III PHÂN TÍCH VÀ THIẾT KẾ 45 3.1 Giới thiệu 45 3.2 Kiến trúc thiết kế 45 3.3 Chọn transistor cao tần 46 3.4 Phối hợp trở kháng 47 3.4.1 Phối hợp trở kháng cho khuếch đại 50 3.4.2 Phối hợp trở kháng cho khuếch đại phụ 56 3.5 Bộ chia công suất đầu vào 57 3.6 Thiết kế mô mạch nguyên lý khuếch đại Doherty band3 59 3.6.1 Thiết kế mạch nguyên lý khuếch đại Doherty band 59 3.6.2.Kết mô 61 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 3.7.Kết luận chương 65 PHẦN KẾT LUẬN 66 TÀI LIỆU THAM KHẢO 67 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 DANH MỤC HÌNH ẢNH, BẢNG BIỂU Hình MĐ Sơ đồ khối phát vô tuyến 13 Hình 1 Mạch khuếch đại hệ thống vô tuyến 15 Hình Cấu trúc mạch khuếch đại 16 Hình Sơ đồ tương đương nguồn dòng Transitor 16 Hình Dạng sóng dòng điện cực máng 18 Hình Dạng sóng lớp A, B, AB, C 19 Hình Mạch khuếch đại chế độ E 20 Hình Cấu trúc mạng LTE 24 Hình 2 Điều chế giải điều chế 26 Hình Các bước điều chế 26 Hình Mơ dạng điều chế QPSK LTE 27 Hình Mơ hình chịm 27 Hình Phân bổ tần số FDM xen kẽ tần số bảo vệ 29 Hình Mơ hình hóa trực giao OFDM 29 Hình 9Nhiễu liên kí tự gây sai khác liệu 30 Hình 10 Chèn tiền tố vịng để loại bỏ ISI 30 Hình 11 Cách thêm tiền tố cyclic vào mẫu liệu 31 Hình 12 Mơ dạng tín hiệu sau sử dụng FFT 31 Hình 13 Tương quan mẫu OFDMA SC FDMA miền tần số 32 Hình 14 Tổng quan LTE band 33 Hình 15 Mức độ tương thích sử dụng LTE với thiết bị 34 Hình 16 Cấu trúc khuếch đại Doherty 36 Hình 17 Sơ đồ khối Doherty đơn giản 37 Hình 18 Sơ đồ khuếch đại Doherty chi tiết 38 Hình 19 So sánh hiệu suất khuếch đại với hệ khuếch đại đơn 38 Hình 20 Mạch tương đương nguồn dịng 39 Hình 21 Hai trường hợp đặc biệt mạch tương đương nguồn dịng 40 Hình 22 Giới thiệu nhánh đường truyền vi dải 41 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 10 Mạng phối hợp trở kháng đầu vào b Phối hợp trở kháng đầu cho MRF8S18120H_CARRIER Thiết kế Pad đầu tương tự Pad đầu vào hình 3.11 Kích thước Pad đầu 12 x 6mm P1 TL1 P2 Hình 11 Pad output HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 53 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Đặt Zra = 7.2 - j*2.65 Ω đẩu pad từ kết xác định trở kháng hình 3.4, để tìm giá trị phối hợp trở kháng nguồn sau qua pad đầu (hình 3.7) Đây phương thức để tìm mạch PHTK đầu cho transitor Hình 12 Sơ đồ mơ pad đầu vào MRF8S18120H_CARRIER 1.0 m1 freq= 1.800GHz S(2,2)=0.907 / 153.085 impedance = Z0 * (0.052 + j0.239) m1 5.0 0.2 10 10 20 5.0 2.0 1.0 0.5 S(2,2) 20 -10 -20 -0.2 -1.0 -2 -0 -5.0 freq (1.000GHz to 3.000GHz) Hình 13 Hệ số S22 có pad output MRF8S18120H_CARRIER Dựa vào thơng số mơ trở kháng nguồn là: ZPad_ra = Z0(0.052 + j*0.239) = 50.(0.052 + j*0.239) = 2.6 + j*11.95 (Ω) Để thực phối hợp trở kháng từ giá trị ZPad_ra 50 Ω (hình 3.14) HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 54 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 14 Phối hợp trở kháng cửa tran MRF8S18120H_CARRIER Chọn Update schematic thiết kế thêm phần nguồn theo gợi ý nhà sản xuất linh kiện ta có: Hình 15 Mạng phối hợp trở kháng đầu MRF8S18120H_CARRIER HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 55 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 3.4.2 Phối hợp trở kháng cho khuếch đại phụ Hình 16 Phối hợp trở kháng cho mạch Khuếch đại phụ Sử dụng S_Parameter cho transitor MRF8S18120H_PEAKING làm tương tự phần 3.4.1 ta có bảng trở kháng đây: Bảng Bảng trở kháng trước sau phối hợp Trở kháng Transistor Trở kháng Pad phối hợp Zvào = 10.6 – j*5.65 Zpad_vào= 3.75 – 3.95*j Zra = 1.1 – j*2.8 Zpad_ra = 1.85 + 9.6*j Từ đó, thu mạch phối hợp trở kháng đầu vào đầu cho transistor nhánh khuếch đại phụ hình 3.17 hình 3.18 P_1Tone PORT1 Num=1 Z=50 Ohm P=polar(dbmtow(-20),0) Freq=1.8 GHz C C3 C=1 pF {t} MLIN TL1 Subst="MSub1" W=1.69 mm L=6.81 mm {t} C C2 C=7 pF {t} MLIN TL2 Subst="MSub1" W=1.69 mm L=6.82 mm {t} C C1 C=12 pF Term Term1 Num=2 Z=10.6-j*5.65 Ohm Input_Pad I Hình 17 Mạng phối hợp trở kháng đầu vào MRF8S18120H_PEAKING P_1Tone PORT1 Num=1 Z=1.1 + j*2.8 Ohm P=polar(dbmtow(-20),0) Freq=1.8 GHz C C5 C=8.2 pF Output_Pad I MLIN TL3 Subst="MSub1" W=3.58 mm L=3.92 mm {t} C C4 C=10 pF {t} MLIN TL4 Subst="MSub1" W=1.69 mm L=6 mm {t} C C6 C=2 pF {t} Term Term2 Num=2 Z=50 Ohm Hình 18 Mạng phối hợp trở kháng đầu MRF8S18120H_PEAKING HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 56 3.5 Bộ chia công suất đầu vào LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 X3C19P2-03S ghép nối 3DB hiệu suất cao, hiệu suất cao dễ sử dụng, sản xuất tương thích với bề mặt đóng gói Các X3C19P203S thiết kế đặc biệt cho công suất cân nhiễu thấp, cộng với phân phối tín hiệu ứng dụng khác, tổn hao chèn thấp biên độ ổn định Nó sử dụng ứng dụng công suất cao lên đến 176 W Các phận bị kiểm tra chất lượng nghiêm ngặt chúng sản xuất vật liệu có hệ số giãn nở nhiệt (CTE) tương thích với chất thơng dụng FR4, G-10, RF-35, RO4003 polyimide Được sản xuất với 6/6, kết thúc ngâm thiếc hoàn thiện RoHS [9] Bảng Bảng thông số chia X3C19P2-03S dải tần 1.7 - 2.2 GHz [9] Để xác định xác trở kháng vào chia ta sử dụng phần mềm ADS tính tốn thơng số tán xạ nhà sản xuất cung cấp dạng file *s4p Tiến hành nạp file vào mơ hình mạng cửa, cửa sử dụng công cụ mô tham số tán xạ S đồ thị Smith, ta xác định trở kháng vào tần số làm việc mong muốn, đưa trở kháng vào trở kháng chia vào ADS, ta sơ đồ xác định trở kháng vào cho chia hình 3.18 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 57 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 19 Sơ đồ chia ADS Sau chạy mô thực Tuning công cụ ADS ta thu kết hình 3.19 cho thấy S21 = S31 = -3,074 dB (50%), tín hiệu hai cổng gần nửa tín hiệu vào Đó điều kiện cần để đảm bảo công suất đầu đầu chia thỏa mãn yêu cầu thiết kế ban đầu Hình 20 Hệ số truyền đạt S31 S21 Ngồi điều kiện cần Cơng suất đầu đầu chia nhau, cần điều kiện đủ góc pha phải lệch 90º, đảm bảo hai tín hiệu đầu trực giao với nhau, làm giảm ảnh hưởng lên Hình 3.18 biểu diễn pha tín hiệu cổng 3, tín hiệu cổng có pha -31,5220, tín hiệu cổng có pha -121,5740 Hai tín hiệu lệch pha xấp xỉ 900 HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 58 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 21 Pha tín hiệu cổng cổng chia công suất 3.6 Thiết kế mô mạch nguyên lý khuếch đại Doherty band3 3.6.1 Thiết kế mạch nguyên lý khuếch đại Doherty band Sau hoàn thành PKTK, ta ghép nối khối tuning thành mạch nguyên lý từ kết phối hợp trở kháng tính tốn đường truyền kết hợp với mạch cấp nguồn Sử dụng thư viện có ADS bước thêm phần tử với giá trị mạch phối hợp trở kháng Trong thư viện ADS linh kiện tụ điện trở, cuộn cảm, … mục Lumped-Component, ta việc bố trí cho với sơ dồ phối hợp trở kháng Còn với đường truyền vi dải ta sử dụng mục linh kiện TLineMicrostrip, sau đưa thành phần MSUB( Microstrip Substrate) để nhập thông số điện môi Roger5870 quy định sau tiến hành thiết kế đoạn mạch vi dải với chiều dài chiều rộng Line-Cals tính tốn Thơng số Roger5870: H=0,762mm, Er=3,48, T=0,035mm, TanD=0,0035 Để thuận tiện cho việc làm mạch in làm cho mạch gọn, ta dùng thành phần định hướng như: HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 59 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 MSOBND_MDS Bend1 Subst="MSub1" W=0.25 mm MCORN Corn1 Subst="MSub1" W=0.625 mm MCURVE Curve1 Subst="MSub1" W=0.625 mm Angle=90 Radius=2.5 mm Hình 22 Các thành phần định hướng mạch Các khớp nối thiết kế trung chuyển có suy hao nhỏ, thấp -31 dB Việc sử dụng khối định hướng giúp giảm kích thước mạch layout, giảm kích thước hệ thống giá thành sản phẩm thực tế Dưới sơ đồ nguyên lý tổng ghép nối khối: mạch phối hợp trở kháng đầu vào đầu chia công suất, mạch phối hợp trở kháng đầu vào đầu transistor (carrier), mạch phối hợp trở kháng đầu vào đầu transistor phụ (peak), đưa vào mạch phối hợp trở kháng đầu hệ thống Hình 23 Sơ đồ mạch nguyên lí tổng HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 60 3.6.2.Kết mô LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 24 Các tham số tán xạ khuếch đại công suất Như đề xuất mục đích thiết kế trên, ta thấy mạch mô thỏa mãn điều kiện đề Ở ta thu mạch khuếch đại với độ lợi khoảng 16-17 dB tổn hao ngược nhỏ -9 dB dải tần hoạt động band Vậy dải tần 1,805 GHz đến 1,880 GHz hệ số S21 mạch khuếch đại doherty dao động khoảng 1,0dB Như vậy, ta thiết kế thành công khuếch đại công suất đề Hình 25 Hệ số S22 khuếch đại Doherty Hình 3.23 hình 3.24 kết mô hệ số S11 S22 mạch khuếch đại doherty Tại tần số f =1,8 GHz hệ số phản xạ S11 = -17,003 dB HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 61 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 hệ S22 = -11,27 dB Sử dụng bảng quy đổi hệ số phản xạ ngược sang hệ số sóng đứng điện áp, với hệ số phản xạ ngược S22 = -11,27 dB tương ứng với hệ số VSWR = 2,06 [12] Theo bảng liệu nhà sản xuất LDMOS MRF8S18120H có khả chịu hệ số sóng đứng lên đến Vậy hệ số S22 = 11,27 thỏa mãn Hình 26 Độ ổn định khuếch đại cơng suất Hình 3.25 biểu diễn độ ổn định khuếch đại doherty, dải tần từ 1,805 GHz đến 1,880 GHz độ ổn định ln lớn 1, f = 1,8 GHz độ ổn định 3,108 mạch khuếch đại doherty tự ổn định mà khơng cần điều kiện thêm Hình 27 Hiệu suất mạch khuếch đại Doherty HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 62 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Hình 2.27 biểu diễn hiệu suất mạch khuếch đại Doherty với giá trị điện áp phân cực cho khuếch đại phụ khác Với cơng suất 20 W hiệu suất xấp xỉ 54%, với cơng suất 30 W hiệu suất xấp xỉ 50%, với công suất 40 W hiệu suất xấp xỉ 50% Mạch khuếch đại cơng suất Doherty có hiệu suất cao >50% Bảng Giá trị điểm nén 1dB mạch khuếch đại Doherty Pin = 45,933 dBm giá công suất đầu bắt đầu tuyến tính Theo bảng với Pin = 45,933 dBm độ lợi S21 bị giảm dB tương ứng với công suất đầu Pout = 51,012 dBm, giá trị điểm nén dB Điểm bão hịa dB: Một khuếch đại cơng suất trì hệ số khuếch đại (danh định) tương đối ổn định với mức tín hiệu đầu vào nhỏ Tuy nhiên mức tín hiệu đầu vào tăng cao, công suất đầu khuếch đại tiến dần tới mức bão hòa làm cho hệ số khuếch đại giảm Điểm dB điểm mà hệ số khuếch đại giảm 1dB so với hệ số khuếch đại danh định Nếu làm việc mức cơng suất bên điểm khuếch đại tính tuyến tính làm tăng mức méo tự điều chế Giá trị điểm nén dB đạt công suất đầu 51,012 dBm tương ứng với 128 W Bảng Giá trị điểm nén 1dB Datasheet[9] So sánh giá trị đạt giá trị có Datasheet nhận thấy độ tuyến tính mạch đạt điểm nén P1dB 128W công suất mà mạch độ tuyến tính có với điểm nén P1dB Datasheet 152W, kết mô cho thấy điểm nén công suất đầu mạch khuếch đại HUST | NGUYỄN TRUNG THÀNH - CB160167 63 LUẬN VĂN THẠC SĨ 2018 Doherty 128W