The LNA has successfully been fabricated using microtrip technology and pHEMT transistor amplifier with following specifications: Maximum overall gain is 23.9 dB, o[r]
Đang tải... (xem toàn văn)
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
| Định dạng | |
|---|---|
| Số trang | 9 |
| Dung lượng | 7,95 MB |
Nội dung
The LNA has successfully been fabricated using microtrip technology and pHEMT transistor amplifier with following specifications: Maximum overall gain is 23.9 dB, o[r]
Ngày đăng: 25/01/2021, 09:13
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN