1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Application of Bond-valence Modelling Method for Illustration of Point Defects in Semiconductors

5 11 0

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 5
Dung lượng 236,39 KB

Nội dung

To estimate a valence, or alias a bonding electron density, at arbitrary fixed point in a space between atoms, we assume that a thermal fluctuation of atoms at[r]

Ngày đăng: 17/01/2021, 11:52

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w