1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Nghiên cứu đề xuất bộ dao động nội cho máy thu tín hiệu truyền hình quảng bá qua vệ tinh vinasat 1 luận văn ths kỹ thuật điện tử viễn thông 60 44 03

91 15 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  Nguyễn Thị Thảo NGHIÊN CỨU ĐỀ XUẤT BỘ DAO ĐỘNG NỘI CHO MÁY THU TÍN HIỆU TRUYỀN HÌNH QUẢNG BÁ QUA VỆ TINH VINASAT - LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội – 2011 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  Nguyễn Thị Thảo NGHIÊN CỨU ĐỀ XUẤT BỘ DAO ĐỘNG NỘI CHO MÁY THU TÍN HIỆU TRUYỀN HÌNH QUẢNG BÁ QUA VỆ TINH VINASAT - Chuyên ngành: Vật lý vô tuyến điện tử Mã số: 60 44 03 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS Bùi Trung Hiếu Hà Nội – 2011 MỤC LỤC Lời mở đầu……………………………………………………… ………………… Chương 1: Giới thiệu……………………………………………… ……………… 1.1 Khái quát hệ thống truyền hình vệ tinh, máy thu vệ tinh………… ………….3 1.1.1 Hệ thống truyền hình vệ tinh……………………………….…………….3 1.1.2 Máy thu truyền hình vệ tinh………………………………… ………… 1.2 Đối tượng mục đích đề tài………………………………………… ……….10 1.3 Cấu trúc luận văn……………………………………………………… …… 11 Chương 2: Một số mơ hình dao động nội máy thu truyền hình vệ tinh 12 2.1 Bộ dao động nội máy thu truyền hình vệ tinh……… ……………… 12 2.1.1 Các vấn đề chung tạo dao động………………….………………… 12 2.1.2 Bộ dao động máy thu truyền hình……………………………… 14 2.2 Các tham số đặc trưng……………………………………………………….….16 2.2.1 Ổn định biên độ dao động tần số dao động……………………….….16 2.2.1.1 Ổn định biên độ dao động…………………………………… 16 2.2.1.2 Ổn định tần số dao động……………………………………….17 2.2.2 Tiêu hao khung cộng hưởng biến đổi trở kháng……………18 2.2.3 Sự khởi động…………………………………………………………….19 2.3 Mơ hình dao động riêng……………………………………………………… 22 2.3.1 Bộ dao động cặp ghép chéo dao động Colpitts………………… 22 2.3.2 Bộ dao động tụ điện nối chéo………………………………………… 25 2.4 Mơ hình dao động cầu phương…………………………………………………27 2.4.1 Một số vấn đề ghép cầu phương…………………………………… 27 2.4.2 Mơ hình triển khai dao động cầu phương……………………….35 Chương 3: Bộ dao động cầu phương cho máy thu truyền hình quảng bá qua VINASAT-1………………………………………………………………………… 40 3.1 Vệ tinh VINASAT-1…………………………………………………………… 40 3.1.1 Giới thiệu……………………………………………………………… 40 3.1.2 Các tham số đặc trưng………………………………………………… 41 3.1.3 Yêu cầu máy thu tín hiệu truyền hình từ VINASAT-1…….… 43 3.2 Đề xuất mơ hình dao động cầu phương…………………………………….43 3.2.1 Tính toán số phần tử……………………………………………….46 3.2.2 Bộ đệm………………………………………………………………….48 3.2.2.1 Các mơ hình đệm tín hiệu nhỏ…………………………… 49 3.2.2.2 Các đệm thực tế…………………………………………….53 3.2.3 Điện cảm……………………………………………………………… 54 3.2.4 Điều chỉnh tần số……………………………………………………….56 3.3 Bộ dao động cầu phương đề xuất cho máy thu tín hiệu truyền hình qua VINASAT-1………………………………………………………………………… 61 3.3.1 Sơ đồ dao động………………………………………………… … 61 3.3.2 Các tham số bản………………………………………………… ….63 Kết luận………………………………………………………………………………66 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1: Truyền dẫn tín hiệu hệ thống DBS…………… …………………… Hình 1.2: Một vệ tinh GEO điển hình triển khai cho dịch vụ DBS……… Hình 1.3: Cấu trúc chuyển tiếp sóng mang RF vệ tinh GEO………………… Hình 1.4: Một anten thu điển hình thu giải mã tích hợp (IRD: Integrated Receiver Decoder) nhà khách hàng…………………………………………………….…… Hình 1.5 Sơ đồ khối đầu cuối thu DBS TV/FM……………………………………….8 Hình 2.1: Sơ đồ tổng quát mạch dao động…………………………………… …12 Hình 2.2: Mạch cộng hưởng LC với dạng sóng cho dịng điện ban đầu xác định……………………………………………………………………………………15 Hình 2.3: Biến đổi điện trở nối tiếp thành song song………………………….…… 18 Hình 2.4: Tách dao động để xác định tỉ lệ khởi động……………………….…… 19 Hình 2.5: Các phần tử nguồn nhiễu dao động LC………………….…… 20 Hình 2.6: Phác họa lý tưởng hóa vùng nhiễu pha thường có hầu hết dao động tích hợp, loại trừ nhiễu biên độ………………………………………….21 Hình 2.7: Sơ đồ dao động cặp ghép chéo (a) dao động Colpitts (b)… 23 Hình 2.8: Sơ đồ mạch tương đương dao động tụ điện nối chéo……………25 Hình 2.9: Sự phụ thuộc pha thay đổi dựa thời điểm đưa vào xung dòng điện…………………………………………………………………………………….28 Hình 2.10: Phác họa liên kết cầu phương lý tưởng dựa truyền động o xung dòng điện dịch pha 90 bắt nguồn từ đỉnh điện áp lối vào……………29 Hình 2.11: Mơ tả nhiễu lấy trung bình hàm cường độ liên kết………….31 Hình 2.12: Sơ đồ tóm tắt liên kết cầu phương lý tưởng dựa loạt xung o dòng điện dịch pha 90 xuất phát từ đỉnh điện áp khác Các mũi tên cho biết chuyển giao thông tin pha hai khung cộng hưởng…………………………32 Hình 2.13: Sơ đồ dao động cặp ghép chéo liên kết cầu phương……35 Hình 2.14: Sơ đồ dao động Colpitts liên kết cầu phương………… 36 Hình 2.15: Sơ đồ CCO liên kết cầu phương……… ……………………… 37 Hình 2.16: Khung cộng hưởng khơng bao gồm phần tử tích cực cho thấy hai nút liên kết xảy ra……… … …………………………………………………… …37 Hình 3.1: Sơ đồ phân cực tần số băng C………….…………………………… …42 Hình 3.2: Sơ đồ phân cực tần số băng Ku………… …………………………… 43 Hình 3.3: Mơ hình khối thu vệ tinh Zero-IF………………………………………….44 Hình 3.4: Mô tả phổ hạ tần theo hai sơ đồ khác Các khối hình chữ nhật……….45 Hình 3.5: Sự chuyển mạch dịch pha để nhận hai băng tần bên bên dưới……….………………………………………………………………………… 47 Hình 3.6: sơ đồ (a) mơ hình tín hiệu nhỏ (b) đệm nguồn chung…… 49 Hình 3.7: Sơ đồ đệm nguồn chung/bộ đổi điện tầng………….………51 Hình 3.8: Sơ đồ (bên trái) mơ hình tín hiệu nhỏ (bên phải) đệm lặp nguồn………………………………….……………………………………………….52 Hình 3.9: Độ tự cảm Q so với tần số cho điện cảm với đường kính 10 m [1]………………… ………………………….…………………… …………55 Hình 3.10: Đường cong C-V m2 điốt biến dung……………………………….58 Hình 3.11: Đường cong C-V điốt biến dung có kích thước tối thiểu (120 60 nm) …………………………… ……………………………………….58 Hình 3.12: Sơ đồ thể kết nối điốt điện dung…………………………………….59 Hình 3.13: Sơ đồ thể kết nối điện dung thay thế…………………………………59 Hình 3.14: Sơ đồ mạch Colpitts lấy tín hiệu I từ cộng hưởng…………………… 62 Hình 3.15: Sơ đồ mạch Colpitts lấy tín hiệu Q từ cộng hưởng ………………… 62 Hình 3.16: Sơ đồ nguồn chung tầng khơng đối xứng/bộ đệm đảo…………… 63 Hình 3.17: Tín hiệu đầu dao động tần số 11.7GHz………………… …65 DANH MỤC BẢNG Bảng 3.1: So sánh cấu trúc liên kết khác dao động [1]…………… 63 Bảng 3.2: Điện dung tính cho phát đáp băng – Ku Vinasat – 1…….64 CHỮ V ADC Analog-to-Digital Converter AGC Automatic Gain control CCO Crossed-Capacitor Oscillator DBS Direct Broadcast Satellite EPG Electronic Program Guide FEC Forward Error Correction FoM Figure of Merit GEO Geostatinary Earth Orbit IDU In Door Unit IF Immediate Frequency IRD Integrated Receiver Decoder IRR Image - Rejection Ratio ISF Impulse Sensitivity Function LHC Left-Hand Circular LNA Low Noise Amplifier LNB Low Noise Block LNC Low Noise Converter LSB Least Significant Bit LO Local Oscillator ODU Out Door Unit PLL Phase Locked Loop PSD Power Spectral Density QPSK Quadrature Phase Shift Keying RHC Right-Hand Circular SFD Saturated Flux Density S/N Signal/noise SSB Single-Sideband TWT Travelling Wave Tube UHF Ultra High Frequency VCO Voltage-Controlled Oscillator VHF Very High Frequency W/L Width/Length Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Lời mở đầu Năm 2008 nước ta có vệ tinh riêng VINASAT-1 Đây vệ tinh viễn thông dịch vụ quảng bá cung cấp nhiều đặc biệt dịch vụ truyền hình vệ tinh Đối với máy thu vệ tinh nói chung máy thu truyền hình quảng bá nói riêng viêc tạo sóng mang sử dụng cho q trình trộn tần đóng vai trị quan trọng việc định chất lượng máy thu Mặc dù chất lượng hình ảnh từ thu tín hiệu truyền hình vệ tinh tốt giá thiết bị tương đối đắt Hơn khối tạp âm thấp (LNB) giải mã thường tách thành hai phần quen thuộc khối trời (ODU) khối nhà (IDU) Hai thành phần nối với cáp có tổn hao Cáp thường dùng để cấp điện chiều cho LNB, địi hỏi phải có thêm đường dây cấp điện cho giải mã Vì lý mà thu vệ tinh đắt nhiều sản xuất lắp đặt so với chọn sóng TV thơng thường Hiện nay, quy trình CMOS thu hẹp độ dài transistor độ mỏng oxit cực cửa hết, tạo chuyển đổi tương tự số (ADC) nhanh xác Vậy nên chuyển đổi trực tiếp hoàn toàn băng Ku lựa chọn Khơng có tầng IF trung gian, hệ số hiệu suất dao động thấp cho phép làm cho việc chuyển đổi hoàn toàn RF thành băng gốc chip CMOS có kích thước hợp lý lựa chọn Với giải pháp thu tín hiệu vệ tinh CMOS chíp, giá thành sản phẩm lắp đặt giảm đáng kể, tính linh hoạt tăng Trọng tâm luận văn đề xuất dao động điều khiển số tích hợp Đối với biến đổi trực tiếp đòi hỏi dao động cầu phương khóa vào tinh thể thạch anh bên ngồi cách thức vịng khóa pha (PLL) Hiệu suất loại dao động cầu phương LC so sánh: Bộ dao động Colpitts, dao động cặp ghép chéo dao động tụ điện chéo Luận văn so sánh dao động cầu phương dao động đơn Mặc dù dao động cặp ghép chéo đạt FoM cao dao động tụ điện chéo đạt IRR cao Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Trong [12] điện cảm 400pH hình bát giác, Q tần số cộng hưởng tối ưu thiết kế hai vòng với độ rộng đường m khoảng cách đường 10 m Trong trường hợp đó, Q = 26 10GHz tần số cộng hưởng vào khoảng 40GHz Cộng hưởng chọn cách xa tần số hoạt động, đỉnh điện cảm có ảnh hưởng bên tần số cộng hưởng Điều dẫn đến ảnh hưởng khơng kiểm sốt đường cong điều chỉnh hiệu ứng không mong muốn khác, thích hợp để có độ dốc điện cảm xung quanh tần số hoạt động vừa phải Đối với điện cảm lựa chọn, đồ thị điện cảm Q so với tần số biểu diễn hình 3.9 Hình 3.9: Độ tự cảm Q so với tần số cho điện cảm với đường kính 10 m [12] 55 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Điện cảm nhỏ nhạy với ký sinh, đặc biệt điện trở liên kết, nhạy với độ tự cảm ký sinh Điện cảm tính theo cơng thức sau [18]: L l 2l r Trong l độ dài dây r bán kính, dây giả định hình trụ Trong ln thực tế, biểu thức hữu ích cho việc xấp xỉ dây khơng phải hình trụ, độ dài yếu tố quan trọng nhất, hình dạng mặt cắt ngang xác thực không quan trọng Trong nghiên cứu khác, người ta quan sát thấy bỏ qua ảnh hưởng dẫn đến dịch chuyển âm xung quanh 1GHz tần số dao động khung cộng hưởng LC [11] Thậm chí gây hại bao quanh diện tích A vòng dây, bên [18]: Ll oop A Ngồi độ tự cảm, bao quanh diện tích vịng dây, chí phần đoạn uốn cong lớn, dẫn đến ghép tương hỗ phận khác mạch Điều giảm thiểu cấu trúc bố trí “Manhattan”, đường ngang dọc vẽ lớp kim loại khác đường thẳng ngược pha chạy song song toàn độ dài chúng Khi độ tự cảm ký sinh khơng thể tách nhờ cách bố trí, người ta phải cẩn thận để không thực chu kì dịng điện 3.2.4 Điều chỉnh tần số Nhiều thơng số q trình có dung sai định, dẫn đến khác biệt mạch thiết kế giống Điều quan trọng khác biệt biến đổi tần số dao động Trong luận văn, ý tưởng bù đắp cho khác biệt sản xuất, dự kiến gây độ lệch tần số 5% , cách hiệu chuẩn khởi động thực điều chỉnh PLL sử dụng khối điều chỉnh tần số tốt 56 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Việc điều chỉnh tần số thực cách sử dụng điện dung biến đổi điều chỉnh kỹ thuật số (các điốt biến dung) theo mảng lớn, gọi dãy điốt điện dung Hiệu chuẩn khởi động thực cách sử dụng dãy điốt điều chỉnh giá trị thô điều chỉnh vi cấp liên tục thực sử dụng dãy điốt điện dung điều chỉnh giá trị tinh Trong hình 3.10, điện dung cực cửa so với điện áp điều khiển vẽ cho NMOST Điện dung ổn định xung quanh 0V điện áp lớn 1,2V Điều khai thác cách chuyển đổi điện áp điều khiển kỹ thuật số hai vùng chắn dao động AC nhỏ Bằng cách điện dung tuyến tính bị biến đổi (ví dụ, điện áp cung cấp khơng liên tục) Về nguyên tắc, điốt biến dung tương ứng với bit điều khiển nhị phân, điốt biến dung khác điện dung chuyển đổi cặp nhân tố Đối với dãy điốt biến dung điều chỉnh giá trị tinh, chuyển đổi nhị phân hồn tồn gây khơng đơn điệu dải điều chỉnh tần số, mã nhiệt kế sử dụng cho bít quan trọng nhất, hạn chế điện dung chuyển mạch tối đa thành phần tới LSB Ngoài ra, điện dung điốt biến dung không tỉ lệ tuyến tính với diện tích hiệu ứng biên Điều thấy rõ ràng so sánh hình 3.10 hình 3.11 Để giảm kích thước điốt biến dung, số lượng điện dung cố định tăng lượng biến đổi 57 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Hình 3.10: Đường cong C-V m2 điốt biến dung Hình 3.11: Đường cong C-V điốt biến dung có kích thước tối thiểu (120 60 nm) 58 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Đối với dao động Colpitts, cách tự nhiên để bổ sung điốt biến dung đưa hình 3.12 Các điện dung C1' C2' chia thành điện dung, với C3 điện dung biến đổi, minh họa hình 3.13 Trong dao động thực, C4 thực tụ điện vi sai nửa điện dung quy định Hình 3.12: Sơ đồ thể kết nối điốt điện dung Hình 3.13: Sơ đồ thể kết nối điện dung thay 59 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Điện dung đầu vào khung cộng hưởng trường hợp đó: C in C1 nt C3 Tỉ lệ chia điện dung n nút C C4 xác định nhiễu pha [15] Đối với C biến thiên, khơng thể giữ không đổi, biểu thức cho bên dưới: C' n C' C ' C3 xuất mẫu số, ảnh hưởng giảm thiểu cách lựa chọn C1 lớn, thông thường C phải đủ lớn để đạt tỉ lệ chia 0,3 Điều đặt giới hạn thấp thay đổi giới hạn C 3C4 Để tránh thay đổi n, thay đổi C 4, điều làm gia tăng kí sinh cho mạch, làm giảm nhiễu pha IRR biến đổi n Ngồi ra, số nghiên cứu cho 0,3 khơng phải lúc n tối ưu cho cấu hình cầu phương; thực tế, tối ưu cho n không xác định Tụ điện vi sai C4 để tiếp đất tốt ảnh hưởng đến tính đối xứng dạng sóng dao động vi sai Do khơng thích hợp để thực điều chỉnh với điện dung (như biểu diễn hình 3.12), điện dung điều chỉnh tiếp đất Tuy nhiên, phương pháp không chuyển đổi điện trở nối tiếp âm dao động thành giá trị không mong muốn, thực tế giải pháp Cũng kết nối điện dung điều chỉnh với khung cộng hưởng phương pháp tụ chéo phụ Phương pháp làm cho điện dung điều chỉnh dễ dàng dao động điện áp, khơng có điện dung song song làm giảm dao động Tức tụ điện chéo phải nhỏ dãy điốt điện dung cuối chiếm lớn diện tích chíp 60 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo * Điều chỉnh tuyến tính Tần số dao động khơng tuyến tính với điện dung, tỉ lệ với nghịch đảo bậc hai Đối với biến đổi điện dung tương đối nhỏ , xấp xỉ tuyến tính hợp lệ, coi f Đường cong điều chỉnh khơng tuyến tính với lệnh điều chỉnh, đơn giản hóa sử dụng để kiểm tra bước điều chỉnh theo thứ tự độ lớn Lưu ý rằng, kích thước bước tăng tần số cao hơn, thay đổi liên tục điện dung sau nhân với tần số khởi đầu lớn 3.3 Bộ dao động cầu phương đề xuất cho máy thu tín hiệu truyền hình qua VINASAT-1 3.3.1 Sơ đồ dao động Sơ đồ dao động cầu phương đề xuất minh họa hình 3.14 hình 3.15 + - + - với kích thước transistor ghi kèm Các lối I , I , Q Q đệm đệm minh họa hình 3.16 Sự bổ sung điốt kỹ thuật số kèm không hiển thị [12] 61 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Hình 3.14: Sơ đồ mạch Colpitts lấy tín hiệu I từ cộng hưởng Hình 3.15: Sơ đồ mạch Colpitts lấy tín hiệu Q từ cộng hưởng 62 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Hình 3.16: Sơ đồ nguồn chung tầng không đối xứng/bộ đệm đảo 3.3.2 Các tham số Mặc dù dao động cặp ghép chéo đạt FoM cao dao động tụ điện chéo đạt IRR cao nhất, dao động Colpitts đề xuất, hiệu suất IRR hợp lý khả hoạt động điện cung cấp cao dao động cặp nối chéo, cho phép hiệu suất nhiễu pha ổn định Bảng 3.1: So sánh cấu trúc liên kết khác dao động [12] Theo (3.21) giảm ảnh hưởng C cách lựa chọn C1 lớn, C4 phải đủ lớn để đạt tỉ lệ chia 0,3 Điện dung dao động tính theo cơng 63 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo thức (2.21) Kết tính tốn điện dung dao động ứng với kênh truyền xuống băng Ku Vinasat-1 với L = 400pH bảng bên dưới: Kênh K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 K10 K11 K12 Bảng 3.2: Điện dung tính cho kênh băng – Ku Vinasat – Để điều chỉnh Cvar , phân thành dãy: Dãy điều chỉnh giá trị thô bao gồm điốt điện dung dãy điều chỉnh giá trị tinh bao gồm cỏc it 0.76 m 0.76 m in dung 0.14àmì0.14àm, vi bước điều chỉnh tối thiểu ước tính 500kHz Mỗi dãy tạo thành 63 thành phần (tương đương với bít sơ đồ điều khiển nhị phân), với thành phần 8LSB, thành phần 4LSB thành phần 1LSB Do đó, khơng có thành phần lớn 8LSB cần chuyển mạch, để ngăn ngừa không đơn điệu không phù hợp Điện áp đặt vào điốt biến dung có giá trị thay đổi từ 0V đến 2V Thay qt tồn dải điện áp để chọn kênh mong 64 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo muốn tức chọn giá trị Cvar ứng với kênh truyền xuống giá trị Cvar ta gán cho mã định Dạng sóng tín hiệu đầu dao động thể hình 3.17 (theo mơ Frank Leong [12]) Hình 3.17: Tín hiệu đầu dao động tần số 11.7GHz * Tổng kết chương Chương 3, tác giả giới thiệu vệ tinh Vinasat-1, tham số đặc trưng vệ tinh, đưa yêu cầu máy thu tín hiệu truyền hình từ Vinasat-1 Trong chương này, tác giả sâu phân tích tính tốn tham số cho dao động cầu phương, dao động đề xuất cho máy thu tín hiệu truyền hình vệ tinh qua Vinasat-1: Bộ đệm, điện cảm, điều chỉnh tần số; đưa sơ đồ tham số tính cho kênh truyền xuống băng Ku Vinasat-1 65 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo KẾT LUẬN * Kết đạt luận văn Sau xem xét nhiều cách tạo tín hiệu dải băng tần sở khác máy thu vệ tinh băng Ku, kết luận dao động LC cầu phương dạng Colpitts đề xuất hoạt động tốt dải tần 10.9 11.9 GHz với tỷ lệ loại bỏ tần số ảnh 30dB nhiễu pha -85dBc/Hz 100kHz, dao động phù hợp cho máy thu tín hiệu truyền hình từ Vinasat-1 Với thời gian hạn hẹp luận văn giới thiệu tổng quan hệ thống thu vệ tinh nay; nghiên cứu dao động (bộ dao động cầu phương): Bộ dao động cặp ghép chéo, dao động Colpitts dao động tụ điện nối chéo phù hợp với hệ thống thu homodyne (chuyển đổi Zero-IF); đề xuất dao động phù hợp với dải tần băng Ku Vinasat-1 đưa số thơng số tính tốn cho dao động đề xuất Ngồi ra, tác giả có bước đầu thành công việc ứng dụng simulink matlab để mô linh kiện điện tử Nội dung luận văn có lợi cho việc thiết kế dao động ứng dụng thực tế để bước đưa hệ thống thu homodyne vào hoạt động Việt Nam * Hướng nghiên cứu Thiết kế dao động cầu phương sử dụng cho hệ thống thu homodyne để đáp ứng nhu cầu thiết thực vấn đề cần thiết để truyền hình vệ tinh ngày trở nên phổ biến Theo hướng này, dự kiến học viên tương lai là: - Tiếp tục nghiên cứu, tính toán, thiết kế đầy đủ cho dao động đề xuất - Cùng nhóm nghiên cứu, thiết kế đầy đủ máy thu tín hiệu truyền hình từ Vinasat-1 - Mở rộng tìm hiểu, nghiên cứu truyền dẫn vơ tuyến ứng dụng viễn thông đại, ứng dụng Việt Nam 66 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng việt [1] Lê Xuân Thê (2005), Dụng cụ bán dẫn vi mạch, NXB giáo dục, Hà Nội [2] Ngạc Văn An, Đặng Hùng, Nguyễn Đăng Lâm, Lê Xuân Thê, Đỗ Trung Kiên (2006), Vô tuyến điện tử, NXB giáo dục, Hà Nội [3] Nguyễn Phạm Anh Dũng (2007), Thơng tin vệ tinh, Trung tâm đào tạo bưu viễn thông 1, mã số 411TVT360, Hà Nội [4] Vinasat -1: http://vi.wikipedia.org/wiki/Vinasat-1 Tiếng anh [5] Ahmad Mirzaei et al (Sep 2007), The Quadrature LC Oscillator:A Complete Portrait Based on Injection Locking, IEEE Journal of Solid-State Circuits,vol.42, no.9, pp.1916– 1932 [6] Alan W.L.Ng and Howard C.Luong (Feb 2006), A 1V 17GHz 5mW Quadrature CMOS VCO based on Transformer Coupling, ISSCCD ig Of Tech Papers, pp.711-720 [7] Ali Hajimiri and Thomas H.Lee (Feb.1998), A General Theory of Phase Noise in Electrical Oscillators, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.33, no.2, pp.179–194 [8] Alper Demir (Sep.2006), Computing Timing Jitter From Phase Noise Spectra for Oscillators and Phase-Locked Loops With White and 1/f Noise, IEEE Transactions on Circuits and Systems—I: Regular Papers, vol.53, no.9, pp.1869–1884 [9] Behzad Razavi (1998), RF microelectronics, Prentice Hall, Upper Saddle River, ISBN 0-13-887571-5 [10] Domine M.W.Leenaerts et al (July 2003), A 15-mW Fully Integrated I/Q Synthesizer for Bluetooth in 0.18-µm CMOS, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.38, no.7, pp.1155–1162 67 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo [11] Edwin van der Heijden and Cicero S.Vaucher (Mar.2007), Low Phase Noise, Low Power Ka-Band (18GHz) LC-VCOs in QUBiC4X, NXP Semiconductors Technical Note NXP-R-TN 2007/00079, NXP Restricted [12] Thesis, Frank Leong (2007), Design of an oscillator for satellite reception, M.Sc [13] Lukman Sharif, Munir Ahmed, and Nauman Sharif (March 2011), Direct Broadcast Satellite (DBS) Television Systems, International Journal of Research and Reviews in Wireless Communication, Vol 1, No [14] Pepijn van de Ven et al (2001), An optimally coupled 5GHz quadrature LC oscillator, Symposium on VLSI Circuits Dig of Tech Papers, pp.115–118 [15] Pietro Andreani et al (May 2005), A Study of Phase Noise in Colpitts and LCTank CMOS Oscillators, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.40, no.5, pp.1107– 1118 [16] Roberto Aparicio and Ali Hajimiri (Dec.2002), A Noise-Shifting Differential Colpitts VCO, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.37, no.12, pp.1728–1736 [17] Sander L.J Gierkink et al (July 2003), ALow-Phase-Noise 5-GHz CMOS Quadrature VCO Using Super harmonic Coupling, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.38, no.7, pp.1148–1154 [18] Thomas H.Lee (2004), Planar Microwave Engineering, Cambridge University Press, Cambridge, ISBN0-521-83526-7 68 Trường ĐH Khoa học Tự nhiên Khoa Vật lý ... đích đề tài………………………………………… ……… .10 1. 3 Cấu trúc luận văn? ??…………………………………………………… …… 11 Chương 2: Một số mơ hình dao động nội máy thu truyền hình vệ tinh 12 2 .1 Bộ dao động nội máy thu truyền hình vệ. .. lý Luận văn thạc sỹ khoa học Nguyễn Thị Thảo Chương 2: Một số mơ hình dao động nội máy thu truyền hình vệ tinh 2 .1 Bộ dao động nội máy thu truyền hình vệ tinh 2 .1. 1 Các vấn đề chung tạo dao động. .. ……………… 1. 1 Khái quát hệ thống truyền hình vệ tinh, máy thu vệ tinh? ??……… ………….3 1. 1 .1 Hệ thống truyền hình vệ tinh? ??…………………………….…………….3 1. 1.2 Máy thu truyền hình vệ tinh? ??……………………………… ………… 1. 2 Đối

Ngày đăng: 20/11/2020, 08:59

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w