Chế tạo và nghiên cứu tính chất vật liệu nano bền batio2

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ HẠNH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LIỆU NANO NỀN BaTiO3 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2014 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ HẠNH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LIỆU NANO NỀN BaTiO3 Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 60440104 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỞI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS NGUYỄN NGỌC ĐỈNH Hà Nội - 2014 Lời cảm ơn Trước hết, em xin bày tỏ lịng kính trọng biết ơn sâu sắc tới Thầy giáo: TS Nguyễn Ngọc Đỉnh Người thầy ân cần dạy bảo, tận tình hướng dẫn em suốt trình thực luận văn vừa qua Nếu khơng có lời hướng dẫn thầy, em nghĩ luận văn em khó hồn thiện Một lần nữa, em xin chân thành cảm ơn thầy Em xin chân thành cảm ơn tất thầy - cô giáo tận tình dạy dỗ truyền đạt kiến thức quý báu cho em thời gian học tập rèn luyện trường Em xin gửi tới thầy – cô ban giám hiệu nhà trường tồn thể thầy giáo khoa Vật Lý thể cán bộ, nghiên cứu sinh, sinh viên Bộ mơn Vật lý chất rắn; Phịng Hóa lý – Khoa Hóa – Trường ĐH Khoa học tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi hướng dẫn giúp đỡ em trình thực luận văn với biết ơn lịng kính trọng Em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình bạn bè, người ln giúp đỡ, động viên em suốt trình học tập thực luận văn Hà Nội, ngày 08 tháng 12 năm 2014 Học viên: Nguyễn Thị Hạnh LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan tất kết trình bày luận văn kết nghiên cứu hướng dẫn khoa học TS Nguyễn Ngọc Đỉnh Các số liệu kết luận văn hoàn toàn trung thực khơng có chép từ cơng bố người khác mà khơng có trích dẫn mục tài liệu tham khảo Tác giả luận văn Nguyễn Thị Hạnh DANH MỤC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu AB03 T CMR Tên Tiếng Việt Vật liệu perovskite Góc therta Nhiệt độ Colossal magnetoresistance – Từ trở khổng lồ O Oxi C Nguyên tố Cacbon Năng lượng cấm nm Nano met N Nguyên tố Nitơ Ba Nguyên tố Bari Ca Nguyên tố Canxi Ce Nguyên tố Xeri Y Nguyên tố Yttri Sr Nguyên tố Stronti Ti Nguyên tố Titan La Nguyên tố Lantan EDS Tán sắc lượng SEM Kính hiển vi điện tử quét XRD Nhiễu xa tia X K Nguyên tố Kali PTC Hiệu ứng hệ số nhiệt điện trở dương ( Posistive thermoresistivity coefficient) PZT Vật liệu PbZr1-xTiO3 KDP VRH Hợp chất KH2PO4 Mô hình bước nhảy biến đổi P, P Véctơ phân cực độ lớn W Năng lượng kích hoạt cho trình nhảy điện tử V(r) Thế tương tác điện tử Tc E, E Nhiệt độ chuyển pha Curie Véctơ cường độ điện trường độ lớn Ea I Năng lượng kích hoạt điện tử dẫn Cường độ dòng điện U Hiệu điện R Điện trở Z,Z’,Z” Tổng trở, phần thực tổng trở, phần ảo tổng trở kB Hằng số Boltzmann rP ω Bán kính Polaron Tần số góc τ Thời gian hồi phục ε , ε’, εr , εr’ Phần thực số điện môi tương đối/độ thẩm điện môi tương đối ε0 ρ Độ thẩm điện môi chân không Điện trở suất σ Độ dẫn điện υ Chiều cao hàng rào DANH MỤC HÌNH ẢNH Tên hình vẽ Trang Hình 1.1 : Cấu trúc Perovskite lý tưởng Hình 1.2: a, Năng lượng tương tác ion B 4+ O 2- hàm khoảng cách R ion b, Sự tạo thành giếng kép mạng ion perovskite sắt điện Hình 1.3 : Pha cấu trúc độ phân cực tự phát BaTiO3 Hình 1.4: Độ phân cực tự phát pha cấu trúc khác BaTiO Hình 1.5: a, Đường trễ sắt điện b, Đường trễ sắt điện tinh thể đơn 10 moomen (nét đứt) mẫu đa mômen( nét liền) Hình 1.6: Mơ hình cấu trúc Đơmen vách Đơmen vật liệu sắt điện ̣ ̣cua Hình 1.7: Hằng sốđiêṇ môi phu ̣thuôc ̣ vao nhiêṭđô BaTiO ̣̀ ̣̉ εa : Độ thẩm điện môi ứng với trường đặt dọc theo trục a, b 11 13 εc : Độ thẩm điện môi ứng với điện trường đặt dọc theo trục c Hình 1.8: Hiệu ứng PTC vật liệu BaTiO3 pha tạp điện Hình 2.1: Giản đồ thời gian trình nung thiêu kết 14 19 Hình 2.2 Sơ đồ tia tới tia phản xạ tinh thể 20 Hình 2.3: Nhiễu xạ kế tia X Brucker D5005 (Đức) – Khoa Vật lý, Trường đại học Khoa học tự nhiên, ĐHQGHN Hình 2.4 Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử quét SEM 21 22 Hình 2.5: Kính hiển vi điện tử quét (SEM), NanoSEM 450 23 Hình 2.6: Giản đồ vectơ tổng trở Z 26 Hình 3.1: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu chế tạo 27 Hình 3.2: Cấu trúc bề mặt mẫu chế tạo 28 Hình 3.3 : Đường cong ε (T) BaTiO3 pha tạp 1% La ( f = 1kHz) 29 Hình 3.4 : Đường cong ε(T) BaTiO3 pha tạp 2% La ( f = 1kHz) 30 Hình 3.5 : Đường cong ε(T) BaTiO3 pha tạp 3% La ( f = 1kHz) 30 Hình 3.6 : Đường cong ε(T) BaTiO3 pha tạp 4% La ( f = 1kHz) 31 Hình 3.7 : Đường cong ε(T) BaTiO3 pha tạp 5% La ( f = 1kHz) Hình 3.8: Đường cong Cole – Cole hệ mẫu BaTiO3 pha tạp La 31 33 Hình 3.9: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 không pha tạp La nung thiêu 35 o kết 1250 C 4h Hình 3.10: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 1% nung thiêu o kết 1250 C 4h Hình 3.11: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 2% nung thiêu o kết 1250 C 4h Hình 3.12: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 3% nung thiêu o kết 1250 C 4h Hình 3.13: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 4% nung thiêu o kết 1250 C 4h Hình 3.14: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 5% nung thiêu o kết 1250 C 4h 36 37 38 39 40 MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU PEROVSKITE SẮT ĐIỆN .4 1.1 Tổng quan Vật liệu Perovskite sắt điện .4 1.2 Một số đặc trưng vật liệu sắt điện 1.2.1 Vật liệu perovskite sắt điện 1.2.1.1 Đặc điểm vật liệu perovskite sắt điện 1.2.1.2 Độ phân cực tự phát 1.2.1.3 Sự phân cực perovskite sắt điện 1.2.1.4 Hiện tượng điện trễ - Cấu trúc đômen (domain) 1.2.1.4.1 Hiện tượng điện trễ 1.2.4.2 Cấu trúc đômen (domain) vật liệu sắt điện 11 1.2.1.5 Điểm Curie chuyển pha vật liệu sắt điện .11 1.2.2 Hiệu ứng nhiệt điện trở dương (PTC) vật liệu BaTiO3 pha tạp điện tử 13 CHƯƠNG PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 16 2.1 Công nghệ chế tạo 16 2.1.1 Quy trình chế tạo vật liệu: 16 2.1.2 Ép nung thiêu kết 18 2.1.3 Gia công mẫu phủ cực 19 2.2 Các phương pháp đo 20 2.2.1 Nhiễu xạ kế tia X ( XRD) 20 2.2.2 Kính hiển vi điên tử quét (SEM) 22 2.2.3 Phổ tán sắc lượng EDS .24 2.2.3 Hệ đo điện trở phụ thuộc nhiệt độ .25 2.2.4 Hệ đo  (T,f) 25 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27 3.1 Hệ mẫu 27 3.2 Kết nhiễu xạ tia X 27 3.3 Kết khảo sát cấu trúc bề mặt 28 3.4 Sự phụ thuộc số điện môi vào nhiệt độ 29 3.5 Hằng số điện môi phụ thuộc vào tần số mẫu 32 3.6 Thành phần hóa học (phổ EDS, PIXE ICP-MS) .35 KẾT LUẬN 43 TÀI LIỆU THAM KHẢO .44 Hình 3.8: Đường cong Cole – Cole hệ mẫu BaTiO3 pha tạp La Nhìn vào hình 3.8, ta thấy đường cong Cole – Cole vật liệu xuất hai cung tròng ứng với tần số đặc trưng khác Đây cộng hưởng điện môi biên hạt hạt [1], [14], [16] Các thông số đặc trưng hạt biên hạt phân tích thông qua việc làm phù hợp đường cong Cole – Cole thực nghiệm với mạch tương đương gồm điện trở tụ điện song song mắc nối tiếp Mỗi cặp điện trở tụ điện song song ứng với điện trở tụ điện tương đương biên hạt hạt Kết phân tích liệt kê bảng 3.3 với mẫu pha tạp từ 1% - 5% Rgb(Ohm) Rb(Ohm) fgb (kHz) fb (MHz) Mẫu x=0.01 8100 1501 101 60 x=0.02 7500 1000 157 45 x=0.03 7800 430 147 30 x=0.04 8400 427 145 26 x=0.05 8350 410 130 28 Bảng 3.3: Các giá trị phân tích đặc trưng hạt biên hạt 33 Các kết phân tích cho thấy nhiệt độ phịng, mẫu có điện trở biên hạt Rgb gần khơng thay đổi đó, điện trở hạt Rb có xu hướng giảm mạnh Điều chứng tỏ, ion La 3+ vào tinh thể thay ion Ba 2+ nên làm tăng nồng độ điện tử dẫn vật liệu dẫn tới giảm điện trở hạt Trong đó, biên hạt khơng có cấu trúc cụ thể nên điện trở biên hạt không phụ thuộc vào nồng độ pha tạp Kết phân tích cho thấy mẫu pha tạp điện tử này, điện trở đóng góp chủ yếu biên hạt nồng độ pha tạp tăng, cho ta hướng nghiên cứu vật liệu PTC (vật liệu có hệ số nhiệt điện trở dương) để làm giảm điện trở nhiệt độ phòng họ vật liệu tòm cách làm giảm điện trở biên hạt Đây kết nhận hệ mẫu chế tạo phương pháp thủy nhiệt Các nghiên cứu trước [2] phương pháp gốm không rút kết luận nồng độ đồng mẫu gốm không cao dẫn đến phụ thuộc phức tạp điện trở thành phần vào công nghệ chế tạo Đối với phương pháp thủy nhiệt hạt vật liệu hình thành từ mầm nhỏ (bottom-up) nên có độ đồng cao loại bỏ nhiều nhiễu loạn không đồng vật liệu Tần số cộng hưởng hạt biên hạt bảng 3.3 Tần số cộng hưởng biên hạt fgb không thay đổi tân số cộng hưởng hạt fb lại có xu hướng giảm mạnh Kết lần cho thấy cấu tạo biên hạt mẫu chế tạo không thay đổi Tần số cộng hưởng hạt giảm mạnh điện dung tương đương hạt giảm Điều giải thích việc pha tạp mạnh làm giảm điện trở mẫu, làm số điện môi mẫu giảm mạnh 34 3.6 Thành phần hóa học (phổ EDS, PIXE ICP-MS) Trước nghiên cứu tính chất vật lý, thành phần hóa học mẫu BaTiO không pha tạp mẫu BaTiO có pha tạp La 1%, 2%, 3%, 4% 5% nung thiêu o kết nhiệt độ 1250 C 4h xác định thông qua phổ EDS trình bày hình 3.9 – 3.14 Element Weight % Atomic % Net Int Net Int Error OK 31.77 70.45 532.9 0.01 BaL 43.5 11.24 877.1 0.01 TiK 24.73 18.32 1400.39 0.01 Hình 3.9: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 khơng pha tạp La o nung thiêu kết 1250 C 4h 35 Kết từ hình 3.9 thấy đỉnh phổ đặc trưng cho nguyên tố Ba, Ti, Không xuất đỉnh phổ nguyên tố lạ Chứng tỏ mẫu BaTiO chế tạo sạch, khơng có tạp chất Element Weight % Atomic % Net Int Net Int Error OK 21.98 58.55 339.93 0.01 BaL 44.41 13.78 966.81 0.01 TiK 29.79 26.5 1826.24 0.02 LaL 3.82 1.17 83.52 0.14 Hình 3.10: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 1% o nung thiêu kết 1250 C 4h 36 Element Weight % Atomic % Net Int Net Int Error OK 28.98 66.34 397.53 0.01 BaL 34.41 9.18 654.21 0.01 TiK 29.59 22.63 1585.37 0.01 LaL 7.02 1.85 134.11 0.09 Hình 3.11: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 2% o nung thiêu kết 1250 C 4h 37 Element Weight % Atomic % Net Int.Net Int Error OK 27.45 66.83 382.07 0.01 BaL 44.94 12.75 741.74 0.01 TiK 23.79 19.35 1104.22 0.01 LaL 3.82 1.07 63.65 0.16 Hình 3.12: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 3% o nung thiêu kết 1250 C 4h 38 Element Weight % Atomic % Net Int Net Int Error OK 22.1 60.66 407.36 0.01 BaL 44.43 14.2 1000.39 0.01 TiK 24.23 22.21 1537.05 0.01 LaL 9.23 2.92 209.88 0.06 Hình 3.13: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 4% o nung thiêu kết 1250 C 4h 39 Element Weight % Atomic % Net Int.Net Int Error OK 22.26 61.69 491.13 0.01 BaL 49.9 16.11 1258.44 0.01 TiK 21.97 20.33 1558.19 0.01 LaL 5.87 1.87 149.62 0.09 Hình 3.14: Kết phân tích EDS mẫu BaTiO3 pha tạp La 5% o nung thiêu kết 1250 C 4h Kết từ hình 3.9 – 3.14 cho thấy ngồi đỉnh đặc trưng cho nguyên tố Ba, Ti, cịn xuất đỉnh đặc trưng cho ngun tố La pha tạp vào mẫu Từ cho thấy tồn La xác định rõ ràng phổ EDS Do thay đổi pha tạp vào mẫu nhỏ nên thay đổi đỉnh đặc trưng mẫu thay đổi khơng nhiều Ngồi ngun tố thành phần mẫu khơng thấy tồn nguyên tố lạ Chứng tỏ mẫu Ba 1-xLaxTiO3 với x = 0.01, 0.02, 0.03, 0.04, 0.05 chế tạo mẫu sạch, tạp chất lạ Riễng mẫu pha 2% 5% có bất thường tỷ lệ nguyên tố Ba Ti Điều quy trình chế tạo mẫu chưa ổn định lúc dùng axít để rửa mẫu dung nhiều axit dẫn tới việc hịa tan ion kim loại làm ảnh hưởng đến mẫu Kết tương tự thấy kết đo PIXE 40 Kết phân tích PIXE Mẫu BaTiO3(khơng tạp) Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Conc Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) ppm - - - -22 TiK 5203044 119 3566 763 59307 240419.7 56 BaLA 3818142 119 1226 763 58367 521506.1 57 LaLA 119 1209 763 62112 - %Stat %Fit Error Error 0.57 0.96 1.87 0.96 0 LOD ppm 3389.4 25829.5 6004.9 Y Y N %Stat %Fit Error Error 0.52 1.07 2.07 1.07 107.55 9.84 LOD ppm 3229.1 27131.2 5404.3 Y Y ? %Stat %Fit Error Error 0.34 0.51 3.44 0.54 19.45 1.63 LOD ppm 2568.8 34764.4 6515.4 Y Y Y Conc ppm 237361.1 515715.0 14762.5 %Stat %Fit Error Error 0.58 0.55 1.88 0.54 44.43 4.37 LOD ppm 3376.1 25545.7 5232.6 Y Y ? Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Conc Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) ppm - - - -22 TiK 5444819 119 3566 763 59307 251568.3 56 BaLA 3511340 119 1226 763 58367 479556.8 57 LaLA 426754 119 1209 763 62112 55502.7 - %Stat %Fit Error Error 0.53 0.84 2.15 0.84 11.96 1.51 LOD ppm 3195.5 27056.1 5300.1 Y Y Y %Stat %Fit Error Error 0.78 0.71 1.42 0.68 14.85 1.94 LOD ppm 3649.4 20552.5 4345.5 Y Y Y Mẫu BaTiO3 (1% La) Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Conc Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) ppm - - - -22 TiK 5469937 119 3566 763 59307 252740.2 56 BaLA 3623104 119 1226 763 58367 494842.9 57 LaLA 48145.5 119 1209 763 62112 6262.0 - Mẫu BaTiO3 (2% La) Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Conc Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) ppm - - - -22 TiK 7016736 119 3566 763 59307 324245.3 56 BaLA 2797925 119 1226 763 58367 382181.1 57 LaLA 308288 119 1209 763 62112 40101.3 - Mẫu BaTiO3 (3% La) Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) - - - -22 TiK 5135796 119 3566 763 59307 56 BaLA 3774968 119 1226 763 58367 57 LaLA 113474 119 1209 763 62112 Mẫu BaTiO3 (4% La) Mẫu BaTiO3 (5% La) Layer H Yield Det Filter Element Area value /uC/ Eff Trans Z Sym # counts ( -5) ppm (-3) (-5) - - - -22 TiK 4114851 119 3566 763 59307 56 BaLA 4074101 119 1226 763 58367 57 LaLA 293116 119 1209 763 62112 Conc ppm 190123.2 556426.1 38122.8 Từ kết phân tích PIXE cho ta thấy cần phải chuẩn tỷ lệ trực tiếp nguyên tố không phản ánh giá trị đầu vào, sai số lớn (mẫu 2% có tỉ 4+ 2+ lệ ion Ti /Ba 4+ xấp xỉ 1:1 mẫu 5% tỉ lệ Ti /Ba 2+ xấp xỉ 1:5) nên cần xây dựng đường cong chuẩn hóa cho BaTiO pha tạp La để phân 41 tích hàm lượng nguyên tố định lượng phương pháp PIXE Vì PIXE phương pháp bán định lượng, phép đo phụ thuộc vào cấu trúc tinh thể thành phần nguyên tố có mẫu Do đó, cần có phép đo phương pháp phân tích xác ICP-MS Kết phân tích ICP – MS ( Khối phổ kế plasma cảm ứng): STT Mẫu Ba (%) Ti (%) La(%) x=0 49.234 50.760 x=0.01 49.848 50.011 0.281 x=0.02 48.241 49.894 1.184 x=0.03 47.875 49.978 2.321 x=0.04 46.987 51.345 3.185 x=0.05 45.812 50.024 4.120 Bảng 3.4: Kết phân tích thành phần định lượng ICP – MS mẫu chế tạo Bảng 3.4 cho thấy kết phần tích định lượng phương pháp ICP – MS thực Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội Đây phương pháp phân tích định lượng xác đến pm kết không phụ thuộc vào cấu trúc tinh thể phương pháp EDS PIXE (các phương pháp phân tích khơng phá hủy mẫu) Kết cho thấy thành phần mẫu chế tạo sai khác nhiều so với thành phần mong muốn Điều giải thích tích số tan La3+ chưa bù trừ hợp lý chuẩn bị dung dịch ban đầu sau trình phản ứng ion bị q trình rửa mẫu Điều phương pháp chế tạo mẫu thủy nhiệt cần nghiên cứu thêm để hoàn thiện Kết phép đo bán định lượng EDS PIXE cho thấy cần xây dựng đường cong chuẩn hóa cho mẫu phân tích để có hệ số chuẩn hiệu dụng xác cho chất 42 KẾT LUẬN Trong luận văn này, hệ vật liệu BaTiO3 pha tạp La với tỷ lệ pha tạp x = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05 chế tạo thành công phương pháp thủy nhiệt Các mẫu chế tạo đơn pha có cấu trúc tứ giác nhiệt độ phịng Kích thước hạt tạo thành từ 2-5µm có mật độ cao khoảng trống hạt Kết đo số điện môi nhiệt độ phịng cho thấy mẫu tạo có o chuyển pha sắt điện thuận điện rõ nét vào khoảng 120 C nhiệt độ có xu hướng giảm dần tăng nơng độ pha tạp Kết phân tích tổng trở đường cong Cole – Cole cho thấy điện trở mẫu pha tạp nhiệt độ phịng đóng góp chủ yếu điện trở biên hạt Để làm giảm điện trở mẫu nhiệt độ phòng cần nghiên cứu phương pháp làm giảm điện trở biên hạt Khi tăng tỷ lệ pha tạp, điện trở hạt giảm mạnh chứng tỏ La 3+ vào mạng BaTiO3 Kết đo EDS, PIXE ICP-MS cho thấy thành phần nguyên tố Ba Ti mẫu tạo thành chưa hoàn toàn với mong muốn Đây vấn đề cần nghiên cứu sâu để chuẩn hóa trình chế tạo mẫu Các mẫu chế tạo có số điện mơi lớn thích hợp làm linh kiện điện tử tụ gốm, phủ điện cực đầu phát plasma lạnh… 43 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng việt Nguyễn Văn Đăng (2013), Chế tạo nghiên cứu tính chất điện từ 1Perovskite AB03 ( BaTi xFex03 BaTi1-xMnx03), Luận án tiến sỹ vật lý, Viện Khoa học vật liệu, Hà Nội Nguyễn Ngọc Đỉnh (2011), Chế tạo nghiên cứu số tính chất Perovskite có hằng số điện mơi lớn khả ứng dụng, Luận án tiến sỹ vật lý, Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia, Hà Nội Nguyễn Thị Thủy (2013), Nghiên cứu tính chất điện, từ số Perovskite nhiệt điện, Luận án tiến sỹ vật lý, Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia, Hà Nội Hồ Thị Anh (2011), Nghiên cứu chế tạo vật liệu sắt điện BaTiO3 tổ hợp BaTiO3/Fe3O4 có cấu trúc micro-nano bằng phương pháp thủy phân nhiệt, Luận văn thạc sỹ vật lý, Trường Đại học Công nghệ, Hà Nội Trần Thu Hoa Hồng (2012), Thử nghiệm tổng hợp khảo sát tính chất vật liệu tổ hợp cấu trúc nano sắt điện – sắt từ dạng vỏ lõi, luận văn thạc sỹ vật lý, Trường Đại học công nghệ, Hà Nội Tiếng Anh Yuhuan Xu (1991), “Ferroelectric Materials and Their Applications”, North- Holland Amsterdam-London-New York Tokyo C N R Rao, B Reaveau, (Eds.) (1998), “Colossal Magnetoresistance, Charge ordering and Related Properties of Manganese Oxides”, World Scientific, Singapore Nicola A Hill(2000), “Why are there so few Magnetic Ferroelectrics?”, J Phys Chem B 104 6694 44 Charles Kittel (1986), “Introduction to solid state Physics”, John Wiley and Sons, Inc, New York six Edition 10 Moulson A J and Herbert J M.(1990), “Electroceramics- Material properties-applications”, Thomson press 11 Nozaki K.(1995), “BaTiO3-based positive tempeerature coefficient of resistivity ceramics with low resistivities” , J Master Sci., 30(1995) 3395 12 Makosz J J and Urbanowicz (2001), “Relaxalation and resonance Absorption in Dielectrics”, University of Silesia, Institute of physics, Katowice, Poland 13 PTC Engineering notes(3/16/2004), Western Electronic Components Corp 14 Kuwabara M.(1999), “Varistor characteristics in PTCR-type (Ba, Sr)TiO3 ceramics prepared by single- step firing in air”, J Mater Sci., 34 (1999) 2635 15 Mott N.F and Davis E.A.(1971), “Electronic processes in non- crystalline materials”, Clarendon press Oxford, 1971 16 Mott N.F.(1974) , “Metal- Insulator transitions”, Taylor and Francis LTD 17 Austin I G and Mott N F.(1979), “Polaron in Crystalline and Noncrystaline Materials”, Cavendish Laboratory, Cambridge lecture 1979 18 N V.Khiem, L V Bau, L H Son, N X Phuc, D N H Nam (2003), “Influence of A-site cation size on the magnetic and transport properties”, JMMM 262 (2003) 490 19 Coey, Viret et al (2002), “Magnetic Polarons, Charge Ordering and Stripes”, Note in Internet, 24-10- 2002 20 Viret M., Ranno L and Coey J M D.(2002), “Magnetic localization in mixed- valence manganites”, Note in Internet 2002 45 21 Viret M., Ranno L., and Coey J M D.(1997), “Colossal magnetoresistance of the variable range hopping regime in the manganites”, J Apply Phys 81(8), 15 April 1997 22 Neell J and Wood B J., Dorris S E and T O.Mason (1989), “Jonker-type Analysis of Small Polaron Conductor”, Jounal of Solid State Chemistry 82, (1989) 247 23 Mahajan R.P., Patankar K.K(2000), “Electrical properties and magnetoelectric effect in MnFe2O4 and BaTiO3”, Indian Journal of Engineering and Material sciences V.7, p.203-21 24 Warren B.E (1969), “X-ray diffraction in crystals”, Addison Wesley, Masachusetts, USA 25 Yakel H.L (1955), “On the structures of some compounds of the perovskite type” , Acta Cryst, 8, p.394 26 PTC Engineering notes (3/16/2004), Western Electronic Components Corp… 27 Y R Shrout (2007), “ Lead-free piezo electric”: Alternatives for PZT”, J.Electroceram, vol 19, p.111 28 Teranishi ( 2008), “ wide range dielectric spectroscopy on perovskite dielectrics”, Mat.Sci and Eng Vol 161, p.55 29 Y.N Sawangwan (2008), “The effect of Zr content on electrical properties of Ba(Ti1-xZrx)O3 creramics”, Appl Phys A vol 90, p 723 46 ... trình nghiên cứu hai họ vật liệu hầu hết cơng trình nghiên cứu hay đề cập đến hai họ vật liệu nên hướng nghiên cứu dựa hai họ vật liệu có nhiều hứa hẹn Phần lớn nghiên cứu tổng hợp vật liệu nano. .. thêm tính đột phá khoa học vật liệu Do đó, nghiên cứu dựa vật liệu đa pha cấu trúc với tính chất trội thu hút nhiều quan tâm so với vật liệu đơn pha Trong hệ vật liệu tổ hợp đa pha, vật liệu. .. HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ HẠNH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LIỆU NANO NỀN BaTiO3 Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 60440104 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỞI