BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR TRƯỜNG FET 5.1 Transistor trường JFET 5.1.1 Cấu tạo, kí hiệu Drain(D) Drain(D) Kênh P Kênh N N P N Gate (G) P N P Vùng nghèo Gate (G) Source(S) Vùng nghèo Source(S) D ID G VGS S JFET kênh N D G VGS ID S JFET kênh P 5.1 Transistor trường JFET 5.1.2 Nguyên lý hoạt động Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp chiều tới cực nó, gọi phân cực cho JFET (phân cực cho mối nối GS DS DS) IG= Vùng điện trở ID= IS D ID IDSS + G P e P VGS = -1V N S VGS = 0V VDD e VGS Vùng thắt kênh ID(mA) VP IS VGS VGS = -2V -4 -3 -2 -1 VGS = -3V VGS = -4V |VP | VDS 5.1 Transistor trường JFET 5.1.2 Nguyên lý hoạt động ID(mA) IDSS: (short) VP: r0: dòng điện ID ngắn mạch GS IDSS VGS = 0V điện áp nghẽn (thắt kênh) điện trở cực máng nguồn VGS= VGS = -1V VP VGS Vùng điện trở: Vùng thắt kênh: ID= IS r d -4 -3 -2 -1 r |VP VGS = -2V VGS = -3V VGS = -4V | VDS V V VGS IID =0 I DSS 1 G VP G S P 2 ID IDSS VP VGS 5.1.3 Các thông số JFEET 5.3.MOSFET 5.3.1 D-MOSFET – Depletion Mosfet a Cấu tạo SiO2 SiO2 D D N P Kênh Dẫn N G G Ñeá P S D S SS P S SS Ñeá N SS N G Kênh Dẫn P D D D G G G SS S S S 5.3.1 D-MOSFET – Depletion Mosfet b Nguyên lý hoạt động D ID D RD ID N Kênh N e G Đế e P N S S +VD D N Đế P GS S IS IS IDSS VGS = 0V ID= IS VGS I D I DSS 1 VP VP VGS N Keânh N e e +VD ee S D e S G S IG= RD Để MOSFET làm việc, phải cung cấp điện áp chiều tới cực nó, gọi phân cực cho MOSFET (phân cực cho mối nối GS DS) DS ID(mA) V > 0V VGS = -1V ID VGS VP -3 VGS = -3V VP V7DS 5.3.2 E-MOSFET a Cấu tạo SiO2 SiO2 D Chưa có kênh dẫn D N G N P Đế P SS G Đế N SS P S S D D G G D SS S S D G G SS S S 5.3.2 E-MOSFET – Enhanced b Nguyên lý hoạt động ID D ID I D k VGS VT N e e Đế P e VVGS 0V GS=>0V ID= IS VT VGS RD G IG= e e N S IS VT: điện áp ngưỡng (threshold) + VDD SS ID(mA) ID(mA) 8 3 V T VGS VGS = 10V VGS = 8V VGS = 6V VGS = 4V VDS