thuyết trình đề tài project FET 1

thuyết trình đề tài project FET 1

TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUỐC TẾ MIỀN ĐÔNG

KHOA KĨ THUẬT

MÔN: MẠCH ĐIỆN TỬ 1

 PROJECT: FET

Giảng Viên: Ngô Thị Kim Linh Sinh Viên Thực Hiện:

I Đại cương và phân loại

* FET ( Field Effect Transistor) -Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường.

- Junction field-effect transistor (JFET) điều khiển bằng tiếp xúc P-N

- Insulated gate field effect transistor (IGFET) transistor có cực cửa cách điện hay còn gọi là metal oxide semiconductor 

transistor do dùng lớp cách điện là lớp oxit (MOSFET)

1. Ký hiệu:

2 Cấu tạo chung JFET:

3 Sơ đồ mạch của JFET:

4 Ưu và nhược điểm của FET:

4 Giống nhau giữa FET và BJT:

- Trạng thái ngắt của FET tốt hơn so với BJT. 

- Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet:

G: Gate gọi là cực cổng

S:  Source gọi là cực nguồn D: Drain goi là cực máng

1.1.Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh sẵn:

Tranzito trường MOSFET kênh sẵn còn gọi là MOSFET-chế độ nghèo 

(Depletion-Mode) MOSFET viết tắt là DMOSFET.

1.1.1.Cấu tạo:

- MOSFET kênh sẵn loại P. MOSFET kênh sẵn loại N

-  Khi tranzito làm việc, thông thường cực nguồn S được nối với đế và nối đất nên US = 0. 

- Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so với chân cực S. Nguyên  tắc cung cấp nguồn điện cho các chân cực sao cho hạt dẫn đa số chạy từ cực nguồn S qua  kênh về cực máng D để tạo nên dòng điện ID trong mạch cực máng. 

- Nguyên lý làm việc của hai loại tranzitor giống nhau chỉ có cực tính cho các chân cực là  trái dấu nhau.

Nguyên lý làm việc của loại kênh P và kênh N giống hệt nhau chỉ khác nhau về  cực tính của nguồn cung cấp đặt lên các chân cực. Trước tiên, nối cực nguồn S  với đế và nối đất, sau đó cấp điện áp giữa cực cửa và cực nguồn để tạo kênh  dẫn.

III Phân cực cho các loại FET:

1. Phân cực cho JFET

Phân cực cố định Phân cực bằng cầu phân áp Phân cực tự cấp (tự phân áp) 

Phân cực bằng cầu chia điện thế  Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế

2. Phân cực cho MOSFET kênh có sẵn (DE-MOSFET)

Phân cực bằng cầu phân áp Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế

3. Phân cực cho MOSFET kênh cảm ứng (E-MOSFET)

Đối với JFET và DE- MOSFET

Đối với E- MOSFET

• E-MOSFET thông dụng trong mạch số, đặc biệt là cấu trúc CMOS

* (CMOS: là công nghệ dùng để chế tạo các mạch tích hợp)

• Hình 4.1: Chân S nối mass 

• Hình 4.2: Chân S nối mass thông qua điện trở Rs

cx

Tính toán các giá trị , Av, Zi, Zo khi cực nguồn không mắc với điện trở RS:

VD1:  Tìm  Av  khuếch  đại  cho  hình  dưới  đây.  Điểm  Q  tại  VDSQ=12V; 

IDQ=7mA; Các thông số của JFET cho như sau: gm=3.0 mS; rD=200kΩ. 

Hình 4.9

o v

in

v A

• Z i   = R G  • Z i   = R 1 //R 2

(COMMON GATE)

Mạch khuếch đại CG:

* Đây là trường hợp đặc biệt của khuếch đại SF (CD).  

Phân cực được đặt qua một phần điện trở cực nguồn, như vậy sẽ nhận điện  trở đầu vào lớn hơn phương pháp thông thường. 

Thiết kế này cho phép sử dụng ưu điểm đặc tính trở kháng cao của FET 

mà không cần dùng các giá trị lớn của điện trở RG.

KIM LOẠI BÁN DẪN (MESFET)

• MESFET giống như FET, ngoại trừ mối nối rào thế kim loại bán 

dẫn,  giống  như  trường  hợp  DIODE  SCHOTTKY  (Diode

Schottky là  một  loại diode  bán  dẫn với  một  điện  áp  rơi  phân 

cực thuận thấp và ngắt rất nhanh). 

• Những MESFET này có độ lợi cao, nhiễu thấp, hiệu suất cao và  trở kháng đầu vào cao, chống nhiễu nhiệt tốt. Thường được sử  dụng  dùng  làm  dao  động  cao  tần,  khuếch  đại,  trộn  và  chuyển  mạch tốc độ cao.

The end