Chế tạo màng cu2znsns4 ứng dụng cho pin mặt trời

LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, xin gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS.TS Mai Anh Tuấn, người thầy tận tình bảo, hướng dẫn từ bước nhỏ đến hướng dẫn chuyên sâu từ ngày thực đề tài Thầy động viên tạo điều kiện tốt cho suốt trình học tập Viện ITIMS Thầy giúp đỡ trình học tập, nghiên cứu mà dạy học quý giá sống Xin gửi lời cảm ơn tới NCS Vương Sơn, người anh giúp đỡ nhiệt tình suốt trình thực luận văn Anh cộng hỗ trợ nhiều mặt kỹ thuật công nghệ, vật tư vật chất nghiên cứu Xin gửi lời cảm ơn tới TS Phạm Đức Thành giúp đỡ tận tình góp ý, trao đổi thẳng thắn sâu sắc anh giúp cho luận văn thêm phần hoàn thiện Xin gửi lời cảm ơn tới tất anh chị thành viên nhóm Cảm biến sinh học Khoa học sống (BIOMAT) giúp đỡ vô tư, nhiệt tình lúc gặp khó khăn công việc nghiên cứu vấn đề khác sống, suốt trình thực luận văn Xin gửi lời cảm ơn chân thành tới ban lãnh đạo thầy cô Viện ITIMS tạo điều kiện cho suốt trình học tập viện Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình bạn bè tôi, đặc biệt bố mẹ động viên ủng hộ suốt trình học tập i LỜI CAM ĐOAN Các số liệu, kết trình bày luận văn thật thực tác giả hướng dẫn PGS TS Mai Anh Tuấn Luận văn chưa công bố nơi Tác giả Trương Thanh Toản ii MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i LỜI CAM ĐOAN ii MỤC LỤC iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU, CÁC CHỮ CÁI VIẾT TẮT v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ vi DANH MỤC CÁC BẢNG ix CHƯƠNG GIỚI THIỆU CHUNG Nguyên lý hoạt động đặc trưng pin mặt trời 1.1 1.1.1 Nguyên lý hoạt động 1.1.2 Đặc trưng pin mặt trời 10 1.2 Pin mặt trời sở CZTS 19 1.2.1 Vật liệu Cu2ZnSnS4 19 1.2.2 Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng sở vật liệu Cu2ZnSnS4 26 1.2.3 Các phương pháp tổng hợp lớp hấp thụ CZTS 27 1.3 Các mô hình lý thuyết để mô tả tinh thể Cu2ZnSnS4 36 1.3.1 Giới thiệu 36 iii 1.3.2 Lý thuyết phiếm hàm mật độ (Density functional theory - DFT) 38 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 42 2.1 Vật liệu – thiết bị tổng hợp 42 2.1.1 Vật liệu 42 2.2.2 Thiết bị tổng hợp 43 2.2 Quy trình tổng hợp 43 2.2.1 Quy tình tổng hợp chung 43 2.2.2 Chế tạo màng mỏng CZTS 43 CHƯƠNG KẾT QUẢ TÍNH TOÁN LÝ THUYẾT 44 3.1 Cấu trúc điện tử tinh thể CZTS 44 3.2 Tính toán lý thuyết bề rộng vùng cấm tinh thể CZTS 48 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 51 4.1 Hệ phun phủ nhiệt phân 51 4.1.1 Đầu phun 52 4.1.2 Đế gia nhiệt phận điều khiển nhiệt độ 54 4.1.3 Khí mang 56 4.1.4 Vận hành thiết bị sau chế tạo 57 4.2 Ảnh hưởng điều kiện tổng hợp tới tính chất màng CZTS 57 4.2.1 Ảnh hưởng pH môi trường 58 4.2.2 Ảnh hưởng nhiệt độ đế 58 4.2.3 Ảnh hưởng dung môi 68 4.2.4 Ảnh hưởng tốc độ phun 75 KẾT LUẬN 83 TÀI LIỆU THAM KHẢO 84 iv DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU, CÁC CHỮ CÁI VIẾT TẮT AM Air Mass – Khối không khí CIGS Cu(In,Ga)(S,Se)2 CIS CuInSe2 CZTS Cu2ZnSnS4 DFT Density Functional Theory – Thuyết phiếm hàm mật độ DFT+U Coulomb self-interaction potential – Thế tương tự tương tác Cu-long DSSC Dye-Sensitized Solar Cell Ec Energy conduction band Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy – Phổ tán sắc lượng tia EDXS X Eg Energy gap – Năng lượng vùng cấm Ev Energy valence band – Bề rộng vùng cấm FF Fill Factor – Thừa số điền đầy Isc Short-circuit current LDA Local Density Approximation – Gần mật độ địa phương MM3 Molecular Mechanics force fields – Trường lực học phân tử SEM Scanning Electron Microscopy – Hiển vi điện tử quét v SPD Spray Pyrolysis Deposition – Phun phủ nhiệt phân VIS-UV Ultraviolet – Visible – Cực tím – Nhìn thấy Voc Open-circuit voltage – Thế hở mạch XRD X-Ray Diffusion – Nhiễu xạ tia X DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ Hình 1.1 Hiệu ứng quang điện Hình 1.2.Vùng cấm thẳng vùng cấm xiên Hình 1.3 (a) Sự hình thành cặp điện tử - lỗ trống; (b) Cấu trúc lớp chuyển tiếp p-n Hình 1.4 Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời hoàn chỉnh Hình 1.5 Sự tái hợp điện tử - lỗ trống Hình 1.6 Điện tử dòng điện pin mặt trời Hình 1.7 Phổ xạ mặt trời 10 Hình 1.8 Đường cong hiệu suất lượng tử 11 Hình 1.9 Sự đáp ứng phổ pin mặt trời 12 Hình 1.10 Tính toán khối không khí 13 Hình 1.11 Đường đặc trưng I-V thể dòng ngắn mạch 14 Hình 1.12 Đường đặc trưng I-V thể giá trị thể hở mạch 15 Hình 1.13 Biểu đồ dòng quang điện (đường đỏ) công suất (đường xanh) hàm điện áp Đồng thời dòng ngắn mạch hở mạch đạt giá trị cực đại (Vmp, Imp) 16 vi Hình 1.14 Ảnh hưởng điện trở sơn lên hệ số điền đầy, pin cm2 17 Hình 1.15 Ảnh hưởng điện trở nội lên hệ số điền đầy 17 Hình 1.16 Cấu trúc tinh thể CGIS CZTS [13,14] 23 Hình 1.17 Phổ XRD Raman tinh thể CZTS 23 Hình 1.18 Mật độ trạng thái riêng CZTS pha pha kesterite, stannite wurtzstannite Bề rộng vùng cấm theo lý thuyết CZTS pha kesterite, stannite wurtzstannite 24 Hình 1.19 Cấu trúc vùng cấm từ scGW CZTS pha kesterite pha stannite 25 Hình 1.20 Sơ đồ cấu trúc pin mặt trời CZTS 26 Hình 1.21 Sơ đồ thiết bị phun phủ nhiệt phân 31 Hình 1.22 Hình ảnh dung dịch phun qua đầu phun kiểu fullcone 33 Hình 1.23 Quá trình di chuyển hạt sương (aerosol) 34 Hình 1.24 Mô tả trình lắng đọng vật liệu với trình gia tăng nhiệt độ đế 34 Hình 2.1 Sơ đồ tổng hợp lớp màng mỏng CZTS 43 Hình 3.1 Mật độ địa phương trạng thái nguyên tố Cu, Sn, Zn, S tinh thể CZTS kiểu kesterite 46 Hình 3.2 (a) Mật độ địa phương trạng thái; (b) Cấu trúc tinh thể CZTS kiểu kesterite; 46 Hình 3.3 Mật độ địa phương trạng thái nguyên tố Cu, Sn, Zn, S tinh thể CZTS pha stannite 47 Hình 3.4 (a) Trạng thái hàm mật độ địa phương; (b) Cấu trúc tinh thể pha stannite CZTS 47 Hình 3.5 Bề rộng vùng cấm lý thuyết CZTS pha kesterite tính toán theo LDA+U 50 Hình 3.6 Bề rộng vùng cấm CZTS pha kesterite tính toán theo LDA+U 50 Hình 4.1 Hệ phun phủ nhiệt phân sử dụng luận văn 51 vii Hình 4.2 Đầu phun 52 Hình 4.3 Đế gia nhiệt phận điều khiển nhiệt độ 55 Hình 4.4 Bộ điều khiểu nhiệt độ TC4S 55 Hình 4.5 Sơ đồ đấu nối điều khiểu nhiệt độ 56 Hình 4.6 Bộ điều khiển lưu lượng khí 57 Hình 4.7 Phổ nhiễu xạ tia X mẫu CZTS nhiệt độ 733K 59 Hình 4.8 Biểu đồ nhiễu xạ tia X mẫu CZTS nhiệt độ khác 60 Hình 4.9 Ảnh SEM mẫu nhiệt độ khác 63 Hình 4.10 Biểu đồ phổ EDXS mẫu nhiệt độ khác 64 Hình 4.11 Phổ hấp thụ UV-VIS mẫu nhiệt độ khác 66 Hình 4.12 Hệ số hấp thụ mẫu lắng đọng nhiệt độ khác 67 Hình 4.13 Bề rộng vùng cấm mẫu CZTS nhiệt độ khác 68 Hình 4.14 Ảnh nhiễu xạ tia X mẫu với tỷ lệ dung môi khác 69 Hình 4.15 Ảnh hiển vi điện tử quét bề mặt mẫu M2.693 M3.50 71 Hình 4.16 Ảnh phổ tán sắc lượng tia X mẫu M2.75 M3.50 71 Hình 4.17 Phổ UV-VIS mẫu với tỷ lệ dung môi khác 73 Hình 4.18 Hệ số hấp thụ mẫu với tỷ lệ dung môi khác 74 Hình 4.19 Bề rộng vùng cấm quang mẫu M2.75 M3.50 75 Hình 4.20 Phổ XRD mẫu M2.SP2 76 Hình 4.21 Phổ XRD mẫu thay đổi tốc độ phun M1.SP1, M2.SP2 M3.SP477 Hình 4.22 Ảnh SEM mẫu M1,SP1, M2.SP2 M3.SP4 78 Hình 4.23 Đồ thị EDXS mẫu thay đổi tốc độ phun (M2.SP2 M3.SP4) 78 viii Hình 4.24 Độ hấp thụ mẫu thay đổi tốc độ phun 80 Hình 4.25 Hệ số hấp thụ mẫu thay đổi tốc độ phun 81 Hình 4.26 Bề rộng vùng cấm mẫu thay đổi tốc độ phun 82 DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1 Thông số mạng đơn tinh thể CZTS pha kesterite 19 Bảng 1.2 Thông số mạng tinh thể CZTS pha wurtzite 21 Bảng 2.1 Hóa chất sử dụng luận văn 42 Bảng 3.1 Bề rộng vùng cấm lý thuyết CZTS pha kesterite stannite tính toán với hàm LDA GGA 49 Bảng 3.2 Bề rộng vùng cấm lý thuyết CZTS pha kesterite stannite tính toán với hàm LDA+U 49 Bảng 4.1 Hệ số chống bào mòn tương đối số vật liệu làm đầu phun 53 Bảng 4.2 Thông số đầu phun sử dụng luận văn 54 Bảng 4.3 Thông số chi tiết điều khiển 56 Bảng 4.4 Giá trị tính toán số mạng mẫu 61 Bảng 4.5 Kích thước hạt tinh thể mẫu nhiệt độ khác 61 Bảng 4.6 Kết thành phần nguyên tố mẫu nhiệt độ khác 65 Bảng 4.7 Điện trở màng M1.673, M2.693, M3.713 M4.733 65 Bảng 4.8 Chiều dày mẫu nhiệt độ khác 67 Bảng 4.9 Tính toán số mạng mẫu M1.100; M2.75; M3.50 70 Bảng 4.10 Kích thước hạt trung bình mẫu M1.100; M2.75; M3.50 70 ix Bảng 4.11 Thành phần nguyên tố mẫu với tỷ lệ dung môi khác 72 Bảng 4.12 Điện trở mẫu với tỷ lệ dung môi khác 72 Bảng 4.13 Chiều dày màng lắng đọng với tỷ lệ dung môi khác 73 Bảng 4.14 Thành phần nguyên tố mẫu thay đổi tốc độ phun 79 Bảng 4.15 Điện trở mẫu M2.SP2, M3.SP4 79 x Hình 4.18 Hệ số hấp thụ mẫu với tỷ lệ dung môi khác Từ giá trị hệ số hập thụ, tính bề rộng vùng cấm quang mẫu M2.75 M3.50, phương pháp ngoại suy đường thẳng dựa đồ thị phụ thuộc hν (αhν)2 Kết thu trình bày chi tiết hình 4.14 74 Hình 4.19 Bề rộng vùng cấm quang mẫu M2.75 M3.50 Với mẫu M2.75, Eg = 1,72 eV mẫu M3.50, Eg = 1,68 eV Các giá trị xa so với giá trị tính toán lý thuyết (Eg = 1,5 eV) 4.2.4 Ảnh hưởng tốc độ phun Màng CZTS lắng đọng đế nhiệt độ 693K, tỉ lệ Cu:Zn:Sn:S = 2:1:1:10, thể tích dung dịch không đổi 30ml, tốc độ phun dung dịch tiền chất thay đổi với giá trị 1ml/phút, 2ml/phút 4ml/phút, tương ứng mẫu M1.SP1, M2.SP2 M3.SP4 Các mẫu sau tổng hợp, tiến hành đo đạc đặc tính cấu trúc, đặc tính điện, độ hấp thụ, SEM, EDXS, để xác định tốc độ phun tối ưu a) Phân tích cấu trúc Đặc tính cấu trúc mẫu xác định phương pháp nhiễu xạ tia X – XRD, kết chi tiết hình 3.16 Từ phổ nhiễu xạ tia X mẫu, peaks tương ứng với mặt (112), (200), (220) (312) đặc trưng tinh thể CZTS pha kesterite 75 Hình 4.20 Phổ XRD mẫu M2.SP2 Hình 4.14 ảnh nhiễu xạ tia X mẫu tổng hợp với tốc độ phun 4ml/phút, thành phần xuất pha lạ, tạp chất ZnO, Zn(OH)2 Hình 4.15 ảnh nhiễu xạ tia X mẫu tốc độ phun thay đổi, 1ml, 2ml 4ml/phút Ta thấy cường độ đỉnh mẫu 1ml/phút cao rõ ràng Chi tiết hình 4.15 76 Hình 4.21 Phổ XRD mẫu thay đổi tốc độ phun M1.SP1, M2.SP2 M3.SP4 Từ hình 3.15, xuất cấc peaks pha thứ kestertite, có lẽ thay đổi tốc độ phun, thành phần pha màng biến đổi theo Vì tốc độ phun 1ml/phút tối ưu cho phép tổng hợp màng CZTS phương pháp phun phủ nhiệt phân b) Đo SEM EDXS Hình 3.17 mô tả cấu trúc bề mặt mẫu, mẫu M1.SP2 bề mặt đồng đều, cấu trúc tốt, với kích thước hạt trung bình cỡ 50nm, M2.SP2 M3.SP4 bề mặt có tượng kết đám, làm tăng kích thước hạt, bề mặt đồng 77 Hình 4.22 Ảnh SEM mẫu M1,SP1, M2.SP2 M3.SP4 Thành phần nguyên tố mẫu xác định phương pháp phổ tán sắc lượng tia X – EDX, kết trình bày chi tiết bảng 3.10 Hình 4.23 Đồ thị EDXS mẫu thay đổi tốc độ phun (M2.SP2 M3.SP4) 78 Bảng 4.14 Thành phần nguyên tố mẫu thay đổi tốc độ phun Kí hiệu mẫu Cu% Zn% M2.SP2 20,89 M3.SP4 21,87 Sn% S% Cu : Zn : Sn : S 10,17 13,85 53,90 2,054 : : 1,362 : 4,825 11,08 12,34 54,43 1,974 : : 1,114 : 4,912 Khi thay đổi tốc độ phun, tỷ lệ thành phân nguyên tố thay đổi không đáng kể, tỷ lệ nguyên tử Cu:Zn:Sn:S mẫu M2.SP2 2,054 : : 1,362 : 4,825 M3.SP4 1,974 : : 1,114 : 4,912 c) Đặc tính điện quang Điện trở mẫu M2.SP2 M3.SP4 xác định phương pháp bốn mũi dò trình bày chi tiết bảng 3.11 Điện trở màng khoảng Ω/vuông Bảng 4.15 Điện trở mẫu M2.SP2, M3.SP4 Kí hiệu mẫu M2.SP2 M3.SP4 Điện trở (Ω/vuông) 1,946 1.787 79 Hình 4.24 Độ hấp thụ mẫu thay đổi tốc độ phun Chiều dày lớp màng lắng đọng CZTS phụ thuộc vào tốc độ phun, thể bảng sau: Kí hiệu mẫu Thickness (μm) M1.SP1 M2.SP2 M3.SP4 09 1,2 80 Khi tăng tốc độ phun dung dịch, chiều dày lớp màng tăng theo Kết sánh hệ số hấp thụ mẫu phụ thuộc vào tốc độ phun hình 3.17 đây: Hình 4.25 Hệ số hấp thụ mẫu thay đổi tốc độ phun Từ giá trị hệ số hấp thụ, bề rộng vùng cấm quang tính kết sau: 81 Hình 4.26 Bề rộng vùng cấm mẫu thay đổi tốc độ phun Khi thay đổi tốc độ phun, thành phần pha chiều dày thay đổi nên giá trị Eg M2.SP2 M3.SP4 2,44 2,21 eV, tương đối lớn giá trị 1,5 eV Do đó, tốc độ phun tối ưu phép thực nghiệm 1ml/phút 82 KẾT LUẬN Với mục tiêu nghiên cứu chế tạo màng CZTS ứng dụng để tạo lớp p pin mặt trời với giá thành rẻ chủ động công nghệ thiết bị Sau thời gian nghiên cứu thực nghiệm, thu kết sau: - Thiết kế, chế tạo hoàn thiện hệ phun phủ nhiệt phân với số cải tiến điều khiển nhiệt độ, dòng khí kích thước hạt sương: cụ thể nhiệt độ tối đa tăng ổn định tới 5500C, lượng khí điều khiển van khí kết hợp với cải tiến đầu phun Những cải tiến cho thông số kỹ thuật phù hợp cho tổng hợp màng vật liệu nói chung, màng CZTS ứng dụng cho pin mặt trời nói riêng - Sử dụng hệ thiết bị chế tạo, tổng hợp thành công màng CZTZ có chiều dày khoảng m - Đã nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ, dung môi tốc độ phun lên đặc tính quang điện màng CZTS chế tạo, qua phân tích, khảo sát tìm điều kiện tối ưu: khoảng cách đầu phun đế nhiệt 25cm, dung môi sử dụng nước khử ion, tốc độ phun 1ml/phút, nhiệt độ đế 693K - Màng CZTS tổng hợp mang đặc tính phù hợp cho ứng dụng lớp hấp thụ pin mặt trời, hấp thụ tốt khoảng ánh sáng trắng (bước sóng 200 – 800nm), hệ số hấp thụ cao (lớn 1000 cm-1), màng có vùng cấm thẳng bề rộng vùng cấm quang 1,5 eV, phù hợp với tính toán lý thuyết 83 TÀI LIỆU THAM KHẢO http://pvcdrom.pveducation.org/CELLOPER/spectral.htm Đặng Đình Thống(2005), Pin mặt trời ứng dụng, Nhà xuất khoa học kỹ thuật Hà Nội Nguyễn Công Vân, Giáo trình lượng đại cương 2001, Nhà xuất Hà Nội: Hà Nội http://photovoltaics.sandia.gov/docs/PVFEffIntroduction.htm Tom Markvart, L.C.( 2005), Solar Cells: Materials, Manufacture and Operation, http://www.solar-energy-at-home.com/photovoltaic-solar-power.html http://soha.vn/thongtin/no_luc_ung_dung_nang_luong_mat_troikGVLU3UEY.htm http://www.ee.ui.ac.id/~astha/courses/ts/teksem/recomb.htm http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_8.htm ơ10 http://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junction/lifetime 11 http://pveducation.org/pvcdrom 12 http://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/quantum-efficiency 13 http://www.solarlight.com/air_mass.html 14 http://www.eyesolarlux.com/Solar-simulation-energy.htm 15 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/short-circuit-current 16 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/open-circuit-voltage 17 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/fill-factor 18 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/shunt-resistance 19 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/series-resistance 20 http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/efficiency 84 21 A Ennaoui, M.L.-S., A Weber, D Abou-Ras, I Kötschau, H W Schock, R Schurr, A Ennaoui, M Lux-Steiner, A Weber, D Abou-Ras, I Kötschau, H.W Schock, R Schurr, A Hölzing S Jost( 2009), " Cu2ZnSnS4 thin film solar cells from electroplated precursors: Novel low-cost perspective", Thin Solid Films, 517((pp 2511–2514) 22 Aron Walsh, S.-H.W., Shiyou Chen and X G Gong (2009), "Design of quaternary chalcogenide photovoltaic absorbers through cation mutation", 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 23 Hironori Katagiri, K.S., Tsukasa Washio, Hiroyuki Shinohara, Tomomi Kurumadani, Shinsuke Miyajima( 2001), "Development of thin film solar cell based on Cu2ZnSnS4 thin films", Solar Energy Materials & Solar Cells, 65( 24 Jonathan J Scragga, P.J.D.a.L.M.P.( 2008), "Towards sustainable materials for solar energy conversion: Preparation and photoelectrochemical characterization of Cu2ZnSnS4", Electrochemistry Communications, 10(4), 25 Kim, D.-Y.L.a.J.(2010), "Spray Deposition of Chalcogenide Thin Films", Journal of the Korean Physical Society, Vol 57(No 6), (pp 1600-1604) 26 Miss Varalak Saengsuwan, D.T.B.(2004), "Crystal structure of CuInSe2 under high pressure ", Department of Physics, Faculty of Science, Chulalongkorn University., 27 Shiyou Chen, X.G.G., Aron Walsh,and Su-Huai Wei (2009), "Crystal and electronic band structure of Cu2ZnSnX4 (X=S and Se) photovoltaic absorbers: First-principles insights", Applied physics letters, 94, 041903( 28 Hironori Katagiri, N.S., Shima Hando, Suguru Hoshino, Jiro Ohashi, Takaharu Yokota (1997), "Preparation and evaluation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of E-B evaporated precursors", Solar Energy Materials and Solar Cells, 49(( pp 407-414) 85 29 Hyesun Yoo, J.H.K.(2011), "Comparative study of Cu2ZnSnS4 film growth", Solar Energy Materials & Solar Cells, 5((pp 239–244) 30 Johm B Mooney, S.B.R.(1982), "Spray pyrolysis processing", Annu Rev Mater Sci, 12((pp 81-101) 31 J.C Viguie, J.S.J.(1975), Solid State Science and Technology, 32 James B Foresman, A.F.(1996), " Exploring Chemistry with Electronic Structure Methods", Gaussian, Inc Pittsburgh, PA, (p 3-7, 118-121) 33 Janos Madarasz, P.B., Masayuki Okuya, Shoji Kaneko (2001), "Thermal decomposition of thiourea complexes of Cu(I), Zn(II), and Sn(II) chlorides as precursors for the spray pyrolysis deposition of sulfide thin films", Solid State Ionics, (pp 141–142 and 439–446) 34 K.L Chopra, I.K.(1983), Thin Film Device Applications, Plenum Press, Newyork 35 K.L Chopra, S.R.D.(1983), Thin Film Solar Cells, Plenum Press Newyork and London 36 al., K.O.e.( 2003), "Preparation of Nanoparticle via Spray route", Chemical engineering Sciences, 58((pp 537-547) 37 al., M.E.e.(2006), " Modelling of nanoparticle formation during spray pyrolysis", Nanotechnology, 17((1674-1685) 38 Min Yen Yeh, C.C.L., Dong Sing Wuu (2009), "Influences of synthesizing temperatures on the properties of Cu2ZnSnS4 prepared by sol–gel spin-coated deposition", J Sol-Gel Sci Technol, 52(pp 65-68), 39 N Kamoun, H.B., B Rezig( 2007), "Fabrication and characterization of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by spray pyrolysis technique", Thin Solid Films, 515((pp 5949–5952) 86 40 Patil, P.S.(1999), "Versatility of spray pyrolysis technique", Material Chemistry and Physics, 59((pp 185-198) 41 Achim Fischereder, T.R., Wernfried Haas, Heinz Amenitsch, org Albering, Dorith Meischler, Sonja Larissegger, Michael Edler, Robert Saf, Ferdinand Hofer, and Gregor Trimmel (2010), "Investigation of Cu2ZnSnS4 formation from metal salts and thioacetamide", Chem Mater, 22((pp 3399-3406) 42 Y.B Kishore Kumar, P.U.B., G Suresh Babu, and V Sundara Raja (2010), "Effect of copper salt and thiourea concentrations on the formation of Cu2ZnSnS4 thin films by spray pyrolysis", Phys Status Solidi A, 207((pp 149– 156) 43 http://vnbusiness.vn/articles/first-solar-nhà-máy-t?i-vi?t-nam 44 Minlin Jiang, X.Y.(2013), "Cu2ZnSnS4Thin Film Solar Cells: Present Status and Future Prospects", 45 Zhou, Z., Wang, Y., Xu, D., & Zhang, Y Sol and 2042-2045(2010), Energy Mater Sol Cells, 94( 46 Ahmed, S., Reuter, K B., Gunawan, O., Guo, L., Romankiw, L T., & Deligianni(2012), H.Adv Energy Mater 2((253-259) 47 Moholkar, A.V., Shinde, S S., Babar, A R., Sim, K., Lee, H., Rajpure, K Y., Patil, P and B S., C H., & Kim, J(2011), H J Alloys Compd, 509(( 7439-7446) 48 Prabhakar, T., & Nagaraju(2011), J Proceedings 37th IEEE PVSC 2011, 49 Katagiri, H., Jimbo, K., Yamada, S., Kamimura, T., Maw, W S., Fukano, T., Ito, T., & and Motohiro(2008), T Appl Phys Express 50 Shin, B., Gunawan, O., Zhu, Y., Bojarczuk, N A., Chey, S J., Guha, S., & Prog(2011), Photovolt Res.Appl, 87 51 Steinhagen, C., Panthani, M G., Akhavan, V., Goodfellow, B., Koo, B., & Korgel, B A.(2009), J Am Chem, (12554-12555) 52 Maeda, K., Tanaka, K., Fukui, Y., & Uchiki(2011), H Sol Energy Mater Sol Cells, 95(( 2855-2860) 53 Wangperawong, A., King, J S., Herron, S M., Tran, B P., Pangan-Okimoto, K., & and Bent( 2011), S F Thin Solid Films, 519((2488-2492) 88 ... với ưu điểm lắng đọng màng mỏng có độ đồng cao diện tích lớn, vấn đề đặc biệt quan trọng cho chế tạo pin mặt trời màng mỏng qui mô lớn 1.1 Nguyên lý hoạt động đặc trưng pin mặt trời 1.1.1 Nguyên... trúc lớp chuyển tiếp p-n Pin mặt trời gép bán dẫn loại p với bán dẫn loại n Bán dẫn loại p tạo lớp phía dưới, loại n tạo lớp phía pin mặt trời Hình 1.4 Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời hoàn chỉnh Hai... ánh sáng tới nhiệt độ pin mặt trời Do đó, hiệu suất điều kiện làm việc khác cho kết khác Tấm pin mặt trời Trái Đất đo đạc điều kiện AM 1.5 nhiệt độ 250C Pin mặt trời sử dụng cho trạm không gian