Chương 9: Linh kiện TRANSISTOR (BJT)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Cấu tạo và ký hiệu Cấu tạo thực tế Nguyên lý hoạt động Công thức dòng của BJT : BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) Kiểu nối C chung (CC): Kiểu Nối E CHUNG (CE): Kiếu nối B chung (CB): Công thức dòng của BJT :

Đại Học Cơng Nghệ Thơng Tin ĐH QG TPHCM Mơn học : Nhập Mơn Điện Tử TP HCM - 2012 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Cấu tạo ký hiệu E: Emitter (cực phát) C: Collector (cực thu) B: Base (cực nền) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Cấu tạo thực tế TO-126 FM TO-92 MOD TO-126 MOD TO-92 B B C C C E E E E TO-3PFM TO-3 TO-3P C C B B E TO-220FM B TO-220CFM TO-220AB B C E B C E B B C E C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Ngun lý hoạt động EN E C IE B IB BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Ngun lý hoạt động EN ICBO C IC B BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Ngun lý hoạt động EN E IE ICBO IE IC IB B IB C IC BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Cơng thức dòng BJT : EN E IE α= ICBO IC IE IB C IC B IB Số hạt tải đến C Số hạt phát E IC = α.IE +ICBO IE = IB +IC β = IC IB α β= α= 1-α Hệ số khuếch tán Quan hệ α β: β β +1 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) BJT (Các kiểu nối dây ) Kiếu nối B chung (CB): IC (mA) IE I IC IC E EE PN NP PN CC BB IB IB -+ + ++VVCCCC VVEEEE 7mA 6mA RL mA 4mA 3mA IEIE VVCCCC IBIB BB RLL + + 2mA + VVEEEE ICIC C C + EE 1mA VCB(V) IE =0 mA 10 ZIN nhỏ (10÷100)Ω ; ZOUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) Chỉ khuếch đại điện thế, khơng khuếch đại dòng 15 20 BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) Kiểu Nối E CHUNG (CE): IBI(CµA) (mA) 100 Vù90 ng bão hòa 70 50 RL µA VCE = 10V = 20V IB = 40 µA IB = 30 Vùng tích cực 10 RL IB = 80 µA IB = 70 IB = 60 µA VCE IB = 50 µA 30 VCE = 1V 0,2 0,4 VCE (BH) (b) µA IB = 20 µA IB = 10 µA IB = µA VCE(V) 0,6 0,8 10 15 20 VBE (V) ICEO Vùng ngưng dẫn ( a) BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) Kiểu nối C chung (CC): Đặc tuyến gần kiêu CE ZIN lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) ; ZOUT nhỏ (vài trăm Ω) Dạng sóng vào đồng pha RRLL Khơng khuếch đại Chỉ lặp lặp lại dùn làm mạch đệm