Báo Cáo Project Thiết Kế Hệ Thống Số 1.Pdf

TỔNG LIÊN ĐOÀN LAO ĐỘNG VIỆT NAMTRƯỜNG ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG KHOA: ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BÁO CÁO PROJECT Thiết kế hệ thống số 1 Giảng viên: TS... T T HỌ VÀ TÊN MÃ SỐ SINH VIÊN ĐÁNH GIÁ MỨC CHÚ

TỔNG LIÊN ĐOÀN LAO ĐỘNG VIỆT NAM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG

KHOA: ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

BÁO CÁO PROJECT Thiết kế hệ thống số 1

Giảng viên: TS Nguyễn Nhật Tân

Thành Viên Nhóm 01

Lê Quốc Bảo…… 42200032 Nguyễn Đoàn Thái Châu 42101282

THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH, NĂM 2023

BẢNG ĐÁNH GIÁ THÀNH VIÊN NHÓM 01

T

T

HỌ VÀ TÊN MÃ SỐ

SINH VIÊN

ĐÁNH GIÁ MỨC

CHÚ

trưởng

Thái Châu

Mô phỏng DIODE

I TÍNH TOÁN LÝ THUYẾT :

-Diode Zener là một linh kiện rất hữu ích để ổn áp Bằng cách kết nối nó theo đúng cách trong mạch, nó có thể hoạt động như một bộ điều chỉnh điện áp, để điều chỉnh mức điện áp mà nó cấp cho một thiết bị

-Tính toán lý thuyết mạch xén và mạch diode zenner +Thông số mạch xén :

V i =6 sinωt

Diode 1N4007

V Ngưỡng =0,7 V

R1=1 k Ω

R2=1 k Ω

+Thông số mạch ổn áp :

R1=1 k Ω

R2=10 k Ω

Diode Zener 1N4733A

II Mô phỏng bằng proteus:

-Mạch xén:

-Mạch ổn áp

Để có mạch ổn áp dùng diode zener, diode zener phải được nối phân cực ngược, song song với nguồn điện cung cấp cho diode zener điện áp của nó, với nguồn điện được kết nối với một điện trở

(Bipolar Junction Transitior)

I TÍNH TOÁN LÝ THUYẾT:

-Mạch phân cực cho transistor: mạch được cấp nguồn DC cho transistor hoạt động ở trạng thái tĩnh

Q: điểm làm việc tĩnh

-Tính toánmạch phân cực cầu chia thế(chế độ tĩnh): Thông số:

β=80

R1=8 k Ω

R2=2 k Ω

R C =1k Ω

R E =0.5 k Ω

V CC =10 V

Q = ?

V BB=V cc R1

R2 +R1

=10 2x

8+2=2 V

R B=R2R1

R2 +R1

=8x 2

8+2=1.6 k Ω

I C=V BB −V BE

R B

β + R E

=2−0.7

1.6

80 +0.5

=2.46 mA

V CE=V CC −I C1(R C + R E) =10−2.46 ( 1+0.5 )=6.31(V )

=(2.46 mA , 6.31V )

-Tính toánmạch phân cực cố định(chế độ tĩnh) Thông số:

β=80

R B =100 k Ω

R C =0.5 k Ω

R E =0.5 k Ω

V CC =10 V

Q = ?

I C=V BB −V BE

R B

β + R E

= 2−0.7

100

100 +0.5

=6.2 mA

V CE=V CC −I C1(R C + R E) =10−6.2 ( 0.5 0.5 + ) =3.8 (V)

Q =(6.2 mA , 3.8V )

II Mô phỏng bằng proteus:

-Mạch phân cực cầu chia thế:

V CE=V C −V E = 7.57-1.23=6.34V

β=I C

I=2.43

0.04 =60.75

Mạch phân cực cố định:

V CE=V C −V E = 6.9-3.12=3.78V

β=I C

I=6.18

0.06 =103

Mosfet hay còn gọi là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field

Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.

I MÔ PHỎNG PROTEUS

Đồ thị biểu thị Id hoạt động của mosfet cổng N

Khuếch đại liên tầng

I TÍNH TOÁN LÝ THUYẾT:

-Khuếch đại liên tầng dạng cascade gồm 2 loại: ghép RC và DC

-Tính toánmạch khuếch đại liên tầng dạng Cascade-ghép RC

Thông số :

β1=60 , β2 =50

R1=8 k Ω

R2=2 k Ω

R C 1 =1 k Ω

R E 1 =0.5 k Ω

R C 2 =1 k Ω

R E 2 =0,5 k Ω

R3=7 k Ω

R4=3 k Ω

V CC =10 V

R L =1k Ω

a)Q1,Q ?2

b)Av =? , Gv ?=

a)

V BB 1=V cc R2

R2+R1

=10 2x

8+2=2 V

R B 1=R2R1

R2+ R1

=8x 2

8 +2=1.6 k Ω

I C 1=V BB 1 −V BE

R B 1

β1

+R E 1

=2−0.7 1.6

60 +0.5

=2.47 mA

V CE 1=V CC −I C 1(R C 1 +R E 1) = − 10 2.46 ( 1+0.5 )=6.31(V )

=(2.47 mA , 6.31V )

V BB 2= cc 4

R3+R4

=10 3x

7+3=3 V

R B 2=R2R1

R2+R1

=7x 3

7 3 + =2.1k Ω

I C 2=V BB 2 −V BE

R B 2

β2

+R E 2

= 3−0 7 100

50+0 5

=4.24 mA

V CE 2=V CC −I C 2(R C 2 + R E 2) =10−4.24 ( 1+0.5 )=3.64 V

Q2=(4.24 mA ,3.64 V )

b)

R π 1=β1

g =β1Vt

I =60x 25

2,47 =0.607 k Ω

R π 2= 2

g m= 2

I C 2=50 25x

4.24 =0.294 k Ω

A v =A v 1 A v 2

A v2=V o

V i 2= −i c 2(R c2 ∕ ∕ R L)

i B 2[R π 2 + R E 2(β2 +1 ) ]

¿−β2(R c2 ∕ ∕ R L)

R π 2 + R E 2(β2 +1 )=−0.96

A v1=−i c 1 (R c1 ∕ ∕ R B 2 ∕ ∕[R π 2 + R E 2(β2 +1 ) ] )

i B 1 R π 1 =−β1x 1.874

0.607 = -65.15V

A v= 62.66 V

G v = A v R¿

R¿+ R sig

= ¿ 19.11

II MÔ PHỎNG PROTEUS