(Đồ án hcmute) nghiên cứu cấu hình mạch boost dc dc coverter trong bộ nghịch lưu nối lưới

88 3 0
(Đồ án hcmute) nghiên cứu cấu hình mạch boost dc dc coverter trong bộ nghịch lưu nối lưới

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN – ĐIỆN TỬ NGHIÊN CỨU CẤU HÌNH MẠCH BOOST DC-DC COVERTER TRONG BỘ NGHỊCH LƯU NỐI LƯỚI GVHD: TRƯƠNG VIỆT ANH SVTH: TRẦN VĂN PHỤNG MSSV:14142447 SKL 0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 07/2018 an TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU CẤU HÌNH MẠCH BOOST DC-DC COVERTER TRONG BỘ NGHỊCH LƯU NỐI LƯỚI SVTH: TRẦN VĂN PHỤNG MSSV: 14142447 Khóa: 2014 Ngành: CƠNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN – ĐIỆN TỬ GVHD: PGS.TS TRƯƠNG VIỆT ANH Tp Hồ Chí Minh, tháng 07 năm 2018 i an CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc *** Tp Hồ Chí Minh, ngày 12 tháng năm 2018 NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Họ tên sinh viên: Trần Văn Phụng Ngành: Công Nghệ Kỹ Thuật Điện – Điện tử Giảng viên hướng dẫn: Trương Việt Anh Ngày nhận đề tài: 5/3/2018 MSSV: 14142447 Lớp: 14142CL1 ĐT: 0913117659 Ngày nộp đề tài: 16/7/2018 Tên đề tài: Nghiên cứu cấu hình mạch boost dc-dc converter nghịch lưu nối lưới Các số liệu, tài liệu ban đầu: − Tài liệu cấu trúc mạch tăng áp DC-DC − Tài liệu mạch tăng áp DC-DC nối với lưới hệ thống pin lượng mặt trời − Giáo trình điện tử cơng suất Nội dung thực đề tài: − Nghiên cứu cấu trúc mạch tăng áp DC-DC − Mô cấu trúc mạch tăng áp khác so sánh giá trị để đưa kết luận để nâng cao hiệu suất mạch tăng áp − Thi công thực nghiệm trường hợp mơ hình, so sánh với lý thuyết đưa kết luận thiết kế mạch tăng áp Sản phẩm: Giải thuật mơ hình TRƯỞNG NGÀNH GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN ii an CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh Phúc ******* PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN Họ tên Sinh viên: MSSV: Ngành: Tên đề tài: Họ tên Giáo viên hướng dẫn: NHẬN XÉT Về nội dung đề tài & khối lượng thực hiện: Ưu điểm: Khuyết điểm: Đề nghị cho bảo vệ hay không? Đánh giá loại: Điểm:……………….(Bằng chữ: .) Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 20… Giáo viên hướng dẫn iii an CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh Phúc ******* PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN Họ tên Sinh viên: MSSV: Ngành: Tên đề tài: Họ tên Giáo viên phản biện: NHẬN XÉT Về nội dung đề tài & khối lượng thực hiện: Ưu điểm: Khuyết điểm: Đề nghị cho bảo vệ hay không? Đánh giá loại: Điểm:……………….(Bằng chữ: ) Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 20… Giáo viên phản biện iv an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi LỜI CẢM ƠN  Em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến quý thầy cô trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí Minh, người truyền đạt cho em kiến thức kinh nghiệm quý báu suốt thời gian học tập, sinh hoạt trường Đặc biệt em xin chân thành cảm ơn PGS.TS Trương Việt Anh thời gian qua tận tình hướng dẫn, giúp đỡ em vượt qua khó khăn gặp phải suốt trình thực đồ án Em xin chân thành cảm ơn tất quý thầy cô khoa Điện-Điện Tử, phịng Thí Nghiệm Năng Lượng Tái Tạo (C201) tạo điều kiện thuận lợi để em hoàn thành đồ án Cuối em xin chân thành cảm ơn gia đình, bạn bè động viên giúp đỡ em lúc khó khăn Em kính chúc PGS.TS Trương Việt Anh tồn thể q thầy dồi sức khỏe thành công sống Sinh viên thực Trần Văn Phụng v an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi TÓM TẮT So với nguồn lượng khai thác sử dụng lượng gió, lượng hạt nhân,… Năng lượng mặt trời coi nguồn lượng rẻ, vô tận, nguồn lượng không gây hại cho môi trường thu hút sự quan tâm nhiều nhà khoa học, nhà nghiên cứu trở thành nguồn lượng tốt bậc tương lai Hệ thống quang điện sử dụng lượng mặt trời (Hệ thống pin lượng mặt trời) có nhiều ưu điểm không cần nguyên liệu, không gây ô nhiễm môi trường, phải bảo dưỡng, không gây tiếng ồn,… Hiện lượng mặt trời khai thác đưa vào ứng dụng sống công nghiệp nhiều dạng hình thức khác nhau, thơng thường để cấp điện nhiệt Hệ thống điện mặt trời có dạng: sử dụng nhiệt mặt trời pin quang điện (PV) Các pin mặt trời biến đổi trực tiếp ánh sáng mặt trời thành lượng điện dựa vào tượng quang điện Trong điều kiện thực tế nước ta nay, chi phí phát điện hệ thống cịn lớn so với lượng truyền thống, chúng chủ yếu dùng độc lập với lưới điện quốc gia Các hệ thống thường cấu trúc thành lưới điện độc lập phối hợp với nguồn lượng khác gió hay diesel Hiện lượng mặt trời khai thác đưa vào ứng dụng sống cơng nghiệp nhiều dạng hình thức khác nhau, thông thường để cấp nhiệt điện Một hệ pin mặt trời sử dụng lượng mặt trời gồm loại: hệ pin mặt trời làm việc độc lập hệ pin mặt trời làm việc với lưới Tuy nhiên nội dung chủ yếu giới thiệu báo cáo nghiên cứu cấu trúc mạch tăng áp DC-DC hệ sử dụng pin mặt trời Đồ án trình bày tởng quan lượng tái tạo nói chung lượng mặt trời nói riêng, pin mặt trời, mạch chuyển đổi công suất Sau đồ án tập trung nghiên cứu sâu cấu trúc mạch tăng áp DC-DC, thay đổi cấu trúc mạch tăng áp để thấy khả ứng dụng mạch tăng áp DC-DC nhằm để hệ thống pin lượng mặt trời làm việc tối ưu vi an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ABSTRACT The need for renewable energy sources is growing day by day because of the severe energy crisis in the world today Renewable energy sources play a significant role in electricity generation Several renewable energy sources (like solar, wind, geothermal, and biomass) can be used for generation of electricity and for meeting our daily energy demands Solar energy is the most viable option for electricity generation because it is available everywhere and is free to utilize Solar Photovoltaic (PV) arrays convert the solar energy into electrical energy With the current concentration on greener and cleaner sources of power, PV arrays are being used as an important source of power in many applications The photovoltaic (PV) gridconnected power system in the residential applications is becoming a fast growing segment in the PV market due to the shortage of the fossil fuel energy and the great environmental pollution DC–DC converters with voltage boost capability are widely used in a large number of power conversion applications, from fraction-of-volt to tens of thousands of volts at power levels from milliwatts to megawatts The literature has reported on various voltage-boosting techniques, in which fundamental energy to ring elements (inductors and capacitors) and/or transformers in conjunction with switch(es) and diode(s) are utilized in the circuit These techniques include switched capacitor (charge pump), voltage multiplier, switched inductor/voltage lift, magnetic coupling, and multistage/level, and each has its own merits and demerits depending on application, interms of cost, complexity, power density, reliability, and efficiency To meet the growing demand for such applications, new power converter topologies that use the above voltage-boosting techniques, as well as some active and passive components, are continuously being proposed The permutations and combinations of the various voltage-boosting techniques with additional components in a circuit allow for numerous new topologies and configurations, which are often confusing and difficult to follow Therefore, to present a clear picture on the general law and framework of the development of next-generation step-up dc–dc converters, this paper aims to comprehensively review and classify various step-up dc–dc converters based on their characteristics and voltage-boosting techniques In addition, the advantages and disadvantages of these voltage-boosting techniques and associated converters are discussed in detail Finally, broad applications of dc–dc converters are presented and summarized with comparative study of different voltage-boosting techniques vii an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi MỤC LỤC NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP ii PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN iii PHIẾU NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN iv LỜI CẢM ƠN v TÓM TẮT vi ABSTRACT vii DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT xi DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU xii DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, BIỂU ĐỒ xiii CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan vấn đề lượng mặt trời nước ta 1.2 Tổng quan kỹ thuật tăng áp khác ứng dụng tăng áp DC-DC .3 1.2.1 Các loại mạch chuyển đổi tăng áp 1.2.2 Các ứng dụng mạch tăng áp DC-DC 1.3 Các cách để nâng cao hiệu suất hệ thống pin lượng mặt trời .5 1.3.1 Dị điểm cơng suất cực đại cho pin mặt trời 1.3.2 Nâng cao hiệu nối lưới pin lượng mặt trời 1.3.3 Tăng hiệu suất sử dụng bằng nguồn hybrid 1.4 Lý chọn đề tài .7 1.5 Mục đích đề tài 1.6 Nhiệm vụ phạm vi nghiên cứu 1.7 Phương pháp nghiên cứu đề tài .9 CHƯƠNG 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT 10 2.1 Mặt trời lượng mặttrời .10 2.1.1 Pin mặt trời 10 2.1.2 Xây dựng mơ hình điều khiển nối lưới sử dụng pin mặt trời 20 2.2 Bộ biến đổi DC/DC 27 2.2.1 Mạch buck .28 2.2.2 Mạch boost .30 2.2.3 Mạch Buck – Boost: 33 2.2.4 Mạch Cúk .33 viii an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 2.2.5 2.3 Điều khiển biến đổiDC/DC 35 Hạn chế chuyển đổi tăng áp truyền thống 37 CHƯƠNG 3: CHỌN LINH KIỆN VÀ THIẾT KẾ MẠCH 41 3.1 Sơ đồ nguyên lý mạch tăng áp DC-DC 41 3.2 Điều khiển ổn áp 41 3.3 Xác định yêu cầu thiết kế 41 3.3.1 Thông số kỹ thuật 41 3.3.2 Dòng điện lớn khóa điện 42 3.3.3 Cuộn cảm 42 3.3.4 Chọn diode chỉnh lưu .43 3.3.5 Chọn tụ điện 44 3.3.6 Mạch kích cho Boost DC 44 3.3.7 Thiết kế mạch đo lường 45 3.3.8 Thiết kế mạch dùng phần mềm Proteus .46 3.2.9 Thiết kế mạch lọc thông thấp LC 46 CHƯƠNG 4: MƠ HÌNH HỆ THỐNG VÀ MẠCH TĂNG ÁP DC-DC TRÊN PSIM 48 4.1 Mơ hình hệ thống 48 4.1.1 Bộ mô pin lượng mặt trời Chroma 48 4.1.2 Mạch Boost DC-DC .49 4.1.2.3 Bộ điều khiển trung tâm 50 4.1.2.4 Mạch lọc LC 51 4.1.3 Phụ tải 51 4.1.4 Thi công mạch in 53 4.2 Mạch tăng áp DC-DC PSIM .54 CHƯƠNG 5: KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 56 5.1 Trường hợp cấu trúc mạch boost DC-DC dùng MOSFET 56 5.1.1 Lý thuyết 56 5.1.2 Thực nghiệm 59 5.2 Trường hợp cấu trúc mạch boost DC-DC dùng hai MOSFET mắc song song 60 5.2.1 Lý thuyết 60 5.2.2 Thực nghiệm 64 5.3 Trường hợp hai bo mạch boost DC-DC ghép song song .64 ix an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.7: Dạng sóng công suất pin (Pmax) công suất ngõ (Po) Hình 5.8: Giá trị độ rộng xung Hình 5.9: Dạng sóng điện áp ngõ vào (Vpv) điện áp ngõ (Vout) TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 58 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.10: Dạng sóng dịng điện qua mosfet 5.1.2 Thực nghiệm Vi (V) Có lọc 40 Khơng có lọc 40 Ii (A) 6.46 6.41 Pi (W) 258.5 256.4 Vo (V) 50.9 50.8 Io (A) 4.49 4.46 Po (W) 228.6 226.5 IL (A) 2.0 2.01 Imosfet (A) 2.0 2.01 H (%) 88.43 88.33 Bảng 2: Thực nghiệm đo đạc thông số trường hợp dùng MOSFET Nhận xét: Ở trường hợp này, bo mạch sử dụng MOSFET nên dòng qua MOSFET tương đối cao Điều cho thấy việc sử dụng mạch tăng áp với cơng suất cao dịng qua MOSFET lớn, làm hư hỏng linh kiện có lượng tởn hao qua MOSFET, làm giảm hiệu suất mạch tăng áp so với thực nghiệm Mạch lọc LC giúp làm giảm độ nhiễu điện áp bo mạch phải nối ghép lại bằng dây dẫn Kết luận: Không nên sử dụng MOSFET cấu trúc mạch tăng áp, khuyến khích nên sử dụng trường hợp thay đởi cấu trúc mạch để giảm dịng điện qua MOSFET nên sử dụng mạch bảo vệ MOSFET thiết kế bo mạch tăng áp Nên sử dụng mạch lọc LC TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 59 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH 5.2 Trường hợp cấu trúc mạch boost DC-DC dùng hai MOSFET mắc song song 5.2.1 Lý thuyết a) Có lọc LC Hình 5.11: Dạng sóng cơng suất pin (Pmax) công suất ngõ vào (Pi) Hình 5.12: Dạng sóng cơng suất pin (Pmax) cơng suất ngõ (Po) Hình 5.13: Giá trị độ rộng xung TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 60 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.14: Dạng sóng điện áp ngõ vào (Vpv) điện áp ngõ (Vout) Hình 5.16: Dạng sóng dịng điện qua mosfet Hình 5.17: Dạng sóng dịng điện qua mosfet TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 61 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH b) Khơng có lọc LC Hình 5.18: Dạng sóng cơng suất pin (Pmax) cơng suất ngõ vào (Pi) Hình 5.19: Dạng sóng cơng suất pin (Pmax) cơng suất ngõ (Po) Hình 5.20: Giá trị độ rộng xung TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 62 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.21: Dạng sóng điện áp ngõ vào (Vpv) điện áp ngõ (Vout) Hình 5.22: Dạng sóng dịng điện qua mosfet Hình 5.23: Dạng sóng dòng điện qua mosfet TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 63 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH 5.2.2 Thực nghiệm Vi I i Pi Vo Io Po IL Imosfet1 Imosfet2 H (V) (A) (W) (V) (A) (W) (A) (A) (A) (%) Có lọc 40 6.55 262 51 4.55 232.1 2.07 0.94 0.68 88.58 Khơng có lọc 40 6.31 252.7 50.9 4.39 223.5 2.08 0.93 0.66 88.44 Bảng 3: Thực nghiệm đo đạc thông số trường hợp dùng MOSFET ghép song song Nhận xét: Ở trường hợp này, hai MOSFET mắc song song với dịng qua MOSFET nhận chia so với mạch boost dùng MOSFET  giảm sự tỏa nhiệt MOSFET, tăng hiệu suất mạch boost, tăng t̉i thọ MOSFET dịng qua MOSFET giảm đáng kể Tuy nhiên, thời gian kích hai MOSFET khơng đồng thời, có MOSFET kích trễ so với MOSFET lại, điện trở dẫn hai MOSFET chưa bằng tuyệt đối nên dòng qua hai MOSFET không bằng so với lý thuyết Mạch lọc LC giúp làm giảm độ nhiễu điện áp MOSFET dẫn không đồng thời gây nên Kết luận: Nên dùng hai MOSFET mắc song song với cấu trúc mạch boost để làm giảm dòng điện qua MOSFET Tuy nhiên, điện trở dẫn MOSFET khác nhau, tính bằng mΩ nên dịng thực nghiệm MOSFET khơng bằng Để hạn chế việc dịng qua hai MOSFET khơng bằng nhau, cần tìm mua MOSFET nơi uy tín với điện trở dẫn giống Nên sử dụng mạch lọc LC 5.3 Trường hợp hai bo mạch boost DC-DC ghép song song 5.3.1 Lý thuyết Hình 5.24: Dạng sóng cơng suất pin (Pmax) công suất ngõ vào (Pi) TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 64 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.25: Dạng sóng công suất pin (Pmax) công suất ngõ (Po) Hình 5.26: Giá trị độ rộng xung Hình 5.27: Dạng sóng điện áp ngõ vào (Vpv) điện áp ngõ (Vout) TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 65 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.28: Dạng sóng dịng điện qua mosfet Hình 5.29: Dạng sóng dịng điện qua mosfet Hình 5.30: Dạng sóng dịng điện qua mosfet TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 66 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hình 5.31: Dạng sóng dịng điện qua mosfet 5.3.2 Thực nghiệm Vi Ii Pi Vo Io Po IL1 IL2 Imosfet1 Imosfet2 Imosfet3 Imosfet4 H (V) (A) (W) (V) (A) (W) (A) (A) (A) (A) (A) (A) (%) 40 6.7 268 52.4 4.65 243.7 3.43 3.47 0.26 0.25 0.25 0.27 90.93 Bảng 4: Thực nghiệm đo đạc thông số trường hợp dùng bo mạch ghép song song Nhận xét: Ở trường hợp này, ghép song song hai mạch boost lại ta thấy hiệu suất mạch tăng áp DC-DC tăng lên, dòng điện qua MOSFET giảm đáng kể so với mạch boost dùng hai MOSFET ghép song song nên tổn hao giảm xuống, đồng thời làm tăng t̉i thọ MOSFET Tuy nhiên, thời gian kích qua MOSFET khác mơ hình xài hai loại MOSFET IRF540 HY1707, điện trở dẫn chúng khác nên dòng điện qua MOSFET không bằng so với lý thuyết Thời gian kích MOSFET thực tế khơng bo riêng lẻ nên mạch lọc LC có tác dụng làm mạch lọc thông thấp giảm độ nhiễu điện áp ngõ ổn định áp ngõ Kết luận: Nên sử dụng bo mạch tăng áp ghép song song lại với để tăng hiệu suất bo mạch, làm tăng công suất hệ thống pin lượng mặt trời Tuy nhiên, nên cải tiến mơ hình ghép bo mạch riêng lẻ chung lại thành bo mạch để làm giảm độ nhiễu điện áp ra, khuyến khích lựa chọn MOSFET tốt quan trọng điện trở dẫn MOSFET tốt gần tương đương nên kết thực nghiệm so với lý thuyết TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 67 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 6.1 Kết luận Qua trình thực đồ án tốt nghiệp mơ hình mơ hệ thơng pin lượng mặt trời trình nghiên cứu thông số yêu tố liên quan đến vấn đề đến cấu trúc mạch tăng áp DC-DC nối với lưới trình bày luận văn, số kết luận đưa sau: Về ưu điểm: - Tìm hiểu cấu tạo, nguyên lý hoạt động yếu tố ảnh hưởng đến hoạt động tế bào quang điện - Tìm hiểu cấu tạo nguyên lý hoạt động pin mặt trời, cách nối lưới hệ thống pin mặt trời - Trình bày phương trình tính tốn dịng điện ngõ tế bào quan điện mối liên hệ với yếu tố cấu trúc pin mặt trời, điện áp hai đầu tế bào quan điện, nhiệt độ vận hành pin cường độ xạ mặt trời chiếu vào pin - Tìm hiểu cấu tạo, nguyên lý hoạt động yếu tốảnh hưởng đến hiệu suất thay đổi cấu trúc tăng áp DC-DC - Thiết kế thành cơng mơ hình mạch tăng áp DC-DC thực nghiệm trường hợp cấu trúc khác mạch tăng áp DC-DC để đưa kết luận yếu tố ảnh hưởng mạch Tuy nhiên, mơ hình cịn tồn số khuyết điểm cần phải cải thiện: - - - Về phần cứng: o So với biến đổi nghiên cứu giới, hiệu suất mạch thấp giới hạn tần số MOSFET Ngoài ra, thiết kế chưa phối hợp tối ưu yếu tố: tần số đóng cắt, điện trở điện cảm cuộn cảm o Vẫn chưa lựa chọn linh kiện để tối ưu hóa hiệu suất mạch o Chưa tích hợp bo mạch, bo mạch theo trường hợp rời rạc nên cịn phải dây làm cho tính thẩm mỹ mơ hình cịn chưa cao làm tăng tởn hao mạch Về giải thuật dị điểm cực đại: Chưa xây dựng dò điểm cực đại thành biến đổi điện áp nối với bus DC.Chưa đưa vào áp dụng tìm kiếm MPPT để tối ưu hóa cơng suất pin Về phương pháp điều khiển bus DC: Vẫn chưa xây dựng mơ hình hệ thống bus DC TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 68 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH Hướng phát triển Tuy nhiên, trình thực hiện, nhiều hạn chế thời gian, trình độ lực tài chính, luận văn cịn nhiều thiếu sót hạn chế cần khắc phục thời gian tới Các vấn đề nêu cơng việc kiến nghị thự thời gian để phát triển hoàn thiện hướng nghiên cứu Các vấn đề bao gồm: 6.2 - Cải thiện hiệu suất mạch: o Tính tốn tối ưu thơng số linh kiện giảm thiểu tổn thất dây dẫn tổn thất nội trở linh kiện Mặt khác, ứng dụng kĩ thuật chuyển mạch mềm nhằm hạn chế tởn thất chuyển mạch khóa điện Kèm theo xây dựng thêm dị điểm cực tối ưu hóa hiệu suất o Áp dụng thuật tốn thơng minh, điều khiển tối ưu vấn đề điều khiển hệ thống điện tử công suất nhằm nâng cao chất lượng điều khiển hệ thống để thay chuyển đổi DC-DC - Khắc phục vấn đề bóng che: có cách khắc phục – bằng phần mềm bằng phần cứng Giải bằng phần cứng tức thu gọn mạch biến đởi điện áp tích hợp vào pin, ứng với biến đởi có điểm cực trị Tuy nhiên, phương pháp cịn gặp khó khăn chi phí cần phải đồng tất biến đổi điện áp Còn dùng phần mềm, số giải thuật đề xuất giải thuật G.A, giải thuật đàn kiến, fuzzy logic… Tuy nhiên chúng phức tạp nhiều so với giải thuật truyền thống độ tin cậy giải thuật chưa cao, số giải thuật phải kết hợp với việc dùng P&O - Tối ưu hóa điều khiển ổn áp: Áp dụng điều khiển PID cho mạch điều khiển ởn áp - Phát triển chức hịa lưới điện nhằm nâng cao hiệu vận hành hệ thống pin điều kiện có hệ thống lưới điện quốc gia bên cạnh Với tính hịa đồng lưới điện, hệ thống pin lượng mặt trời có tính linh hoạt cao hơn, nâng cao tính thực tiễn khả cạnh tranh so với sản phẩm khác đưa vào sử dụng TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 69 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Nguyễn Minh Tuấn (2017), “Nghiên cứu cấu hình chuyển đởi lượng mặt trời nối bus DC”, Đại học Lạc Hồng, 86 trang [2] Lê Tiên Phong, Ngô Đức Minh(2014), “Nghiên cứu ứng dụng biến đổi điện tử công suất vào khai thác nguồn pin mặt trời điện gió”,Hội thảo khoa học Đại học Thái Nguyên [3] Trương Việt Anh , Nguyễn Bá Thuận, “Phương pháp hòa nguồn lượng mặt trời vào lưới điện phân phối” Tiếng Anh [4] Javier Calvente, Luis Martinez-Salamero, Hugo Valderrama, Enric VidalIdiarte, “Using Magnetic Coupling to Eliminate Right Half-Plane Zeros in Boost Converters”, IEEE Power Electronics letters, vol 2, no 2, June 2004 [5] Manoranjan Sahoo, Siva Kumar K, “High Gain Step Up DC-DC Converter For DC Micro-Grid Application”, 2014 [6] Charanasomboon, T.; Devaney, M.J.; Hoft, R.G., ”Single switch dual output DC-DC converter performance”, Power Electronics, IEEE Transactions on , vol.5, no.2, pp.241,245, Apr 1990 [7] Wuhua Li, Xiangning He, “Review of Nonisolated High-Step-Up DC/DC Converters in Photovoltaic Grid-Connected Application”, Power Electronics ,IEEE Transactions on industrial electronics, vol 58, no 4, April 2014 [8] Brigitte Hauke (2009-2014), “Basic Calculation of a Boost Converter's Power Stage”, SLVA372C, Texas Instrument [9] “The DC-DC Boost Converter – Power Supply Design Tutorial”, https://www.powerelectronicsnews.com TRẦN VĂN PHỤNG – 14142447 an (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi 70 (Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi(Do.an.hcmute).nghien.cuu.cau.hinh.mach.boost.dc.dc.coverter.trong.bo.nghich.luu.noi.luoi ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP GVHD: PGS TS TRƯƠNG VIỆT ANH PHỤ LỤC void setup() { pinMode(10,OUTPUT); digitalWrite (10, LOW); delay(400); TCCR1A = 0; //reset ghi 1A TCCR1B = 0; //reset ghi 1B DDRB |= (1

Ngày đăng: 01/01/2024, 19:47

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan