Thông tin tài liệu
Ộ GI O Ụ V TR ỜN OT O ỌC QU N N HUỲNH THỊ TUYẾT NHUNG a lu n n va tn to NGHIÊN CỨU KHẢ NĂN HẤP PHỤ p ie gh CỦA HỆ HAI CẤU TỬ PORPHYRIN TRÊN BỀ MẶT T Ể ỒNG TRONG HỆ ỆN HÓA d oa nl w NT N a nv a lu ll u nf m C SĨ ÓA tz n oi LUẬN VĂN T ỌC z m co l gm @ an Lu Bình ịnh, Năm 2019 n va ac th si Ộ GI O Ụ V TR ỜN OT O ỌC QU N N HUỲNH THỊ TUYẾT NHUNG a lu n n va tn to p ie gh NGHIÊN CỨU KHẢ NĂN HẤP PHỤ oa nl w CỦA HỆ HAI CẤU TỬ PORPHYRIN TRÊN BỀ MẶT NT N T Ể ỒNG TRONG HỆ ỆN HÓA d a nv a lu u nf ll Chun ngành: Hóa vơ m tz n oi Mã số: 8440113 z Ng ời h ớng d n: TS HUỲNH THỊ MIỀN TRUNG @ m co l gm PGS.TS NGUYỄN PHI HÙNG an Lu n va ac th si LỜ CAM OAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc ngƣời khác cơng bố cơng trình nghiên cứu khác a lu n n va p ie gh tn to d oa nl w a nv a lu ll u nf m tz n oi z m co l gm @ an Lu n va ac th si LỜ CẢM N Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành đến PGS.TS Nguyễn Phi Hùng TS Huỳnh Thị Miền Trung – ngƣời trực tiếp bảo tận tình nhƣ hƣớng dẫn, định hƣớng, ủng hộ tơi suốt q trình nghiên cứu hồn thành luận văn Trong q trình thực luận văn, nhận đƣợc quan tâm, tạo a lu điều kiện quý thầy, cô khoa Khoa học tự nhiên Trung tâm thí nghiệm n n va thực hành A6 – Trƣờng ại học Quy Nhơn Tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tn to tới quý Thầy, Cô, bạn đồng nghiệp ngƣời thân động viên, khích lệ p ie gh tinh thần suốt trình học tập nghiên cứu khoa học Trong thời gian thực luận văn, thân nỗ lực cố gắng nghiên oa nl w cứu, kết hợp kiến thức học đƣợc từ Thầy Cô, tài liệu tham khảo đặc biệt hƣớng dẫn nhiệt tình, tận tâm giảng viên, luận văn d hoàn thành đạt đƣợc mục tiêu nghiên cứu đề Tuy nhiên, thân cịn a nv a lu hạn chế kiến thức nhƣ thời gian, kinh nghiệm nghiên cứu nên khơng tránh khỏi thiếu sót Tơi mong nhận đƣợc ý kiến đóng góp từ u nf q Thầy, Cơ để luận văn đƣợc hồn thiện ll m Tôi xin chân thành cảm ơn! tz n oi z m co l gm @ an Lu n va ac th si MỤC LỤC LỜ CAM OAN LỜ CẢM N MỤC LỤC DAN MỤC CÁC TỪ V ẾT TẮT, CÁC KÍ DAN MỤC ÌN ỆU ẢN MỞ ẦU 1 Lý chọn đề tài a lu Mục tiêu nghiên cứu n ối tƣợng phạm vi nghiên cứu n va 3.1 Đối tượng nghiên cứu tn to 3.2 Phạm vi nghiên cứu p ie gh Nội dung nghiên cứu 4.1 Chế tạo vật liệu oa nl w 4.2 Đặc trưng vật liệu d Phƣơng pháp nghiên cứu a nv a lu 5.1 Phương pháp chế tạo vật liệu 5.2 Phương pháp đặc trưng vật liệu u nf Ý nghĩa khoa học ll m Cấu trúc luận văn TỔNG QUAN 1.1 ỒNG V tz N n oi C ƠN TINH THỂ ỒNG z gm @ 1.2 GIỚI THIỆU VỀ PORPHYRIN 1.2.1 Giới thiệu chung l co 1.2.2 Ứng dụng màng porphyrin trình khử O2 m 1.3 IỆN HÓA HỌC T I BỀ MẶT PHÂN CÁCH RẮN – LỎNG 10 Lu an 1.3.1 Mặt phân cách rắn – lỏng 10 n va ac th si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 1.3.2 Các trình bề mặt giao diện rắn – lỏng 12 1.4 PHƢƠNG PH P Ặ TRƢNG VẬT LIỆU 14 1.4.1 Phƣơng pháp qt vịng tuần hồn (CV) 14 1.4.2 Phƣơng pháp quét tuyến tính (Linear sweep voltammetry: LSV) 16 1.4.3 Phƣơng pháp hiển vi quét xuyên hầm điện hóa (Electrochemical scanning tunneling microscopy: EC-STM) 17 C N T ỰC NGHIỆM 24 2.1 HÓA CHẤT 24 a lu 2.2 DỤNG CỤ, THIẾT BỊ 24 n 2.3 CHUẨN BỊ HÓA CHẤT 25 n va 2.3.1 Dung dịch H3PO4 50% 25 tn to 2.3.2 Dung dịch H2SO4 mM 25 p ie gh 2.3.3 Dung dịch đệm KCl 10 mM H 2SO4 mM 25 2.3.4 Dung dịch đệm KI 10 mM H 2SO4 mM 25 oa nl w 2.3.5 Dung dịch đệm chlorine chứa phân tử TAP 26 2.3.6 Dung dịch đệm chlorine chứa phân tử PP 26 d a nv a lu 2.3.7 Dung dịch đệm chlorine chứa hỗn hợp TAP PP 26 2.3.8 Dung dịch đệm iodide chứa hỗn hợp TAP PP 26 u nf 2.4 CHẾ T O VẬT LIỆU 27 ll m 2.4.1 Chuẩn bị điện cực làm việc (Cu(100)) 27 n oi 2.5 KHẢO SÁT TÍNH CHẤT tz 2.4.2 Chế tạo hệ vật liệu 28 IỆN HÓA CỦA CÁC HỆ VẬT LIỆU z BẰNG PHƢƠNG PH P V 28 @ l gm 2.6 ỨNG DỤNG KHỬ O2 CỦA MÀNG PORPHYRIN BẰNG PHƢƠNG ƠN LỚP PORPHYRIN m 2.7 KHẢO SÁT CẤU TRÚC BỀ MẶT M NG co PHÁP THẾ QUÉT TUYẾN TÍNH (LSV) 29 Lu an BẰNG PHƢƠNG PH P E -STM 30 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C N KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 33 3.1 SỰ HẤP PHỤ Ặ TRƢNG TRÊN BỀ MẶT IỆN CỰ ỦA ANION CHLORIDE, IODIDE ƠN TINH THỂ Cu(100) 33 3.2 SỰ HẤP PHỤ CỦA PHÂN TỬ TAP, PP VÀ HỖN HỢP TAP VÀ PP TRÊN BỀ MẶT Cu(100) TRONG DUNG DỊ H ỆM CHLORINE 35 3.2.1 Tính chất điện hóa phân tử porphyrin Cl/Cu(100) 35 3.2.2 Cấu trúc bề mặt màng đơn lớp porphyrin Cl/Cu(100) 40 3.3 SỰ HẤP PHỤ CỦA HỆ HAI CẤU TỬ TAP VÀ PP TRÊN BỀ MẶT a lu Cu(100) TRONG DUNG DỊ H ỆM IODIDE 44 n 3.3.1 Tính chất điện hóa hệ hai cấu tử TAP PP bề mặt n va I/Cu(100) 44 tn to 3.3.2 Cấu trúc bề mặt màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP p ie gh I/Cu(100) 46 3.3.3 Sự phụ thuộc vào điện cực trình hấp phụ giải hấp đối oa nl w với màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP lớp đệm iodide 47 3.4 HO T TÍNH XÚC TÁC CỦA M NG PORPHYRIN ỐI VỚI QUÁ d a nv a lu TRÌNH KHỬ O2 48 KẾT LUẬN 52 u nf DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 53 ll AO Ề TÀ LUẬN VĂN T C SĨ (bản sao) m tz n oi QU ẾT ỊN z m co l gm @ an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT, CÁC KÝ HIỆU Danh mục từ viết tắt Copper dissolution reaction (Phản ứng hòa tan đồng) CDR CE ounter electrode ( iện cực phụ trợ) CV yclic voltammetry (Phƣơng pháp qt vịng tuần hồn) EC - STM Electrochemical scanning tunneling microscopy (Phƣơng pháp hiển vi quét xuyên hầm điện hóa) a lu n n va Face centered cubic (Lập phƣơng tâm diện) LP Line profile (Phƣơng pháp xử lý số liệu Line profile) LSV Linear sweep voltammetry (Phƣơng pháp quét tuyến tính) OER Oxygen evolution reaction (Phản ứng tạo khí oxi) PEMFC Proton exchange membrane fuel cell (Pin nhiên liệu sử dụng p ie gh tn to fcc 5,10,15,20-Tetrakis-(N-methyl-4-pyridyl)-porphyrin Reference electrode ( iện cực so sánh) d RE oa nl w PP màng trao đổi proton) a lu 5,10,15,20-Tetrakis-(4-trimethyl ammonium phenyl)-porphyrin STM Scanning tunneling microscopy (Phƣơng pháp hiển vi quét xuyên hầm) UHV Ultra high vacuum (Môi trƣờng siêu chân không) WE Working electrode ( iện cực làm việc) a nv TAP ll u nf m tz E n oi Danh mục ký hiệu iện điện cực làm việc so với điện cực so sánh Ag/AgCl z Ubias iện đầu dò (tip) mẫu m co ƣờng độ dòng xuyên hầm l It gm @ (CKCl = M) an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DAN MỤC Số hiệu hình vẽ, đồ thị ÌN ẢN Tên hình vẽ, đồ thị Trang a lu n 1.1 Sự xếp lớp nguyên tử mạng tinh thể fcc 1.2 a) Mặt phẳng (100) mạng tinh thể Cu; b) Hình ảnh EC-STM Cu(100) E = 0,09 V so với Ag/AgCl (CKCl = M), Ubias = 35 mV, It = nA 1.3 Porphin quy tắc đánh số n va ông thức cấu tạo TAP PP 1.5 Mơ hình hoạt động pin PEMFC 10 1.6 Mơ hình Helmholtz 11 1.7 Mơ hình Gouy-Chapman-Stern-Grahame 12 1.8 Sự hấp phụ đặc trƣng anion bề mặt điện cực 13 Mơ hình tự xếp phân tử hữu lớp anion hấp phụ 13 Nguyên tắc hoạt động hệ điện cực, E: điện cực phụ trợ, WE: điện cực làm việc, RE: điện cực so sánh 15 1.11 ƣờng cong biểu diễn mối quan hệ i-E có pic đặc trƣng, ip,a ứng với Ep,a ip,c ứng với Ep,c 16 1.12 Sự tƣơng tác đầu dò bề mặt mẫu 18 1.13 Sơ đồ mức lƣợng hiệu ứng xuyên hầm 18 1.14 Nguyên tắc hoạt động kính hiển vi quét xuyên hầm (STM): Ubias: điện bias; It: dòng điện xuyên hầm; Ux Uy: điện theo trục ngang - song song với bề mặt mẫu; Uz: điện theo trục dọc - vuông góc với bề mặt mẫu 20 1.15 Nguyên tắc hoạt động chế độ dịng điện khơng đổi 21 1.16 Nguyên tắc hoạt động chế độ chiều cao không đổi 21 1.17 Sơ đồ biểu thị nguyên tắc hoạt động hệ EC-STM 22 2.1 Thiết bị làm bề mặt u(100) ề mặt u(100) trƣớc 27 p ie gh tn to 1.4 d 1.10 oa nl w 1.9 a nv a lu ll u nf m tz n oi z m co l gm @ an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an sau đƣợc làm tƣợng dƣơng cực tan Hệ tế bào điện hóa phép đo V 28 2.3 Thiết bị đo V trƣờng đại học Quy Nhơn 28 2.4 Thông số kỹ thuật phép đo V 29 2.5 Thiết bị sục khí N2 (a), O2 (b) vào dung dịch mẫu 29 2.6 Thông số kỹ thuật phép đo LSV 30 2.7 Hình ảnh hệ EC-STM khoa Hóa, KU Leuven, Bỉ 30 2.8 a) ầu dị Vonfram đƣợc chế tạo phƣơng pháp khắc điện hóa; b) ầu dò đƣợc phủ lớp polime cao phân tử để hạn chế dòng Faraday 31 3.1 CV Cu(100) dung dịch KCl 10 mM + H2SO4 mM dung dịch KI 10 mM + H2SO4 mM 34 3.2 Hình ảnh EC-STM mơ tả hấp phụ chlorine (a-b) iodide (c-d) Cu(100) 35 3.3 CV Cu(100) dung dịch đệm chlorine dung dịch đệm chlorine chứa TAP 36 CV Cu(100) dung dịch đệm chlorine dung dịch đệm chlorine chứa PP 36 CV Cu(100) dung dịch đệm chlorine dung dịch đệm chlorine chứa hỗn hợp TAP PP 37 a lu 2.2 n n va p ie gh tn to d oa nl w 3.4 a nv a lu 3.5 u nf chế trình khử thứ phân tử TAP 3.7 chế trình khử thứ hai phân tử TAP 38 ll 3.6 m n oi 39 40 3.9 a-c) Hình thái học cấu trúc bề mặt màng đơn lớp phân tử PP lớp đệm chlorine, E= -0,4 V vs Ag/AgCl 42 tz 3.8 a-c) Hình thái học cấu trúc bề mặt cấp độ phân tử màng đơn lớp TAP lớp đệm chlorine, E = -0,33 V; It = 0,1 nA, Ubias = 17 mV; d) Phép đo LP đƣợc thực dọc theo đƣờng nét đứt màu vàng hình 3.8 b mơ tả khoảng cách gần phân tử TAP hàng z m co l gm @ an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 45 đen) dung dịch đệm iodide chứa TAP PP (đƣờng màu đỏ) V u(100) dung dịch chứa hỗn hợp porphyrin có ba pic khử R 1, R2 R3 giá trị lần lƣợt E1 = -0,38 V, E2 = -0,50 V E3 = -0,65 V; vùng pic R2 gần nhƣ trùng với pic khử uI a lu n n va p ie gh tn to oa nl w Hình 3.11 CV Cu(100) dung dịch đệm iodide dung dịch đệm iodide chứa TAP+PP d a lu ựa vào kết thu đƣợc, kết hợp với nghiên cứu tính chất điện a nv u nf hóa hệ màng đơn lớp cấu tử TAP, PP bề mặt tinh thể u(100) đƣợc ll trình bày trên, kết luận pic khử R1 liên quan đến trình khử m n oi phân tử PP theo phƣơng trình sau: PP(0) + 2e- ↔PP(-II) tz (3.5) ác pic khử R2 R3 cộng hợp trình khử TAP PP Pic z gm @ R2 ứng với phƣơng trình: (3.7) (3.8) PP(-IV) + 2e- ↔ PP(-VI) (3.9) ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn n va TAP(-II) + 4e- ↔ TAP(-VI) an Lu pic R3 ứng với phƣơng trình sau: m co PP(-II) + 2e- ↔ PP(-IV) (3.6) l TAP(0) + 2e- ↔ TAP(-II) si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 46 Nhìn chung, tính chất điện hóa màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP u(100) dung dịch đệm chlorine iodide gần nhƣ giống 3.3.2 Cấu trúc bề mặt màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP I/Cu(100) Hình 3.12 mơ tả hình thái học cấu trúc bề mặt cấp độ phân tử màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP bề mặt I/ u(100) E = -0,35 V a lu n n va p ie gh tn to Hình 3.12 ình thái học cấu trúc bề mặt cấp độ phân tử màng đơn lớp oa nl w hệ hai cấu tử TAP+PP lớp đệm iodide; điện áp vào điện cực Cu(100) E = -0,35 V vs Ag/AgCl (CKCl = M); c ờng độ dòng xuyên hầm t= 0,1 nA; d điện đầu dò điện cực Cu(100) Ub = 100 mV a lu a nv Trong điều kiện thí nghiệm chọn, iodide hấp phụ trƣớc u(100) u nf đóng vai trị nhƣ lớp đệm q trình hấp phụ phân tử porphyrin ll Hình ảnh E -STM cho thấy TAP PP hấp phụ cạnh tranh toàn bề mặt m n oi lớp đệm iodide Tuy nhiên, khác với lớp đệm chlorine, hầu nhƣ phân tử tz PP hấp phụ tồn lớp đệm iodide; phân tử TAP hấp phụ z yếu iodide, chủ yếu tập trung biên giới hạn vùng phân tử @ gm PP Thực nghiệm cho thấy khác với PP, phân tử TAP linh động dễ co l dàng bị quét đầu dò E -STM Sự khác biệt lần khả an Lu bề mặt lớp đệm iodide khơng tích điện m phân cực phân tử TAP so với phân tử PP nên PP có xu hƣớng hấp phụ tốt n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 47 3.3.3 Sự phụ thuộc vào điện cực trình hấp phụ giải hấp màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP lớp đệm iodide Hình 3.13 hình ảnh E -STM đƣợc đo vị trí bề mặt điện cực nhƣng khác điện đặt vào điện cực a lu n n va p ie gh tn to d oa nl w a lu a nv Hình 3.13 Quá trình giải hấp hệ hai cấu tử TAP+PP u nf I/Cu(100); It = 0,1 nA, Ub = 150 mV ll Tại điện E = -0.35 V (Hình 3.13a), TAP PP hấp phụ bề mặt m tz n oi lớp đệm iodide nhƣ trình bày phần 3.3.2 Tuy nhiên, quét hƣớng âm qua qua pic R2 TAP bị giải hấp, lúc PP hấp phụ bề iều đƣợc giải thích nhận z mặt I/ u(100) (Hình 3.13b) @ gm electron TAP vùng làm biến đổi tƣơng tác TAP co l iodide (nhƣ trình bày phần 3.3.1) Tiếp tục quét hƣớng âm PP m bị giải hấp hình thành pha khơng trật tự bề mặt (Hình 3.13c) Quá trình Lu an giải hấp xảy hoàn toàn E = -0.75 V (Hình 3.13d) Nguyên nhân n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 48 tƣợng cấu trúc lớp đệm iodide thay đổi [29] nhận electron PP gây Thế điện cực sau đƣợc quét ngƣợc phía dƣơng để nghiên cứu q trình tái hấp phụ phân tử porphyrin Tại E = -0.55 V, phân tử porphyrin bắt đầu tiếp cận bề mặt lớp đệm iodide (Hình 3.13e) tái hấp phụ hồn toàn quét đến E = -0.3 V Tuy nhiên, hầu nhƣ có phân tử PP tham gia trình tái hấp phụ lớp đệm iodide iều khẳng định hấp phụ cạnh tranh ƣu tiên cho phân tử PP Kết cho phép điều a lu khiển thành phần/tỷ lệ phân tử hấp phụ hệ màng hỗn hợp, từ n n va chế tạo màng hỗn hợp có hợp phần nhƣ mong muốn PORP tn to 3.4 HO T TÍNH XÚC TÁC CỦA MÀN RN ỐI VỚI Q p ie gh TRÌNH KHỬ O2 Trong khn khổ luận văn này, chúng tơi trình bày khả xúc tác oa nl w hệ màng porphyrin l/ u(100) trình khử O2 phƣơng d pháp LSV thông qua biến đổi cƣờng độ dòng điện theo hàm điện a nv a lu áp vào điện cực làm việc Về nguyên tắc, phản ứng trình vật lý, hóa học xảy bề mặt điện cực làm thay đổi điện dung bề mặt phân u nf ll cách rắn - lỏng tức làm thay đổi cƣờng độ dòng điện/mật độ dòng điện hệ m tz n oi Kết phép đo LSV điện cực đơn tinh thể u(100) trƣớc sau biến tính màng đơn lớp chứa hai phân tử TAP PP đƣợc chế tạo từ z dung dịch đƣợc làm khơng khí N2 đƣợc sục khí O2 bão hịa @ iện điện cực u(100) đƣợc quét từ - gm đƣợc trình bày hình 3.14 m mặt Cu co l 0,2 V đến -0,45 V, vùng điện đặc trƣng phản ứng khử O2 bề an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 49 a lu n n va Hình 3.14 Quá trình khử O2 bề mặt điện cực Cu(100) tr ớc sau biến tính Tr ờng hợp bề mặt Cu(100) ch a đ ợc biến tính màng p ie gh tn to màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP dung dịch đệm chlorine porphyrin: oa nl w Kết thực nghiệm cho thấy khơng có thay đổi đáng kể mật độ dịng điện q trình khử O2 bề mặt điện cực Cl/Cu(100) điện d a lu dƣơng -0.4 V dung dịch đệm đƣợc sục khí N2 (đƣờng màu đen) a nv đƣợc sục khí O2 (đƣờng màu xanh) Mật độ dịng trung bình khoảng 0,035 ll u nf µA/mm2 đƣợc cho lớp điện kép Cu+-Cl- hình thành giao diện rắn- m lỏng Tuy nhiên, dung dịch đệm đƣợc sục khí O2, có tƣợng tăng n oi dòng vùng âm -0.40 V (đƣờng màu xanh) cho thấy trình khử O2 tz bề mặt Cl/Cu(100) xảy vùng âm -0.40V z cấu tử porphyrin TAP PP: l gm @ Tr ờng hợp bề mặt Cu(100) đ ợc biến tính màng đơn lớp hai m co Mật độ dòng thay đổi sau bề mặt điện cực đƣợc biến tính màng Lu đơn lớp hai cấu tử TAP PP Với dung dịch porphyrin đƣợc làm an khí N2, mật độ dịng trung bình khoảng 0.075 µA/mm2 (đƣờng màu tím) tƣơng n va ứng với điện dung gây lớp điện kép Cl-/porphyrinn+ hình thành giao ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 50 diện rắn-lỏng Tuy nhiên, cƣờng độ dòng tăng mạnh xuất pic khử 0.38 V (đƣờng màu da cam) dung dịch đƣợc sục khí O2 Nhƣ vậy, khử O2 dịch chuyển mạnh hƣớng dƣơng hệ TAP PP/Cl/Cu(100) so với hệ Cl/Cu(100), tức màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP có hoạt tính xúc tác q trình khử O2 bề mặt Cu So sánh khả xúc tác màng hai cấu tử màng cấu tử: húng tơi tiến hành khảo sát hoạt tính xúc tác cho phản ứng khử O2 màng đơn lớp hệ hai cấu tử so với màng đơn lớp cấu tử TAP PP a lu Kết đƣợc hình 3.15 cho thấy, khả xúc tác màng hai n cấu tử lớn so với màng PP nhỏ so với màng TAP Kết phù n va hợp với tỷ lệ hợp phần TAP PP màng hai cấu tử, 64% TAP 36% PP tn to (nhƣ trình bày phần 3.2) Khả xúc tác màng TAP lớn p ie gh so với màng PP Nên có mặt PP màng hỗn hợp làm giảm khả d oa nl w xúc tác so với màng chứa phân tử TAP a nv a lu ll u nf m tz n oi z m co l gm @ Hình 3.15 thị LSV so sánh khả xúc tác phản ứng khử O2 Lu an màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP so với màng cấu tử TAP PP n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 51 Kết thực nghiệm cho thấy hoạt tính xúc tác màng đơn lớp kiểm sốt cách thay đổi tỷ lệ hợp phần phân tử màng hỗn hợp chế trình khử O2 phân tử họ porphyrin đƣợc cho liên quan đến hình thành liên kết hiđro nhóm NH+ nhân porphin với nguyên tử oxi O2 [29] a lu n n va p ie gh tn to d oa nl w a nv a lu ll u nf m tz n oi z m co l gm @ an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 52 KẾT LUẬN mặt ã chế tạo hệ vật liệu màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP bề l/ u(100), I/Cu(100) phƣơng pháp lắng đọng điện hóa dung dịch chứa phân tử ã khảo sát tính chất điện hóa màng đơn lớp hai cấu tử TAP PP hệ đệm l/ u(100) I/Cu(100) phƣơng pháp V từ xác định vai trị điện tích nhóm chức ngoại vi đến độ bền vật liệu màng ã khảo sát hình thái học cấu trúc bề mặt cấp độ phân tử màng a lu n đơn lớp hai cấu tử TAP PP bề mặt l/ u(100) I/Cu(100) n va phƣơng pháp E -STM Trong điều kiện hấp phụ cạnh tranh, TAP PP thể tn to khả hấp phụ không giống lớp đệm chlorine iodide, TAP p ie gh hấp phụ mạnh PP chlorine nhƣng lại hấp phụ yếu nhiều so với PP iodide ã khảo sát hoạt tính xúc tác màng đơn lớp hai cấu tử TAP oa nl w PP/ l/ u(100) trình khử O2 phƣơng pháp điện hóa Hệ màng d có hoạt tính xúc tác dƣơng trình khử O2 Khả xúc tác a lu a nv màng hỗn hợp thấp màng cấu tử TAP cao màng cấu tử PP u nf Kết thực nghiệm chứng minh hoạt tính xúc tác hệ màng hỗn hợp ll điều khiển cách thay đổi tỷ lệ nồng độ phân tử thành phần m tz n oi z m co l gm @ an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 53 DAN [1] MỤC TÀ L ỆU T AM K ẢO Andricacos P C, Uzoh C, Dukovic J, Horkans J and Deligianni H, (1998), “ amascene copper electroplating for chip interconnections’’, IBM J Kes Develop, Vol 42 No, 12, p.567–574 [2] Areej Merhi (2013), “Synthesis of new organic and organometallic Porphyrin Assemblies for Optics”, INSA de Rennes a lu n [3] Bhattarai A., Mazur U., and Hipps K W (2014), “A Single Molecule va n Level Study of the Temperature-Dependent Kinetics for the tn to Formation of Metal Porphyrin Monolayers on Au(111) from p ie gh p.2142-2148 Charreteur F., Jaouen F and Dodelet J P (2009), “Iron porphyrin- oa nl w [4] Solution” Journal of the American Chemical Society, 136(5): based cathode catalysts for PEM fuel cells: Influence of d a nv a lu pyrolysis gas on activity and stability”, Electrochimica Acta, 54(26): p 6622-6630 u nf Den Boer D et al (2013), “ Detection of different oxidation states of ll [5] m n oi individual manganese porphyrins during their reaction with 621-627 tz oxygen at a solid/liquid interface”, Nature Chemistry, 5(7): p z @ Edelstein D., Heidenreich J., Goldblatt R., Cote W., Uzoh C., Lustig gm [6] l N., P Roper, McDevitt T., Motsiff W., Simon A., Dukovic J., m co Wachnik R., Rathore H (1997), “Full copper wiring in a International Electron Devices Meeting, p 773 an Lu sub-0.25mm cmosulsi technology, technical digest”, in IEEE n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 54 [7] Fonda H N et al (1993), “Spectroscopic, photophysical, and redox properties of some meso-substituted free-base porphyrins” The Journal of Physical Chemistry, 97(27): p 7024-7033 [8] Gimzewski J K., Stoll E., Schlittler R R (1987), “Scanning tunneling microscopy of individual molecules of copper phthalocyanine adsorbed on polycrystalline silver surfaces”, Surface Science, 181: p 267-277 [9] Graham-Rowe Ducan (2012), “ attery tweak to let electric cars outlast a lu the gas-guzzlers”, New Sci, 213, p 18 n Wandelt K (2009), “Electrochemical reactions at a porphyrin- n va [10] Hai N.T.M., Furukawa S., Vosch T., Feyter S D., Broekmann P., tn to copper interface” J Phys Chem Chem Phys., 11, p 5422 p ie gh [11] Hai N.T.M, Furukawa S., Vosch T., De Feyter S., Broekmann P., oa nl w Wandelt K (2009), “Electrochemical reactions at a porphyrincopper interface” J Phys Chem Chem Phys., 11, 5422–5430 d [12] Hambright P., Fleischer E (1970), “ Acid-base equilibriums, kinetics a lu a nv of copper ion incorporation, and acid-catalyzed zinc ion from the water-soluble porphyrin ll u nf displacement m alpha.,.beta.,.gamma.,.delta.-tetrakis(1-methyl-4-pyridinio) n oi porphine tetraiodide” Inorg Chem 9, p 1757 58 tz [13] Huemann S., Hai N.T.M, Broekmann, P., Wandelt, K., Zajonz, H., z Dosch, H., Renner, F (2006) , “ X-ray diffraction and STM @ l gm study of reactive surfaces under electrochemical control: Cl and I on Cu(100)” The Journal of Physical Chemistry B, 110 m co (2006), 24955 Lu an [14] Ivanov, Alexander S.; Boldyrev, Alexander I (2014) "Deciphering n va aromaticity in porphyrinoids via adaptive natural density ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 55 partitioning", Organic & Biomolecular Chemistr, 12, pp 6145–6150 [15] Jaouen F., Proietti E., Lefevre M., Chenitz R., Dodelet J.P., Wu G., H T., Johnston M., Zelenay P (2011), “Recent Advances in Non-Precious Metal Catalysis for OxygenReduction Reaction in Polymer Electrolyte Fuel ells”, Energy Environ Sci, 4(1), pp 114− 130 [16] Kaibara A and Matsumara G., Handbook of Porphyrins: Chemistry, a lu Properties and Applications chapter 6: p 229-260 n [17] Kunitake M et al (1997), “ Structures and Dynamic Formation n va Processes of Porphyrin Adlayers on Iodine-Modified Au(111) in tn to Solution: In Situ STM Study”, Langmuir, 13(6): p 1607-1615 p ie gh [18] Lammi R K., Balasubramanian T., Wagner R W., Bocian D F., Holten D., Lindsey J S (2000), Am Chem Soc., 122(31), pp oa nl w 7579-7591 d [19] Levin S A (1992), “The Problem of Pattern and Scale in Ecology”, a lu a nv Ecology, 73, pp 1943−1967 ll u nf [20] Li L L and Diau E W G (2013), “Porphyrin-sensitized solar cells”, m Chemical Society Reviews, 42(1): p 291-304 n oi tz [21] Linares M et al (2008), “ hiral Expression at the Solid−Liquid Interface: A Joint Experimental and Theoretical Study of the z 24(17): p 9566-9574 l gm @ Self-Assembly of Chiral Porphyrins on Graphite”, Langmuir, m co [22] Liu F et al (2015), “Morphology-Controlled Self-Assembly of an Lu Organic/ Inorganic Hybrid Porphyrin Derivative Containing an Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane (POSS)” Chemistry – A ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn n va European Journal, 21(14): p 5540-5547 si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 56 [23] Magnussen O M (2002), “Ordered anion adlayers on metal electrode surfaces”, Chem Rev, 102, pp 679–725 [24] McGuire Jr R et al (2010), “Oxygen reduction reactivity of cobalt(ii) hangman porphyrins”, Chemical Science, 1(3): p 411-414 [25] Melillo J M., McGuire A D., Kicklighter D W., Moore B., Vorosmarty J., Schloss A L (1993),“Global limate-Change and Terrestrial Net Primary Production”, Nature, 363, pp 234−240 a lu [26] Meyer E., Hug H J and ennewitz R (2004), “Scanning Probe n n va Microscopy, The lab on a tip, Introduction to Scanning tn to Tunneling Microscopy”, Springer‐Verlag Berlin Heidelberg p ie gh [27] Nie Y Li L., Wei Z (2015), “Recent Advancements in Pt and Pt-Free Catalysts for Oxygen Reduction Reaction”, Chem Soc Rev, oa nl w 44(8), pp 2168−2201 [28] Oura K., Lifshits V., Saranin A., Zotovand A and Katayama M d a nv a lu (2003), “Surface Science -An introduction”, Springer ‐ Verlag Berlin Heidelberg u nf ll [29] P Broekmann, A Spaenig, A Hommes, K Wandelt (2002), m n oi “Influence of uniaxially incommensurate adlayers on the 517, 123–137 u(100)”, Surface Science tz surface morphology: Iodide on z gm @ [30] Phan T H and Wandelt K (2015), “Redox-activity and self-organization l of iron - porphyrin monolayers at a copper/electrolyte interface”, m co The Journal of Chemical Physics, 142(10), p 101917 an Lu [31] Phan T H and Wandelt K, (2013) “Molecular Self-Assembly at MetalElectrolyte Interfaces” Int J Mol Sci 2013, 14, 4498-4524 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 57 [32] Phan T.H, Kosmala T, Wandelt K (2015), “Potential dependence of self-assembled porphyrin layers on a Cu(111) electrode surface: In-situ STM study”, Surface Science, vol 631, p 207-212 [33] Phan Thanh Hai , Doan Minh Thuy , Wandelt Klaus (2011) “Structures of adsorbed halide anions on a copper electrode studied by in situ scanning tunneling microscopy” Proc Natl Conf Theor Phys 36, pp 239-247 [34] Pletcher D., Greef R., Peat R., Peter L and Robinson J (2001), a lu “Instrumental methods in electrochemistry, Southampton n Electrochemistry Group”, University of Southampton n va p ie gh tn to [35] Remacle F., Speiser S., Levine R D., (2001), “Intermolecular and intramolecular logic gates”, Phys Chem, 105, p 5589 [36] Rojas G et al (2010), “Self-Assembly and Properties of Nonmetalated Tetraphenyl-Porphyrin on Metal Substrates” The Journal of oa nl w Physical Chemistry C, 114(20): p 9408-9415 S (1995) “Terrestrial Ecosystems and the d a lu [37] Schimel arbon a nv ycle”,Global Change Biol1, pp 77−91 ll u nf [38] Shao M., Chang Q., Dodelet.J and Chenitz R (2016), “Recent m advances in electrocatalysts for oxygen reduction reaction”, n oi Chem Rev, 116, pp 3594–3657 tz [39] Shen, Y et al (2013), “Self-assembling in fabrication of ordered z gm @ porphyrins and phthalocyanines hybrid nano-arrays on HOPG”, CrystEngComm, 15(27): p 5526-5531 l m co [40] Shi Z and Lin N (2009), “Porphyrin-Based Two-Dimensional Lu Coordination Kagome Lattice Self-Assembled on a Au(111) an Surface”, Journal of the American Chemical Society, 131(15): p ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn n va 5376-5377 si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 58 [41] Sonnenfeld R and Hansma P K (1986), “Atomic-resolution microscopy in water”, Science, 232(4747), p 211–213 [42] Tu W et al (2011), “Photoelectrochemistry of Free-Base-PorphyrinFunctionalized Zinc Oxide Nanoparticles and Their Applications in Biosensing” Chemistry – A European Journal, 17(34): p 9440-9447 [43] VereeckenP M., BinsteadR A., Deligianniand H and Andricacos V (2005), “The chemistry of additives in damascene copper a lu plating”, IBM J Res and Dev, 49, pp 3–18 n n va [44] Wu L et al (2008), “Biofunctional nanocomposite of carbon p ie gh tn to nanofiber with water-soluble porphyrin for highly sensitive ethanol biosensing”, Biosensors and Bioelectronics, 24(4): p 644-649 oa nl w [45] Xiang N et al.(2011), “Synthesis and characterization of trivalent metal porphyrin with NCS ligand for application in dye- d a lu sensitized solar cells”, Solar Energy Materials and Solar Cells, a nv 95(4): p 1174-1181 ll u nf [46] Xu Y et al (2009), “Chemically Converted Graphene Induced m Molecular Flattening of 5,10,15,20-Tetrakis (1-methyl-4-pyridinio) n oi porphyrin and Its Application for Optical Detection of Cadmium(II) tz Ions” Journal of the American Chemical Society, 131(37): p z gm @ 13490-13497 [47] Yokoyama T et al (2001), “Selective assembly on a surface of l Nature, 413(6856): p 619-621 m co supramolecular aggregates with controlled size and shape”, an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn
Ngày đăng: 31/07/2023, 20:14
Xem thêm:
