BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN TRẦN THỊ XUÂN HUẾ lu an n va NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG tn to CỦA SỰ CHIẾU XẠ QUANG HỌC LÊN p ie gh TÍNH CHẤT NHẠY HƠI CỦA VẬT LIỆU CẤU TRÚC d oa nl w NANO Pt/ZnO Vật lý chất rắn Mã số: 8440104 fu an nv a lu Chuyên ngành: ll oi m nh at Người hướng dẫn: PGS.TS Nguyễn Minh Vương z z om l.c gm @ an Lu n va c a th si LỜI CAM ĐOAN Tác giả xin cam đoan kết khoa học trình bày luận văn thành nghiên cứu thân tác giả hướng dẫn PGS.TS Nguyễn Minh Vương Các số liệu, kết luận văn xác trung thực, chưa xuất công bố tác giả khác Quy Nhơn, ngày …… tháng …… năm 2020 lu Tác giả an n va p ie gh tn to d oa nl w Trần Thị Xuân Huế fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th si LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, xin bày tỏ kính trọng biết ơn sâu sắc gửi đến PGS.TS Nguyễn Minh Vương – người Thầy trực tiếp hướng dẫn, tận tình giúp đỡ, động viên tạo điều kiện thuận lợi cho suốt thời gian thực đề tài luận văn Tôi xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô khoa Khoa học tự nhiên trường Đại Học Quy Nhơn, thầy quan tâm, nhiệt tình giảng dạy lu trang bị cho kiến thức chun mơn q báu suốt q trình tơi an n va học tập nghiên cứu trường tn to Tôi xin cảm ơn người bạn, anh chị lớp Vật lí chất rắn khóa 21 p ie gh chia sẻ kiến thức, giúp đỡ tơi q trình học tập Cuối cùng, tơi xin cảm ơn người thân ln bên cạnh, d oa nl w giúp đỡ, động viên để tơi hồn thành luận văn Quy Nhơn, ngày 10 tháng năm 2020 Tác giả fu an nv a lu ll m oi Trần Thị Xuân Huế at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th si MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI CẢM ƠN DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG, BIỂU DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài lu Mục đích nhiệm vụ nghiên cứu an n va Đối tượng phạm vi nghiên cứu Cấu trúc luận văn p ie gh tn to Phương pháp nghiên cứu CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẢM BIẾN KHÍ d oa nl w 1.2 CẢM BIẾN KHÍ ĐỘ DẪN DỰA TRÊN VẬT LIỆU SMOS 1.2.1 Vật liệu SMOs a lu 1.2.2 Cấu trúc cảm biến khí độ dẫn fu an nv 1.2.3 Các đặc trưng cảm biến khí 11 1.2.4 Các nhân tố ảnh hưởng 20 ll oi m 1.3 CƠ CHẾ NHẠY CỦA CẢM BIẾN ĐỘ DẪN 23 nh 1.3.1 Hấp phụ vật lý hấp phụ hóa học 23 at 1.3.2 Cơ chế nhạy khí 25 z z 1.4 Vật liệu ZnO vai trò hạt nano bạch kim ZnO 27 @ gm 1.4.1 Cấu trúc tính chất vật liệu ZnO 28 om l.c 1.4.2 Cảm biến khí dựa vào vật liệu ZnO có cấu trúc nano 32 1.4.3 Vai trò hạt nano xúc tác bạch kim bề mặt ZnO 34 an Lu n va c a th si 1.5 ẢNH HƯỞNG SỰ CHIẾU BỨC XẠ ĐIỆN TỪ LÊN TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA CẢM BIẾN 36 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO VÀ PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT MẪU 43 2.1 THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO MẪU 43 2.1.1 Hóa chất thiết bị chế tạo mẫu 43 2.1.2 Thực nghiệm chế tạo mẫu 43 2.2 MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT MẪU 45 2.2.1 Đo nhiễu xạ tia X (XRD) 45 lu an 2.2.2 Phương pháp kính hiển vi điện tử quét (SEM) 47 n va 2.2.3 Chụp ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 47 2.2.5 Hệ đo tính chất điện nhạy VOCs 48 p ie gh tn to 2.2.4 Phổ huỳnh quang PL 48 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 51 d oa nl w 3.1 ĐẶC TRƯNG CỦA VẬT LIỆU NANO ZNO VÀ PT/ZNO CÓ CẤU TRÚC PHÂN NHÁNH 51 3.1.1 Kết đo XRD 51 a lu nv 3.1.2 Kết đo SEM EDS 52 fu an 3.1.3 Kết đo TEM 54 ll 3.1.4 Kết đo phổ huỳnh quang (PL) 55 m oi 3.2 KHẢO SÁT TÍNH CHẤT NHẠY UV-254NM VÀ HƠI VOCS CỦA nh at CẢM BIẾN ZNO VÀ PT/ZNO DƯỚI SỰ CHIẾU XẠ UV 56 z 3.2.1.Tính chất hồi đáp UV-254nm cảm biến ZnO Pt/ZnO 56 z gm @ 3.2.2 Tính chất nhạy hơiVOCs cảm biến Pt(20)/ZnO điều kiện chiếu UV-254nm 59 om l.c 3.2.3 Tính chất nhạy methanol cảm biến ZnO điều kiện tối chiếu UV-254nm 61 an Lu n va c a th si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 3.2.4 Tính chất nhạy methanol cảm biến Pt/ZnO điều kiện chiếu UV-254nm 63 3.2.5 Cơ chế nhạy VOCs chiếu xạ UV 67 KẾT LUẬN 69 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 70 QUYẾT ĐỊNH GIAO TÊN ĐỀ TÀI LUẬN VĂN THẠC SĨ (bản sao) lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Tên đầy đủ Chữ viết tắt Nghĩa tiếng Việt lu an n va Artificial intelligence Trí tuệ nhân tạo UV Ultraviolet Tia cực tím FET Field – effect transtor Bán dẫn hiệu ứng trường SMOs Semiconductor metal oxides Ơxít kim loại bán dẫn VOCs Volatile Organic Compounds Hợp chất hữu dễ bay CDL Detection Limit Giới hạn đo ppb Parts per billion Một phần tỷ Parts per million Một phần triệu LPG Liquefied Petroleum Gas Khí dầu mỏ hóa lỏng MWCNT Multi-wall carbon nanotubes Ống nano cacbon đa thành tn to AI ppm p ie gh d oa nl w Ống nano cacbon Mass Flow Controllers Bộ điều khiển lưu lượng khí XRD X-ray Difraction Nhiễu xạ tia X SEM Scanning Electron Microscope Kính hiển vi điện tử quét TEM Transmission Electron Kính hiển vi điện tử truyền Microscopy qua MFC fu an nv a lu Carbon Nantubes CNT ll oi m at nh Photoluminescence EDS Energy Dispersive X-ray Phổ X-ray tán sắc gm @ lượng Hệ Vi Cơ-Điện tử system om l.c Micro Electro Mechanical z Spectroscopy MEMS Huỳnh quang z PL an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC BẢNG Bảng 1.1 Độ rộng vùng cấm số vật liệu bán dẫn oxit kim loại[12] Bảng 1.2 Phạm vi nhiệt độ kết hợp với phản ứng hấp phụ oxy hệ vật liệu SMO[13] Bảng 1.3 Các tính chất lý hóa vật liệu ZnO [33] 31 Bảng 1.4 Nhiệt độ làm việc độ hồi đáp loại vật liệu sử dụng cho cảm biến dựa sở vật liệu Pt/ZnO 35 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Cảm biến khí cấu thành từ phận cảm nhận phận chuyển đổi tín hiệu R điện trở, E suất điện động, I cường độ dòng điện, Vth điện ngưỡng (FET) Cp điện dung [10] Hình 1.2 Các loại cảm biến độ dẫn sở dây nano oxit: (a) cảm biến đơn sợi, (b) cảm biến đa sợi, (c) cảm biến dạng mạng lưới (d) cảm biến dây nano bắc cầu [10] 10 lu Hình 1.3 Đặc trưng hồi đáp khí cảm biến kiểu điện trở[10] 12 an Hình 1.4 Độ nhạy cảm biến khí SnO2 nhiệt độ khác với va n khí cháy: H2, CO, C2H8 CH4 [17] 14 tn to Hình 1.5 Sự phụ thuộc TM vào T50[17] 14 p ie gh Hình1.6 Sơ đồ cấu trúc vùng lượng cho (a) cảm biến màng mỏng (b) cảm biến màng dày với mạch tương đương chúng d oa nl w đáp ứng dòng-thế [22] 18 Hình 1.7 Thời gian hồi đáp (τres) thời gian hồi phục (τrec) [10] 19 Hình 1.8 Mơ hình Lennard-Jones cho hấp phụ vật lý hấp phụ hóa học a lu nv [13] 23 fu an Hình 1.9 Mơ hình minh họa oxy hấp phụ hàng rào lượng qVS ll hạt tinh thể oxit bán dẫn loại n [12] 27 m oi Hình 1.10 Cấu trúc tinh thể ZnO [33] 29 nh at Hình 1.11 Cấu trúc vùng lượng ZnO 31 z Hình 1.12 Cơ chế nhạy khí bán dẫn nano ZnO (a) chế nhạy khí z gm @ ZnO; (b) đồ thị điện trở theo thời gian cảm biến ZnO 34 om l.c Hình 2.1 Quy trình chế tạo mẫu Pt/ZnO 44 Hình 2.2 Nhiễu xạ tia X từ hai mặt phẳng nguyên tử chất rắn [13] 46 Lu an Hình 2.3 Sơ đồ khối thiết bị nhiễu xạ tia X [13] 47 n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Hình 2.4 Sơ đồ ngun lý kính hiển vi điện tử quét 47 Hình 2.5 Sơ đồ hệ thống đo cảm biến nhạy VOCs 50 Hình 3.1 Giản đồ nhiễu xạ tia X vật liệu ZnO-H, Pt(10)/ZnO-H 51 Hình 3.2 Ảnh SEM cấu trúc phân nhánh vật liệu nano ZnO (a) Pt(10)/ZnO (b) 53 Hình 3.3 Bản đồ mô tả phân bố nguyên tố mẫu Pt (10)/ZnO Hình chèn (a) ảnh SEM tương ứng cho vùng quét phổ EDS 53 Hình 3.4 Phổ tán sắc lượng tia X (EDS) mẫu Pt(10)/ZnO 54 lu an Hình 3.5 Ảnh TEM độ phóng đại thấp mẫu Pt(10)/ZnO 55 n va Hình 3.6 Phổ PL cấu trúc nano ZnO Pt(10)/ZnO 56 tn to Hình 3.7 Tính chất nhạy UV-254 nm cấu trúc nano ZnO tinh khiết 58 p ie gh Hình 3.8 Tính chất nhạy UV-254 nm cấu trúc nano Pt(20)/ZnO 59 Hình 3.9 Độ hồi đáp UV-254 nm cảm biến ZnO Pt(20)/ZnO 59 d oa nl w Hình 3.10 Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(20)/ZnO điều kiện chiếu xạ UV-254nm methanol, acetone ethanol nhiêt độ RT (a), 70C (b) 90C (c) 60 a lu nv Hình 3.11 Tính chất hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện tối fu an 1% methanol nhiệt độ làm việc110C, 140C 170C ll 62 m oi Hình 3.12 Tính chất hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện chiếu UV- nh at 254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C, z z 110C, 140C 170C 62 @ gm Hình 3.13 So sánh độ hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện tối chiếu UV- om l.c 254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C, 110C, 140C 170C 63 an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 61 UV-254nm nhiệt độ làm việc 30C (RT) (Hình 3.10a), 70C (Hình 3.10b) 90C (Hình 3.10c) Kết cho thấy rằng, nhiệt độ phòng, điện trở cảm biến tăng môi trường chứa VOCs Sự tăng điện trở cảm biến nhiệt độ phòng cho nguyên nhân hiệu ứng giảm nhiệt độ cục bề mặt lớp nhạy tính chất đo phương pháp động Quá trình cạnh tranh tính chất nhạy VOCs (điện trở giảm) hiệu ứng nhiệt (điện trở tăng) xảy nhiệt độ làm việc cảm biến tăng lên Tính chất hồi đáp phục hồi tốt cảm biến Pt(20)/ZnO methanol (1%) so lu với acetone (1,8%) ethanol (0,47%) nhìn thấy rõ nhiệt độ làm an n va việc 90C Do đó, tính chất hồi đáp nhiệt độ làm việc cao tn to cảm biến Pt/ZnO cảm biến ZnO tinh khiết chiếu xạ UV-254nm p ie gh tập trung nghiên cứu methanol thể phần d oa nl w 3.2.3 Tính chất nhạy methanol cảm biến ZnO điều kiện tối chiếu UV-254nm Tính chất hồi đáp phục hồi cảm biến dựa vật liệu ZnO tinh a lu khiết tiếp xúc với methanol khảo sát nhiệt độ hoạt động khác nv fu an điều kiện tối chiếu liên tục xạ UV-254nm thể ll Hình 3.11 3.12 Trong điều kiện đo tối (Hình 3.11), điện trở ban đầu m oi cảm biến ZnO có giá trị cao (~6.108 110C, ~3,7.108 140C nh at ~2,5.108 170C) Giá trị cao điện trở dẫn đến giá trị thấp dịng z điện gây nhiễu tín hiệu suốt trình đo vượt giới hạn đo z gm @ hệ Keithley Trong điều kiện đo chiếu liên tục xạ UV-254nm, cảm biến om l.c ZnO cho liệu ghi nhận không bị nhiễu tín hiệu điện trở thấp cảm biến (~106 ) Tính chất hồi đáp phục hồi cảm biến ZnO ổn định sau vài an Lu vòng đo n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 62 lu an va Hình 3.11 Tính chất hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện tối 1% n methanol nhiệt độ làm việc110C, 140C 170C p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m nh at Hình 3.12 Tính chất hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện chiếu UV-254nm đối z với 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C, 110C, 140C 170C z gm @ Độ hồi đáp cảm biến hai điều kiện đo tính tốn so sánh om l.c Hình 3.13 Kết cho thấy (1) độ hồi đáp cảm biến ZnO cải thiện cách đáng kể điều kiện chiếu UV-254nm so với điều kiện Lu tối hầu hết nhiệt độ làm việc khảo sát; (2) điều kiện chiếu an UV-254nm, cảm biến ZnO đo nhiệt độ làm việc thấp n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 63 lu an n va 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C, 110C, 140C 170C p ie gh tn to Hình 3.13 So sánh độ hồi đáp cảm biến ZnO điều kiện tối chiếu UV-254nm 3.2.4 Tính chất nhạy methanol cảm biến Pt/ZnO điều kiện d oa nl w chiếu UV-254nm Trong nghiên cứu trước [50], việc sử dụng vật liệu ZnO có cấu trúc phân nhánh biến tính bề mặt hạt Pt để khảo sát tính chất nhạy a lu methanol nghiên cứu điều kiện tối (không chiếu UV-254nm) nv fu an Kết cho thấy độ hồi đáp cảm biến Pt/ZnO cải thiện ll cách đáng kể so với cảm biến ZnO Cụ thể, cảm biến Pt(10)/ZnO cao gấp m oi 16000 lần so với độ hồi đáp cảm biến ZnO tinh khiết nhiệt độ 170C nh at Tuy nhiên, vùng nhiệt độ này, điện trở ban đầu cảm biến Pt/ZnO có giá z trị cao (~109) Điều gây khó khăn việc thiết kế mạch z gm @ đo Do đó, luận văn này, tiếp tục nghiên cứu tính chất hồi đáp om l.c methanol vật liệu nhạy Pt/ZnO điều kiện chiếu UV-254nm với hi vọng cảm biến có độ hồi đáp cao nhiệt độ làm việc thấp có điện trở ban an Lu đầu thấp n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 64 lu an n va tn to p ie gh Hình 3.14 Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(5)/ZnO điều kiện chiếu UV-254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C (a), 110C (b), 140C (c) 170C (d) d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu Hình 3.15 Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(10)/ZnO điều kiện chiếu UV254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C (a), 110C (b), 140C (c) 170C (d) n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 65 lu an n va tn to p ie gh Hình 3.16 Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(20)/ZnO điều kiện chiếu UV254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C (a), 110C (b), 140C (c) 170C (d) d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu Hình 3.17 Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(30)/ZnO điều kiện chiếu UV254nm 1% methanol nhiệt độ làm việc 90C (a), 110C (b), 140C (c) 170C (d) n va Tính chất hồi đáp cảm biến Pt(5)/ZnO, Pt(10)/ZnO, Pt(20)/ZnO c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 66 Pt(30)/ZnO 1% methanol nhiệt độ khác điều kiện chiếu liên tục xạ UV-254nm hiển thị Hình 3.14, Hình 3.15, Hình 3.16 Hình 3.17 Kết cho thấy hầu hết cảm biến Pt/ZnO có độ hồi đáp ổn định qua nhiều vòng đo, khả hồi phục giá trị điện trở ban đầu tốt kể nhiệt độ làm việc thấp 90C Giá trị độ hồi đáp tính tốn so sánh Hình 3.18 Từ liệu thực nghiệm ta rút số kết luận sau: (1) Độ hồi đáp cảm biến cải thiện cách đáng kể vật liệu lu ZnO biến tính hạt nano Pt điều kiện đo chiếu liên tục xạ an UV-254nm va n (2) Hàm lượng hạt nano Pt tối ưu khác vùng nhiệt độ làm tn to việc khác Ở vùng nhiệt độ làm việc thấp (90 110 C) cảm biến, độ p ie gh hồi đáp cực đại thu cảm biến Pt(10)/ZnO Tuy nhiên, vùng nhiệt độ làm việc cao (140 170 C) cảm biến, độ hồi đáp cực đại d oa nl w thu cảm biến Pt(20)/ZnO (3) Khi nhiệt độ làm việc tăng lên (trong vùng nhiệt độ khảo sát từ 90 a lu đến 170C), độ hồi đáp cảm biến tăng lên cách đáng kể fu an nv Hình 3.18 So sánh độ hồi đáp cảm biến Pt/ZnO với ll oi m thời gian lắng đọng Pt khác nh điều kiện chiếu at UV-254nm 1% z z methanol nhiệt độ làm @ gm việc 90C (a), 110C (b), om l.c 140C (c) 170C (d) an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 67 3.2.5 Cơ chế nhạy VOCs chiếu xạ UV Với kết thu đề xuất chế nhạy hệ vật liệu chế tạo mà trước hết cấu trúc ZnO tinh khiết Trong điều kiện đo tối môi trường khơng khí khơ, oxy hấp phụ bề mặt ZnO dạng phân tử theo thứ tự hấp phụ vật lý sau hấp phụ hóa học để hình thành nên ion hấp phụ bề mặt phương trình phản ứng 3.3 3.4: O2(gas) O2( ads ) (3.3) O 2(gas) eZnO O2 ( ads ) (3.4) lu an Đồng thời với trình hấp phụ trình giải hấp ion oxy n va bề mặt vật liệu xảy Khi hệ đạt trạng thái cân trình tn to hấp phụ giải hấp ion oxy bề mặt giá trị điện trở cảm biến p ie gh đạt giá trị ổn định Dưới điều kiện chiếu sáng UV-254nm, lượng xạ UV-254nm (~4,88 eV) lớn bề rộng dải cấm vật liệu ZnO (~3.2 eV) d oa nl w độ dẫn bán dẫn ZnO tăng cách đáng kể tăng nồng độ hạt dẫn quang sinh (electron eh lỗ trống hh ) bán dẫn ZnO Một phần lỗ a lu trống quang sinh chuyển động trôi đến bề mặt ZnO điện trường nội bề fu an nv mặt ZnO gây phản ứng với ion oxy hấp phụ trước bề mặt ZnO (phương trình 3.5) đồng thời phần electron quang sinh ll tương tác với phân tử oxy để hình thành nên ion oxy hấp phụ (phương m oi trình 3.6) Các phản ứng 3.5 3.6 xảy với số tốc độ khác Do nh at đó, chiếu xạ UV-254nm, trạng thái cân đạt z O 2 ( ads ) hh O 2(gas) z (3.5) @ (3.6) gm O2(gas) eh O2 ( ads ) om l.c Trong môi trường chứa methanol (quá trình hồi đáp), phân tử methanol phản ứng với ion oxy hấp phụ bề mặt để hình thành Lu an phân tử H2O CO2, đồng thời nhả electron cho vật liệu ZnO (phương trình n va 3.7) Do đó, điện trở cảm biến ZnO giảm mơi trường có methanol c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 68 CH 3OH ( vapor ) O2 ( ads ) H 2O( vapor ) CO2( gas ) e (3.6) Trong q trình hồi phục (khơng có methanol), q trình hấp phụ oxy xảy bề mặt ZnO theo phương trình 3.3 3.4 Khi điện trở cảm biến tăng lên trạng thái ban đầu Dưới điều kiện đo cảm biến có chiếu xạ UV, độ hồi đáp ZnO cải thiện nhiều (kết thu trên) Điều cho xạ UV-254nm làm gia tăng phản ứng methanol ion oxy bề mặt (phương trình 3.6) lu Đối với cảm biến Pt/ZnO, bên cạnh chế chạy methanol diễn theo an n va q trình phân tích cảm biến ZnO với gia tăng ion oxy tn to hấp phụ bề mặt lớp nhạy tính chất xúc tác hạt nano Pt, trình p ie gh hấp phụ trực tiếp methanol lên hạt Pt với dịch chuyển điện tử từ methanol sang Pt đóng vai trị quan trọng chế nhạy Như phân tích d oa nl w nghiên cứu trước [50], phân tử methanol hấp phụ bề mặt hạt nano Pt kèm theo dịch chuyển điện tử từ methanol sang Pt làm nâng cao mức Fermi kim loại Pt (hay giảm cơng kim loại Pt) Do điện trở cảm a lu biến Pt/ZnO giảm mạnh môi trường methanol có thêm dịch chuyển nv fu an điện tử từ Pt sang ZnO Trong mơi trường có chiếu liên tục xạ UV-254nm ll lên cảm biến, độ hồi đáp cảm biến Pt/ZnO cải thiện cách đáng kể m oi so với cảm biến ZnO Điều cho rằng, xạ UV nh at gia tăng tốc độ xảy phản ứng methanol với ion oxy hấp phụ (phương z trình 3.6) mà cịn gia tăng q trình hấp phụ methanol lên bề mặt hạt nano z om l.c gm @ Pt, cải thiện độ hồi đáp methanol cảm biến Pt/ZnO an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 69 KẾT LUẬN Trên sở kết nghiên cứu đề tài, thu kết sau đây: Đã chế tạo thành công vật liệu ZnO phân nhánh biến tính thành cơng hạt nano Pt lên bề mặt vật liệu Qua phép đo XRD, SEM, EDS, TEM, PL cho thấy cấu trúc thu mong muốn hình thái độ tinh khiết cao không lẫn tạp chất khác lu Dưới chiếu xạ UV có bước sóng 254nm, độ hồi đáp cảm biến ZnO an n va tiếp xúc với methanol cải thiện cách đáng kể cảm Cảm biến ZnO biến tính bề mặt hạt nano Pt nhạy methanol p ie gh tn to biến khảo sát nhiệt độ làm việc thấp có chiếu xạ UV-254nm có khả phục hồi giá trị điện trở ban d oa nl w đầu tốt kể nhiệt độ làm việc 90C, độ hồi đáp cải thiện đáng kể Hàm lượng hạt nano Pt tối ưu khác vùng nhiệt độ làm việc khác Kết độ hồi đáp cực đại nhiệt độ làm việc thấp a lu nv nhiệt độ làm việc cao thu mẫu khác thời gian fu an lắng đọng Pt lên vật liệu ZnO (đó mẫu Pt(10)/ZnO Pt(20)/ZnO)) ll Khi nhiệt độ làm việc tăng từ 140 170 C, độ hồi đáp cảm biến oi m tăng lên đáng kể nh at Đề xuất chế nhạy methanol vật liệu ZnO tinh khiết vật z liệu ZnO biến tính hạt nano Pt z gm @ Tuy nhiên nghiên cứu số vấn đề chưa giải quyết: hạt nano Pd chiếu xạ quang học om l.c Nghiên cứu tính chất hồi đáp cảm biến ZnO biến tính bề mặt an Lu Tương tác xạ UV lên khí thử khác như: H2S, CH4, NH3 n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 70 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] R A Potyrailo, “Multivariable Sensors for Ubiquitous Monitoring of Gases in the Era of Internet of Things and Industrial Internet,” Chem Rev., vol 116, no 19, pp 11877–11923, 2016, doi: 10.1021/acs.chemrev.6b00187 [2] N Minh Triet et al., “High-Performance Schottky Diode Gas Sensor Based on the Heterojunction of Three-Dimensional Nanohybrids of lu Reduced Graphene Oxide-Vertical ZnO Nanorods on an AlGaN/GaN an va Layer,” ACS Appl Mater Interfaces, vol 9, no 36, pp 30722–30732, n 2017, doi: 10.1021/acsami.7b06461 tn to [3] J Huang et al., “Large-scale synthesis of flowerlike ZnO nanostructure p ie gh by a simple chemical solution route and its gas-sensing property,” d oa nl w Sensors Actuators, B Chem., vol 146, no 1, pp 206–212, 2010, doi: 10.1016/j.snb.2010.02.052 [4] C M Hung, D T T Le, and N Van Hieu, “On-chip growth of nv a lu semiconductor metal oxide nanowires for gas sensors: A review,” J Sci fu an Adv Mater Devices, vol 2, no 3, pp 263–285, 2017, doi: ll 10.1016/j.jsamd.2017.07.009 D R Miller, S A Akbar, and P A Morris, “Nanoscale metal oxide- oi m [5] at nh based heterojunctions for gas sensing: A review,” Sensors Actuators, B z Chem., vol 204, pp 250–272, 2014, doi: 10.1016/j.snb.2014.07.074 z E Comini et al., “Metal oxide nanoscience and nanotechnology for gm @ [6] chemical sensors,” Sensors Actuators B Chem., vol 179, pp 3–20, 2013 H.-J Kim and J.-H Lee, “Highly sensitive and selective gas sensors using om l.c [7] p-type oxide semiconductors: Overview,” Sensors Actuators B Chem., an T Li, W Zeng, and Z Wang, “Quasi-one-dimensional metal-oxide- n va [8] Lu vol 192, pp 607–627, 2014 c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 71 based heterostructural gas-sensing materials: A review,” Sensors Actuators, B Chem., vol 221, pp 1570–1585, 2015, doi: 10.1016/j.snb.2015.08.003 [9] W Tang et al., “Ultrasensitive and low detection limit of nitrogen dioxide gas sensor based on flower-like ZnO hierarchical nanostructure modified by reduced graphene oxide,” Sensors Actuators, B Chem., 2015, doi: 10.1016/j.snb.2015.07.120 [10] Nguyễn Văn Hiếu, “Cảm biến khí dây nano ơxít kim loại bán dẫn,” NXB lu Bách Khoa Hà Nội, 2015 an organic compounds (VOCs) by metal oxide nanostructures-based gas n va [11] A Mirzaei, S G Leonardi, and G Neri, “Detection of hazardous volatile p ie gh tn to sensors: A review,” Ceram Int., vol 42, no 14, pp 15119–15141, 2016, doi: 10.1016/j.ceramint.2016.06.145 [12] N G Ngh, “Viện khoa học vật liệu,” 2012 d oa nl w [13] A N H Th, “Chế tạo nghiên cứu tính chất cảm biến nhạy cồn sở vật liệu oxit perovskit,” 2011 nv a lu [14] H H M Van Tol, “© 19 Nature Publishing Group ,” Nature, vol fu an 354, pp 56–58, 1991 ll [15] T W Ebbesen, P M Ajayan, H Hiura, and K Tanigaki, “Purification oi m of nanotubes [6],” Nature, vol 367, no 6463 p 519, 1994, doi: at nh 10.1038/367519a0 z [16] S J Pearton et al., “Recent advances in wide bandgap semiconductor z gm @ biological and gas sensors,” Prog Mater Sci., vol 55, no 1, pp 1–59, 2010, doi: 10.1016/j.pmatsci.2009.08.003 om l.c [17] N Yamazoe, Y Kurokawa, and T Seiyama, “Effects of additives on semiconductor gas sensors,” Sensors and Actuators, vol 4, no C, pp an Lu 283–289, 1983, doi: 10.1016/0250-6874(83)85034-3 n va [18] C Xu, J Tamaki, N Miura, and N Yamazoe, “Grain size effects on gas c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 72 sensitivity of porous SnO2-based elements,” Sensors Actuators B Chem., vol 3, no 2, pp 147–155, 1991, doi: 10.1016/0925-4005(91)80207-Z [19] S R Morrison, “Selectivity in semiconductor gas sensors,” Sensors and Actuators, vol 12, no 4, pp 425–440, 1987, doi: 10.1016/02506874(87)80061-6 [20] W Göpel and G Reinhardt, “Metal Oxide Sensors: New Devices Through Tailoring Interfaces on the Atomic Scale,” Sensors Updat., vol 1, no 1, pp 49–120, 1996, doi: 10.1002/1616-8984(199607)1:13.0.co;2-z an of the screen-printed electrode metal on the transport and detection n va [21] P Dutronc, B Carbonne, F Menil, and C Lucat, “Influence of the nature p ie gh tn to properties of thick-film semiconductor gas sensors,” Sensors Actuators B Chem., vol 6, no 1–3, pp 279–284, 1992, doi: 10.1016/0925- 4005(92)80070-E d oa nl w [22] C O Park, S A Akbar, and J Hwang, “Selective gas detection with catalytic filter,” Mater Chem Phys., vol 75, no 1–3, pp 56–60, 2002, a lu doi: 10.1016/S0254-0584(02)00030-5 nv fu an [23] N Yamazoe and S Sno, “ Nghiên cứu chế tạo vật liệuSnO2cấu trúc nano ll ứng dụng cho cảm biến nhạy khí gas hóa lỏng,” vol 4, pp 97–101, 2008 oi m [24] T Development, N K-,“Sử dụng cảm biến sở ống nano,”Trang at nh 62, vol 15, no 1, pp 62–69, 2012 z [25] R Leghrib et al., “Gas sensors based on multiwall carbon nanotubes z gm @ decorated with tin oxide nanoclusters,” Sensors Actuators, B Chem., vol 145, no 1, pp 411–416, 2010, doi: 10.1016/j.snb.2009.12.044 om l.c [26] J Huang and Q Wan, “Gas sensors based on semiconducting metal oxide one-dimensional nanostructures,” Sensors, vol 9, no 12, pp 9903–9924, an Lu 2009, doi: 10.3390/s91209903 n va [27] S Park, S An, Y Mun, and C Lee, “UV-Enhanced NO2 Gas Sensing c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 73 Properties of SnO2 ‑ Core / ZnO-Shell Nanowires at Room Temperature,” no 2, 2013 [28] T Wagner et al., “UV light-enhanced NO2 sensing by mesoporous In2O3: Interpretation of results by a new sensing model,” Sensors Actuators, B Chem., vol 187, no 2, pp 488–494, 2013, doi: 10.1016/j.snb.2013.02.025 [29] R Dhahri et al., “Ac ce pt cr t,” Appl Surf Sci., 2015, doi: 10.1016/j.apsusc.2015.08.198 lu [30] D Ao and M Ichimura, “Solid-State Electronics UV irradiation effects an va on hydrogen sensors based on SnO thin films fabricated by the n photochemical deposition,” Solid State Electron., vol 69, pp 1–3, 2012, p ie gh tn to doi: 10.1016/j.sse.2011.11.024 [31] E Levels, “Chapter ELECTRON TRANSITIONS IN CHEMISORPTION 3.1.,” 1991 d oa nl w [32] M Vorokhta et al., “Investigation of gas sensing mechanism of SnO2 based chemiresistor using near ambient pressure XPS,” Surf Sci., vol a lu 677, pp 284–290, 2018, doi: 10.1016/j.susc.2018.08.003 nv fu an [33] Nguyễn Hà Anh Thư, “Nghiên cứu tính chất màng ZnO pha tạp Al, ll Ga,” vol 6, pp 226–229, 2009 oi m [34] Y Jiang et al., “A Facile Wearable Vapor / Liquid Amphibious Methanol at nh Sensor A Facile Wearable Vapor / Liquid Amphibious Methanol Sensor,” z 2018, doi: 10.1021/acssensors.8b01111 z gm @ [35] N Tamaekong, C Liewhiran, A Wisitsoraat, and S Phanichphant, “Acetylene sensor based on Pt/ZnO thick films as prepared by flame 161, 2011, doi: 10.1016/j.snb.2010.11.058 om l.c spray pyrolysis,” Sensors Actuators, B Chem., vol 152, no 2, pp 155– Lu an [36] L Giancaterini et al., “Au and Pt nanoparticles effects on the optical and n va electrical gas sensing properties of sol-gel-based ZnO thin-film sensors,” c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 74 IEEE Sens J., vol 15, no 2, pp 1068–1076, 2015, doi: 10.1109/JSEN.2014.2356252 [37] R (200 R from http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169555X12003819 Carley, J., Pasternack, G., Wyrick, J., & Barker, J (2012) Significant decadal channel change 58–67years post-dam accounting for uncertainty in topographic change detection between et al., “RESTORING THE FISH FAUNA CONNECTIVITY OF THE HÂRTIBACIU RIVER- lu RETIŞ DAM STUDY CASE (TRANSYLVANIA, ROMANIA).,” Acta an n va Oecologica, 2017 [38] H Tian et al., “Pt-decorated zinc oxide nanorod arrays with graphitic p ie gh tn to carbon nitride nanosheets for highly efficient dual-functional gas sensing,” J Hazard Mater., vol 341, pp 102–111, 2018, doi: d oa nl w 10.1016/j.jhazmat.2017.07.056 [39] N Tamaekong, C Liewhiran, A Wisitsoraat, and S Phanichphant, “Sensing characteristics of flame-spray-made Pt/ZnO thick films as H2 nv a lu gas sensor,” Sensors, vol 9, no 9, pp 6652–6669, 2009, doi: fu an 10.3390/s90906652 ll [40] E Walford, “Those who live in glass houses should not throw stones.,” oi m vol s8-X, no 245 1896 at nh [41] Y Shimizu and M Egashira, “Basic aspects and challenges of z semiconductor gas sensors,” MRS Bull., vol 24, no 6, pp 18–24, 1999, z gm @ doi: 10.1557/S0883769400052465 [42] L F Zhu et al., “Self-heated hydrogen gas sensors based on Pt-coated om l.c W18O 49 nanowire networks with high sensitivity, good selectivity and low power consumption,” Sensors Actuators, B Chem., vol 153, no 2, an Lu pp 354–360, 2011, doi: 10.1016/j.snb.2010.10.047 n va [43] J D Prades et al., “Ultralow power consumption gas sensors based on c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.33.44.55.54.78.65.5.43.22.2.4 22.Tai lieu Luan 66.55.77.99 van Luan an.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.C.33.44.55.54.78.655.43.22.2.4.55.22 Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd 77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77.77.99.44.45.67.22.55.77.C.37.99.44.45.67.22.55.77t@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn