(Luận văn) nghiên cứu tổng hợp các hệ vật liệu viologen trên nền graphite và graphene bằng phương pháp điện hóa

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN HỒ ANH TÁM lu an n va p ie gh tn to NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP CÁC HỆ VẬT LIỆU VIOLOGEN TRÊN NỀN GRAPHITE VÀ d oa nl w GRAPHENE BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐIỆN HÓA m ll fu an v an lu n oi LUẬN VĂN THẠC SĨ HÓA HỌC t z z gm @ m co l an Lu Bình Định, Năm 2020 n va ac th si BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN HỒ ANH TÁM lu an n va tn to NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP CÁC HỆ VẬT LIỆU p ie gh VIOLOGEN TRÊN NỀN GRAPHITE VÀ d oa nl w GRAPHENE BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐIỆN HÓA v an lu Chun ngành: HĨA VƠ CỞ m ll fu an Mã số: 844013 t n oi z Người hướng dẫn: TS HUỲNH THỊ MIỀN TRUNG z gm @ m co l an Lu n va ac th si LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi, số liệu kết nghiên cứu nêu luận án trung thực, chưa công bố cơng trình khác Học viên lu an n va Hồ Anh Tám p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th si LỜI CẢM ƠN Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới TS Huỳnh Thị Miền Trung tận tình hướng dẫn, giúp đỡ, bảo động viên tơi hồn thành tốt luận văn Trong q trình thực luận văn tơi nhận nhiều quan tâm tạo điều kiện Thầy, Cô khoa Khoa học Tự nhiên - Trường Đại học Quy Nhơn Tơi xin bày tỏ lịng cảm ơn chân thành tới quý Thầy, Cô lu Tôi xin chân thành cảm ơn gia đình, bạn bè tập thể lớp Cao học Vô an K21 động viên, khích lệ tinh thần suốt q trình học tập n va nghiên cứu khoa học to gh tn Mặc dù cố gắng thời gian thực luận văn cịn p ie hạn chế kiến thức thời gian, kinh nghiệm nghiên cứu nên khơng tránh khỏi thiếu sót Rất mong nhận thông cảm ý oa nl w kiến đóng góp quý báu từ quý Thầy, Cơ để luận văn hồn thiện d Tơi xin chân thành cảm ơn! v an lu Bình Định, tháng năm 2020 fu an Học Viên m ll t n oi z z Hồ Anh Tám gm @ m co l an Lu n va ac th si MỤC LỤC MỞ ĐẦU 1 LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU 3 ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU 3.1 Đối tượng nghiên cứu 3.2 Phạm vi nghiên cứu PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU lu 4.1 Phương pháp chế tạo vật liệu an n va 4.2 Phương pháp đặc trưng vật liệu CHƯƠNG I: TỔNG QUAN gh tn to BỐ CỤC CỦA LUẬN VĂN p ie 1.1 GIỚI THIỆU GRAPHITE oa nl w 1.2 GIỚI THIỆU GRAPHENE 1.3 VIOLOGEN 11 d 1.3.1 Thuộc tính oxi hóa khử: 11 v an lu 1.3.2 Phân loại viologen 13 fu an 1.3.3 Ứng dụng viologen 14 m ll 1.4 QUÁ TRÌNH TỰ SẮP XẾP CÁC PHÂN TỬ HỮU CƠ TRÊN BỀN n oi MẶT GRAPHITE/GRAPHENE 15 t Chương THỰC NGHIỆM 17 z 2.1 HÓA CHẤT, DỤNG CỤ VÀ THIẾT BỊ CHẾ TẠO MẪU 17 z gm @ 2.1.1 Hóa chất 17 l 2.1.2 Dụng cụ thiết bị 17 m co 2.1.3 Chuẩn bị hóa chất 18 Lu 1.3.1 Dung dịch H2SO4 mM 18 an 2.1.3.2 Dung dịch đệm KCl 10 mM H2SO4 mM 18 n va ac th si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 2.1.3.3 Dung dịch đệm KI 10 mM H2SO4 mM 18 2.1.3.4 Dung dịch đệm chlorine chứa phân tử DBV 1mM 18 2.2 QUY TRÌNH CHẾ TẠO MẪU BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐIỆN HÓA 19 2.2.1 Chuẩn bị dung dịch làm việc 19 2.2.2 Chuẩn bị tế bào điện hóa điện cực làm việc 19 2.2.3 Quy trình tạo mẫu phương pháp lắng đọng điện hóa 20 2.2.4 Tạo mẫu DBV bề mặt graphene: 21 lu 2.2.5 Khảo sát bay H2: 22 an 2.2.6 khử O2: 22 n va 2.2.7 Đo blocking eff: 25 gh tn to 2.3 QUY TRÌNH CHẾ TẠO MẪU BẰNG PHƯƠNG PHÁP CẤY GHÉP p ie ĐIỆN HÓA 27 2.3.1 Chuẩn bị dung dịch làm việc 27 oa nl w 2.3.2 Chuẩn bị tế bào điện hóa điện cực làm việc 27 2.3.3 Quy trình tạo mẫu phương pháp cấy ghép điện hóa 27 d v an lu 2.4 CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆU 28 fu an 2.4.1 Phương pháp qt vịng tuần hồn (CV) 28 2.4.2 Phương pháp quét tuyến tính (LSV) 30 m ll n oi 2.4.3 Phương pháp hiển vi quét xuyên hầm (STM) 30 t 2.4.3.1 Giới thiệu phương pháp 30 z 2.4.3.2 Hiệu ứng xuyên hầm 30 z 2.4.4 Nguyên lý hoạt động STM 32 @ gm 2.4.5 Phương pháp đo Raman 35 l m co 2.4.6 Kính hiển vi điện tử quét ( SEM) 37 2.4.7 Phương pháp đo AFM 38 Lu an 2.4.8 Phương pháp đo KPFM 39 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Chương KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 41 3.1 TỔNG HỢP MÀNG DBV TRÊN NỀN HOPG BẰNG PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG ĐIỆN HÓA 41 3.1.1 Khảo sát tính chất điện hóa HOPG dung dịch DBV2+ 41 3.1.2 Tổng hợp màng DBV0 phương pháp CA 42 3.1.3 Khảo sát tính chất hệ vật liệu 43 3.1.4 Ảnh hưởng hệ vật liệu trình hydro oxy bay 47 3.2 CHẾ TẠO HỆ VẬT LIỆU DBV0 TRÊN NỀN GRAPHENE (G-SIO2) lu 48 an 3.2.1 Hình thái hoc bề mặt hệ vật liệu DBV0/G-SiO2 48 n va 3.2.2 Tính chất điện tử hệ vật liệu 49 gh tn to 3.3 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ ĐẶC TRƯNG HỆ VẬT LIỆU MÀNG ie EV0 LẮNG ĐỌNG ĐIỆN HÓA TRÊN NỀN HOPG 52 p 3.3.1 Chế tạo màng EV phương pháp CA (EV0/HOPG) 52 oa nl w 3.2.2 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu EV0/HOPG 54 3.3 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ ĐẶC TRƯNG TÍNH CHẤT CỦA d v an lu MÀNG G-DBV CẤY GHÉP ĐIỆN HÓA TRÊN BỀ MẶT ĐIỆN CỰC fu an HOPG 55 3.3.1 Chế tạo màng g-DBV bề mặt HOPG phương pháp cấy m ll n oi ghép điện hóa (g-DBV/HOPG) 55 t 3.3.2 Khảo sát tính chất hệ vật liệu 56 z KẾT LUẬN 60 z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT CHỮ VIẾT TẮT lu an n va TÊN TIẾNG VIỆT AFM Atomic force microscopy Kính hiển vi điện tử lực CA Chronoamperometry Phương pháp dòng theo thời gian CE Counter Electrode Điện cực đối CV Cyclic voltammetry Thế quét vòng tuần hoàn DBV Di benzyl viologen EV Ethyl viologen gDBV Graftable di benzyl viologen HER Hydrogen evolution reaction tn to TÊN TIẾNG ANH gh p ie LSV v an lu QPS Quaternary pyridinium salts RE Reference electrode m ll Điện cực so sánh z Hiển vi quét xuyên hầm lượng tử gm @ Working electrode Kính hiển vi điện tử quét z Scanning Electron Microscopy Scanning tunneling microscopy t n oi WE Pin dịng oxy hóa khử hữu Các muối pyridinium bậc bốn fu an Organic redox flow battery STM Phản ứng oxy bay Oxygen evolution reaction ORFB SEM Phương pháp quét tuyến tính Linear sweep voltammetry d OER Kính hiển vi đầu dò Kelvin Kelvin Probe microscopy oa nl w KPFM pyrolytic Gaphite nhiệt phân định hướng cao Highly oriented graphite HOPG Phản ứng hydro bay Điện cực làm việc m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC SƠ ĐỒ, HÌNH VẼ Hình 1.1: cấu trúc tinh thể graphite Hình 1.2: Cấu trúc graphene Hình 1.3: Trạng thái lai hóa cacbon mạng graphene Hình 1.4: Cấu trúc mạng graphene Hình 1.5: Tính chất điện hóa biểu thị thay đổi trạng thái oxi hóa metyl viologen 11 Hình 1.6: Cấu tạo hóa học phân tử DBV, EV g-DBV 15 lu an Hình 2.1: Điện cực HOPG 19 n va Hình 2.2: Hệ tế bào điện hóa phép đo CV 20 tn to Hình 2.3: Thiết bị đo điện hóa trường đại học Quy Nhơn 20 ie gh Hình 2.4 Thông số kỹ thuật phép đo CV 21 p Hình 2.5 thơng số kỹ thuật phép đo CA 21 oa nl w Hình 2.6 Thông số kỹ thuật phép đo CV 22 Hình 2.7 thơng số kỹ thuật phép đo CV 22 d Hình 2.8 Hình ảnh sục khí O2 23 v an lu Hình 2.9 thơng số kỹ thuật phép đo CV 24 fu an Hình 2.10 thơng số kỹ thuật phép đo CV 24 m ll Hình 2.11 hình ảnh sục khí O2 25 n oi Hình 2.12 thơng số kỹ thuật phép đo CA 25 t Hình 2.13 thơng số kỹ thuật phép đo CA 26 z z Hình 2.14 thơng số kỹ thuật phép đo CA 26 @ gm Hình 2.15 thơng số kỹ thuật phép đo CV 27 m co l Hình 2.16: Nguyên tắc hoạt động hệ điện cực, CE: điện cực phụ trợ, WE: điện cực làm việc, RE: điện cực so sánh 29 an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Hình 2.17: Đường cong biểu diễn mối quan hệ i-E có pic đặc trưng, ip,a ứng với Ep,a ip,c ứng với Ep,c 29 Hình 2.18: Sự tương tác đầu dò bề mặt mẫu 31 Hình 2.19: Sơ đồ mức lượng hiệu ứng xuyên hầm 31 Hình 2.20: Nguyên tắc hoạt động kính hiển vi quét xuyên hầm (STM): Ubias: điện bias; It: dòng điện xuyên hầm; Ux Uy: điện theo trục ngang - song song với bề mặt mẫu; Uz: điện theo trục dọc - vng góc với bề mặt mẫu 33 lu Hình 2.21: Nguyên tắc hoạt động chế độ dịng điện khơng đổi 34 an Hình 2.22: Nguyên tắc hoạt động chế độ chiều cao không đổi 34 n va Hình 2.23: Sơ đồ nguyên lý hệ đo Raman 36 gh tn to Hình 2.24: Sơ đồ nguyên lý kính hiển vi điện tử quét 37 ie Hình 2.25: Sơ đồ cấu tạo AFM 39 p Hình 3.1: CV HOPG dung dịch DBV 1mM với tốc độ quét oa nl w khác 41 Hình 3.2:kết phép đo CA trình tổng hợp màng d v an lu DBV0/HOPG 43 fu an Hình 3.3: So sánh khả trao đổi electron hệ vật liệu HOPG DBV0/HOPG sử dụng dung dịch thử 1mM K4Fe(CN)6 + 0.2 M m ll n oi Na2SO4; tốc độ quét dE/dt = 50mV/s 44 t Hình 3.4:(a,b,c) Hình thái học bề mặt hệ vật liệu DBV0/HOPG z 0.1mM đo phương pháp AFM; d) phép đo z @ Lineprofie 45 gm Hình 3.5: (a,b) Hình thái học bề mặt hệ vật liệu DBV0/HOPG 1mM l m co đo phương pháp AFM; c) phép đo Lineprofie 46 Hình 3.6: Hình ảnh SEM so sánh hình thái học bề mặt hệ vật liệu Lu an DBV0/HOPG HOPG tinh khiết 46 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 53 Để kiểm chứng tồn màng EV0 bề mặt HOPG, ta sử dụng phương pháp điện hóa CV dung dịch K4 Fe  CN 6 hai hệ vật liệu HOPG EV0/HOPG lu an n va gh tn to p ie Hình 3.13: So sánh khả trao đổi electron hệ vật liệu HOPG oa nl w EV0/HOPGsử dụng dung dịch thử 1mM K4Fe(CN)6 + 0.2 M Na2SO4; tốc độ quét dE/dt = 50mV/s Đường màu đỏ Hình 3.13 thể CV bề mặt HOPG chưa tạo d v an lu màng với đầy đủ hai peak khử oxi hóa có cường độ peak rõ rệt, chứng tỏ fu an bề mặt HOPG xảy trao đổi điện tích dung dịch với bề mặt HOPG Đường màu đen CV hệ vật liệu màng EV0/HOPG Kết cho m ll n oi thấy khơng có thay đổi đáng kể mặt cường độ vị trí peak t oxi hóa khử Điều cho phép kết luận sơ hệ vật liệu z EV0/HOPG có khả trao đổi electron Kết cho thấy tính chất điện z @ hóa hệ vật liệu EV0/HOPG hồn tồn trái ngược với hệ vật liệu gm DBV0/HOPG Nguyên nhân tượng giải thích l m co khác nhóm chức Tuy nhiên để có kết luận xác cần khảo sát cách hệ thông phương pháp khác phương an Lu pháp Phổ tổng trở Raman n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 54 3.2.2 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu EV0/HOPG Sau chế tạo khảo sát tính chất điện hóa hệ vật liệu, chúng tơi tiến hành khảo sát tính chất cấu trúc hệ màng EV0 hình thành đế HOPG Hình 3.14 mơ tả hình thái học bề mặt hệ vật liệu EV0/HOPG chế tạo từ phương pháp CA 1,1V 600s lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu n oi Hình 3.14: (a,b) Hình thái học bề mặt hệ vật liệu EV0/HOPG 1mM t đo phương pháp AFM; c) phép đo Lineprofie z Dựa vào kết thu được, ta thấy bề mặt HOPG z gm @ bao phủ hoàn toàn lớp màng EV0 (Hình 3.14) Bên cạnh đó, chúng tơi l quan sát đám vật liệu kết tụ riêng lẻ bề mặt màng EV0 m co (đốm màu trắng Hình 3.14a,b) Các đám vật liệu sản phẩm Lu phụ (side products) hình thành trình khử đồng lắng đọng an với phân tử EV0 Ngoài ra, phân tử EV0 (EV0 domains) kết n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 55 đám bề mặt hệ vật liệu EV0/HOPG Sử dụng phép đo Lineprofile với kết Hình 3.14c, thấy độ mấp mô bề mặt vào khoảng 0.7 nm 3.3 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ ĐẶC TRƯNG TÍNH CHẤT CỦA MÀNG G-DBV CẤY GHÉP ĐIỆN HĨA TRÊN BỀ MẶT ĐIỆN CỰC HOPG 3.3.1 Chế tạo màng g-DBV bề mặt HOPG phương pháp cấy lu ghép điện hóa (g-DBV/HOPG) an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an v an lu m ll Hình 3.15: Đường cong CV mơ tả q trình cấy ghép điện hóa phân tử g-DBV bề mặt HOPG n oi t Hình 3.1 biểu diễn hình ảnh đường cong điện hóa CV HOPG z dung dịch chứa phân tử g-DBV2+ (g-DBV2+ mM + (EtOH + HCl mM z tỷ lệ 1:1) sau vòng quét Ta thấy vòng quét từ 0,4V  0,6V , @ gm CV xuất peak khử E  0,1V mà khơng có peak oxy hóa, l m co chứng tỏ q trình oxy hóa khử phân tử g-DBV q trình không thuận nghịch E  0,1V , gốc g-DBV hình thành theo chế Lu an Hình 3.26 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 56 Hình 3.16: Cơ chế hình thành gốc g-DBV tự cấy ghép điện hóa HOPG lu an Ở vòng quét tiếp theo, đường điện hóa khơng cịn xuất peak n va khử vòng thứ nhất, chứng tỏ gốc g-DBV sau hình thành tn to lần áp đầu tiên, cấy ghép điện hóa bề mặt HOPG, màng g- gh DBV hình thành [64] p ie 3.3.2 Khảo sát tính chất hệ vật liệu oa nl w 3.3.2.1 Khả ngăn cản tra d 15 v an lu HOPG g-DBV/HOPG fu an -5 0.2 0.4 E(V) vs Ag/AgCl 0.6 z 0.0 t -15 -0.2 n oi -10 m ll J(mA/cm2) 10 z @ gm Hình 3.17: So sánh khả trao đổi electron hệ vật liệu HOPG l g-DBV/HOPG sử dụng dung dịch thử 1mM K4Fe(CN)6 + 0.2 M Na2SO4; m co tốc độ quét dE/dt = 50mV/s Lu Sau thực trình cấy ghép điện hóa phân tử g-DBV lên bề an mặt HOPG, để kiểm tra phủ bề mặt lớp màng bề mặt vật liệu, n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 57 ta thực phép kiểm chứng tương tự màng DBV/HOPG Từ kết hình 3.17 cho thấy, đường cong điện hóa hệ vật liệu gDBV/HOPG khơng xuất peak khử oxy hóa, nghĩa bề mặt đế HOPG phủ kín lớp màng phân tử g-DBV 3.3.2.2 Độ bền vững hệ vật liệu điều kiện điện hóa Phép đo kiểm tra độ bền vững lớp màng g-DBV/HOPG điều kiện điện hóa cho kết tương tự lớp màng DBV/HOPG Hình 3.18 so sánh tính chất điện hóa hệ vật liệu g-DBV/HOPG lu an dung dịch thử trước sau xử lý điện hóa (nghĩa áp phân cực n va có giá trị 0.8V thời gian 300s) Kết cho thấy tính chất điện hóa tn to hệ vật liệu g-DBV/HOPG gần không thay đổi Kết cho phép gh kết luận sơ hệ vật liệu g-DBV/HOPG chế tạo có độ p ie bền cao mơi trường điện hóa oa nl w 15 d fu an v an lu J(mA/cm2) 10 -5 HOPG gDBV/HOPG Treated gDBV/HOPG m ll -10 n oi -15 -0.2 0.0 0.6 t 0.2 0.4 E(V) vs Ag/AgCl z Hình 3.18: So sánh khả trao đổi electron hệ vật liệu HOPG z g-DBV/HOPG trước sau xử lý phân cực điện hóa dung dịch @ gm thử 1mM K4Fe(CN)6 + 0.2 M Na2SO4; tốc độ quét dE/dt = 50mV/s l 3.3.2.3 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu màng g-DBV/HOPG m co Hình thái học bề mặt hệ vật liệu g-DBV/HOPG khảo sát an Lu hai phương pháp đại AFM SEM n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 58 Hình 3.20 mơ tả kết đo hình thái học bề mặt hệ vật liệu gDBV/HOPG sau cấy ghép phương pháp SEM Hình ảnh SEM cho thấy bề mặt HOPG chưa cấy ghép phân tử g-DBV phẳng mịn (Hình 3.20 a,b) Ngược lại, sau cấy ghép bề mặt HOPG xuất nhiều đám vật liệu (Hình 3.20c) Quan sát gần hơn, thấy bề mặt HOPG phủ kín lớp màng phân tử g-DBV (Hình 3.20d) lu an n va p ie gh tn to oa nl w d Hình 3.20: Hình ảnh SEM mơ tả hình thái học bề mặt hệ vật liệu g- v an lu DBV/HOPG Chúng sử dụng phương pháp AFM để khảo sát hình thái học fu an bề mặt hệ vật liệu Kết cho thây bề mặt HOPG phủ kín m ll lớp màng phân tử g-DBV (Hình 3.21a,b) Quan sát gần để n oi khảo sát xếp phân tử g-DBV bề mặt HOPG nhận t thấy phân tử g-DBV xếp thành hàng (molecular rows) z z đánh dấu đường màu xanh Hình 3.21c Kết thu có @ gm nhiều ý nghĩa phân tử g-DBV khơng cấy ghép cách ngẫu m co l nhiên mà có xếp trật tự bề mặt HOPG Độ mấp mô bề mặt hệ vật liệu xác định vào khoảng 0.7nm (Hình 3.21d) an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 59 lu an n va p ie gh tn to oa nl w Hình 3.21: Hình thái học bề mặt hệ vật liệu g-DBV/HOPG khảo sát phương pháp AFM d m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 60 KẾT LUẬN Đã chế tạo thành công hệ vật liệu màng DBV0/HOPG; EV0/HOPG g-DBV/HOPG phương pháp lắng đọng điện hóa cấy ghép điện hóa từ dung dịch chứa phân tử này; Đã khảo sát tính chất điện hóa phân tử DBV, EV hệ vật liệu chế tạo phương pháp CV:  Trong vùng điện giới hạn điện cực HOPG, DBV2+ tham gia hai (2) trình oxi hóa khử để tạo thành trạng thái oxi hóa DBV lu DBV0 an n va  Hệ vật liệu DBV0/HOPG g-DBV/HOPG làm giảm trình trao đổi tn to electron giao diện điện cực/chất điện phân Ngược lại, có mặt hệ gh màng EV0 không làm ảnh hưởng đến trình trao đổi electron gian diện p ie HOPG/chất điện phân oa nl w Đã khảo sát hình thái học cấu trúc bề mặt cấp độ nguyên tử/phân tử hệ màng DBV0, EV0 g-DBV bề mặt HOPG phương d pháp SEM AFM: v an lu  Các phân tử DBV0 EV lắng đọng hình thành màng đa lớp fu an (multilayer) bề mặt HOPG; m ll Đã chế tạo hệ vật liệu DBV0/g-SiO2 kết phép đo KPFM n oi raman cho thấy hệ màng thu thể đặc tính n-doping đối t z với graphene z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Cai, W.; Moore, A L.; Zhu, Y.; Li, X.; Chen, S.; Shi, L.; Ruoff, R S., Thermal Transport in Suspended and Supported Monolayer Graphene Grown by Chemical Vapor Deposition Nano Letters 2010,10 (5), 16451651; [2] Novoselov, K S.; Geim, A K.; Morozov, S V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S V.; Grigorieva, I V.; Firsov, A A., Electric Field Effect in lu Atomically Thin Carbon Films Science 2004,306 (5696), 666-669; an n va [3] Avouris, P., Graphene: Electronic and Photonic Properties and Devices tn to Nano Letters 2010,10 (11), 4285-4294; Kemp, K C.; Hobza, P.; Zboril, R.; Kim, K S., Functionalization of p ie gh [4] Georgakilas, V.; Otyepka, M.; Bourlinos, A B.; Chandra, V.; Kim, N.; oa nl w Graphene: Covalent and Non-Covalent Approaches, Derivatives and Applications Chemical Reviews 2012,112 (11), 6156-6214; d [6] Kim, S M.; Jang, J H.; Kim, K K.; Park, H K.; Bae, J J.; Yu, W J.; v an lu Lee, I H.; Kim, G.; Loc, D D.; Kim, U J.; Lee, E.-H.; Shin, H.-J.; Choi, fu an J.-Y.; Lee, Y H., Reduction-Controlled Viologen in Bisolvent as an m ll Environmentally Stable n-Type Dopant for Carbon Nanotubes Journal n oi of the American Chemical Society 2009,131 (1), 327-331; t [7] Yu, W J.; Liao, L.; Chae, S H.; Lee, Y H.; Duan, X., Toward Tunable z Band Gap and Tunable Dirac Point in Bilayer Graphene with Molecular z gm @ Doping Nano Letters 2011,11 (11), 4759-4763; l [8] Lauffer, P.; Emtsev, K V.; Graupner, R.; Seyller, T.; Ley, L., Molecular m co and electronic structure of PTCDA on bilayer graphene on SiC(0001) an 2008,245 (10), 2064-2067; Lu studied with scanning tunneling microscopy Physical status solid (b) n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an [9] Coletti, C.; Riedl, C.; Lee, D S.; Krauss, B.; Patthey, L.; von Klitzing, K.; Smet, J H.; Starke, U., Charge neutrality and band-gap tuning of epitaxial graphene on SiC by molecular doping Physical Review B 2010,81 (23), 235-401; [10] Deshpande, A.; Sham, C.-H.; Alaboson, J M P.; Mullin, J M.; Schatz, G C.; Hersam, M C., Self-Assembly and Photopolymerization of Sub-2 nm One-Dimensional Organic Nanostructures on Graphene Journal of the American Chemical Society 2012,134 (40), 16759-16764; lu [11] Lu, J.; Yeo, P S E.; Zheng, Y.; Yang, Z.; Bao, Q.; Gan, C K.; Loh, K an P., Using the Graphene Moiré Pattern for the Trapping of C60 and n va Homoepitaxy of Graphene ACS Nano 2012,6 (1), 944-950; Tunability of Supramolecular Kagome Lattices of Magnetic p ie gh tn to [12] Mao, J.; Zhang, H.; Jiang, Y.; Pan, Y.; Gao, M.; Xiao, W.; Gao, H J., Phthalocyanines Using Graphene-Based Moiré Patterns as Templates oa nl w Journal of the American Chemical Society 2009,131 (40), 14136-14137; [13] Phillipson, R.; Lockhart de la Rosa, C J.; Teyssandier, J.; Walke, P.; d v an lu Waghray, D.; Fujita, Y.; Adisoejoso, J.; Mali, K S.; Asselberghs, I.; fu an Huyghebaert, C.; Uji-i, H.; De Gendt, S.; De Feyter, S., Tunable doping of graphene by using physisorbed self-assembled networks Nanoscale m ll n oi 2016,8 (48), 20017-20026; t [14] Pollard, A J.; Perkins, E W.; Smith, N A.; Saywell, A.; Goretzki, G.; z Phillips, A G.; Argent, S P.; Sachdev, H.; Müller, F.; Hüfner, S.; Gsell, z gm @ S.; Fischer, M.; Schreck, M.; Osterwalder, J.; Greber, T.; Berner, S.; Champness, N R.; Beton, P H., Supramolecular Assemblies Formed on Graphene Superstructure International Edition 2010,49 (10), 1794-1799; Angewandte m co Epitaxial l an Chemie an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an [15] Roos, M.; Künzel, D.; Uhl, B.; Huang, H.-H.; Brandao Alves, O.; Hoster, H E.; Gross, A.; Behm, R J., Hierarchical Interactions and Their Influence upon the Adsorption of Organic Molecules on a Graphene Film Journal of the American Chemical Society 2011,133 (24), 9208-9211; [16] Shayeganfar, F.; Rochefort, A., Electronic Properties of Self-Assembled Trimesic Acid Monolayer on Graphene Langmuir 2014,30 (32), 97079716; lu [17] Johns, J E.; Hersam, M C., Atomic Covalent Functionalization of an Graphene Accounts of Chemical Research 2013,46 (1), 77-86; n va [18] Park, J.; Yan, M., Covalent Functionalization of Graphene with Reactive to gh tn Intermediates Accounts of Chemical Research 2013,46 (1), 181-189; p ie [19] Kosynkin, D V.; Higginbotham, A L.; Sinitskii, A.; Lomeda, J R.; Dimiev, A.; Price, B K.; Tour, J M., Longitudinal unzipping of carbon oa nl w nanotubes to form graphene nanoribbons Nature 2009,458, 872; [20] Ossonon, B D.; Bélanger, D., Functionalization of graphene sheets by d v an lu the diazonium chemistry during electrochemical exfoliation of graphite fu an Carbon 2017,111, 83-93; [21] Paulus, G L C.; Wang, Q H.; Strano, M S., Covalent Electron Transfer m ll n oi Chemistry of Graphene with Diazonium Salts Accounts of Chemical t Research 2013,46 (1), 160-170; z [22] Wang, A.; Yu, W.; Huang, Z.; Zhou, F.; Song, J.; Song, Y.; Long, L.; z gm @ Cifuentes, M P.; Humphrey, M G.; Zhang, L.; Shao, J.; Zhang, C., Covalent functionalization of reduced graphene oxide with porphyrin by l Scientific Reports 2016, 6, 23325; m co means of diazonium chemistry for nonlinear optical performance an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an [23] Zhu, H.; Huang, P.; Jing, L.; Zuo, T.; Zhao, Y.; Gao, X., Microstructure evolution of diazonium functionalized graphene: A potential approach to change graphene electronic structure Journal of Materials Chemistry 2012,22 (5), 2063-2068; [24] Greenwood, J.; Phan, T H.; Fujita, Y.; Li, Z.; Ivasenko, O.; Vanderlinden, W.; Van Gorp, H.; Frederickx, W.; Lu, G.; Tahara, K.; Tobe, Y.; Uji-i, H.; Mertens, S F L.; De Feyter, S., Covalent Modification of Graphene and Graphite Using Diazonium Chemistry: lu Tunable Grafting and Nanomanipulation ACS Nano 2015,9 (5), 5520- an 5535; n va [25] Higashi, T.; Shigemitsu, Y.; Sagara, T., Faradaic Phase Transition of to Electrochemical STM and Electroreflectance Spectroscopy Langmuir p ie gh tn Dibenzyl Viologen on an HOPG Electrode Surface Studied by In Situ 2011, 27 (22), 13910-13917; oa nl w [26] Pham, D.-T.; Tsay, S.-L.; Gentz, K.; Zoerlein, C.; Kossmann, S.; Tsay, J.-S.; Kirchner, B.; Wandelt, K.; Broekmann, P., Quasi-Reversible d v an lu Chloride Adsorption/Desorption through a Polycationic Organic Film fu an on Cu(100) The Journal of Physical Chemistry C 2007,111 (44), 1642816436; m ll n oi [27] Phan, T H.; Wandelt, K., Molecular ordering at electrified interfaces: z 2014,10, 2243-2254; t Template and potential effects Beilstein Journal of Organic Chemistry z [28] Trần I.T Vật liệu compozit-Cơ học tính tốn kết cấu gm @ [29] Durst R., Baumner A., Murray R., Buck R., & Andrieux C., Chemically l 1997, 1317–1323; m co modified electrodes: Recommended terminology and definitions, IUPAC, an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an [30] Autumn, K., et al Evidence for van der Waals adhesion in gecko setae Proceedings of the National Academy, 2002, 99, 12252-12256; [31] Zhao, Z.; Gou, J Improved fire retardancy of thermoset composites modified with carbon nanofibers Sci Technol Adv Mater 2009, 10 (1): 015005 [32] Nobel Foundation announcement lu [37] Paul M S Monk, The Viologens: Physicochemical Properties, Synthesis and Applications of the Salts of 4,4'-Bipyridine, Viley, 1999, ISBN: 9780471-98603-4 [38] S Durben and T Baumgartner, Angew Chem., Int Ed., 2011, 50, an n va 7948-7952; tn to [39] E Hwang, S Seo, S Bak, H Lee, M Min and H Lee, Adv Mater., 2014, 26, 5129-5136; gh p ie [40] H M Osorio, S Catarelli, P Cea, J B G Gluyas, F Hartl, S J oa nl w Higgins, E Leary, P J Low, S Martin, R J Nichols, J Tory, J Ulstrup, A Vezzoli, D C Milan and Q Zeng, J Am Chem Soc., 2015, 137, d 14319-14328; v an lu [41] Q V Nguyen, P Martin, D Frath, M L Della Rocca, F Lafolet, S m ll 10131-10134; fu an Bellinck, P Lafarge and J C Lacroix, J Am Chem Soc., 2018, 140, n oi 42] A A Sagade, K V Rao, U Mogera, S J George, A Datta and G U t Kulkarni, Adv Mater., 2013, 25, 559-564; z [43] Z Shi, K G Neoh and E T Kang, Biomaterials, 2005, 26, 501-508; z gm @ [44] T Janoschka, N Martin, U Martin, C Friebe, S Morgenstern, H Hiller, l M D Hager and U S Schubert, Nature, 2015, 527, 78-81; an Lu Chem., Int Ed., 2016, 55, 14425-14428; m co [3] T Janoschka, N Martin, M D Hager and U S Schubert, Angew n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an [4] O Buyukcakir, S.-H Je, D S Choi, S N Talapaneni, Y Seo, Y Jung, K Polychronopoulou and A Coskun, Chem Commun 2016, 52, 934937; [47] Levin S A (1992), The Problem of Pattern and Scale in Ecology Ecology, 73, pp 1943−1967; [48] Schimel S (1995), Terrestrial Ecosystems and the arbon ycle Global Change Biol1, pp 77−91; [49] Shao M., Chang Q., Dodelet.J and Chenitz R (2016), Recent advances lu in electrocatalysts for oxygen reduction reaction.Chem Rev, 116, pp an n va 3594–3657; [0] Jaouen F., Proietti E., Lefevre M., Chenitz R., Dodelet J.P., Wu G., to Precious Metal Catalysis for Oxygen-Reduction Reaction in Polymer p ie gh tn H T., Johnston M., Zelenay P (2011), Recent Advances in Non- oa nl w Electrolyte Fuel ells.Energy Environ Sci, 4(1), pp 114− 130; [51] Melillo J M., McGuire A D., Kicklighter D W., Moore B., Vorosmarty d J., Schloss A L (1993), Global limate-Change and Terrestrial Net v an lu Primary Production.Nature, 363, pp 234−240; fu an [2] Nie Y Li L., Wei Z (2015), Recent Advancements in Pt and Pt-Free m ll Catalysts for Oxygen Reduction Reaction.Chem Soc Rev, 44(8), pp n oi 2168−2201; t [53] Binnig G and Rohrer H (1985), “The Scanning Tunneling Microscopy”, z Scientific American, 253(2), pp 50–56; z gm @ [54] Binnig G., Rohrer H., Gerberand C and Weibel E (1982), Tunneling through a controllable vacuum gap Appl Phys Lett, 40(2), pp 178– [55] Gardiner, D.J (1989) Practical spectroscopy Springer- an Lu Verlag ISBN 978-0-387-50254-0; Raman m co l 180; n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn