(Luận văn) chế tạo và nghiên cứu thuộc tính quang điện hóa tách nước của vật liệu zno znfe2o4

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN NGÔ THÁI LINH lu an n va tn to CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU THUỘC TÍNH QUANG p ie gh ĐIỆN HÓA TÁCH NƢỚC CỦA VẬT LIỆU d oa nl w ZnO/CdS/ZnFe2O4 fu an nv a lu Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 8440104 ll oi m nh at Ngƣời hƣớng dẫn: TS Hoàng Nhật Hiếu z z om l.c gm @ an Lu n va c a th si LỜI CẢM ƠN Đề tài “Chế tạo nghiên cứu thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc ZnO/CdS/ZnFe2O4 ” nội dung nghiên cứu làm luận văn tốt nghiệp sau hai năm theo học chƣơng trình cao học chuyên nghành Vật lý chất rắn trƣờng Đại học Quy Nhơn Trong trình học tập, nghiên cứu hồn thành luận văn, tơi lu nhận đƣợc động viên, khuyến khích tạo điều kiện giúp đỡ nhiệt tình an thầy , cô giáo , anh chị em, bạn bè đồng nghiệp gia đình va n Tơi xin chân thành cảm ơn tới thầy giáo, phịng sau đại học tn to trƣờng Đại học Quy Nhơn hổ trợ tơi suốt q trình học tập làm p ie gh thực nghiệm Đặc biệt TS Hoàng Nhật Hiếu thuộc khoa Khoa học Tự nhiên trƣờng Đại học Quy Nhơn Thầy trực tiếp hƣớng dẫn suốt d oa nl w trình nghiên cứu để tơi hồn thiện luận văn Cuối cùng, xin chân cảm ơn thầy cô, gia đình, bạn bè, ngƣời fu an luận văn tốt nghiệp nv a lu thân yêu động viên, quan tâm, hỗ trợ mặt để hoàn thành ll Học viên oi m at nh z z om l.c gm @ Ngô Thái Linh an Lu n va c a th si LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan số liệu kết nghiên cứu đề tài trung thực, kết nghiên cứu đƣợc thực Trƣờng Đại học Quy Nhơn dƣới hƣớng dẫn TS Hoàng Nhật Hiếu, tài liệu tham khảo đƣợc trích dẫn đầy đủ Học viên lu an n va p ie gh tn to Ngô Thái Linh d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th si MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN LỜI CAM ĐOAN DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU lu Lí chọn đề tài an n va Tổng quan tình hình nghiên cứu đề tài: Đối tƣợng nghiên cứu phạm vi nghiên cứu p ie gh tn to Mục đích nhiệm vụ nghiên cứu: Phƣơng pháp nghiên cứu d oa nl w CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu vật liệu oxit kẽm (ZnO) 1.1.1.Cấu trúc vật liệu ZnO a lu 1.1.2.Tính chất vật liệu ZnO nv fu an 1.1.3 Ứng dụng vật liệu ZnO 10 ll 1.2 Giới thiệu vật liệu ZnFe2O4 12 m oi 1.2.1.Cấu trúc vật liệu ZnFe2O4 13 nh 1.2.2.Tính chất vật liệu ZnFe2O4 14 at z 1.2.3 Ứng dụng vật liệu ZnFe2O4 14 z gm @ 1.3 Giới thiệu vật liệu Cadmium Sulphide (CdS) 15 1.3.1 Cấu trúc vật liệu CdS 17 om l.c 1.3.2 Tính chất vật liệu CdS 18 1.3.3 Ứng dụng vật liệu CdS 19 Lu an 1.4 Một số phƣơng pháp chế tạo 20 n va c a th si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 1.4.1 Phƣơng pháp phun điện 20 1.4.2 Phƣơng pháp thủy nhiệt 23 1.4.3 phƣơng pháp đốt cháy 24 1.5 Hiệu ứng quang điện hóa tách nƣớc 26 1.5.1 Nguyên lý 26 1.5.2 Cơ chế phản ứng: 28 1.5.3 Mơ hình dải tế bào quang điện hóa 30 CHƢƠNG 2: THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO MẪU 32 lu 2.1 Quy trình chế tạo mẫu 32 an 2.1.1 Các hóa chất sử dụng q trình chế tạo đo mẫu bao gồm: 32 va n 2.1.2 Quy trình chuẩn bị đế 32 p ie gh tn to 2.1.3 Quy trình chế tạo cấu trúc ZnO sợi nano 33 2.1.4 Quy trình chế tạo cấu trúc ZnO phân nhánh ba chiều 33 2.1.5 Quy trình mọc hạt nano CdS ZnO 33 d oa nl w 2.1.6 Quy trình chế tạo điện cực ZnO-3D/ZnFe2O4 ZnO3D/CdS/ZnFe2O4 34 nv a lu 2.2 Một số phƣơng pháp khảo sát mẫu 35 fu an 2.2.1 Phƣơng pháp nhiễu xạ tia X (XRD) 35 2.2.2 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 37 ll oi m 2.2.3 Phƣơng pháp phổ phản xạ khuếch tán tử ngoại khả kiến (UV- at nh Visible Diffuse Reflectance Spectroscopy, UV-Vis DRS) 39 z 2.2.4 Đo thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc (PEC) cấu trúc chế z tạo với điều kiện chế tạo thay đổi 40 @ gm CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 42 om l.c 3.1 Hình thái cấu trúc vi mơ: 42 3.2 Thuộc tính cấu trúc: 44 Lu an 3.3 Thuộc tính hấp thụ quang: 45 n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 3.4.Thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc: 46 KẾT LUẬN CHUNG 53 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 54 QUYẾT ĐỊNH GIAO ĐỀ TÀI LUẬN VĂN THẠC SĨ (BẢN SAO) lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Tên viết tắt Tiếng Việt Tiếng Anh Tế bào quang điện hóa PEC Photo Electrochemical Cell chuyển đổi lƣợng mặt STH trời thành hydro solar-to-hydrogen điốt phát quang Light emitting diodes WLED điốt phát ánh sáng trắng White light emitting diodes UV-Vis- Phổ phản xạ khuếch tán tử Ultraviolet - Visible – diffuse DRS ngoại - khả kiến reflectance spectroscopy ZnO Kẽm Oxít Zinc Oxide CdS Cađimi(II) sunfua Cadmium Sulphide VE Bốc chân khơng Vacuum Evaporation Vùng hố trị Valence Band LED lu an n va p ie gh tn to VB d oa nl w ITO Kính phủ lớp dẫn điện Indium Tin Oxide suốt ITO a lu Vùng dẫn Conduction Band PVP Polymer Polyvinyl pyrolidone DMF Dimethyl formamide XRD Nhiễu xạ tia X SEM Kính hiển vi điện tử quét fu an nv CB ll Dimethyl-formamide m oi X-ray diffraction at nh Scanning Electron Microscope z Kính hiển vi điện tử truyền Transmission Electron z qua Microscopy Năng lƣợng dải trống Band gap energy om l.c gm Eg @ TEM an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: Các thông số vật lí vật liệu ZnO dạng khối Bảng 1.2 Thơng số bán kính số ion kim loại 13 Bảng 1.3: Tính chất cadmium sulfide 16 Bảng 1.4 Các thông số vật liệu CdS 18 Bảng 1.5 Các loại nhiên liệu thƣờng đƣợc sử dụng cho phƣơng pháp đốt cháy 25 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1: Cấu trúc kiểu wurtzite lục giác xếp chặt Hình 1.2: Cấu trúc tinh thể ZnO dạng lập phƣơng rocksalt Hình 1.3: Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm Blend Hình 1.4 : Phổ huỳnh quang ZnO khối loại n 10 Hình 1.5: Cấu trúc tinh thể vật liệu 13 Hình 1.6 Cấu trúc tinh thể CdS kiểu lục giác (a) kiểu lập phƣơng (b) 17 lu Hình 1.7: Sơ đồ ngun lí phƣơng pháp phun điện 20 an n va Hình 1.8 Sơ đồ biểu diễn "tam giác cháy" 25 tn to Hình 1.9: Cấu trúc hệ quang điện hóa tách nƣớc 28 Hình 1.10: Cơ chế phản ứng quang điện hóa [25] 29 p ie gh Hình 1.11: Sơ đồ dải lƣợng hệ điện hóa điện cực bán dẫn - kim loại; (a) chƣa tiếp xúc, (b) tiếp xúc nhƣng chƣa chiếu ánh sáng, d oa nl w (c) ảnh hƣởng chiếu sáng (d) ảnh hƣởng chiếu sáng 30 a lu Hình 2.1 Quy trình chế tạo mẫu 35 nv fu an Hình 2.2: Sự phản xạ bề mặt tinh thể 36 ll Hình 2.3: máy HITACHI S-4800 chụp ảnh SEM 37 oi m Hình 2.4: Cấu tạo hệ đo điện hóa ba điện cực 41 at nh Hình 3.1: (a) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO-3D, (b) Ảnh SEM phóng z đại nó, (c) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO-3D/ ZnFe2O4, z gm @ (d) Ảnh SEM phóng đại 42 Hình 3.2: (a) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO-3D/ CdS, (b) Ảnh SEM om l.c phóng đại nó, (c) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO3D/CdS/ZnFe2O4 , (d) Ảnh SEM phóng đại 43 an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Hình 3.3: Phổ XRD mẫu ZnO-3D, ZnO-3D /ZnFe2O4 ZnO3D/CdS/ZnFe2O4 44 Hình 3.4: (a) Phổ UV-Vis-DRS (b) Tính tốn khe lƣợng theo hàm Kubelka Munk từ phổ UV-Vis-DRS 46 Hình 3.5: Thuộc tính PEC hai cấu trúc ZnO-3D ZnO-3D/ZnFe2O4 (a) mật độ dòng quang (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng 47 Hình 3.6: Thuộc tính PEC hai cấu trúc ZnO-3D/CdS ZnO- lu 3D/CdS/ZnFe2O4 ; (a) mật độ dòng quang (b) hiệu suất an chuyển đổi quang tƣơng ứng 49 n va Hình 3.7: Mơ hình mơ tả xếp dãi lƣợng chế vận chuyển tn to hạt tải điện tích 50 p ie gh Hình 3.8: Độ ổn định làm việc cấu trúc theo thời gian 51 d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 43 Hình 3.1 (c) ảnh SEM bề mặt tƣơng ứng (d) ảnh phóng đại mẫu ZnO-3D/ZnFe2O4 chế tạo phƣơng pháp đốt cháy, sau quay phủ điện cực ZnO-3D ủ nhiệt 350oC không khí Kết quan sát ảnh SEM cho thấy rằng, kích thƣớc nano ZnO tăng lên vài vùng có tƣợng tích tụ, nano liên kết lại với so sánh với cấu trúc ZnO-3D ban đầu Điều cho thấy, vật liệu ZnFe2O4 đƣợc hình thành Tuy nhiên, cấu trúc phân nhánh ba chiều gần nhƣ bị biến dạng lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z Hình 3.2: (a) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO-3D/ CdS, (b) Ảnh SEM phóng đại @ om l.c gm nó, (c) Ảnh SEM bề mặt cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 , (d) Ảnh SEM phóng đại Hình 3.2 (a) ảnh SEM cấu trúc ZnO-3D/CdS đạt đƣợc thời Lu gian mọc CdS 30 phút tƣơng ứng (b) ảnh phóng đại Ảnh SEM an cho thấy sau mọc CdS cấu trúc phân nhánh không thay đổi, không bị biến n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 44 dạng Mặc khác, nano trở nên nhám đƣờng kính nano trở nên to so với trƣờng hợp chƣa mọc CdS, chứng tỏ CdS mọc tinh thể lên bề mặt nano ZnO Hình 3.2 (c) ảnh SEM cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 (d) ảnh phóng đại tƣơng ứng Cấu trúc đƣợc chế tạo với điều kiện tƣơng tự nhƣ cấu trúc ZnO-3D/ ZnFe2O4, khác điện cực đế đƣợc sử dụng trƣờng hợp ZnO-3D/CdS, nghĩa ZnFe2O4 đƣợc mọc lớp CdS Trong trƣờng hợp này, cấu trúc phân nhánh hầu nhƣ không bị biến lu dạng ZnFe2O4 mọc CdS có hình dạng hạt nano, nhƣ quan sát an thấy ảnh phóng đại hình 3.2 (d) n va 3.2 Thuộc tính cấu tr c: tn to Để chứng minh mọc tinh thể ZnO, CdS ZnFe2O4, mẫu p ie gh ZnO-3D, ZnO-3D/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 đƣợc đặc trƣng phổ nhiễu xạ tia X máy Bruker D2 Trƣờng Đại Học Quy Nhơn nhƣ d oa nl w cho thấy hình 3.3 fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ Hình 3.3: Phổ XRD mẫu ZnO-3D, ZnO-3D /ZnFe2O4 an Lu ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 45 Trên giản đồ XRD ba mẫu ta nhận đƣợc đỉnh nhiễu xạ vị trí 2θ = 31.8°, 34.4°, 36.2°, 47.5° tƣơng ứng với mặt mạng (100), (002), (101), (102) cấu trúc wurtzite Kết hoàn toàn trùng khớp với thẻ chuẩn (PDF card: 00-036-1451) ZnO Hơn nữa, mẫu ZnO-3D đỉnh nhiễu xạ tƣơng ứng với mặt (002) có cƣờng độ mạnh so với đỉnh khác, chứng minh ZnO đƣợc mọc định hƣớng trụcc cao, điều cho thấy ảnh SEM Cƣờng độ đỉnh đặc trƣng ZnO giảm dần cho mẫu ZnO-3D/ZnFe2O4 ZnO- lu 3D/CdS/ZnFe2O4 lớp vật liệu CdS ZnFe2O4 phủ bên ZnO an dày Bên cạnh đó, giản đồ nhiễu xạ tia X ta nhận đƣợc đỉnh n va mạnh vị trí 26.5° 44.0° mẫu ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 tƣơng ứng với tn to mặt mạng (111), (220) cấu trúc lập phƣơng CdS (PDF card: p ie gh 00-041-1049) hai mẫu ZnO-3D/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 xuất đỉnh phổ vị trí 29.9°, 42.8°, 53.1° tƣơng ứng với mặt d oa nl w mạng (220), (400), (422) đặc trƣng cho cấu trúc lập phƣơng ZnFe2O4 (PDF card: 01-070-6490) Kết chứng minh ZnO, CdS ZnFe2O4 nv a lu tinh thể Kết hợp với ảnh SEM cho thấy cấu trúc ZnO-3D, ZnO- fu an 3D/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 đƣợc tổng hợp thành cơng 3.3 Thuộc tính hấp thụ quang: ll oi m Để cho thấy thuộc tính hấp thụ quang vùng nhìn thấy phổ mặt at nh trời nhờ vào vật liệu CdS ZnFe2O4, tiến hành đo Phổ UV-Vis- z DRS (phổ phản xạ khuếch tán tử ngoại khả kiến) mẫu ZnO-3D, ZnO- z @ 3D/ZnFe2O4 , ZnO-3D/CdS, ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 máy Jasco-V770 om l.c gm Trƣờng Đại Học Quy Nhơn nhƣ cho thấy hình 3.4 an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 46 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w a lu fu an nv Hình 3.4: (a) Phổ UV-Vis-DRS (b) Tính tốn khe lƣợng theo hàm Kubelka Munk từ phổ UV-Vis-DRS ll Kết phổ hình 3.4 (a) cho thấy, ZnO-3D hấp thụ m oi vùng UV với biên hấp thụ 390 nm (đƣờng màu đen) So sánh với ZnO-3D, nh at hấp thụ mẫu ZnO-3D/ZnFe2O4 , ZnO-3D/CdS, ZnO- z 3D/CdS/ZnFe2O4 trôi đỏ Cụ thể, ZnO-3D/CdS có biên hấp thụ 550 nm z @ gm (đƣờng màu xanh), ZnO-3D/ZnFe2O4 có biên hấp thụ 690 nm (đƣờng màu om l.c đỏ) ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 có biên hấp thụ 590 nm (đƣờng màu hồng) Khe lƣợng mẫu đƣợc xác định hàm Kubelka Munk an Lu cho thấy hình 3.4 (b) Dựa xác định khe lƣợng mẫu ZnO-3D 3.2 eV, ZnO-3D/CdS 2.3 eV, ZnO-3D/ZnFe2O4 1.9 n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 47 eV ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 2.2 eV, nhƣ khe lƣợng vật liệu lai hóa ba thành phần ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 có khe lƣợng nằm trung gian Nguyên nhân hiệu ứng giam giữ lƣợng tử xảy hai vật liệu, ZnFe2O4 đƣợc mọc lớp nên hấp thụ quang mạnh CdS Kết này, cho thấy việc mọc thêm hạt nano CdS ZnFe2O4 hiệu việc hấp thụ quang vùng nhìn thấy 3.4.Thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc: lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ Hình 3.5: Thuộc tính PEC hai cấu trúc ZnO-3D ZnO-3D/ZnFe2O4 (a) mật độ Lu dòng quang (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng an Thuộc tính tách nƣớc quang điện hóa hai điện cực ZnO-3D n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 48 ZnO-3D/ ZnFe2O4 đƣợc đo dƣới xạ ánh sáng đèn Xenon 150 W với cƣờng độ 75 mW.cm-2, sử dụng dung dịch điện phân Na2SO4 nồng độ 0,5 M Kết PEC đƣợc cho thấy hình 3.5 Hình 3.5 (a) mật độ dịng quang theo tối dƣới xạ ánh sáng đƣợc đo mức từ -0,6 V đến 1,2 V Tƣơng ứng hình 3.5 (b) hiệu suất chuyển đổi quang đƣợc tính tốn từ cơng thức Kết đo cho thấy, chƣa chiếu ánh sáng mật độ dịng gần nhƣ khơng, có ánh sáng chiếu vào dịng quang tăng mạnh vƣơng tới bảo hòa mức lu đo, điều chứng tỏ hai cấu trúc có hiệu ứng quang điện hóa Đối với an n va cấu trúc ZnO-3D dịng quang nhƣ hiệu suất chuyển đổi quang cao tn to nhiều so với cấu trúc ZnO-3D/ZnFe2O4 Cụ thể, hiệu suất PEC 0,62 % 0,2 V theo điện cực Ag/AgCl cho cấu trúc ZnO-3D, cao gấp 7,75 p ie gh lần hiệu suất 0,08 % 0,5 V theo điện cực Ag/AgCl cho cấu trúc ZnO-3D/ZnFe2O4 Điều cho thấy rằng, việc mọc ZnFe2O4 ZnO-3D d oa nl w không hiệu Điều cho thấy ảnh SEM, sau mọc ZnFe2O4 ZnO-3D cấu trúc gần nhƣ bị biến dạng có tƣợng bị nv a lu ăn mịn, làm giảm hiệu suất PEC fu an Để khắc phục hạn chế mục đích hình thành cấu trúc ll bậc thang ba thành phần với xếp dãi loại II, vật liệu CdS đƣợc chọn để m oi mọc ZnO ZnFe2O4 Kết ảnh SEM cho thấy, có lớp CdS nh at cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 đƣợc hình thành hồn hảo Thuộc z tính PEC hai cấu trúc ZnO-3D/CdS ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 đƣợc z gm @ đo so sánh nhƣ cho thấy hình 3.6 om l.c Hình 3.6 (a) mật độ dòng quang theo tối dƣới xạ ánh sáng đƣợc đo mức từ -1,6 V đến 0,6 V, sử dụng dung dịch điện Lu phân bao gồm 0,25 M Na2S 0,35 M Na2SO3 Hình 3.6 (b) hiệu suất an chuyển đổi quang tƣơng ứng Kết đo cho thấy, hiệu suất đạt đƣợc n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 49 cấu trúc ZnO-3D/CdS 2,3 % -0,4 V (vs Ag/AgCl) Sau mọc thêm lớp vật liệu ZnFe2O4 để hình thành cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 hiệu suất tăng lên lớn Cụ thể, hiệu suất đạt đƣợc 5,6 % -0,2 V (vs Ag/AgCl) cao gấp 2,43 lần so với cấu trúc ZnO-3D/CdS lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z gm @ Hình 3.6: Thuộc tính PEC hai cấu trúc ZnO-3D/CdS ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 ; om l.c (a) mật độ dòng quang (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng Hiệu suất cao cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 đƣợc giải Lu an thích với ba lý sau: (1) Sự xếp dãi theo kiểu bậc thang ZnO, CdS n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 50 ZnFe2O4 thuận lợi cho việc tách vận chuyển hạt tải sinh quang, hình thành lớp tiếp giáp khác loại (heterojunction) CdS ZnFe2O4 giúp tách cặp điện tử lỗ trống hiệu [28-30] (2) hấp thụ mạnh vùng ánh sáng nhìn thấy CdS ZnFe2O4 (3) Cấu trúc phân nhánh ba chiều có khả thu thập vận chuyển điện tử hiệu [27] Sự xếp dãi chế vận chuyển hạt tải đƣợc đề nghị nhƣ cho thấy hình 3.7 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll Hình 3.7: Mơ hình mơ tả xếp dãi lượng chế vận chuyển hạt tải điện tích m oi Theo mơ hình xếp dãi bậc thang hạt tải sinh quang dễ nh at dàng tách vận chuyển nhanh đến đế Cụ thể, dƣới chiếu sáng ZnO, z CdS, ZnFe2O4 sinh cặp điện tử - lỗ trống Ở dãi hóa trị, lỗ trống z gm @ sinh đƣợc vận chuyển đến ZnFe2O4, tham gia vào phản ứng xy om l.c hóa H2O sinh H+ Ở dãi dẫn điện tử sinh đƣợc di cƣ từ ZnFe2O4 đến CdS vận chuyển nhanh đến đế thơng qua ZnO theo mạch ngồi đến điện Lu cực đối, điện tử phản ứng với H+ để sinh khí H2 an Để kiểm tra độ bền độ ổn định làm việc điện cực Hai mẫu điện n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 51 cực cho hiệu suất PEC cao đƣợc tiếp tục đo mật độ dòng quang theo thời gian dƣới điều kiện đóng ngắt ánh sáng độ bền làm việc điện cực theo thời gian dƣới chiếu sáng liên tục ánh sáng nhƣ trình bày hình 3.8 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z @ gm Hình 3.8: Độ ổn định làm việc cấu trúc theo thời gian om l.c Hình 3.8 (a) kết đo mật độ dòng quang 0,2 V dƣới điều kiện đóng ngắt ánh sáng vòng đo cấu trúc ZnO- an Lu 3D/CdS/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS Kết cho thấy, dòng quang bật nhanh phục hồi nhanh suốt vịng đóng ngắt ánh sáng Điều n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 52 chứng minh rằng, cấu trúc chế tạo có độ hồi đáp quang tốt Hình 3.8 (b) kết đo mật độ dòng quang 0,2 V dƣới chiếu sáng liên tục ánh sáng khoảng thời gian 1800 giây mẫu điện cực ZnO3D/CdS/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS Dựa vào kết quả, chúng tơi nhận thấy phần trăm mật độ dịng quang giảm khoảng thời gian 1800 giây đối cới cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 là: Io  I I 7,8  7,5 100%  100%  100%  3,8% I0 I0 7,8 lu an Đối với cấu trúc CdS/ZnO-3D là: va n Io  I I 2,9  2,3 100%  100%  100%  20% I0 I0 2,9 p ie gh tn to Nhƣ sau khoảng thời gian đo 1800 giây mật độ dịng quang d oa nl w giảm Điều độ ổn định làm việc tốt điện cực fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 53 KẾT LUẬN CHUNG  Kết đạt đƣợc Từ kết chế tạo khảo sát thuộc tính quang điện hóa điện cực quang chúng tơi rút số kết luận sau: Bằng phƣơng pháp phun điện kết hợp phƣơng pháp mọc thủy nhiệt phƣơng pháp đốt cháy chế tạo thành công vật liệu điện cực quang cấu trúc ZnO-3D, ZnO-3D/CdS, ZnO-3D/ZnFe2O4 ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 lu an Khảo sát thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc điện cực chế n va tạo Kết cho thấy, điện cực quang dựa cấu trúc ZnO- tn to 3D/CdS/ZnFe2O4 cho hiệu suất tách nƣớc đạt đƣợc 5,6 %, hiệu suất p ie gh cao đạt đƣợc Độ hồi đáp quang độ bền làm việc điện cực đƣợc đo d oa nl w kiểm tra Kết cho thấy điện cực cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 độ hồi đáp quang tốt theo vịng đóng ngắt ánh sáng (thời gian hai lần đóng ngắt 20 giây) Điện cực cho thấy độ bền làm việc tốt, a lu nv dƣới chiếu sáng liên tục khoảng thời gian 1800 giây, mật độ dịng Những đóng góp ll  fu an quang giảm không đáng kể m oi - Cấu trúc ZnO-3D/CdS/ZnFe2O4 cách tiếp cận ứng dụng nh at làm điện cực quang ứng dụng tách nƣớc z - Góp phần nâng cao hiệu suất tách nƣớc z om l.c  kết tốt đạt đƣợc luận văn gm @ - Điện cực quang mà chế tạo cho hiệu suất PEC cao Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài an quang điện hóa sản suất khí hydro tốt Lu Đây cấu trúc có tiềm ứng dụng làm điện cực quang hệ n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 54 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO lu an n va p ie gh tn to [1] F E Osterloh, Inorganic nanostructures for photoelectrochemical and photocatalytic water splitting, Chem Soc, Rev 2013, 42, 22942320 [2] M Grätzel, Photoelectrochemical cells, Science 2001, 414, 338344 [3] E L W Michael, G Walter, J R McKone, S W Boettcher, Q X Mi, E A Santori, N S Lewis, Highly ordered ZnO/ZnFe2O4 inverse opals with binder-free heterojunction interfaces for high-performance photoelectrochemical water splitting, Chem Rev 2010, 110, 64466473 [4] T Hisatomi, J Kubota and K Domen, Recent advances in semiconductors for photocatalytic and photoelectrochemical water splitting, Chem Soc, Rev 2014, 43,75207535 [5] C Du, X Yang, M T Mayer, H Hoyt, J Xie, G McMahon, G.Bischoping, D Wang, Angew Hematite-Based Water Splitting with Low Turn-On Voltages, Chem 2013, 52, 1269212695 [6] T W Kim, K S Choi, Nanoporous BiVO4 Photoanodes with Dual Layer Oxygen Evolution Catalysts for Solar Water Splitting, Science 2014, 343, 990994 [7] H N Hieu, N Q Dung, J Kim, and D Kim, Urchin-like nanowire array: A strategy for high-performance ZnO-based electrode utilized in photoelectrochemistry, Nanoscale, 2013, 5, 12 [8] H N Hieu, N V Nghia, N M Vuong, and H Van Bui, Omnidirectional Au-embedded ZnO/CdS core/shell nanorods for enhanced photoelectrochemical water-splitting efficiency, Chem Commun., 2020, 56 3975–3978 [9] J H Kim, Y J Jang, J H Kim, J W Jang, S H Choi, J S Lee, Defective ZnFe2O4 nanorods with oxygen vacancy for photoelectrochemical water splitting, Nanoscale 2015, 7, 1914419151 [10] M Zhao, J Huang, Y Zhou, X Pan, H He, Z Ye, X Pan, Controlled synthesis of spinel ZnFe2O4 decorated ZnO heterostructures as d oa nl w fu an nv a lu ll oi m at nh z z om l.c gm @ an Lu n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 55 peroxidase mimetics for enhanced colorimetric biosensing, Chem Commun 2013, 49, 76567658 [11] J Chen, S Shen, P Guo, P Wu, L Guo, J Mater Enhanced photocatalytic hydrogen evolution over graphitic carbon nitride modified with Ti-activated mesoporous silica, Chem A 2014, 2,46054612 [12] A Sheikh, A Yengantiwar, M Deo, S Kelkar, and S Ogale, Near-field plasmonic functionalization of light harvesting oxide heterojunctions for efficient solar photoelectrochemical water splitting: The lu AuNP/ZnFe2O4/ZnO system, Small, 2013 9, 2091–2096 an [13] D D Qin and C L Tao, A nanostructured ZnO-ZnFe2O4 heterojunction va n for the visible light photoelectrochemical oxidation of water, RSC tn to Adv., 2014, 4, 16968–16972 p ie gh [14] S Cao, X Yan, Z Kang, Q Liang, X Liao, and Y Zhang, Band alignment engineering for improved performance and stability of d oa nl w ZnFe2O4 modified CdS/ZnO nanostructured photoanode for PEC water splitting, Nano Energy, 2016, 24, 25–31 a lu [15] F Paquin, J Rivnay, A Salleo, N Stingelin, and C Silva, Multi-phase fu an nv semicrystalline microstructures drive exciton dissociation in neat plastic semiconductors, J Mater Chem C, 2015, 3, 10715–10722 ll [16] D Y C Leung, X L Fu, C F Wang, M Ni, M K H Leung, X Wang, oi m Hydrogen production over titania-based photocatalysts, Chem Sus at nh Chem., 2010, 2, 681 z z [17] A Wolcott, W A Smith, T R Kuykendall, Y Zhao, J Z Zhang, @ gm Photoelectrochemical Study of Nanostructured ZnO Thin Films for Materials, 2009, 19, 1849 om l.c Hydrogen Generation from Water Splitting, Advanced Functional an Lu [18] K Kim, S Jeong, J Y Woo, and C S Han, Successive and large-scale synthesis of InP/ZnS quantum dots in a hybrid reactor and their n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 56 application to white LEDs, Nanotechnology, 2012, 23 [19] S Ma, J Xue, Y Zhou, and Z Zhang, Photochemical synthesis of ZnO/Ag2O heterostructures with enhanced ultraviolet and visible photocatalytic activity, J Mater Chem A, 2014, 2, 7272–7280 [20] Aruna S T., Mukasyan A S, Combustion synthesis and nanomaterials, Current Opinion in Solid state and Materials Science 12, 44 [21] Castro S., Gayoso M and Rodriguez C., A study of the combustion method to prepare fine ferrite particles, Journal of Solid state lu chemistry, 1997, 134, 227-231 an [22] Patil K C., Aruna S T., Mimani T., Combustion synthesis: an update, va n Current Opinion in Solid state and Materials Science, 2002, 6, 507-512 tn to [23] Patil K C., Hegde M S., Rattan Tanu, Aruna S T., Chemistry of p ie gh Nanocrystalline Oxide Materials - Combustion Synthesis, Properties and Applications, World Scientific, Singapore, 2008 d oa nl w [24] Mothudi Bakang Moses, Synthesis and charaterization of Strontium (Sr), Barium (Ba) and Calcium (Ca) aluminate phosphors doped with rare nv a lu earth ions, A thesis submitted in fulfillment of the requirement for the fu an degree Philosophiae doctor, University of the Free State, Republic of South Africa, 2009 ll oi m [25] A Fujishima and K Honda Electrochemical Photolysisof Water at a A.K Rai, S Kim, J Gim, M.H Alfaruqi, V Mathew, J Kim, z [26] at nh Semiconductor Electrode.Nature, 1972, 238, 37 storage of a ZnFe2O4/ graphene gm @ lithium z Electrochemical nanocomposite as an anode material for rechargeable lithium ion om l.c batterie, RSC Adv., 2014, 4, 47087-47095 [27] H N Hieu, N V Nghia, N M Vuong, H Van Bui, Omnidirectional core/shell nanorods for an ZnO/CdS Lu Au-embedded enhanced n va c a th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn